Unidad 2 Estructuradelosmateriales

Materiales y nanotecnologa
Unidad 2. Estructura de los materiales
Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 1
ndice
Unidad 2. Estructura de los materiales ............................................................... 3
Presentacin de la unidad.................................................................................... 3
Propsitos ............................................................................................................ 4
Competencia especfica ....................................................................................... 4
2.1. La estructura atmica y enlaces.................................................................... 7
2.1.1. Conceptos fundamentales ...................................................................... 7
2.1.2. Tipos de enlaces ................................................................................... 15
2.2. Estructuras .................................................................................................. 24
2.2.1 Estructuras cristalinas ............................................................................ 24
2.2.2. Materiales cristalinos y no cristalinos .................................................... 38
2.3. Nanoestructuras .......................................................................................... 61
2.3.1. Nanoescala ........................................................................................... 61
2.3.2. Fuerzas a escala nanomtrica .............................................................. 71
Evidencia de aprendizaje. Relacin de las estructuras con las propiedades ..... 75
Autorreflexiones .............................................................................................. 75
Cierre de la unidad ............................................................................................. 76
Para saber ms .................................................................................................. 76
Fuentes de consulta ........................................................................................... 77

Presentacin de la unidad
Una de las bases de la clasificacin de los materiales se encuentra en la naturaleza del
enlace atmico. Pueden distinguirse dos niveles diferentes, el enlace primario, que
supone transferencia o comparticin de electrones y produce una unin entre tomos
adyacentes relativamente fuerte, el enlace inico, el covalente y el metlico pertenecen a
esta categora. El enlace secundario implica una atraccin relativamente dbil entre
tomos, en la que no existe transferencia ni comparticin de electrones. Por ejemplo, en
los enlaces de Van der Waals.
Cada uno de los tipos generales de materiales (metales, cermicos, vidrios, polmeros y
semiconductores) est asociado con determinados tipos de enlaces atmicos. Los
materiales compuestos son combinacin de los tipos fundamentales.
En esta unidad, se estudiar la estructura a escala atmica, que es cristalina para la
mayora de los materiales, es decir, los tomos del material estn dispuestos de una
manera regular y repetitiva. Los fundamentos de la geometra cristalina son comunes a
todos los materiales cristalinos.
La estructura subatmica implica a los electrones dentro de los tomos individuales y a
las interacciones con su ncleo. A nivel atmico, la estructura se refiere a la organizacin
de tomos o molculas entre s. El prximo gran dominio estructural, que contiene
grandes grupos de tomos enlazados entre s, se denomina microscpico y significa que
se puede observar utilizando algn tipo de microscopio. Finalmente, los elementos
estructurales susceptibles de apreciarse a simple vista se denominan macroscpicos.
Muchos de los conceptos que se vern en las primeras secciones, ya se han encontrado
en cursos previos, como el de qumica. En el campo de los materiales, es de gran
importancia conocer el papel del enlace atmico a la hora de establecer una clasificacin
de los materiales. El enlace metlico, inico y covalente corresponden a la categoras de
los metales, cermicos y polmeros.
Propsitos
Al finalizar con el estudio de la unidad:
Identificars las caractersticas de las estructuras

cristalinas y no cristalinas.
Reconocers las estructuras de los materiales a
diferentes escalas.
Relacionars la estructura con las propiedades del
material.
Competencia especfica
Diferenciar los tipos de materiales para relacionarlos con sus

propiedades macroscpicas identificando su estructura qumica.
Planeacin del docente en lnea
Es un espacio diseado para que tu docente en lnea establezca su

planeacin didctica, es decir, el diseo de cada una de las
actividades que debes realizar.
Recuerda estar atento a dicho espacio para revisar las indicaciones
precisas, por ejemplo, fechas de entrega, formatos, materiales de
consulta, actividades o ejercicios que te aportarn en tu aprendizaje.
Tambin en este espacio tu docente en lnea te indicar al finalizar
el curso la actividad que debers entregar en la Asignacin a cargo
del docente en lnea, as que mantente atento a lo largo del curso, y
revisa constantemente esta herramienta, porque ser la
comunicacin directa con tu docente en lnea sobre cada una de las
actividades a entregar.
Por lo tanto, este espacio solo es de consulta y no es necesario que
participes en l.
Foro de dudas
Este es un espacio de consulta y comunicacin, recuerda que fue

delimitado para resolver inquietudes y compartir ideas sobre los
aspectos que abordars durante el semestre.
El objetivo del foro es generar una mejor comunicacin con tus
compaeros(as) y docente en lnea.
Para desarrollar algn planteamiento sobre la asignatura, debers
realizar lo siguiente:
1. Revisa los comentarios desarrollados por tus
compaeros(as) para saber si ya existen aportes similares a
tu planteamiento.
2. Si no es as, describe tu planteamiento de forma clara para
que todos(as) puedan comprenderlo y te ayuden a
resolverlo.
*Se recomienda que en caso de que ya exista un
planteamiento hecho por alguien ms y que sea similar al
tuyo, puedes describir tu respuesta a este planteamiento en
esa misma lnea de discusin para evitar temas duplicados.
3. Espera a que tu docente en lnea u otro(a) compaero(a) te
responda.
Adems de exponer tus dudas, puedes apoyar en contestar las que
generan tus compaeros(as), si es el caso, puedes realizar lo
siguiente:
Consulta los comentarios de tus compaeros(as) y si tienes

la respuesta, aydalos para que resuelvan sus inquietudes.
*Recuerda que al hacerlo lo debers realizar de forma
respetuosa y clara, siempre enfocndote en las cuestiones
acadmicas.
*Para dar solidez a los comentarios que hagas relacionados
con el contenido de la asignatura, respalda tus aportes con
fuentes de referencia confiables. (Artculos cientficos, libros,
pginas web de universidades, etc.)
*No olvides que tu docente en lnea estar al pendiente de todos los

comentarios que se emitan en el foro, ya que l es el (la)
encargado(a) de mediar y cerrar este espacio.
2.1. La estructura atmica y enlaces

Algunas de las propiedades ms importantes de los materiales slidos dependen de la
disposicin geomtrica de los tomos y de las interacciones que existen entre los tomos
y las molculas constituyentes (Callister, 1995).
En este tema se considerarn conceptos fundamentales tales como estructura atmica,
configuracin electrnica en tomos, tabla peridica, y varios tipos de enlaces primarios y
secundarios que mantienen unidos a los tomos que forman los slidos.
2.1.1. Conceptos fundamentales

Los tomos estn constituidos fundamentalmente por tres partculas subatmicas:
protones, neutrones y electrones. El modelo ms simple de un tomo es el de un ncleo
formado por protones y neutrones rodeados por una nube de electrones.
Modelo simple del tomo. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Tanto los protones como los electrones tienen carga elctrica. Un protn tiene una masa
de 1.67x1027 kg y tiene una carga de 1.60x1019 C (coulomb). El neutrn es ligeramente
ms pesado que el protn y tiene una masa 1.67x1027 kg y no tiene carga. El electrn
tiene una masa relativamente pequea de 9.11x1031 kg y una de carga de 1.60x1019 C,
es decir, tiene una carga igual en valor pero de signo contrario a la del protn. En la
siguiente tabla, se muestra de manera resumida esta informacin.
Subpartcula
Protn
Neutrn
Electrn
Masa (g)
1.67x1027 kg
1.67x1027 kg
9.11x1031 kg
Carga (C)
1.60x1019 C
0
1.60x1019 C
Masas y cargas de las subpartculas fundamentales del tomo.
Se observa que el ncleo rene casi toda la masa del tomo. La nube electrnica
representa una pequea parte de su masa, pero constituye casi todo el volumen del
tomo. La importancia radica en que los electrones, particularmente los ms externos,
determinan la mayor parte de las propiedades elctricas, mecnicas, qumicas y trmicas
de los tomos, por lo que, el conocimiento bsico de la estructura atmica es importante
en el estudio de los materiales.
Nmero atmico
Cada elemento qumico se caracteriza e identifica por el nmero de protones del ncleo,
llamado nmero atmico (). En un tomo neutro, el nmero atmico es tambin igual al
nmero de electrones de su nube de carga. Existen poco ms de 100 elementos, con
nmeros atmicos desde el 1 para el hidrgeno, y son los constituyentes qumicos de
toda la materia.
Masa atmica
La masa atmica () de un tomo se puede expresar como la suma de las masas de los
protones y los neutrones del ncleo. No todos los tomos de un elemento determinado
tienen la misma masa, aunque el nmero de protones es igual en todos los tomos de un
mismo elemento, el nmero de neutrones puede variar. Los tomos de un mismo
elemento que tienen diferentes masas atmicas se denominan istopos.
Las propiedades qumicas de un elemento estn determinadas, principalmente, por los
protones y electrones de sus tomos, normalmente los neutrones no participan en los
cambios qumicos en condiciones normales. En consecuencia, los istopos del mismo
elemento tienen un comportamiento qumico semejante (Chang, 2010).
De manera conveniente, se utiliza la unidad de masa atmica (uma) para expresar la
masa atmica. El tomo de carbono 12 ( 12 ), el istopo ms comn del carbono, tiene 6
protones, 6 neutrones y es el tomo de referencia para las masas atmicas. Se define 1
uma como 1/12 de la masa atmica del carbono 12.
El mol es la unidad definida por el sistema internacional, como la cantidad de sustancia
que contienen tantas entidades elementales como tomos hay exactamente en 12 gramos
de carbono 12, es decir, 6.023x1023 kg tomos (el nmero de Avogadro). Podemos
considerar tambin, que la masa atmica de un elemento es la masa en gramos de
6.023x1023 kg tomos (nmero de Avogadro) del elemento.
Cuando se busca la masa atmica del carbono en una tabla peridica, se encontrar que
su valor no es 12.00 uma, sino12.01 uma. La razn de esta diferencia es que la mayora
de los elementos de origen natural (incluido el carbono) tiene ms de un istopo. Esto
significa que al medir la masa atmica de un elemento, por lo general, se debe establecer
la masa promedio de la mezcla natural) de los istopos.
Es til observar que la masa molar de un elemento (en gramos) es numricamente igual a
su masa atmica expresada en uma. De manera que estas dos formas de expresar las
masas atmicas estn relacionadas de manera simple:
1
=1
( )
La masa atmica de los elementos se localiza en la parte inferior de los smbolos

atmicos de los elementos en la tabla peridica y los nmeros atmicos, generalmente,
estn localizados en la parte superior de los smbolos.
Tambin es posible calcular la masa de las molculas si se conocen las masas atmicas
de los tomos que las forman. En este caso, la masa molecular es la suma de las masas
atmicas (en uma). Por ejemplo, la masa molecular del 2 es
2 ( ) + = 2
Niveles energticos atmicos
Muchos fenmenos que implican electrones en los slidos no se pueden explicar en
trminos de la mecnica clsica. Por este motivo, para explicar el comportamiento de
entidades atmicas y subatmicas, se estableci un conjunto de principios y leyes
conocido como mecnica cuntica (Callister, 1995, y Chang, 2010).
Como se ha tratado en la unidad anterior, para estudiar la estructura interna de los
tomos que la componen, se pueden emplear tcnicas experimentales en las que ondas
electromagnticas interaccionan con ellos. De la respuesta obtenida se pueden obtener
informacin acerca de las caractersticas intrnsecas de los tomos.
Una onda electromagntica propaga energa sin desplazamiento de materia, es decir, se
propaga incluso en el vaco. Como ya se ha tratado, la radiacin electromagntica est
formada por ondas que se mueven a la velocidad de la luz (). Esta se relaciona con su
longitud de su onda () y su frecuencia () mediante la ecuacin:
=
La longitud de onda es la distancia entre dos mximos o dos mnimos sucesivos de una
onda. Su unidad habitual es el metro, aunque tambin puede expresarse en centmetros,
nanmetros () y angstroms (). La frecuencia () es el nmero de oscilaciones que
pasan por cada punto en la unidad de tiempo. Habitualmente su unidad es 1 , que
tambin se denomina hert ().
Cuando se ilumina la materia con radiacin electromagntica, los tomos que la
componen pueden absorber, y posteriormente, emitir ciertas frecuencias en relacin con
su estructura interna. La energa que los tomos absorben o emiten, est formada por
pequeos paquetes energticos denominados cuantos o fotones. La energa de cada
paquete est dada por:
=
Donde es la frecuencia de la radiacin absorbida o emitida, y una constante
caracterstica (llamada constante de Planck), con un valor de 6.621034 .
Es importante mencionar que cada tomo solo emite o absorbe radiacin de
determinadas frecuencias, que son caractersticas del tomo. Esta propiedad, se
manifiesta ya sea con el elemento puro o mezclado con otros. De este hecho, se
determin la existencia de ciertos estados energticos de los tomos, de manera que los
electrones tienen diferentes energas que corresponden al nivel energtico en el que se
encuentran.
De acuerdo a un modelo propuesto por Niels Bohr, los electrones de los tomos solo
pueden encontrarse en ciertos estados o niveles energticos en los que mantienen una
energa fija y determinada. Es decir, cada electrn ocupa un determinado escaln de
energa en el tomo.
Analoga mecnica del proceso de emisin. La pelota puede detenerse en cualquier escaln, pero
nunca entre ellos. Fuente: tomado de Chang, (2010).
En este modelo, se supone que los electrones pueden pasar de un nivel energtico a otro,
es decir, pueden cambiar de escaln energtico, mediante la absorcin (ganancia de
energa) o emisin (prdida de energa) de un fotn, con una energa igual a la diferencia
energtica existente entre ambos niveles; es decir:
= =
Los electrones en el tomo se encuentran ocupando ciertos niveles energticos. Cuando
todos ellos ocupan los niveles de menor energa posible, se dice que se hallan en el
estado fundamental. Si se transmite energa al tomo, uno o varios electrones toman la
energa necesaria para pasar a otro nivel superior, lo que se conoce como estado
excitado del tomo. A cada nivel energtico se le asigna un nmero cuntico, simbolizado
por la letra . El nivel ms bajo es el = 1, el segundo es el = 2, y as sucesivamente.
Posteriormente, vuelven a sus estados iniciales directamente o bien pasando por otros
niveles intermedios, emitiendo, en forma de fotones, la energa radiante correspondiente
al trnsito efectuado, como se muestra en la siguiente figura.
Ejemplo de transiciones energticas de un electrn.
Sin embargo, las transiciones entre niveles son ms complejas y abundantes que este
modelo de Bohr. Es preciso considerar la existencia de subniveles energticos que
integran cada uno de los niveles originalmente postulados. Estos nuevos estados
energticos para los electrones, dependen del nmero cuntico .
Habr tantos subniveles como marca el valor de ese nmero, por ejemplo, el nivel:
= 1, al que denominamos con la letra , carece de cualquier subnivel

