Tecnologa de Materiales

TEMA 1: ESTRUCTURA
(Miller y Defectos)

ING. ANAH SANTELIZ

NDICES DE MILLER

Los planos y direcciones cristalogrficas de especial inters

se especifican con respecto a ejes coordenados utilizando
los ndices de Miller.
La unidad de las coordenadas es el parmetro reticular.

Planos cristalogrficos: son los planos sobre los cuales

estn ordenados los tomos en la celda unitaria.
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ndices de Miller de los Planos

Cristalogrficos
En una red cbica son: (h k l) , donde h, k y l son los inversos de
las intersecciones de dicho plano con los ejes x, y y z, reducidas a
un mnimo comn denominador.
Si un plano es paralelo a un eje lo intercepta en el infinito.
Si el plano pasa por el origen hay que mover el origen del sistema
de coordenadas.

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Importancia de los planos

cristalogrficos:

Los metales se deforman fcilmente a lo largo de los

planos ms compactos.

La energa superficial en cada una de las caras de un

cristal depende de los planos cristalogrficos e influye
en el crecimiento de un cristal. El crecimiento de
pelculas en ciertos materiales electrnicos solo se da
en ciertos planos.

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Plano

Corte

ndices

, , 1

(0 0 1)

1, 1, 1

(1 1 1)

1, 1,

(1 1 0)

, , -1

(0 0 )

1, ,

(1 0 2)

, , 1

(2 2 1)

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Densidad Planar
Cantidad de tomos cuyos centros estn en el plano por
unidad de rea.
En una celda cbica simple

a = 0,334nm y plano (010) :

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Factor de Empaquetamiento Planar

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ndices de Miller de las Direcciones

Cristalogrficas

En una celda unitaria cbica son los mnimos enteros

[u v w], donde u, v y w son las proyecciones de la direccin
sobre los ejes x, y y z respectivamente.

Se obtienen restando las coordenadas de dos puntos en dicha

direccin. Luego se llevan los resultados a los mnimos enteros.

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En redes cbicas una direccin es siempre perpendicular al

plano que tiene los mismos ndices.
La direccin perpendicular al plano (111) es [111]

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Importancia de las Direcciones

cristalogrficas:

Indica la orientacin de un monocristal o policristal.

La deformacin de metales es mas fcil en la direccin
ms compacta.
Para magnetizar ciertos materiales debe hacerse en
direcciones especficas.
Ciertas piezas se fabrican con sus cristales alineados en
una direccin en particular para aprovechar mejor sus
propiedades mecnicas.

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Densidad lineal:
Cantidad de puntos de red que se repiten por unidad de longitud a
lo largo de una direccin especfica

Cobre,
parmetro de red FCC
es 0,36151nm,
en la direccin [110]:

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Factor de Empaquetamiento Lineal

Para el ejemplo anterior :

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12

ANAH SANTELIZ

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Planos y Direcciones Compactas

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14

En la red FCC hay 4 planos compactos y en la red HCP solo

hay dos. Esto da origen a propiedades de deformacin
plstica que son mucho ms direccionales en las
estructuras HCP que en las FCC.

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Mecanismos de Cristalizacin
1) Nucleacin:

formacin de los primeros cristales

dentro del metal fundido. Para que un ncleo pueda ser
estable y transformarse en cristal debe alcanzar un tamao
critico

Homognea: se da cuando el metal proporciona por s

mismo los tomos para formar ncleos. Requiere de un
subenfriamiento suficientemente grande para formar un
ncleo estable.

Heterognea: tiene lugar en superficies preexistentes

(sobre las paredes del recipiente o impurezas insolubles en
el liquido). Se da con mas facilidad porque no requiere
subenfriamiento.

2) Crecimiento:

determinado segn la forma en que se

elimina el calor latente de fusin.
Crecimiento Planar: Ocurre cuando el lquido bien
inoculado genera una nucleacin heterognea. El molde
absorbe el calor

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a.

Crecimiento
Dendrtico: Cuando el liquido no se
inocula, se debe subenfriar suficiente para que se forme
el slido. Se genera una nucleacin homognea. El molde
absorbe calor.

18

19

MICROESTRUCTURA

Estructura observada microscpicamente revelada por la

preparacin metalogrfica.

Fases y microconstituyentes
Granos y lmites de granos
Defectos

Deformaciones

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Microestructuras de aleaciones metlicas

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DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA
CRISTALINA

PUNTUALES

LINEALES

SUPERFICIALES

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Defectos Puntuales

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VACANCIAS

No solo estn presentes como resultado de la

solidificacin, sino que pueden producirse al elevarse la
temperatura

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Sitios intersticiales (cbico, octadrico y

tetradrico) en las celdas cbicas
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ANAH SANTELIZ

En aleaciones con tomos de distintos dimetros, es posible

que algunos ocupen posiciones intersticiales o vacancias.

Los tomos intersticiales y sustitucionales pueden estar

como impurezas o ser agregados deliberadamente y se
mantiene casi constante la cantidad de estos en la
estructura.

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El que los tomos agregados vayan a sitios intersticiales o

sustitucionales depende del tamao y de la valencia de los
tomos husped y de los tomos agregados. El tamao de
los sitios disponibles tambin tiene influencia sobre eso.

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Defecto de Frenkel: Es una vacancia intersticial.

Cuando un tomo salta de un sitio normal hacia un
intersticio.

Defecto de Schottky: Se producen cuando faltan

dos iones de cargas opuetas.

