FPM-RAM
Descripción de la tecnología
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las
más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a
100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de
espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila
que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3
ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos.
Velocidad de transferencia
200 MB/s
EDO-RAM
Descripción de la tecnología
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras
los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en
SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
Velocidad de transferencia
320 MB/s
BEDO-RAM
Descripción de la tecnología
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa
que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos
en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la
actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la
limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
Velocidad de transferencia
SDR SDRAM
Descripción de la tecnología
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que
este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo
de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología
InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando
el anterior.
Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en
ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los
ordenadores portátiles.
PC66
Velocidad de transferencia
PC100
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de
hasta 800 MB/s.
PC133
Fecha de introducción
1999
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de
hasta 1066 MB/s.
DDR-SDRAM
Descripción de la tecnología
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que
permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los
módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por
ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El
número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el
DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades
de reloj más altas para las que fue diseñado.
PC1600 – DDR200
Velocidad de transferencia
1600 MB/s
PC2100 – DDR266
Velocidad de transferencia
2133 MB/s
PC2100 – DDR266
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus
de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.
PC3200 – DDR400
Velocidad de transferencia
Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un
bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.
PC4200 – DDR533
Velocidad de transferencia
Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya
son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con
un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.
PC4800 – DDR600
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus
de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.
PC5300 – DDR667
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus
de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.
PC6400 – DDR800
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus
de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.
DDR3 – 800
Velocidad de transferencia
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las
DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de
1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de
energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de
transferencia máxima de 6.4 GB/s.
DDR3 – 1066
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus
de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.
DDR3 – 1333
Velocidad de transferencia
De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667
GB/s @ 1333 MHz
DDR3 – 1600
DDR3 – 1800
Velocidad de transferencia
Velocidad de transferencia
RDRAM
Descripción de la tecnología
También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de
16-bit
RAMBUS PC600
Velocidad de transferencia
1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz
RAMBUS PC700
Velocidad de transferencia
1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz
RAMBUS PC800
Velocidad de transferencia
1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz
ESDRAM
Descripción de la tecnología
Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones
de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy
similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz
Flash Memory
Fecha de introducción
Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el
IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba
anunció el tipo NAND en el ISSCC.
Descripción de la tecnología
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos
móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o
simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta
32GB, basadas en NOR y NAND.
Velocidad de transferencia
La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido
incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las más
comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de
tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s.