= 2 se estructura en dos subniveles energticos denominados y
= 3 consta de tres subniveles, , y .
= 4 consta de cuatro subniveles, , , y .
Y as sucesivamente. A su vez, cada subnivel admite un nmero distinto de electrones. En

cada subnivel caben 2 electrones, en el caben 10, en el caben 6 y en cada subnivel
caben 14 electrones. Esta notacin se expresa de la siguiente manera:
Notacin para la configuracin electrnica.
La notacin utilizada para identificar los orbitales electrnicos se deriva de los nmeros
cunticos de la mecnica ondulatoria. El llenado de electrones se efecta colocando los
electrones en los niveles y subniveles en orden creciente de energas. Adems, cada
electrn tiene un momento de espn, que se relaciona con el giro del electrn sobre su
propio eje. Al estar dos electrones en un mismo orbital, un electrn gira hacia la derecha y
otro hacia la izquierda, que corresponden a las orientaciones hacia arriba (+1/2) o hacia
abajo (1/2) del momento de espn ( ).
La distribucin de electrones en los niveles de energa del tomo se denomina
configuracin electrnica, y en ella, se escriben los electrones que existen en cada uno de
los subniveles energticos del tomo considerado. En la siguiente figura se muestra un
esquema del llenado de electrones para un tomo de sodio, donde cada punto representa
un electrn.
Esquema de los estados energticos para un tomo de sodio. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Por ejemplo, la configuracin electrnica del calcio (), que tiene 20 electrones, y se
escribe 1 2 2 2 26 3 2 36 4 2 , siendo el nmero que antecede a cada componente el
correspondiente al nivel, mientras que el superndice indica los electrones que existen en
el correspondiente subnivel.
Estas configuraciones se denominan fundamentales o de mnima energa. Aquellas en las
que los electrones han subido de subnivel al captar energa se denominan excitadas. Las
configuraciones electrnicas se pueden obtener siguiendo ciertas reglas de llenado.
Existen tablas para consultar las configuraciones de los elementos de la tabla peridica.
Finalmente, el nmero mximo de electrones en cada nivel energtico es de 22 , donde
es el nmero cuntico del nivel.
Electrones de valencia
Los electrones de valencia son aquellos situados en los orbitales atmicos ms externos
del tomo, generalmente asociados al nivel de energa ms alto del tomo. Estos
electrones son muy importantes, puesto que participan en el enlace entre tomos de los
agregados atmicos y moleculares.
Algunos tomos que tienen una configuracin electrnica estable, debido a que presentan
los estados de los niveles ms externos completamente llenos. Normalmente, esto
corresponde a la ocupacin por ocho electrones en los estados y de los niveles ms
externos, como en el nen, argn y criptn. Estos elementos (, , ) son gases
inertes o nobles, potencialmente no reactivos. El helio es una excepcin, ya que slo
contiene dos electrones (1).
Algunos tomos de los elementos que no tienen llenos los niveles de valencia, adquieren
la configuracin electrnica estable ionizndose, ganando o perdiendo electrones o
compartiendo electrones con otros tomos. Este es el fundamento de algunas reacciones
qumicas y del enlace atmico de los slidos.
Los elementos se colocan en la tabla peridica en funcin de su nmero atmico y de su
configuracin electrnica. Hay tantos periodos como niveles energticos, y cada uno se
inicia cuando empieza a llenarse un nuevo nivel. Al colocar la totalidad de los elementos
de esta manera quedan en el mismo grupo vertical aquellos con la misma configuracin
electrnica externa que comprobamos que tienen propiedades semejantes.
En la siguiente figura se muestra la clasificacin de los grupos de elementos en la tabla
peridica segn el tipo de su nivel externo.
Clasificacin de los elementos en la tabla segn el subnivel externo. Fuente: tomado de Chang,
(2010)
Con esta clasificacin, se concluyen las nociones bsicas del modelo del tomo y las
principales caractersticas de los orbitales. Estos principios servirn para entender los
fundamentos del enlace atmico que se ver a continuacin.
2.1.2. Tipos de enlaces

El enlace qumico se debe a la existencia de fuerzas atractivas que mantienen unidos los
tomos en un compuesto. Es el responsable de la unin estable entre dos o ms tomos,
y se forma con la transferencia total o parcial de electrones entre ellos. Los electrones de
la ltima capa, los electrones de valencia, son los que se hallan ms dbilmente ligados a
los ncleos de cada tomo, y por ello, son susceptibles de ser atrados por ambos
ncleos, constituyendo as un vnculo de unin entre los tomos.
En la naturaleza, cualquier proceso tiende a estabilizarse de manera espontnea, es
decir, evoluciona hasta conseguir un estado de mnima energa. De la misma manera, los
tomos se unen formando sustancias compuestas, a fin de rebajar su energa y por tanto
aumentar su estabilidad.
Representacin de dos tomos de hidrgeno que se acercan hasta formar la molcula de 2 .

Fuente: tomado de Chang, (2010).
Si dos tomos estn lo suficientemente separados, se puede suponer que no ejercen
entre s ninguna influencia mutua y as, el sistema tiene una energa inicial que puede
considerar nula. Si los tomos se van aproximando poco a poco, empiezan a presentarse
fuerzas atractivas, de cada ncleo (positivo) sobre la nube electrnica del otro tomo
(negativo), lo que produce una disminucin energtica que estabiliza el sistema.
Conforme disminuye la distancia interatmica, la energa contina disminuyendo. Sin
embargo, a una determinada distancia comienzan a interaccionar las nubes electrnicas
entre s mediante fuerzas repulsivas. Entonces, el sistema se desestabiliza
progresivamente al aumentar su energa asintticamente hacia valores positivos. Al
graficar estos resultados, se obtienen la curva de estabilidad energtica.
Fuerza y energa con la distancia entre dos tomos aislados. Fuente: tomado de Callister, (2005).
La energa de disociacin es la energa necesaria para romper un enlace formado. Si se
provee a los tomos enlazados una energa igual o mayor que la se consigue
separarlos totalmente hasta una distancia tal que no ejerzan interacciones entre s.
Entonces, se puede decir que se ha roto el enlace qumico. Existe una determinada
distancia internuclear para la que el sistema es ms estable, pues es mnima la suma
algebraica de las fuerzas atractivas y las repulsivas. A esta distancia se le denomina
distancia de enlace (0 ) y le corresponde un valor energtico mnimo, que es la energa
que se desprende en la formacin del enlace ( ). Cuanto ms profundo es el mnimo
en la grfica, mayor es la energa desprendida al formarse el enlace y por tanto, mayor es
la estabilidad de la molcula. Al aproximarse dos tomos, tambin puede ocurrir que sus
caractersticas sean tales que no lleguen a unirse y a formar una molcula estable,
entonces se separarn de forma espontnea. Cuando esto sucede, se observa la
formacin de una curva de inestabilidad.
Los fuertes enlaces primarios, se forman cuando los orbitales externos se transfieren o se
comparten entre los tomos. Los enlaces secundarios, ms dbiles, se forman como
resultado de una atraccin menos intensa entre las cargas positivas y negativas, pero sin
que exista transferencia o comparticin de electrones. En este subtema se ver, las
distintas posibilidades de formacin de enlace, comenzando con el enlace inico.
Enlaces interatmicos primarios
Enlace inico
El enlace inico se produce al unirse un elemento de carcter metlico, con uno no
metlico, es decir, situados en los extremos de la tabla peridica. El metal cede fcilmente
sus electrones al no metal, que a su vez, es un buen aceptor de electrones. De esta
manera, que ambos se transforman en iones, uno positivo y otro negativo,
respectivamente. En este proceso todos los tomos adquieren la configuracin estable del
gas inerte.
El tomo de sodio adquiere la configuracin del nen (y carga positiva, + ) cediendo el
nico electrn de valencia 3 a un tomo de cloro. Despus de esta transferencia
electrnica, el ion cloro tiene una carga negativa ( 1) y una configuracin electrnica
idntica a la del argn.
Al existir esta diferencia de cargas, se producen atracciones y repulsiones entre todos los
iones positivos y negativos presentes, obtenindose un compuesto slido en forma de red
cristalina. Un ejemplo comn de enlace inico es el del cloruro de sodio (), en donde
el sodio tiene estructura de capa de valencia 31 y el cloro 3 2 35, de manera que para
completar su octeto, el sodio cede el electrn ms externo y obtiene estructura de gas
noble (+ 2 2 26), mientras que el cloro toma dicho electrn, obteniendo tambin
estructura estable ( 3 2 36 ). Las electrovalencias son en este caso +1 y 1,
respectivamente. Las sustancias inicas no se presentan en forma molecular, sino que, a
fin de estabilizarse energticamente, aparecen formando entramados cristalinos, que
denominamos redes.
Representacin esquemtica del enlace inico en el cloruro de sodio. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
Los compuestos inicos son slidos y duros a temperatura ambiente, dado que se
encuentran en la naturaleza formando redes cristalinas. Sus temperaturas de fusin y
ebullicin son elevadas. Su solubilidad es buena en disolventes (polares o con separacin
de cargas elctricas) que, como el agua, sean capaces de romper las estructuras
cristalinas. Los disolventes de tipo orgnico (apolares), por lo general, no son capaces de
disolver estos cristales. Dado que los iones permanecen fijos en posiciones determinadas
del cristal, su conductividad elctrica es nula, salvo en el caso de estar disueltos o
fundidos, ya que al tener as mucho ms libres sus iones ser sencillo desplazarlos por
medio de un potencial elctrico, con lo que su conductividad entonces ser elevada.
La magnitud del enlace inico es igual en todas las direcciones alrededor de un ion y se
denomina no direccional. Para que un material inico sea estable es necesario que todos
los iones positivos tengan como vecinos ms prximos, iones cargados negativamente, y
viceversa. El enlace predominante en los materiales cermicos es inico. Las energas de
enlace son altas, de 600 a 1500 / que se refleja en las altas temperaturas de fusin.
Los materiales inicos se caracterizan por la dureza, fragilidad y por ser tanto elctrica
como trmicamente aislantes (Callister, 1995).
El enlace de tipo covalente
El enlace covalente se produce cuando se unen entre s dos elementos de carcter no
metlico. Sin embargo, tambin son covalentes las uniones en las que el hidrgeno es el
elemento unido al de tipo no metlico. En este enlace, los electrones se comporten entre
s, reduciendo de esta manera su energa y estabilizndose al conseguir estructura de
ltima capa llena. Cada uno de los tomos unidos covalentemente contribuyen al enlace
con al menos un electrn. Los electrones compartidos se consideran de ambos tomos. El
enlace covalente es direccional, es decir, existe entre tomos especficos y solo en la
direccin que hay electrones compartidos.
Por ejemplo, el tomo de carbono tiene cuatro electrones de valencia, mientras que cada
uno de los cuatro tomos de hidrgeno, tiene un solo electrn de valencia. Cada tomo de
hidrgeno adquiere la configuracin electrnica del Helio (), dos electrones de valencia
1, ya que comparte un electrn con el tomo de carbono. As, el carbono tiene ocho
electrones, cuatro de los cuales son los electrones adicionales compartidos, uno de cada
hidrgeno.
Representacin del enlace covalente de una molcula de metano (4 ).Fuente: tomado de

Callister (2005).
El nmero de enlaces covalentes posibles para un tomo particular depende del nmero
de electrones de valencia. Para electrones de valencia, un tomo puede enlazarse
covalentemente, como mximo, con 8 tomos. Por ejemplo, para el cloro = 7 y por
tanto, un tomo de cloro puede enlazarse con un solo tomo, como en la molcula de 2.
Anlogamente para el carbono = 4, por lo que cada tomo de carbono tiene cuatro
electrones para compartir. Los enlaces covalentes pueden ser muy fuertes, como en el
caso del diamante, que es un material muy duro y tiene una temperatura de fusin muy
elevada, > 3550, pero tambin pueden ser muy dbiles, como es el caso de los
enlaces del bismuto, que funde a 270.
Otro ejemplo es la molcula de oxgeno (2 ). Est formada por dos tomos de oxgeno
cuyas capa de valencia tienen una estructura 3 2 34, es decir, les faltan dos electrones
para conseguir el octeto, por lo que, cada tomo cede dos de los suyos, de manera que
se forman dos enlaces entre ellos o, lo que es lo mismo, uno doble.
Este tipo de enlace es caracterstico de los materiales polimricos, en los cuales, la
estructura molecular es una larga cadena de tomos de carbono enlazados
covalentemente entre s mediante dos de los cuatro enlaces disponibles por tomo. Los
dos enlaces restantes normalmente participan en la unin covalente con otros tomos.
Las sustancias covalentes pueden presentarse en forma molecular o de redes, de manera
que las propiedades que presentan son muy diferentes. En las sustancias moleculares,
los tomos estn unidos formando molculas, que a temperatura ambiente pueden
hallarse en estado gaseoso (2 , 2 , 2 , 4 , 3 , , 2 , 2 , etc.), lquido (2 , 2 ,
etanol, cido actico, benceno, etc.) o slido (naftaleno, glucosa, etc.). Sus temperaturas
de fusin y ebullicin no son muy elevadas. Algunas sustancias covalentes tambin
pueden hallarse en forma de redes que son macroestructuras de tomos enlazados
covalentemente. Se trata de cristales constituidos por un nmero muy elevado de tomos
iguales o distintos unidos entre s. Ejemplos de esto son las redes formadas por tomos
de carbono o de silicio. El primero se presenta en forma de diamante o como grafito. El
segundo constituye la slice (2 ), que forma minerales como cuarzo, palo, entre otros.,
e incluso la arena de las playas. Estos compuestos tienen altos puntos de fusin y
ebullicin, son duros, malos conductores de la electricidad e insolubles en general.
El enlace de tipo metlico
Los metales y aleaciones presentan enlace metlico. Los materiales metlicos tienen uno,
dos o tres electrones de valencia. Estos electrones no pertenecen a ningn tomo en
particular y son ms o menos libres de circular a travs de todo el metal. Se puede
interpretar que pertenecen al metal, formando una nube de electrones.
Representacin del enlace metlico. Fuente: tomado de Groover (2010).
El ncleo y los electrones que no son de valencia forman cationes, que poseen una carga
positiva igual al total de electrones de valencia por tomo. Los electrones libres
contrarrestan las fuerzas repulsivas generadas entre cationes (cargados positivamente).
En consecuencia el enlace metlico tiene carcter no direccional. Los electrones libres
actan como elemento de unin de los iones cargados positivamente. El enlace generado
puede ser fuerte o dbil, los valores de energa van desde 68 / para el mercurio a
850 / para el tungsteno. Los metales son slidos a temperatura ambiente, excepto
el mercurio, y sus puntos de fusin varan notablemente, por ejemplo para el mercurio y
tungsteno son 39 y 3410, respectivamente. Estos materiales, debido a los electrones
libres, son buenos conductores de la electricidad y del calor.
Enlaces secundarios
Los enlaces secundarios, son dbiles en comparacin con los primarios. En realidad,
existen enlaces secundarios entre todas las molculas, pero pueden pasar inadvertidos si
ocurre alguno de los tres tipos de enlaces primarios. Las fuerzas de estos enlaces surgen
de los dipolos atmicos o moleculares. Cuando se enlazan dos tomos diferentes, se
produce una distorsin en la distribucin de carga electrnica en el espacio, que aumenta
en las cercanas del tomo ms electronegativo y disminuye, por tanto, alrededor del otro.
Es por ello que, se crea un exceso de carga negativa en el primero y un defecto en el
segundo, de esta manera surgen dos polos elctricos. En la siguiente figura se muestra la
distribucin electrnica molcula del cido fluorhdrico (). La zona roja representa la
regin ms rica en electrones y la azul la ms deficiente.
Representacin de la distribucin de densidad electrnica en la molcula HF. Fuente: tomado de