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Defectos Lineales
DISLOCACIONES

se introducen al material cuando se lo

deforma permanentemente y durante la
solidificacin.

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ANAH SANTELIZ

31

Movimiento
de la
dislocacin:
Deformacin
Plstica
(Deslizamiento fcil
en ausencia de
obstculos)

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Deslizamiento en Dislocaciones de Cua

Esfuerzo

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Deslizamiento en Dislocaciones de Tornillo

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Defectos Superficiales
LMITES DE GRANO

Controlando el tamao de grano mediante la

solidificacin, aleaciones o tratamientos trmicos,
se pueden controlar las propiedades de un material
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Defectos volumtricos.

Precipitados. Se forman por transformaciones

de fase que conducen a una dispersin uniforme
de precipitados de tamao fino en una matriz.

Aglomeraciones
de
vacancias.
Muchas
vacancias forman un pequeo vaco de material,
esto obstaculiza el desplazamiento de las
dislocaciones.

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Rechupes: cambio de volumen durante la solidificacin.

Porosidades: gases atrapados durante la solidificacin.

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Grietas: Aparecen por las intensas deformaciones

contraccin, cuando no hay condiciones uniformes
enfriamiento.

Inclusiones: Aparecen por la presencia de

indeseables o impurezas durante la solidificacin.

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de
de

elementos

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IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS

Las dislocaciones proporcionan un mecanismo de deformacin

plstica. Al aplicar un esfuerzo que cause el movimiento de
dislocaciones se produce deformacin permanente.

El deslizamiento de las dislocaciones explica:

Por qu la resistencia de los metales es mucho menor que el valor
deducido a partir del enlace atmico.
Cmo la introduccin de obstculos en el material para evitar el
deslizamiento de las dislocaciones, ayuda al endurecimiento del
mismo.

Toda imperfeccin en el cristal aumenta la energa interna en el

lugar de la imperfeccin (tomos a compresin o a tensin).
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IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS

Las dislocaciones, defectos puntuales y lmites de grano, sirven

como obstculo a las dislocaciones. Al controlar estos se puede
controlar la resistencia del material.

Hay tres mecanismos de endurecimiento basados en los defectos

en los cristales:
Endurecimiento por deformacin. Al aumentar la densidad de
dislocaciones aumenta la resistencia del material, porque se
producen ms obstculos al movimiento.
Endurecimiento por solucin slida. En la solucin slida
intersticial y sustitucional, sus tomos intersticiales y
sustitucionales interfieren en el movimiento de las dislocaciones.
El acero al C es ms resistente que el Fe puro.

Endurecimiento por tamao de grano. Los lmites de grano,

bloquean el movimiento de las dislocaciones.
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DIFUSIN EN SLIDOS

Mecanismo por el cual cualquier especie (tomos,

electrones, iones) es transportada de una posicin a otra a
travs de la materia cuando hay suficiente energa de
activacin.

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Difusin

Incorporacin de tomos externos.

Redistribucin de tomos.

Expulsin de tomos internos al ambiente.

Ejemplos
Revestimiento metlico de metales
Materiales con gases reactivos
Carburacin

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Mecanismos de Difusin:
Por Vacancia o Sustitucin:

Intersticial: Ej: C, H, O y N pueden difundirse

en redes cristalinas metlicas.

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Rotacin

Intercambio

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La difusin aumenta con la temperatura

(Arrhenius)

D = Do exp (-Q / RT)

Donde:
D: velocidad de difusin, difusividad, coef. de difusin
Do: constante preexponencial
Q: energa de activacin por mol
T: temperatura absoluta (K)
R: constante universal de los gases 8,314J/mol*K

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ANAH SANTELIZ

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Leyes de difusin

Primera Ley de Fick (Difusin Estacionaria):

Flujo de tomos que pasan a travs de un plano de rea
unitaria por unidad de tiempo.
No hay cambios de concentracin
nicamente hay un flujo de tomos

con

el

tiempo;

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Los valores de D (m2/seg) dependen de:

Mecanismo de Difusin.
2. Temperatura.
3. Estructura Cristalina y defecto.
4. La Concentracin de las Especies.
1.

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Segunda Ley de Fick (Difusin dinmica):

Concentracin de una especie en difusin cerca de la
superficie del material en funcin al tiempo y la distancia,
siempre que D sea constante y las concentraciones inicial
y en la superficie se mantengan.

Gas difundiendo en un solido

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Una de las soluciones ms prcticas para dicha ecuacin

es:

ANAH SANTELIZ

52

ANAH SANTELIZ

53

Se debe endurecer la superficie de un engranaje de acero que tiene

0,1% de Carbono, realizando un proceso de carburizacin a una
temperatura de 1100C (1373 K). Si la atmsfera suministra a la
superficie 1,2% de Carbono y se desea obtener 0,45% de Carbono a
0,2 cm de la superficie Cunto tiempo debe permanecer la pieza en
dicha atmsfera?

D = 0,23 exp (-16558 / T) (cm2/sg)

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Una muestra de hierro FCC tiene un recubrimiento

electroltico de nquel en la superficie. La concentracin
inicial de Ni en la superficie es de 1.5% atmico y a
una profundidad de 0.5cm, la concentracin de Ni es de
0.8% atmico. Si la temperatura se mantiene a 1000C,
determine el flujo de tomos de Ni desde la superficie.
A esta temperatura, para este par de difusin D es 3*10-12
cm2/seg. Densidad = 8.64 * 10 22 tomos/cm3.

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