Chang, (2010).
Cuando estas molculas se encuentran cerca unas de las otras, se ejercen entre s
fuerzas de atraccin debido a los polos que existen en ellas. El enlace es el resultado de
la atraccin entre el extremo positivo de un dipolo y la regin negativa del vecino. Las
energas caractersticas de enlace son del orden de 10 / (Callister, 1995).
Estos tipos de enlaces, son ms evidentes en los gases inertes, que tienen configuracin
electrnica estable, y, adems, entre molculas cuyos tomos estn unidos
covalentemente. Estas fuerzas intermoleculares pueden ser, principalmente, de dos tipos:
puente de hidrgeno y fuerzas de Van der Waals.
Puente de hidrgeno
Se produce entre molculas que contienen hidrgeno () y un tomo muy electronegativo.
En estos casos, el elemento que est unido al hidrgeno, atrae gran parte de la carga del
enlace que los mantiene unidos, cargndose negativamente y provocando la aparicin de
una cierta carga positiva sobre el hidrgeno. Se crea as, el enlace polar que permite a las
molculas unirse entre s por atraccin electrosttica.
Tiene lugar entre molculas con el hidrgeno unido covalentemente al flor (como en el
), al oxgeno (como en el 2 ) y al nitrgeno (como en el 3 ). Para cada enlace
, o , el electrn solitario del hidrgeno es compartido con otro tomo. De
este modo, el extremo hidrgeno del enlace es esencialmente un simple protn cargado
positivamente, sin electrones que lo apantallen. El extremo de la molcula ms cargado
positivamente es capaz de generar una elevada fuerza de atraccin con el extremo
negativo de una molcula adyacente. La magnitud del enlace por puente de hidrgeno es,
generalmente, mayor que la asociada a otros tipos de enlaces secundarios y puede llegar
hasta 51 /. A consecuencia del enlace por puente de hidrgeno, las temperaturas
de fusin y ebullicin del fluoruro de hidrgeno () y del agua 2 son normalmente
altas, compa radas con sus pesos moleculares.
Representacin esquemtica del puente de hidrgeno en el floururo de hidrgeno ().

Fuente: tomado de Chang, (2010).
Los compuestos que sufren estas interacciones presentan anomalas en sus puntos de
fusin y ebullicin y, por tanto, en su estado fsico a temperatura ambiente. Un ejemplo
tpico es el del 2 . Esto solo se puede explicar por la energa adicional, que es preciso
comunicar a las molculas de agua para romper sus fuertes asociaciones electrostticas
intermoleculares de puente de hidrgeno, a fin de hacerlas pasar al estado gaseoso.
Fuerzas de Van der Waals
Las fuerzas de Van der Waals, son fuerzas de tipo electrosttico pero son ms dbiles
que los puentes de hidrgeno. Estos enlaces polares unen a aquellas molculas que no
estn unidas por puentes de hidrgeno. Los dipolos existentes en ellas pueden
interaccionar dando lugar a uniones dbiles.
Interaccin de los dipolos de tomos o molculas. Fuente: tomado de Chang, (2010).
En las molculas apolares, la movilidad de las nubes electrnicas produce dipolos

instantneos. Esto sucede debido a que todos los tomos estn vibrando constantemente
y pueden causar distorsiones instantneas en la simetra elctrica de los tomos y
molculas, creando pequeos dipolos elctricos. A su vez, los dipolos suelen desplazar la
distribucin electrnica de tomos o molculas prximas y generar otro dipolo que luego
se enlaza dbilmente al primero. Estas fuerzas atractivas que se originan entre gran
nmero de tomos o molculas son temporales y su magnitud flucta con el tiempo. Este
tipo de enlace es el responsable de la condensacin y, a veces, de la solidificacin de los
gases inertes y de otras molculas elctricamente neutras y simtricas, tales como 2 y
2 . En aquellos materiales en los cuales predominan enlaces debidos a dipolos
inducidos, las temperaturas de fusin y ebullicin son extremadamente bajas; son los
enlaces intermoleculares ms dbiles.
Molculas
Finalmente, se abordar el concepto de molcula en trminos de los materiales slidos.
Una molcula puede definirse como un grupo de tomos unidos entre s por enlaces
primarios. En los estados slido y lquido condensado, los enlaces entre molculas son
secundarios dbiles. Por consiguiente, los materiales moleculares tienen temperaturas de
fusin y de ebullicin relativamente bajas. Muchos de ellos, los que estn constituidos por
pequeas molculas de pocos tomos, son gases a temperatura y presin ambiental. Por
otro lado, muchos de los modernos polmeros, materiales compuestos de molculas
extremadamente grandes, existen como slidos. Algunas de sus propiedades dependen
fuertemente de la presencia de enlaces secundarios de Van der Waals y enlaces por
puente de hidrgeno.
Con este tema finaliza la revisin de los conceptos bsicos de la estructura qumica de los
materiales, los cuales son fundamentales para abordar los temas siguientes.
2.2. Estructuras
Ya se han descrito los enlaces atmicos determinados por la configuracin electrnica de
los tomos individuales. Ahora se estudiar el siguiente nivel de la estructura de los
materiales, es decir, la disposicin adoptada por los tomos en el estado slido. En este
contexto se introducen los conceptos de cristalinidad y no cristalinidad. En los slidos
cristalinos se presenta la nocin de estructura cristalina en trminos de la celda unidad.
Se detallan las tres estructuras cristalinas ms frecuentes en los metales en funcin de
planos y direcciones cristalogrficas. Se consideran los materiales como monocristalinos,
policristalinos y no cristalinos.
2.2.1 Estructuras cristalinas

Los materiales slidos se pueden clasificar segn la regularidad con que se sitan los
tomos o iones, unos respecto de otros. En un material cristalino, los tomos se sitan en
una disposicin repetitiva o peridica a lo largo de muchas distancias atmicas, es decir,
existe un orden de largo alcance tal que, al solidificar el material, los tomos se sitan
segn un patrn tridimensional repetitivo, en el cual, cada tomo est enlazado con su
vecino ms prximo.
Antes de iniciar la descripcin de la estructura cristalina de los materiales, es importante
conocer la estructura de bandas que presentan los materiales y que son esenciales en el
entendimiento de las propiedades de los materiales.
Estructura de bandas de energa de los slidos
En los conductores, semiconductores y en muchos materiales aislantes, solo existe la
conduccin electrnica, por lo que la magnitud de la conductividad elctrica es
fuertemente dependiente del nmero de electrones capaces de participar en el proceso de
conduccin. Sin embargo, no todos los electrones son acelerados por la accin de un
campo elctrico. El nmero de electrones que pueden participar en la conduccin elctrica
en un determinado material, estn relacionados con la distribucin de los estados
electrnicos o niveles energticos y como estn ocupados por electrones.
Ya se ha visto en el tema de enlace, que si los tomos se van aproximando poco a poco,
empiezan a presentarse fuerzas de cada ncleo sobre los electrones del otro tomo. Esta
perturbacin, provoca que cada nivel de energa del tomo se divida o desdoble en una
serie de estados electrnicos distintos pero muy prximos. El grado de desdoblamiento
depende de la separacin interatmica y empieza con los niveles electrnicos ms
exteriores, puesto que stos son los primeros en ser perturbados a medida que los
tomos se aproximan. Estos estados forman la llamada banda de energa de los
electrones, como se muestra en la siguiente figura:
Representacin energa de los electrones. Fuente: tomado de Callister, (2005)
Dentro de cada banda, los estados de energa son discretos, y la diferencia de energa
entre estados es muy pequea. La formacin de bandas no puede ocurrir para los niveles
cercanos al ncleo.
Pueden producirse intervalos prohibidos entre bandas de energa. Esto significa que los
estados de estos intervalos no pueden ser ocupados por electrones. En la siguiente figura
se muestra una representacin de las estructuras de bandas de energa de los electrones
en la separacin interatmica de equilibrio.
Representacin de la estructura de bandas en la separacin de equilibrio. Fuente: tomado de

Callister, (2005)
Pueden existir bandas vacas y bandas que estn solo parcialmente llenas. Las
propiedades elctricas de un material slido, son consecuencia de su estructura
electrnica de bandas. Es decir, debido a la distribucin de las bandas y de la manera
como son llenada por los electrones.
La banda que contiene los electrones con mayor energa, se denomina banda de
valencia, debido a que contiene a los electrones de valencia. La banda de conduccin es
la banda de energa siguiente, la cual a menudo no tiene electrones. A una temperatura
de 0, existen cuatro tipos de estructuras de bandas de energa como se muestran en la
siguiente figura.
Tipos de estructuras de bandas en slidos. Fuente: tomado de Callister, (2005).
En la primera, la banda de valencia est parcialmente llena de electrones. La energa de

Fermi ( ), corresponde al estado de ms alta energa a una temperatura de 0. Este tipo
de estructura de banda est presente en algunos metales, en particular aquellos que
tienen solo un electrn de valencia .
En la segunda, tambin presente en los metates, tiene la banda de valencia llena, pero se
solapa con la banda de conduccin.
En los ltimos dos tipos, todos los estados en la banda de valencia estn completamente
llenos con electrones. Sin embargo, no existe solapamiento con la banda de conduccin
vaca, originando un intervalo prohibido de energa.
Para materiales muy puros, los electrones no tienen energas en este intervalo. La
diferencia entre los dos tipos de estructura de bandas, reside en la magnitud del intervalo
prohibido de energa. Para los materiales aislantes, el intervalo prohibido es relativamente
grande, mientras que para los semiconductores es pequeo. La energa de Fermi para
este tipo de estructura de bandas est en el intervalo prohibido de energa, cerca del
centro.
Los electrones que participan en el proceso de conduccin, son los que tienen energas
mayores a la energa de Fermi, y son los llamados electrones libres.
En los semiconductores y aislantes se encuentra otra entidad de electrnica cargada
denominada hueco, la cual es una deficiencia de electrones. Tienen energas menores
que y tambin participan en la conduccin electrnica. Es decir, la conductividad
elctrica es una funcin directa del nmero de electrones libres y huecos. Adems, la
distincin entre conductores y no conductores recae en el nmero de electrones libres y
huecos transportadores de carga.
Para que un electrn llegue a ser libre, debe ser excitado o promovido hacia uno de los
estados de energa vacos y disponibles por encima de . Para metales (dos primeros),
existen estados de energa vacos contiguos al nivel ocupado de mayor energa ( ). Por
tanto, se requiere poca energa para promover electrones los niveles bajos de energa.
En el caso de los aislantes y semiconductores, no existen estados vacos adyacentes al
mximo de la banda de valencia. Para hacerse libres, los electrones deben superar un
intervalo prohibido de energa para acceder a los primeros estados de energa de la
banda de conduccin. Esto es posible nicamente si se suministra al electrn la energa
equivalente a la diferencia entre estos dos estados, que es aproximadamente igual a la
energa del intervalo prohibido ( ). En la siguiente figura se muestran los estados
ocupados para un semiconductor o aislante, antes y despus de la excitacin electrnica
desde la banda de valencia a la banda de conduccin.
Excitacin electrnica de materiales semiconductores o aislantes. Fuente: tomado de Callister,

(2005)
En muchos materiales este intervalo prohibido tiene un ancho de varios electronvoltios. El

nmero de electrones excitados trmicamente (por energa calorfica) a la banda de
conduccin depende del intervalo prohibido de energa, as como de la temperatura. A
una temperatura dada, cuanto mayor es , menor es la probabilidad de que un electrn
de valencia pase a un estado energtico dentro de la banda de conduccin, lo cual resulta
en un nmero menor de electrones de conduccin, o bien menor es la conductividad
elctrica. Por consiguiente, la diferencia entre semiconductores y aislantes reside en el
valor del intervalo prohibido. En el caso de semiconductores es pequeo, mientras que en
los materiales aislantes es relativamente grande.
Estructura cristalina
Los fundamentos de la geometra cristalina son comunes a todos los materiales
cristalinos. Cada una de las miles de estructuras cristalinas encontradas en materiales
naturales y sintticos se puede clasificar dentro de unos pocos sistemas y redes.
Las estructuras cristalinas de la mayora de los metales pertenecen a uno de tres tipos
relativamente sencillos de estructuras. Los compuestos cermicos, tienen una amplia
variedad de composiciones qumicas, por lo que, tambin presentan una amplia variedad
de estructuras cristalinas. Algunas son relativamente sencillas pero otras, como las de los
silicatos, son muy complejas. Los polmeros, de manera similar a los cermicos y en
particular a los vidrios, son estructuras cristalinas complejas. Los semiconductores
elementales, como el silicio, poseen una estructura caracterstica, mientras que los
semiconductores compuestos, tienen estructuras similares a las de los compuestos
cermicos ms sencillos (Shackelford, 2005).
La mayora de los slidos son cristalinos, con tomos ordenados de manera regular.
Poseen orden lejano, debido a que la regularidad se puede extender a lo largo de todo el
cristal. En contraste, los materiales amorfos, como el vidrio y la cera, carecen de un orden
de largo alcance, pero poseen el denominado orden cercano, donde el entorno local de
cada tomo es similar al de otros tomos equivalentes, pero esta regularidad no persiste a
distancias apreciables. Los lquidos tienen un orden cercano, pero no lejano. Los gases
no presentan ni el orden lejano ni el cercano (Poole, 2007).
Algunas propiedades de los slidos cristalinos dependen de la estructura cristalina del
material, es decir, de la ordenacin espacial de tomos, iones y molculas. Hay un
nmero muy grande de estructuras cristalinas que tienen un orden atmico de largo
alcance. Estas estructuras varan desde las simples de los metales, a las complejas de los
materiales cermicos y polimricos.
Al describir la estructura cristalina se consideran los tomos o iones como esferas slidas
con dimetros muy bien definidos. Es el denominado modelo atmico de esferas rgidas,
en el cual, las esferas representan tomos macizos en contacto. En el contexto de las
estructuras cristalinas a menudo se utiliza la palabra red, en este sentido red significa
disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las posiciones de los tomos o
molculas (centros de las esferas).
Celda unidad
El orden atmico de los slidos cristalinos indica que grupos de pocos tomos forman un
patrn que se repite en el espacio. Al describir la estructura cristalina conviene dividirla en
las pequeas entidades que se repiten, llamadas celdas unidad. La celda unidad de la
mayora de las estructuras cristalinas son paraleleppedos o prismas con tres conjuntos
de caras paralelas.
Celda unidad y estructura cristalina. Fuente: tomado de Chang, (2010).
La celda unidad se elige para representar la simetra de la estructura cristalina, de modo

que las posiciones de los tomos en el cristal se puedan representar desplazando a
distancias discretas la celda unidad a lo largo de los ejes. De este modo, la celda unidad
es la unidad estructural fundamental y define la estructura cristalina mediante su
geometra y por la posicin de los tomos dentro de ella. Para definir algunas estructuras
cristalinas es necesario establecer ms de una celda unidad, sin embargo, generalmente
se usa la celda unidad que tiene el mayor nivel de simetra geomtrica.
Sistemas cristalinos
Existen muchas estructuras cristalinas diferentes, que se pueden clasificar en grupos de
acuerdo con las configuraciones de la celda unidad y/o la disposicin atmica. Uno de
estos esquemas se basa en la geometra de la celda unidad, es decir, la forma del
paraleleppedo sin tener en cuenta la posicin de los tomos en la celda. Se establece un
sistema , y de coordenadas cuyo origen coincide con un vrtice de la celda. Los ejes
, y coinciden con las aristas del paraleleppedo que salen de este vrtice, como se
muestra en la figura:
Celda unidad. Fuente: tomado de Callister, (2005)
La geometra de la celda unidad se define en funcin de seis parmetros: la longitud de

tres aristas , y y los tres ngulos interaxiales , y . Estos ngulos se denominan
parmetros de red de una estructura cristalina. En este aspecto hay siete diferentes
combinaciones de , y y , y que representan otros tantos sistemas cristalinos.
Estos siete sistemas cristalinos son el cbico, tetragonal, hexagonal, ortorrmbico,
rombodrico, monoclnico y triclnico. En la siguiente tabla, se muestran las relaciones
entre parmetros de red y se esquematizan las celdas unidad.
Sistemas cristalinos. Fuente: tomado de Chang, (2010).
El sistema cbico con = = y = = = 90 tiene el mayor grado de simetra. La

simetra desaparece en el sistema triclnico ya que y .
Estructuras cristalinas compactas
Los requerimientos geomtricos generales para que se forme un cristal se entienden
mejor si se analizan las distintas formas en que se pueden empacar varias esferas
idnticas (por ejemplo, las pelotas de ping-pong) para formar una estructura tridimensional
ordenada. La manera en que las esferas se acomodan en capas determina el tipo de
celda unitaria final. En el caso ms simple, una capa de esferas se puede distribuir como
se muestra en la figura.
Vista superior de una capa de esferas. Fuente: tomado de Chang, (2010).
La estructura tridimensional, se genera al colocar una capa encima y otra debajo de esta
capa, de tal manera que las esferas de una capa cubren totalmente las esferas de la capa
inferior. Este procedimiento se repite para generar muchas capas como las de un cristal.
En la figura, la esfera marcada con una , est en contacto con otras cuatro esferas en su
misma capa, una esfera en la capa superior y una esfera en la capa inferior. Una esfera
acomodada tiene un nmero de coordinacin de 6 porque tiene seis vecinos prximos.
El nmero de coordinacin, se define como el nmero de tomos o iones que rodean a un
tomo o ion en una red cristalina. Su magnitud es una medida de qu tan compactas
estn empacadas las esferas. Cuanto mayor es el nmero de coordinacin, ms juntas
estn las esferas. La unidad bsica que se repite en este tipo distribucin de esferas es la
celda cbica simple ().
Celda cbica simple. Fuente: tomado de Chang, (2010).
En las celdas cbicas simple y centrada en el cuerpo , hay ms espacio vaco que
en la celda cbica centrada en las caras. El arreglo ms eficiente de las esferas,
denominado empaquetamiento compacto, se inicia con la primera estructura que se
observa en la siguiente figura, que se llamar capa . Examinando la nica esfera
encerrada, se ve claramente que la rodean seis vecinas prximas en la capa. En la
segunda capa, que se llamar , las esferas se empacan en los huecos que quedan entre
las esferas de la primera capa, de manera que todas las esferas estn lo ms juntas
posible. Hay dos formas en que la tercera capa de esferas puede cubrir a la segunda
capa para hacer ms compacto el empaquetamiento. Las esferas se pueden acomodar en
los huecos, de tal modo que cada esfera de la tercera capa quede directamente sobre una
esfera de la primera capa. Dado que no hay diferencia entre la distribucin de la primera y
tercera capas, a la tercera capa tambin se le llama capa . De manera alternativa, es
posible que las esferas de la tercera capa se acomoden en los huecos que estn
directamente sobre la primera capa de esferas. En este caso, a esta tercera capa se le
denomina capa . La siguiente figura muestra las estructuras que resultan de estos dos
arreglos.
Empaquetamientos, visto desde arriba. Fuente: tomado de Chang, (2010)
El arreglo se conoce como estructura hexagonal compacta (), y el arreglo es
el de una estructura cbica compacta (), que corresponde al cubo centrado en las
caras antes descrito.
La diferencia entre y radica en la colocacin del tercer plano compacto. En la
estructura las esferas de cada una de las otras capas ocupan la misma posicin
vertical ( ), en tanto que en la estructura las esferas de cada cuarta capa
ocupan la misma posicin vertical ( ). Cada esfera de ambas estructuras tiene
un nmero de coordinacin de 12, es decir, cada esfera est en contacto con seis esferas
de su propia capa, tres de la capa de arriba y tres de la capa de abajo. Las estructuras
y representan la forma ms eficiente de empaquetamiento de tomos o esferas
de igual tamao, por lo que, no es posible aumentar el nmero de coordinacin ms all
de 12.
Muchos metales y gases nobles, que son monoatmicos, forman cristales con estructuras
o . Por ejemplo, los tomos de magnesio, titanio y zinc cristalizan como una
estructura , en tanto que el aluminio, nquel y plata cristalizan en la distribucin .
Todos los gases nobles slidos tienen la estructura , con excepcin del helio que
cristaliza en la estructura . Es natural preguntarse por qu un conjunto de sustancias
relacionadas, como los metales de transicin o los gases nobles, forman estructuras
cristalinas distintas. La respuesta se encuentra en la estabilidad relativa de una estructura
cristalina particular, la cual, est determinada por las fuerzas intermoleculares. As, el
magnesio metlico tiene la estructura porque esta distribucin de tomos de le da
mayor estabilidad al slido.
La distribucin se distingue de un cubo simple en que la segunda capa de esferas se
acomoda en los huecos de la primera capa, mientras que la tercera lo hace en los huecos
de la segunda capa. Cada esfera de esta estructura tiene un nmero de coordinacin
de 8, es decir, cada una est en contacto con cuatro esferas de la capa superior y cuatro
de la capa inferior. En la parte inferior de la siguiente figura, se muestra el modelo de
esferas rgidas de las celdas unidad y en la parte superior se muestran los centros de los
tomos mediante pequeos crculos, lo que origina una mejor perspectiva de las
posiciones de los tomos.
Tipos de celdas cbicas. Fuente: tomado de Chang, (2010).
Dado que cada celda unitaria de un slido cristalino colinda con otras celdas unitarias, la
mayora de los tomos de la celda se comparten con las celdas vecinas. Por ejemplo, en
todos los tipos de celdas cbicas cada tomo del vrtice pertenece a ocho celdas
unitarias. Un tomo centrado en las caras es compartido por dos celdas unitarias.
Puesto que cada esfera del vrtice es compartida por ocho celdas unitarias y hay ocho
vrtices en un cubo, dentro de una celda cbica simple habr el equivalente a una sola
esfera completa. Una celda cbica centrada en el cuerpo contiene el equivalente a dos
esferas completas, una en el centro y ocho esferas compartidas en las esquinas. Una
celda cbica centrada en las caras contiene cuatro esferas completas, tres de los seis
tomos centrados en las caras y una de las ocho esferas compartidas en los vrtices.
Partes de las esferas dentro de las celdas unidad. Relaciones entre parmetros. Fuente: tomado
de Chang, (2010).
Dos caractersticas importantes de la estructura cristalina son el nmero de coordinacin y

el factor de empaquetamiento atmico (), que se calcula como la fraccin de volumen
de las esferas rgidas en una celda unidad en el modelo atmico de las esferas rgidas:
=
Actividades
Con lo revisado hasta el momento, ests preparado(a) para

realizar la Actividad 1. Estructuras cristalinas, solo
espera que tu docente en lnea te proporcione las
indicaciones para realizar la actividad.
2.2.2. Materiales cristalinos y no cristalinos

Una vez conocidos los conceptos fundamentales, es posible, describir sistemticamente
las principales estructuras cristalinas asociadas a los principales materiales.
Materiales cristalinos
Monocristales
Cuando la disposicin atmica de un slido cristalino es perfecta, sin interrupciones, a lo
largo de toda la muestra, el resultado es un monocristal. Todas las celdas unidad estn
entrelazadas o unidas del mismo modo y tienen la misma direccin.
Los monocristales existen en la naturaleza, pero tambin se pueden generar
artificialmente. Por lo general, el crecimiento artificial es difcil, debido el medio se debe
controlar cuidadosamente. Si los extremos de un monocristal crecen sin impedimentos
externos, el cristal adquiere una forma geomtrica regular con caras planas, como las que
presentan algunas piedras preciosas. La forma refleja la estructura cristalina (Callister,
1995).
Monocristal. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Los monocristales son de gran importancia en la tecnologa, sobre todo en

microelectrnica, donde se emplean monocristales de silicio y de otros semiconductores.
Policristales
La mayora de los slidos cristalinos no son monocristalinos, sino son un conjunto de
muchos cristales pequeos llamados granos. A estos materiales se les denomina
policristalinos. La orientacin cristalogrfica vara de un grano a otro. Tambin existe una
irregularidad en la disposicin atmica en la regin donde se unen dos granos,
denominada lmite de grano. En la siguiente figura se muestra un esquema de los granos,
los cuales, tienen formas irregulares (izquierda) y bajo el microscopio (derecha), la
estructura de granos se observa como una serie de lneas obscuras que constituyen los
lmites de grano.
Estructura de granos: a) granos b) aspecto bajo el microscopio. Fuente: tomado de Callister,

(2005).
Anisotropa
Anteriormente se ha mencionado, que las propiedades de algunos materiales pueden
cambiar en diferentes direcciones. Esto es debido a que las propiedades fsicas de
algunos monocristales dependen de la direccin cristalogrfica. La direccionalidad de las
propiedades se denomina anisotropa y est relacionada con la variacin de la distancia
atmica o inica segn la direccin cristalogrfica.
Las sustancias cuyas propiedades son independientes de la direccin de la medida se
denominan isotrpicas. La extensin y la magnitud de los efectos anisotrpicos en
materiales cristalinos, son funcin de la simetra de la estructura cristalina. El grado de
anisotropa se incrementa al disminuir la simetra estructural, por ejemplo, las estructuras
triclnicas tienen la mayor anisotropa.
En los materiales policristalinos, las orientaciones cristalogrficas de los granos
individuales se encuentran al azar, sin embargo, aunque cada grano sea anisotrpico, el
material compuesto de un conjunto de granos, se comporta isotrpicamente.
Imperfecciones de los cristales
Hasta el momento se ha supuesto que los materiales cristalinos presentan un
ordenamiento perfecto de sus tomos. Sin embargo, un slido ideal no existe, todos
tienen gran nmero de defectos e imperfecciones. De hecho, muchas de las propiedades
de los materiales son muy sensibles al desvo de la perfeccin cristalina. Esa influencia no
siempre es negativa, sino que algunas caractersticas especficas se consiguen
introduciendo cantidades controladas de defectos particulares.
Un defecto cristalino es una irregularidad de red, en la cual, una o ms de sus
dimensiones son del orden de un dimetro atmico. La clasificacin de las imperfecciones
cristalinas se realiza frecuentemente segn la geometra o las dimensiones del defecto.
Defectos puntuales
El defecto puntal ms simple es la vacante, o vacante de red. Es un lugar que
normalmente debera ser ocupado por un tomo. Las vacantes se producen durante la
solidificacin y tambin como consecuencia de las vibraciones, que desplazan los tomos
de sus posiciones reticulares normales. El nmero de vacantes crece con la temperatura,
al incrementarse las vibraciones de los tomos.
De manera similar, un defecto autointersticial es un tomo de un cristal que se ha
desplazado a un lugar intersticial, un espacio vaco pequeo que normalmente no est
ocupado. En la siguiente figura, se muestran los dos tipos de defectos puntuales.
Defectos puntuales. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Sin embargo, el defecto intersticial no es muy probable, debido a que los tomos suelen
ser mucho mayores que las posiciones intersticiales donde se sitan. De manera que
existen en pequeas concentraciones, mucho menores que para las vacantes.
Impurezas en slidos
No es posible conseguir un metal puro, consistente en tomos exclusivamente de un solo
tipo. Las impurezas siempre estn presentes, y a veces existen como defectos cristalinos
puntuales. Un metro cbico de material, contiene del orden de 1022 a 1023 tomos de
impurezas. La mayora de los metales ms comunes son aleaciones en las cuales se
aaden intencionadamente otro tipo de tomos para conseguir un metal de caractersticas
especficas. Como se ha discutido anteriormente, las aleaciones metlicas se elaboran
para conseguir resistencia mecnica y resistencia a la corrosin. Por ejemplo, la plata de
ley contiene 92.5% de plata y 7.5% de cobre. La plata pura tiene una elevada resistencia a
la corrosin, pero es muy blanda. Aleando la plata con cobre se incrementa
considerablemente la resistencia mecnica sin disminuir la resistencia a la corrosin
(Callister, 1995).
Existen dos tipos de defectos puntuales debido a la presencia de impurezas, las
sustitucionales e intersticiales. En las sustitucionales, los tomos de las impurezas,
sustituyen tomos del material. En las intersticiales, los tomos de las impurezas llenan
los vacos o intersticios atmicos del disolvente. En la siguiente figura se muestran
ejemplos de estas impurezas.
Tipos de impurezas. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Existen diversas condiciones entre los tomos de las impurezas y el material, que
determinan la cantidad de tomos que pueden acomodarse en el material, de acuerdo a la
diferencia de radios atmicos, electronegatividad y valencia del material. Adems, es un
requisito que los dos elementos tengan la misma estructura cristalina.
Defectos lineales
Una dislocacin es un defecto lineal denominado dislocacin de cua. El defecto lineal se
designa mediante una T invertida (), que representa el borde de un semiplano extra de
tomos.
Dislocacin producida por una porcin extra de un plano de tomos. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
En la regin afectada por la dislocacin de lnea existe una red localmente distorsionada.
Los tomos situados arriba de la dislocacin de lnea estn comprimidos, mientras que los
de abajo estn sometidos a un esfuerzo. Esto se refleja en la ligera curvatura de los
planos verticales de tomos, que se doblan alrededor del semiplano extra. La magnitud de
esta dislocacin decrece con la distancia, de modo que en las posiciones ms alejadas, la
red cristalina es perfecta.
Otro tipo de dislocacin es la helicoidal, que se forma al aplicar un esfuerzo cizallante,
como se muestra en la figura.
Dislocacin helicoidal. Fuente: tomado de Callister, (2005).
La mayora de las dislocaciones presentan los dos tipos de componentes, cua y

helicoidal, y se les denominan dislocaciones mixtas.
La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una dislocacin se
expresan en funcin del vector de Burgers, designado por b. La naturaleza de una
dislocacin, se define por las orientaciones relativas de la lnea de dislocacin y por el
vector de Burgers. En una dislocacin de cua son perpendiculares, mientras que para
una dislocacin helicoidal son paralelos.
Defectos interfaciales
Los defectos interfaciales son lmites de grano que tienen dos direcciones y normalmente
separan regiones del material que tienen diferente estructura cristalina y orientacin
cristalogrfica. Los defectos de superficie incluyen superficies externas, lmites de grano,
lmites de macla, entre otros (Callister, 2005).
La superficie externa se considera una imperfeccin, puesto que representa el lmite de la
estructura cristalina. Los tomos superficiales no estn enlazados con el mximo de
vecinos ms prximos y, por lo tanto, estn en un estado energtico superior que los
tomos de las posiciones interiores. Los enlaces no realizados de estos tomos
superficiales, aumentan la energa superficial. Los materiales tienden a minimizar el rea
total de la superficie para disminuir esta energa.
Otro defecto interfacial, el lmite de grano, separa dos pequeos granos o cristales que
tienen diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos. Los lmites de
grano, tienen algunos tomos de ancho, en la cual los tomos no se alinean con ninguno
de los dos granos.
Superficie de un material policristalino. Fuente: tomado de Callister, (2005).
A lo largo de un lmite de grano, no todos los tomos estn enlazados con otros tomos y,
por lo tanto, existe una energa de lmite de grano o interfacial similar a la energa
superficial. La magnitud de esta energa es funcin del grado de desorientacin, siendo
mayor cuanto mayor sea la desalineacin. Los lmites de grano son ms reactivos que los
granos como consecuencia de la energa de este lmite. La energa interfacial total es
menor en materiales con grandes granos que con pequeos granos, ya que el rea total
de lmite de grano es menor.
A pesar de esta disposicin desordenada de los tomos y de la ausencia de enlace
completo a lo largo de los lmites de grano, un material policristalino es muy resistente.
Existen fuerzas cohesivas dentro y a travs de los lmites. Incluso la densidad de una
muestra policristalina es prcticamente idntica a la de un monocristal del mismo material
El tamao de los granos es importante para los metales, debido a que afecta sus
propiedades mecnicas. Es preferible un metal con granos pequeos, debido a que
presenta mayor resistencia y dureza. Adems puede tener mayor ductilidad y una mejor
superficie del producto terminado (Callister, 2005).
Un lmite de macla es un tipo especial de lmite de grano a travs del cual existe una
simetra de red especular, es decir, los tomos de un lado del lmite son como imgenes
espejo de los tomos del otro lado. La regin de material entre estos lmites se denomina
macla. Las maclas se generan por desplazamientos atmicos producidos al aplicar
fuerzas mecnicas cortantes (maclas mecnicas) y tambin durante tratamientos trmicos
de recocido (maclas de recocido).
Lmite de macla en una estructura. Fuente: tomado de Callister, (2005).
El plano cristalogrfico y la direccin del maclaje, dependen de la estructura cristalina. Las

maclas de recocido se presentan en estructuras cristalinas , mientras que las maclas
mecnicas se observan en metales y . En la siguiente imagen, se pueden observar
maclas de recocido en una muestra de latn policristalino. Las maclas tienen trazos
relativamente rectos y paralelos y un contraste visual diferente de las regiones no
macladas.
Maclas de latn policristalino. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Otros defectos interfaciales son los fallos de apilamiento, lmites de fase y paredes de
dominios ferromagnticos. Los defectos de apilamiento en aparecen cuando se
interrumpe la secuencia . .. de apilamiento de planos de tomos compactos. Los
lmites de fase aparecen en materiales polifsicos, donde aparece un cambio radical en
las caractersticas fsicas y qumicas.
Adems de las imperfecciones mencionadas, existen otros defectos como los poros,
grietas, inclusiones y otras fases. Normalmente se introducen durante las etapas de
fabricacin.
Solidos no cristalinos
Los slidos no cristalinos carecen de un ordenamiento atmico sistemtico y regular a
distancias atmicas relativamente grandes. Estos materiales tambin se denominan
amorfos (significa sin forma) o lquidos subenfriados, puesto que la estructura atmica
recuerda la de un lquido. Los slidos son ms estables en forma cristalina, sin embargo,
si un slido se forma rpidamente, por ejemplo, cuando un lquido se enfra muy rpido,
sus tomos o molculas no tienen tiempo de alinearse y pueden quedar fijos en
posiciones distintas a las de un cristal ordenado.
Los slidos amorfos, como el vidrio, carecen de una distribucin tridimensional regular de
tomos. El vidrio es uno de los materiales ms valiosos y verstiles, y es tambin uno de
los ms antiguos. En la siguiente figura, se muestran esquemas bidimensionales de las
estructuras cristalina y no cristalina del dixido de silicio (2 ), debido a que puede existir
en ambos estados.
Estructuras cristalina (a) y amorfa (b) del xido de silicio. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Estructuras metlicas
La mayora de los metales elementales a temperatura ambiente tienen una estructura
cbica centrada en el cuerpo o centrada en las caras, pero tambin pueden ser
hexagonales. La diferencia de estas estructuras metlicas, en comparacin de otras, es
que los electrones de enlace estn deslocalizados en todo el cristal. La gran fuerza de
cohesin debida a la deslocalizacin electrnica, le confiere la resistencia al metal. Por
otro lado, la movilidad de los electrones deslocalizados hace que sean buenos
conductores del calor y la electricidad (Shackelford, 2005).
Seccin transversal de la estructura cristalina de un metal. Fuente: tomado de Chang, (2010).
La estructura cristalina, exige que muchos metales tengan una celda unidad de geometra
cbica con los tomos localizados en los vrtices del cubo y en los centros de todas las
caras del cubo (). Cristalizan en esta estructura el cobre, aluminio, plata y oro. En la
siguiente figura, se muestra una seccin del cristal formada por muchas celdas unidad
.
Seccin formada por estructuras cbicas centradas en las caras. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
En la estructura el factor de empaquetamiento atmico es 0.74, que es el mximo

empaquetamiento posible para esferas rgidas del mismo tamao. Los metales ms
caractersticos tienen factores de empaquetamiento atmico relativamente grandes, para
maximizar el efecto pantalla de la nube de electrones libres.
Otra estructura cristalina comn en los metales es la cbica centrada en el cuerpo ().
El cromo, el hierro, el tungsteno, entre otros, presentan estructura . Cada celda unidad
tiene asociados dos tomos, un tomo equivalente a un octavo de cada uno de los
ocho tomos de los vrtices, que son compartidos con otras ocho celdas unidad, y el
tomo del centro de la celda, que no es compartido.
Celda cbica centrada en el cuerpo. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Adems, las posiciones de los tomos del centro y del vrtice son equivalentes. El
nmero de coordinacin de la estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo es 8, cada
tomo situado en el centro de la celda est rodeado por ocho tomos situados en los
vrtices. Debido a que el nmero de coordinacin es menor en la estructura que en la
, tambin el factor de empaquetamiento atmico es menor para la : 0.68 (0.74 para
).
No todos los metales tienen celda unidad con simetra cbica, tambin se presenta la
hexagonal. Cada celda unidad equivale a seis tomos completos, cada tomo situado en
los 12 vrtices superiores e inferiores contribuye con la sexta parte, los 2 tomos del
centro de los hexgonos contribuyen con la mitad y los 3 tomos del plano central
contribuyen enteramente. El nmero de coordinacin y el factor de empaquetamiento
atmico para los cristales de estructuras son idnticos que para los : 12 y 0.74,
respectivamente. Ejemplos de metales son cadmio, magnesio, titanio y zinc.
Celda hexagonal. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Para muchos metales sometidos a esfuerzos pequeos, la tensin y la deformacin son

proporcionales. Como se ha tratado anteriormente, cuando se cumple que la deformacin
es proporcional a la tensin, la deformacin se denomina deformacin elstica,
obtenindose una relacin lineal. Sin embargo, a medida que el material se deforma ms
all de este punto, la tensin deja de ser proporcional a la deformacin y ocurre
deformacin plstica.
Desde un punto de vista atmico, la deformacin plstica, corresponde a la rotura de los
enlaces entre los tomos y a la reformacin de stos con nuevos vecinos, ya que un gran
nmero de tomos o molculas se mueven unos respecto a otros. Al eliminar la tensin
no vuelven a sus posiciones originales. El mecanismo de esta deformacin es diferente
para materiales cristalinos y amorfos. En los materiales cristalinos, la deformacin tiene
lugar mediante un deslizamiento, en el cual est involucrado el movimiento de
dislocaciones.
Por otro lado, la deformacin elstica se manifiesta como pequeos cambios en el
espaciado interatmico. De modo que, la magnitud del mdulo de elasticidad es una
medida de la resistencia a la separacin de los tomos contiguos, es decir, de las fuerzas
de enlace interatmicas. Adems, este mdulo es proporcional a la pendiente de la curva
fuerza-separacin interatmica calculada en la separacin de equilibrio. En la siguiente
figura se muestran las curvas fuerza-separacin para materiales que tienen enlaces
fuertes y para materiales con enlaces dbiles.
Fuerza-separacin para diferentes tipos de materiales. Fuente: tomado de Callister, (2005).
La deformacin plstica corresponde al movimiento de un gran nmero de dislocaciones,

de manera que la capacidad de un metal para deformase plsticamente, depende de la
capacidad de las dislocaciones para moverse y del tamao de los granos.
Los granos contiguos tienen diferentes orientaciones cristalogrficas y un lmite de grano
comn. Durante la deformacin plstica, el deslizamiento debe ocurrir a travs de este
lmite de grano comn, de modo que, el lmite de grano acta como una barrera al
movimiento de las dislocaciones, como se muestra en la siguiente figura.
Dislocacin bloqueada por el lmite de grano. Fuente: tomado de Callister, (2005).
De acuerdo a la figura anterior, si los dos granos tienen orientaciones distintas, la
dislocacin que pasara al grano B tendra que cambiar la direccin de su movimiento,
hacindose ms difcil a medida que aumenta la diferencia en orientacin.
Un material con grano fino es ms duro y resistente que uno que tiene granos gruesos.
Esto se debe a que conforme el grano es ms pequeo, el total de lmites de grano es
mayor, impidiendo el movimiento de las dislocaciones. As mismo, los lmites de grano de
ngulo pequeo no son efectivos para interferir en el proceso de deslizamiento. Por otro
lado, los lmites de macla y los lmites entre dos fases diferentes, bloquean de forma
efectiva el deslizamiento y aumentan la resistencia del material.
Las aleaciones son ms resistentes que los metales puros debido a que los tomos de
impurezas producen una deformacin de la red en los tomos vecinos. Como resultado de
las interacciones, el movimiento de las dislocaciones es ms difcil.
Una impureza cuyo tamao es menor que el tomo del cristal al cual substituye, ejerce
deformaciones de tensin sobre la red del entorno. Una impureza de mayor tamao,
impone deformaciones de compresin a sus vecinos. En la siguiente figura se muestran
ambos casos.
b)
a)
Efectos de las impurezas de menor (a) y mayor tamao (b). Fuente: tomado de Callister, (2005).
Estructuras cermicas
El enlace atmico en los materiales cermicos es parcialmente o totalmente inico, de
manera que muchas estructuras de los materiales cermicos pueden ser vistas como
compuestas de iones elctricamente cargados en vez de tomos. Los iones metlicos
(cationes), estn cargados positivamente, ya que han cedido sus electrones de valencia a
los iones no metlicos (aniones), los cuales, estn cargados negativamente.
Existen dos caractersticas importantes de los materiales cermicos, el valor de la carga
elctrica de los iones componentes, y los tamaos de los cationes y aniones. El cristal
debe ser elctricamente neutro, es decir, todas las cargas positivas de los cationes deben
ser equilibradas por un nmero igual de cargas negativas de los aniones.
La segunda caracterstica, depende de la razn tamao de los radios inicos de los
cationes y aniones, y , respectivamente. Puesto que los elementos metlicos
proporcionan electrones al ser ionizados, los cationes son generalmente, de menor
tamao que los aniones, por tanto el cociente / es menor que la unidad. Cada catin
prefiere tener a su alrededor tantos aniones vecinos ms prximos como sea posible. Los
aniones tambin atraen un nmero mximo de cationes como vecinos ms prximos. Las
estructuras estables de los materiales cermicos se forman cuando los aniones que
rodean un catin estn todos en contacto con el catin. En la siguiente figura se muestra
un esquema de estas configuraciones.
Configuraciones entre aniones y cationes. Fuente: tomado de Callister, (2005).
El nmero de coordinacin, est relacionado con el cociente entre los radios de los
cationes y de los aniones. Para un nmero de coordinacin especfico, existe un valor
crtico o mnimo de / para el cual este contacto entre catin y anin se establece.
En el caso de los metales, el apilamiento de planos compactos de tomos genera las
estructuras cristalinas fcc y hcp. Anlogamente, algunas estructuras cristalinas cermicas
pueden considerarse en trminos de planos compactos de iones, o bien mediante celdas
unidad. Es frecuente que los planos compactos estn formados por aniones grandes.
Puesto que estos planos estn apilados uno sobre otro, se pueden crear entre ellos
pequeos huecos intersticiales en los cuales, pueden colocarse los cationes. En la
siguiente figura, se muestran los dos tipos de estas posiciones intersticiales.
Posiciones intersticiales tetradrica y octadrica. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Un tipo de hueco, est rodeado de cuatro tomos (tres en un plano, y solo uno en el plano
adyacente) y se denomina posicin tetradrica, puesto que si se trazan lneas rectas
desde los centros de las esferas circundantes se forma un tetraedro. El otro tipo de hueco
est rodeado por seis esferas, tres en cada uno de los dos planos. Puesto que al unir los
centros de las esferas se produce un octaedro, este hueco se denomina posicin
octadrica. Por consiguiente, los nmeros de coordinacin de los cationes que llenan las
posiciones tetradricas y octadricas son 4 y 6, respectivamente. Adems, para cada una
de estas esferas de aniones, existe una posicin octadrica y dos posiciones tetradricas.
Las estructuras cristalinas de materiales cermicos de este tipo dependen de dos
factores, el apilamiento de capas compactas de aniones, y la manera como los lugares
intersticiales son llenados con cationes. Por ejemplo, considrese la estructura del cloruro
de sodio. La celda unidad tiene simetra cbica, y cada catin (ion + ) tiene 6 iones ( )
como vecinos ms prximos (observe el ion + del centro). Los cationes se colocan en
las posiciones octadricas para tener a su alrededor 6 aniones. Adems, todas las
posiciones octadricas estn llenas, ya que existe una posicin octadrica por anin
(Callister, 1995).
Representacin de la estructura del cloruro de sodio. Fuente: tomado de Callister, (2005).
La mayora de los cristales inicos tienen puntos de ebullicin elevados, lo cual, refleja la
gran fuerza de cohesin que mantiene juntos a los iones. La estabilidad de los cristales
inicos depende en parte de la energa reticular, cuanto mayor sea esta energa, ms
estable es el compuesto. Como se ha visto anteriormente, estos slidos no conducen
electricidad debido a que los iones estn en una posicin fija.
Tal como ocurre en los metales, en los compuestos cermicos pueden existir tanto
vacantes inicas como iones intersticiales. Puesto que estos materiales contienen iones
de dos tipos, pueden existir defectos con cada tipo. Por ejemplo, en el pueden existir
tomos intersticiales y vacantes de y tomos intersticiales y vacantes de . Sin
embargo, es menos probable que existan aniones intersticiales, debido a que el anin es
relativamente grande y para ocupar una posicin intersticial, deben originarse
deformaciones importantes en los iones vecinos.
Vacantes de aniones y cationes y un catin intersticial. Fuente: tomado de Callister, (2005)
La estructura de defectos de los materiales cermicos, debe cumplir las condiciones de

electroneutralidad, es decir, hay el mismo nmero de cargas inicas positivas y negativas.
De modo que, los defectos en las cermicas no ocurren de forma aislada. Un tipo de
defecto se denomina un defecto Frenkel. Se puede ver como un defecto formado por un
catin que abandona su posicin normal y se mueve a una posicin intersticial. Otro tipo
de es el defecto Schottky. Este defecto puede visualizarse como el creado por la
eliminacin de un catin y un anin desde el interior del cristal y colocando a ambos en
una superficie externa.
Defectos en slidos inicos. Fuente: tomado de Callister, (2005)
Por otro lado, los tomos de impureza pueden estar presentes en los materiales
cermicos de la misma manera que lo hacen en los metales. Puesto que hay tanto
cationes como aniones, una impureza sustituir al tomo que sea ms similar en el
comportamiento elctrico. Si el tomo de impureza forma normalmente un catin, lo ms
probable es que sustituya al catin en material cermico. Por ejemplo, en el cloruro de
sodio, las impurezas inicas +2 y 2 sustituirn probablemente a los iones + y ,
respectivamente.
En los materiales cermicos, la deformacin plstica tiene lugar por el movimiento de
dislocaciones, tal como ocurre en los metales. Una razn de la dureza y fragilidad de
estos materiales es la dificultad del deslizamiento. Esto es una consecuencia de la
naturaleza de los iones, que estn elctricamente cargados. En el deslizamiento, iones de
igual carga quedan situados a distancias muy prximas unos de otros, de manera que,
debido a la repulsin electrosttica, este modo de deslizamiento es muy restringido.
La deformacin plstica en el caso de las cermicas no cristalinas no ocurre por
movimiento de dislocaciones porque no existe estructura atmica regular. Estos
materiales se deforman ms bien por flujo viscoso, de la misma manera como se
deforman los lquidos, es decir, la velocidad de deformacin es proporcional a la tensin
aplicada. En respuesta a un esfuerzo cortante aplicado, los tomos o iones deslizan unos
sobre otros mediante rotura y reformacin de los enlaces interatmicos. Sin embargo, no
existe una manera o direccin predefinida en que esto ocurre, como sucede con las
dislocaciones.
Las cermicas pueden contener alguna porosidad debido a los procesos de fabricacin.
Cualquier porosidad, tendr un efecto negativo en las propiedades elsticas y en la
resistencia. Los poros reducen el rea de la seccin a travs de la cual se aplica la carga,
y tambin actan como concentradores de tensin, en el caso de un poro esfrico la
tensin es amplificada en un factor 2. La influencia de la porosidad en la resistencia es
mucho ms dramtica, por ejemplo, un 10% de porosidad podra disminuir el mdulo de
rotura en un 50% del valor medido para el material no poroso.
Estructuras polimricas
Las propiedades de los polmeros, como en el caso de los metales y de las cermicas,
estn relacionadas con la estructura elemental del material. La estructura est formada de
carbono () e hidrgeno () principalmente.
Dentro de cada molcula, los tomos estn unidos mediante enlaces interatmicos
covalentes. En la mayora de los polmeros, estas molculas forman cadenas largas y
flexibles, cuyo esqueleto es una hilera de tomos de carbono, como se muestra se
muestra en la siguiente figura:
Representacin de una cadena de tomos de carbono. Fuente: tomado de Callister, (2005)
Estas largas cadenas estn compuestas de entidades estructurales denominadas

unidades monomricas o unidades de monmero que se repiten sucesivamente a lo largo
de la cadena. El trmino unidad monomrica se refiere la unidad que se repite en una
cadena de un polmero, mientras monmero se usa en el contexto de una molcula que
consiste en una sola unidad monomrica.
El estado cristalino puede existir en los materiales polimricos. Mientras que la
cristalinidad en los metales y en las cermicas implica disposicin de iones y molculas,
en los polmeros implica la ordenacin de molculas y, por tanto, la complejidad es mayor.
La cristalinidad polimrica puede considerarse como el empaquetamiento de cadenas
moleculares para producir una disposicin ordenada.
La estructura cristalina se especifica en trminos de la celda unidad. En la siguiente figura
se muestra la celda unidad del polietileno, que tienen tiene geometra ortorrmbica.
Celda unidad del polietileno. Fuente: tomado de Callister, (2005)
Las molculas polimricas, como consecuencia de su tamao y de su complejidad, suelen

ser semicristalinas, es decir, con regiones cristalinas dispersas dentro de un material
amorfo. En la regin amorfa aparecen cadenas desordenadas o desalineadas, condicin
muy comn debido a las torsiones, pliegues y dobleces de las cadenas que impiden la
ordenacin de cada segmento de cada cadena.
El grado de cristalinidad de los materiales polimricos puede variar desde completamente
amorfo a casi enteramente cristalino (aproximadamente 95%). Las muestras metlicas
casi siempre son totalmente cristalinas, mientras que las cermicas son o totalmente
cristalinas o totalmente amorfas.
La densidad de un polmero cristalino es mayor que la de un polmero amorfo del mismo
material y peso molecular, ya que las cadenas de la estructura cristalina estn ms
empaquetadas.
El grado de cristalinidad de un polmero depende de la velocidad de enfriamiento durante
la solidificacin y de la configuracin de la cadena. Durante la cristalizacin, al enfriar
hasta la temperatura de fusin, las cadenas enmaraadas y situadas al azar en el lquido
viscoso asumen una configuracin ordenada. Para que esto ocurra, las cadenas
necesitan suficiente tiempo para moverse y alinearse.
La capacidad de un polmero para cristalizar est influida por la qumica molecular y por la
configuracin de la cadena. En los polmeros constituidos por unidades monomricas
complejas, la cristalizacin no est favorecida. Las ramas interfieren la cristalizacin, de
modo que los polmeros ramificados nunca son totalmente cristalinos, de hecho, una
ramificacin excesiva pueden prevenir toda cristalizacin. En cambio, los polmeros
lineales se cristalizan fcilmente, puesto que no existen restricciones al alineamiento de
las cadenas.
El grado de cristalinidad del material polimrico repercute en sus propiedades fsicas. Los
polmeros cristalinos son ms resistentes a la disolucin y al ablandamiento trmico.
Un polmero semicristalino consta de regiones cristalinas pequeas (cristalitas o micelas)
con cadenas de polmeros alineadas, embebidas en una matriz amorfa compuesta de
molculas orientadas al azar. De este modo una cadena molecular simple debe pasar a
travs de cristalitas y de regiones amorfas.
La mayora de los polmeros forman esferulitas, que consisten en un agregado de
cristalitas de aproximadamente 10 nm de espesor. Cada esferulita consta de numerosas
laminillas formadas por cadenas plegadas que irrumpen a partir del centro. Las laminillas
estn separadas por material amorfo y estn interconectadas mediante cadenas de unin
que cruzan las regiones amorfas.
Las esferulitas de los polmeros equivalen a los granos de los metales policristalinos y de
las cermicas. Sin embargo, cada esferulita est formada por diferentes cristales
laminares y por algn material amorfo. En la siguiente figura se muestra como los cristales
laminares estn separados por material amorfo, de manera que las laminillas se conectan
a travs de regiones amorfas. Dentro de cada esferulita aparece una caracterstica cruz
de malta.
Representacin de la estructura de la esferulita. Fuente: tomado de Callister, (2005)
El mecanismo de la deformacin plstica se describe en funcin de las interacciones de

las laminillas con las regiones amorfas intermedias, como respuesta al esfuerzo aplicado.
Este proceso ocurre en varias etapas. En la etapa inicial de la deformacin, las laminillas
deslizan una respecto de la otra y la regin amorfa se extiende. Al continuar la
deformacin, en la segunda etapa, las laminillas se alinean en la direccin del esfuerzo.
Etapas de deformacin de un polmero cristalino. Fuente: tomado de Callister, (2005)
En la siguiente etapa, las laminillas se separan en segmentos de bloques cristalinos que

permanecen unidos por las cadenas de unin. En la etapa final, los bloques y las cadenas
de unin se orientan segn la direccin del esfuerzo aplicado. As, un esfuerzo de
deformacin apreciable genera en los polmeros semicristalinos una estructura altamente
orientada. Al aumentar el grado de entrecruzamiento de las cadenas, el movimiento
relativo de stas se inhibe y, por consiguiente, aumenta la resistencia y la fragilidad del
polmero.
Las propiedades mecnicas de los polmeros dependen en gran medida de la magnitud
de las fuerzas intermoleculares. A pesar de que los enlaces intermoleculares secundarios
son dbiles, suelen ser efectivos para inhibir la movilidad relativa de las cadenas.
El grado de cristalinidad de un polmero influye en sus propiedades mecnicas, debido a
la cantidad de enlaces secundarios intermoleculares presentes. En las regiones
cristalinas, donde las cadenas moleculares estn empaquetadas y ordenadas, suele
haber enlaces secundarios entre segmentos de cadenas adyacentes. Estos enlaces
secundarios son mucho menos numerosos en las regiones amorfas, donde las cadenas
estn desalineadas. De esta manera, el aumento de la cristalinidad de un determinado
polmero mejora generalmente, las propiedades mecnicas.
Con este tema concluye la revisin de la estructura general de los materiales. Con estos
conocimientos se podr abordar el siguiente tema, nanoestructuras, donde las
propiedades dependen adicionalmente de la escala.
2.3. Nanoestructuras
El avance de la nanotecnologa y el desarrollo de tcnicas que permitan la investigacin a
escala nanomtrica, implican una serie de fenmenos que solo pueden explicarse con la
mecnica cuntica, desarrollada a principios del siglo XX (Morn y Rodrguez, 2012). Para
entender los efectos de la dimensionalidad de los nanosistemas, es til revisar algunos
aspectos relacionados con la constitucin de la materia. En este tema se ver de qu
manera cambian las propiedades de los materiales cuando se utilizan en tamaos
nanomtricos.
2.3.1. Nanoescala
Las propiedades pticas, magnticas, mecnicas, electrnicas y qumicas de los
materiales, tienen longitudes caractersticas asociadas. De manera que, si se produce un
material de dimensiones menores que estas longitudes caractersticas, las propiedades
de este material sern muy diferentes de las del material volumtrico.
Mientras las dimensiones del sistema sean mayores que la distancia caracterstica de la
propiedad en estudio, la fsica del problema no se modifica y las caractersticas estarn
determinadas por las propiedades intrnsecas del material. Pero si alguna de las
dimensiones del objeto es menor que esta distancia, entonces la respuesta del sistema
depender no solo de las propiedades del material sino tambin de su tamao (Guimpel y
Pastoriza, 2005).
Las propiedades de los materiales nanoestructurados no son interpolaciones entre las
propiedades atmicas y macroscpicas, sino que son propiedades nicas que dependen
de la estructura geomtrica. Estos comportamientos se explican en base a la mecnica
cuntica.
Dualidad onda-partcula
Ya se ha tratado anteriormente la estructura del tomo de manera general. Esta
estructura, se produce como consecuencia de la dualidad onda-partcula de los
electrones. La dualidad onda-partcula del electrn, significa que un electrn se comporta
tanto como partcula como onda.
De manera explcita, recurdese que las partculas tienen una masa bien definida,
adems su posicin y velocidad se pueden determinar en funcin del tiempo (propiedad
corpuscular). En cambio, las ondas no tienen masa y no se les puede localizar de manera
precisa, por lo que, se definen en funcin de su longitud de onda o de su frecuencia
(propiedad ondulatoria).
Por ejemplo, el electrn, tiene masa y cantidad de movimiento, pero tambin una longitud
de onda, de modo que en una colisin con otro electrn, predomina el comportamiento
corpuscular. Sin embargo, el comportamiento ondulatorio es evidente cuando un haz de
electrones se difracta cuando pasa por un pequeo orificio circular de tamao comparable
a su longitud de onda.
Confinamiento cuntico
El cambio en las propiedades a nanoescala, se presenta cuando las longitudes
caractersticas de interaccin o longitudes de onda se hacen comparables con el tamao
del sistema. Es decir, cuando el tamao de la unidad estructural en la nanoescala, como
la nanopartcula o el grano nanocristalino, es igual o ms pequeo que una longitud de
correlacin caracterstica.
A nivel macroscpico, los tomos se encuentran dispersos en todo el volumen del
material y las cargas se mueven en un espacio infinito. Las propiedades fsicas en estas
condiciones son las que tradicionalmente se conocen como propiedades volumtricas, y
que ya se han tratado con anterioridad (Oliva, 2005). Pero si se reduce una dimensin a
escalas nanomtricas, por ejemplo el espesor, los tomos se encontrarn confinados a
moverse prcticamente a lo largo y ancho del material. Estos efectos se denominan
confinamiento cuntico, es decir, cuando las propiedades de los materiales se modifican
para los sistemas confinados o de tamao finito.
Como se ha mencionado, una de las caractersticas de la mecnica cuntica, es que
asocia una partcula, por ejemplo el electrn, con una funcin de onda. En la siguiente
figura se muestra una partcula confinada en una regin muy pequea del espacio que
denomina caja. De acuerdo a la mecnica cuntica, esta partcula no puede encontrarse
en cualquier estado, sino que su funcin de onda asociada debe tener nodos, es decir,
hacerse cero en las paredes de la caja. El estado de ms baja energa corresponde a la
onda ms simple, siendo los estados ms energticos los que tienen ms nodos en el
interior de la caja cuntica, o, equivalentemente, las ondas con frecuencias ms grandes.
Las energas tienen valores determinados y se dice que estn cuantizadas o discretizadas
(Faisten y Hallberg, 2005).
Electrn en una caja nanomtrica. Fuente: tomado de Faisten y Hallberg, (2005).
La funcin de onda () representa al electrn. De modo que, la probabilidad de

encontrar al electrn en cualquier lugar dentro de la caja es |()|2 . Las energas
correspondientes a cada estado, se muestran a la derecha. Como el electrn no puede
tener cualquier estado o energa, se dice que los estados estn cuantizados.
Este comportamiento no es exclusivo de los electrones, sino que sucede tambin con la
luz y el sonido. Un ejemplo de confinamiento cuntico, son los electrones de los tomos,
especialmente los que estn ms cerca del ncleo. Los electrones, se encuentran
atrapados por la fuerza electromagntica atractiva del ncleo (Faisten y Hallberg, 2005).
Es posible fabricar sistemas nanomtricos en donde se pueden observar los efectos del
confinamiento cuntico en dos dimensiones espaciales (2D, pozos cunticos), en una (1D,
alambres y tubos) o en cero dimensiones (0D, punto cuntico). En la siguiente figura se
muestra una secuencia de reduccin de dimensionalidad que pueden sufrir los materiales.
Diferentes sistemas nanomtricos. Fuente: tomado de Oliva, (2005).
Pozos cunticos
En un pozo cuntico los electrones estn confinados en una direccin, por ejemplo, en la
direccin del eje de un sistema de tres ejes coordenados (, , ), mientras que en las
otras dos direcciones (, ) se mueven libremente. Es como si se obligara a los electrones
a moverse en una hoja de papel. Las propiedades de estos materiales, suelen ser muy
diferentes a las volumtricas. Se ha encontrado, que la resistividad elctrica (el inverso de
la conductividad) de los metales en capas delgadas presentan valores mucho mayores
que su valor volumtrico. Por ejemplo, el semiconductor cuyo ancho de banda
prohibida es de 2.42 (volumtrica), puede presentar valores de hasta 3.8 cuando
son preparados con algunos nanmetros de espesor (Oliva, 2005).
En la siguiente figura se muestra un esquema de un pozo cuntico formado por capas de
semiconductores entre dos de . En la parte inferior, se muestra el potencial
elctrico correspondiente (barreras) que forma una capa muy fina, 6 de ancho, donde
estn confinados los electrones.
Pozo cuntico de semiconductores. Fuente: tomado de Faisten y Hallberg, (2005).
Las bandas prohibidas, las bandas de valencia y de conduccin de estos sistemas, se

conforman de tal manera que en las interfases entre los dos materiales hay un salto.
Cuando un electrn excitado pasa a un nivel de ms baja energa, hay una emisin de luz
en una frecuencia determinada. Por esta razn, la mayora de las aplicaciones de los
pozos cunticos semiconductores est en la optoclectrnica, e incluyen los sensores, los
lseres, los diodos emisores de luz o LED. En la prctica se usan varios pozos cunticos
de diferente espesor en arreglos que generalmente, reciben el nombre de
heteroestructuras.
La ventaja de utilizar pozos cunticos en estos dispositivos consiste en hacerlos ms
eficientes. Se requiere mucha menos energa para su funcionamiento, adems de que
son ms estables en los cambios de temperatura. El ahorro de energa es una de las
razones que est impulsando la investigacin en sistemas con mayor confinamiento
cuntico.
Alambres o hilos cunticos
Cuando se reducen dos dimensiones del material, se pueden formar hilos cunticos, de
manera que su movimiento est restringido en dos dimensiones, es decir, los electrones
solo pueden moverse en una direccin, la longitud el hilo. Pueden ser de diversos
materiales semiconductores como el arseniuro de galio () o los compuestos por
fsforo e indio (), con arsnico (). Tambin existen estructuras tubulares de
carbono, llamados nanotubos de carbono, o de manganeso.
Los fenmenos que surgen con el mayor confinamiento de los portadores de carga, tienen
gran potencial en aplicaciones tecnolgicas. Sin embargo, la fabricacin de alambres
cunticos semiconductores es mucho ms complicada que la de los pozos cunticos y
requiere procesos y equipo muy especializados.
Puntos cunticos.
Al confinar el material en las tres dimensiones, las cargas quedan atrapadas en un punto.
En un punto cuntico los electrones estn confinados en sus tres dimensiones y por eso
se dice que son sistemas de dimensin cero. Usualmente estn fabricados con material
semiconductor y pueden albergar desde uno a varios miles de electrones.
Sus tamaos tpicos pueden variar desde unos pocos nanmetros hasta algunos
micrones, pero su tamao, su forma y el nmero de electrones se pueden controlar en
forma muy precisa, todo esto gracias a los avances en la litografa, la qumica y los
mtodos de crecimiento capa por capa.
La fsica de los puntos cunticos tiene muchas similitudes con la fsica de los tomos. Los
niveles de energa estn cuantizados debido al confinamiento de los electrones y por esa
razn, se les denomina tomos artificiales. Tambin presentan comportamientos
electrnicos y pticos similares a los de los tomos. Sin embargo, en los puntos cunticos
el nmero de electrones que caben en cada capa es diferente, en la primera caben dos,
en la segunda cuatro, en la tercera seis, en la cuarta ocho y as en adelante. Esta
diferencia se debe a que los puntos cunticos tienen simetra circular y no esfrica como
en un tomo real.
Los puntos cunticos pueden conectarse fcilmente a circuitos para estudiar sus
propiedades o usarlos como dispositivos electrnicos. Tambin se han podido acoplar
varios puntos cunticos para formar molculas artificiales. Los niveles electrnicos por
confinamiento en nanoestructuras, ha marcado a la ciencia y la tecnologa, en dispositivos
y aplicaciones de la vida cotidiana (Faisten y Hallberg, 2005).
El principal inters en confinar los electrones en dispositivos basados en pozos, hilos o
puntos cunticos, radica en el cambio de la energa de los niveles respecto al material
volumtrico o masivo. Esto permite variar la banda prohibida de energa, en el caso de los
materiales semiconductores. Por otro lado, al limitar espacialmente el movimiento de los
electrones, se favorece el proceso por el cual el electrn introducido ocupa el hueco
dejado por el electrn extrado.
Estructuras de carbono
El carbono es un elemento que forma una diversidad de sustancias, desde diamantes
hasta el holln. Adems, es el componente bsico de la qumica orgnica y de la vida. Por
la cantidad de aplicaciones, es de especial inters las nanoestructuras formadas por este
elemento.
En la unidad anterior se identificaron algunas de estas estructuras de manera general. A
continuacin se vern algunos aspectos de su estructura de acuerdo a los conocimientos
adquiridos en este contexto.
El carbono () es un elemento con gran capacidad para enlazarse qumicamente tanto a
tomos de carbono como a otros elementos. Sus compuestos moleculares forman
cadenas o anillos y los sistemas macroscpicos pueden tomar formas de grafito o
diamante. El grafito est compuesto de arreglos atmicos bidimensionales con estructura
hexagonal. Estas lminas, llamadas grafeno, se unen muy dbilmente unas con otras y es
posible desplazarlas con facilidad (Morn y Rodrguez, 2012).
Grafeno (lmina de grafito). Fuente: tomado de Serena, (2010).
Un nanotubo se forma enrollando una lmina de grafito alrededor de un eje y uniendo los
bordes por medio de enlaces entre los tomos de carbono. Los dimetros de los
nanotubos varan, los ms delgados tienen el mismo dimetro que la molcula 60,
aproximadamente 7.
Hay una gran cantidad de maneras de enrollar la lmina, lo que provee a los nanotubos
diferentes propiedades. Un nanotubo se puede caracterizar conociendo su dimetro y su
helicidad, la cual viene dada de acuerdo al ngulo en el que se enroll (Faisten y Hallberg,
2005).
En la siguiente figura se muestran dos tipos de nanotubos. Las lneas roja y azul a la
izquierda, muestran en qu direccin se enroll la lmina de grafito para obtener los
diferentes tipos de nanotubos, mostrados a la derecha. El nanotubo zigzag puede ser
metlico o semiconductor, segn su dimetro. En cambio el tipo silln siempre es
metlico.
Tipos de nanotubos. Fuente: tomado de Faisten y Hallberg, (2005).
Adems de estas geometras, se pueden generar otras con helicidad. En la siguiente

imagen se muestra el esquema de un corte transversal de un nantubo helocoidal.
Nanotubo helicoidal. Fuente: tomado de Faisten y Hallberg, (2005).
Como ya se ha visto, las propiedades elctricas de un material dependen de la separacin

entre los estados ocupados por electrones y los estados de conduccin vacos y
disponibles para que los electrones accedan a ellos. Cuanto ms fcil sea el acceso a
dichos estados de conduccin, mayor ser la conductividad elctrica. En los nanotubos de
carbono de una capa, esta separacin energtica vara en funcin de la orientacin de los
hexgonos con respecto al eje del tubo y del dimetro del mismo. Por tanto, sus
propiedades elctricas dependen de la geometra de la molcula (H. Terrones y M.
Terrones, 2004).
Debido a su tamao, el transporte elctrico est cuantizado. Pueden ser usados como
alambres cunticos y son capaces de transportar densidades muy altas de corriente, de
varios rdenes de magnitud mayor que la transportada por los alambres de cobre
habituales (Faisten y Hallberg, 2005).
En los nanotubos no quirales (silln y zigzag) las disposiciones hexagonales en las partes
extremas del tubo son siempre paralelas al eje del tubo. Esta distribucin de los tomos,
permite que los electrones accedan libremente a los estados de conduccin. En funcin
del dimetro del tubo, dos tercios de los nanotubos no quirales son conductores. El resto
se comportan como semiconductores. En los nanotubos quirales, los hexgonos definen
un cierto ngulo con respecto al eje del tubo. Esta orientacin de los tomos dificulta el
acceso de los electrones a los estados de conduccin. De acuerdo al ngulo de torsin,
unos dos tercios son semiconductores y el resto conductores (H. Terrones y M. Terrones,
2004).
Los nanotubos resisten grandes presiones sin romperse (1.8 ). Puesto que la
estructura cede a movimientos longitudinales, la conductividad trmica es elevada a lo
largo del tubo pero escasa en la direccin perpendicular. Adems de este tipo de
nanotubos, llamados de pared simple, existen nanotubos formados por varios tubos
concntricos, los llamados de pared mltiple.
Otro tipo de estructura de carbono es la fullerita o 60 , que a diferencia de otros
slidos, tiene molculas de 60 tomos de carbono ubicadas en los vrtices de una red
cbica.
La estructura de la molcula 60 o fullereno, es una estructura hueca con forma de
icosaedro truncado, que consiste en 12 pentgonos y 20 hexgonos. Adems del
fullereno, tambin se encuentran grandes estructuras con la misma geometra. El nmero
de tomos necesarios para construir molculas huecas con estructura de icosaedro
truncado est dado por:
= 60( + 1)2 , = 0, 1,
De manera que los primeros miembros de esa familia contienen 60, 240, 540, 960...,
tomos de carbono. El nmero de pentgonos siempre es 12, y el de hexgonos
aumenta. En la siguiente figura se muestran algunos ejemplos de estas estructuras.
Estructuras de los fullerenos de carbono. Fuente: tomado de Morn y Rodrguez, (2012).
Las fulleritas, son blandas como el grafito. Sin embargo, si se comprime su volumen hasta
un 70% del valor inicial, superan la dureza del diamante. Sus propiedades elctricas
varan en extremo en funcin del compuesto, es decir, las fulleritas puras son aislantes,
sin embargo las dopadas (impurezas) con metales alcalinos se comportan como
superconductores a temperaturas que alcanzan los 40 (H. Terrones y M. Terrones,
2004).
Actividades
Realiza la Actividad 2. Nanoestructuras, solo espera que tu

docente en lnea te proporcione las indicaciones para realizar la
actividad.
Actividades
Ahora realiza la Actividad 3. Dependencia del tamao, solo

espera que tu docente en lnea te proporcione las indicaciones para
realizar la actividad.
2.3.2. Fuerzas a escala nanomtrica

Algunos de los fenmenos fsicos que ocurren en las nanoestructuras, provienen de que,
la geometra del material est restringida a cero, una o dos dimensiones. Adems, el
hecho de que el material tenga una fraccin importante de los tomos en la superficie
hace que los efectos superficiales dominen las propiedades de estos materiales (Montero
y Schuller, 2003).
La forma geomtrica que adoptan las estructuras nanomtricas depende del tipo de
elemento qumico, del nmero de tomos en el sistema y de la temperatura. De los ms
importantes se encuentran, los formados por tomos de carbono, las estructuras de
metales alcalinos y las constituidas por metales de transicin.
Con el fin de predecir estas propiedades nicas, es esencial entender cmo las
estructuras varan con la disminucin de tamaos de cristalitos, ya que el tamao de
grano es el parmetro estructural dominante que rige las propiedades de un material.
Como se vio en la unidad anterior, otro efecto que toma relevancia al disminuir el tamao
de un material, es el aumento de su superficie frente al volumen, es decir, se incrementa
la relacin rea volumen (/). Una de las caractersticas intrnsecas de la nanoescala es
la falta de simetra, como la que produce la superficie, generando anisotropa. Es decir,
cuando las propiedades varan de acuerdo a la direccin.
Los materiales nanocristalinos son policristales con un dimetro de grano inferior a
100. Como consecuencia de la disminucin de las dimensiones, la fraccin de tomos
situados en los lmites de grano o interfaces, aumenta (Wilde, 2009). Debido a que las
propiedades fsicas de los tomos en la interfase son diferentes a los de los tomos
situados en el interior de los cristales, es de esperar que las propiedades macroscpicas
se vean afectadas al disminuir el tamao de grano. Esta caracterstica permite disear las
propiedades de los nanocristales a travs del control del tamao de grano y de la
intensidad de la conexin intergranular.
Los nanocristales estn generalmente, interconectados a travs de las fronteras de grano
o bien a travs de una matriz de otro material. El aspecto ms importante de estos
materiales nanocristalinos es el alto valor del cociente entre el nmero de tomos en la
interfase, , y el nmero total de tomos, , es decir, / . Si llamamos al tamao
medio de grano y a la distancia interatmica, entonces / vara aproximadamente
como /, que en el caso de granos de dimensiones nanomtricas puede llegar a ser tan
alto como el 30% (Hernando y Gonzlez, 2000).
Propiedades elctricas
La conductividad elctrica tiene asociada una longitud caracterstica que se denomina
recorrido libre medio, el cual representa la distancia promedio que un electrn recorre en
el material antes de colisionar con impurezas o con los mismos tomos del material.
Cuando un trozo de metal tiene alguna dimensin comparable o menor que el
correspondiente recorrido libre medio, el transporte de electrones se convierte en balstico
(no se dispersan) y por tanto no se cumple la ley de Ohm.
La resistividad elctrica es una propiedad intrnseca del material, por lo que, no debera
de depender de las dimensiones. Sin embargo, se ha encontrado que esta propiedad
cambia para capas delgadas de material cuyo espesor es menor a los 100. Esta
propiedad elctrica se puede incrementar enormemente al disminuir el espesor del
material.
Evidentemente, el mtodo de preparacin de las pelculas delgadas juega un papel
importante en el valor de la resistividad, ya que depende de los efectos superficiales y
ms an del tamao de grano y las fronteras entre ellos. Se ha encontrado que las
fronteras de grano son los elementos que ms influencia tienen sobre la alta resistividad.
En geometra de capa delgada, los electrones sufren un confinamiento cuntico que les
dificulta su movimiento para desplazarse por el material, incrementando su energa (Oliva,
2005).
Propiedades magnticas
Los nanocristales ferromagnticos son materiales compuestos de nanocristales
magnticos embebidos en una matriz. El aspecto relevante de estos nanocristales es el
relacionado con la coincidencia de las escalas del tamao de grano con las de las
longitudes magnticas tpicas o crticas (Hernando y Gonzlez, 2000).
Los materiales ferromagnticos estn formados por dominios o zonas donde la imanacin
es uniforme. Se requiere mucha energa para mantener dos tomos juntos de un material
ferromagntico con el momento magntico antiparalelo. Por ello, la separacin entre
dominios no es abrupta, sino que est formada por las paredes de dominio, que son
zonas en las que la imanacin va girando progresivamente. El espesor de estos lmites de
dominio es normalmente de unos nanmetros (Garca, et. al. 2006).
Cuando un cmulo de partculas es sometido a un campo magntico, el spin de los
electrones se alinea con el campo. En las estructuras que contienen grandes cantidades
de tomos desordenados, la alineacin de los electrones no es al 100%. Sin embargo, en
escalas nanomtricas, es posible, debido a la pequea cantidad de tomos involucrados y
al alto orden que poseen sus estructuras. Adems, las diferencias de energa entre las
dos posibles orientaciones del momento magntico son pequeas para estas estructuras.
El magnetismo de los materiales volumtricos, est basado en la existencia de momentos
magnticos, la interaccin entre estos momentos y la anisotropa. Sin embargo, en la
nanoescala, se puede tener orden magntico sin interacciones.
Como es sabido, los tomos de la superficie no son iguales que los del volumen, dado
que en el volumen los tomos ven un entorno igual por todos lados, y los de la superficie
ven dos zonas distintas. Adems, los tomos de la superficie tienen menos enlaces, o
bien tienen enlaces de otra naturaleza. Esto causa una simetra local distinta en estos
tomos y por lo tanto anisotropa.
Los tomos de superficie, pueden orientar su distribucin electrnica para minimizar la
energa y por tanto orientar sus momentos. Por ejemplo, el oro es un material
diamagntico, sus tomos no tienen momento magntico y sus capas electrnicas estn
completas. Sin embargo, al recubrir nanopartculas de oro con unas molculas
denominadas tioles (constituidas por carbono, hidrgeno y azufre), tambin
diamagnticas, la nanopartcula se vuelve ferromagntica. Debido a este enlace, hay una
pequea transferencia de carga del oro hacia la molcula, lo que hace que la ltima capa
electrnica del oro ya no est completa y aparezca un pequeo momento magntico,
orientado en la direccin del enlace, lo que genera un momento magntico permanente
que no desaparece en ausencia de campo magntico. El magnetismo en el oro es un
efecto de nanoescala. Por ejemplo, si se recubre una partcula de de 1 de radio con
tioles, los tomos de la superficie tambin seran magnticos, pero estos son solo 1 de
cada cien millones. En el caso de la nanopartcula los tomos de superficie constituyen
casi la mitad del total (Garca, et. al. 2006).
Propiedades qumicas
Otras de las propiedades que dependen del tamao, son la reactividad qumica y la
estabilidad estructural. Un ejemplo es la reactividad qumica de nanopartculas de oro.
El oro es utilizado para hacer joyas de hace milenios, debido a que es uno de los metales
menos reactivos. Esto es cierto para las partculas de oro relativamente grandes. Cuando
los cristalitos de tienen un tamao del orden de 3 5 , son muy reactivos (Miranda,
2006).
La reactividad depende de la densidad de estados vacos en la superficie, ya que las
molculas incidentes intercambian electrones. Por ejemplo, la reactividad de una pelcula
delgada de es tres rdenes de magnitud mayor que la de la superficie de un cristal
volumtrico de . De esta manera, la adicin de una o varias capas de tomos a una
superficie dada, permite modificar drsticamente la reactividad superficial (Miranda, 2006).
La catlisis es la aplicacin qumica ms importante de las nanopartculas metlicas. Los
metales de transicin, especialmente los metales preciosos, muestran una gran actividad
cataltica para muchas reacciones. Un catalizador se define como una sustancia que
afecta la velocidad o la direccin de una reaccin qumica, pero que no es consumida de
manera apreciable en el proceso. Los catalizadores pueden incrementar o reducir la
velocidad de reaccin. En general, el catalizador es slido y los reactantes y productos se
encuentran en fase lquida o gaseosa.
Se busca que un catalizador tenga un comportamiento reproducible, estructura estable,
actividad y selectividad, distribucin del tamao de poro apropiada, bajo costo y
propiedades trmicas adecuadas. Los procesos dependen en gran medida del rea
superficial. Esta se puede obtener, reduciendo el tamao de las partculas o usando
estructuras porosas, a fin de que los reactantes puedan tener un fcil acceso al interior del
catalizador.
Las nanopartculas de oro (2 4 ) se usan como catalizadores. Son muy reactivas y
poseen propiedades catalticas a temperaturas relativamente bajas. El mximo en la
actividad cataltica en partculas se correlaciona con la formacin de una banda de
energa en la densidad de estados electrnicos en la energa de Fermi.
Con este tema finalizan los fundamentos bsicos de los materiales nanoestructurados, los
cuales permiten la compresin del origen de las propiedades a escalas nanomtricas,
permitiendo diferenciar el tipo de propiedades que se obtienen en materiales
nanoestructurados a diferencia de los materiales sin nanoestructuras y volumtricos.
Actividades
Ahora realiza la Actividad 4. Estructura de un material, solo

espera que tu docente en lnea te proporcione las indicaciones para
realizar la actividad.
Evidencia de aprendizaje. Relacin de las estructuras con las

propiedades
Para culminar el estudio de la unidad, realiza la Evidencia de aprendizaje. Relacin de
las estructuras con las propiedades, solo espera las indicaciones de tu docente en
lnea.
Autorreflexiones
Recuerda ingresar espacio de Planeacin del docente en lnea, dnde te proporcionar
las lneas de reflexin acerca del aprendizaje de la unidad 2.
Una vez que reflexiones sobre tu aprendizaje debes entregar tu reporte en la herramienta
de Autorreflexiones, recuerda subir tu archivo despus de asegurarte que se trate de tu
versin final.
Es importante que entregues slo un archivo por unidad, para poder obtener e 10% de tu
evaluacin final.
Cierre de la unidad
La relacin entre los fundamentos de la estructura de los materiales y sus propiedades,
son necesarios para seleccionar los materiales adecuados para una aplicacin particular.
Los temas visto en esta unidad, son la base para comprender los principios de la ciencia
de los materiales
Como resultado de esta unidad, se puede visualizar como las propiedades de los
materiales, son resultado directo la estructura a escala atmica, nanoscpica y
microscpica.
En el transcurso de la unidad, se diferenciaron claramente los materiales volumtricos y a
escala nanomtrica, sin embargo, se debe advertir que en realidad se ha trabajado con
todas las escalas mencionadas. A nivel atmico, con los enlaces de los tomos, a nivel
nanoscpico en las nanoestructuras y a nivel microscpico con los aglomerados, granos,
partculas entre otros, es decir, estructuras de tamaos mayores a las nanomtricas.
Queda concluida la unidad II, con lo que ahora se tienen los fundamentos de la estructura
de los materiales para abordar la unidad III donde se tratarn las diferentes tcnicas de
anlisis para estudiar y determinar la estructura y propiedades de los materiales.
Para saber ms
Configuraciones electrnicas
http://neoparaiso.com/imprimir/elementos-quimicos/tabla-elementos.pdf
Defectos
Palacios-Romero, L. M., & Pfeiffer Perea, H. (2010). Defectos puntuales: su formacin,
tipos de defectos y algunas propiedades en los materiales. Materiales Avanzandos No15.
Nanotecnologa
Fainstein, A., & Hallberg, K. (2005). La fsica de alambres moleculares, tomos artificiales
y cavidades nanoscpicas. Ciencia Hoy. Obtenido de
http://www.cienciahoy.org.ar/ln/hoy84/index.htm
Galano, A. (2010). Nanotubos de carbono como trampas de radicales libres. Materiales
Avanzandos No14.
Monroy Pelez, B. M. (2010). Nanocristales de silicio: para mejorar la eficiencia de las
celdas solares. Materiales Avanzados No14.
Terrones, M., & Terrones, H. (2004). Nanotubos de carbono. Investigacin y Ciencia.

Tabla peridica
Compuestos
http://www.ptable.com/?lang=es#Compound
Estructura cristalina
http://fisica.ciencias.uchile.cl/~emenendez/docencia/fissol/tperiod.jpg
Fuentes de consulta
Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. (2010). Materials Science and Engineering: An

Introduction (8a ed.). Wiley.
Callister, W. (1995). Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los materiales.

Volumen 1. Editorial Revert, S.A.
Callister, W. (1995). Introduccin a la Ciencia e Ingeniera de los materiales.

Volumen 2. Editorial Revert, S.A.
Chang, R. (2010). Qumica (10a ed.). McGraw-Hill.
Fainstein, A., & Hallberg, K. (2005). La fsica de alambres moleculares, tomos

artificiales y cavidades nanoscpicas. Ciencia Hoy. Obtenido de
http://www.cienciahoy.org.ar/ln/hoy84/index.htm
Garca, M. A., Marn, P., Gonzlez, J. M., Crespo, P., & Hernando, A. (2006).
Nanomagnetismo. Nanociencia y Nanotecnologa. Obtenido de
http://www.madrimasd.org/revista/revista34/tribuna/tribuna3.asp
Groover, M. P. (1997). Fundamentos de manufactura moderna. Materiales,

procesos y sistemas. (1a ed.). Pearson-Prentice Hall.
Groover, M. P. (2010). Fundamentals of modern manufacturing (4a ed.). Wiley.
Guimpel, J., & Pastoriza, H. (2005). Arquitectura a escala nanoscpica. Ciencia

Hoy. Obtenido de http://www.cienciahoy.org.ar/ln/hoy84/index.htm
Hernando, A., & Gonzlez, A. (2000). Nanoestructuras magnticas: un hito en el

desarrollo de los materiales magnticos. In A. Domnguez Rodrguez & J. Leal
(Eds.), Temas actuales en ciencia de materiales. Sevilla: Universidad de Sevilla.
Kalpakjian, S. & Schmid, S. R. (2002). Manufactura, ingeniera y tecnologa (4ta

ed.). Pearson-Prentice Hall.
Miranda, R. (2006). Efectos de tamao cuntico y su importancia para la reactividad

y estabilidad de nanoestructuras. Nanociencia y Nanotecnologa. Obtenido de
http://www.madrimasd.org/revista/revista35/tribuna/tribuna1.asp
Montero, M. I., & Schuller, I. K. (2003). Nanoestructuras: un viaje de tres a cero

dimensiones. Real Sociedad Espaola de Fsica. Obtenido de www.ucm.es/info/rsef
Morn Lpez, J. L., & Rodrguez Lpez, J. L. (2012). Los materiales

nanoestructurados. Fondo de Cultura Econmica.
Oliva Arias, A. I. (2005). Nuevas propiedades fsicas de materiales

nanoestructurados. Ingenira, 9(3).
http://www.revista.ingenieria.uady.mx/volumen9/nuevas.pdf
Poole, C. P., & Owens, F. J. (2007). Introduccin a la nanotecnologa. Editorial

Revert, S.A.
Serena Domingo, P. A. (2010). La nanotecnologa. CSIC.
Shackelford, J. F. (2005). Introduccin a la ciencia de los materiales para ingenieros

(6a ed.). Pearson-Prentice Hall
Terrones, M., & Terrones, H. (2004). Nanotubos de carbono. Investigacin y

Ciencia.
Wilde, G. (2009). Nanostructured Materials. Elsevier Ltd.

Unidad 2 Estructuradelosmateriales

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Unidad 2 Estructuradelosmateriales

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Materiales y nanotecnologa

Unidad 2. Estructura de los materiales

Unidad 2. Estructura de los materiales

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 1

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 2

Unidad 2. Estructura de los materiales

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 3

Identificars las caractersticas de las estructuras

Diferenciar los tipos de materiales para relacionarlos con sus

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 4

Planeacin del docente en lnea

Es un espacio diseado para que tu docente en lnea establezca su

Este es un espacio de consulta y comunicacin, recuerda que fue

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 5

Consulta los comentarios de tus compaeros(as) y si tienes

*No olvides que tu docente en lnea estar al pendiente de todos los

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 6

2.1. La estructura atmica y enlaces

2.1.1. Conceptos fundamentales

Modelo simple del tomo. Fuente: tomado de Callister, (2005).

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 7

Masas y cargas de las subpartculas fundamentales del tomo.

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 8

La masa atmica de los elementos se localiza en la parte inferior de los smbolos

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 9

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 10

Ejemplo de transiciones energticas de un electrn.

= 1, al que denominamos con la letra , carece de cualquier subnivel

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 11

Y as sucesivamente. A su vez, cada subnivel admite un nmero distinto de electrones. En

Notacin para la configuracin electrnica.

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 12

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 13

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 14

2.1.2. Tipos de enlaces

Representacin de dos tomos de hidrgeno que se acercan hasta formar la molcula de 2 .

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 15

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 16

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 17

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 18

Representacin del enlace covalente de una molcula de metano (4 ).Fuente: tomado de

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 19

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 20

Representacin del enlace metlico. Fuente: tomado de Groover (2010).

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 21

Representacin de la distribucin de densidad electrnica en la molcula HF. Fuente: tomado de

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 22

Representacin esquemtica del puente de hidrgeno en el floururo de hidrgeno ().

Interaccin de los dipolos de tomos o molculas. Fuente: tomado de Chang, (2010).

En las molculas apolares, la movilidad de las nubes electrnicas produce dipolos

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 23

2.2.1 Estructuras cristalinas

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 24

Representacin energa de los electrones. Fuente: tomado de Callister, (2005)

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 25

Representacin de la estructura de bandas en la separacin de equilibrio. Fuente: tomado de

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 26

Tipos de estructuras de bandas en slidos. Fuente: tomado de Callister, (2005).

En la primera, la banda de valencia est parcialmente llena de electrones. La energa de

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 27

Excitacin electrnica de materiales semiconductores o aislantes. Fuente: tomado de Callister,

En muchos materiales este intervalo prohibido tiene un ancho de varios electronvoltios. El

Divisin de Ciencias de la Salud, Biolgicas y Ambientales | Ingeniera en Energas Renovables 28