Capitulo 3 - Lacunas e Impurezas Nos Solidos

O mais simples dos defeitos pontuais a
lacuna
Posio atmica na qual falta um tomo;
Todo slido cristalino contm lacunas;
Aumento da entropia.
O nmero de lacunas em equilbrio depende da

temperatura
N = n total de stios atmicos;

Q = energia para formao de uma lacuna;
T = temperatura em K;
k = constante de Bolztman
Nmero de lacunas aumenta exponencialmente

em funo da temperatura.
tomo que se encontra comprimido em um

stio intersticial
Ocorrem em quantidade significativamente

menor que as lacunas
Presentes em todos metais mximo de

99,9999% de pureza
Ligas tomos de impurezas

intencionalmente adicionados para conferir
caractersticas especficas
Adio de tomos soluo slida
tomos do soluto so adicionados no

solvente sem formar uma nova estrutura
Defeitos pontuais devido a presena de
impurezas
Substitucional
Intersticial
Fator do tamanho atmico

Pequena diferena entre os tamanhos atmicos
Estrutura Cristalina
Ambos metais devem ter a mesma estrutura cristalina
Eletronegatividade
Quanto maior a diferena maior a probabilidade de
formar um composto metlico
Valncia
Maior tendncia de dissolver outro de maior valncia
Materiais metlicos com fator de

empacotamento alto tem posies intersticiais
pequenas
Dimetro atmico da impureza intersticial tem que
ser pequeno
Quantidade inferior a 10%
tomos de impurezas geralmente so maiores

que os vazios
Induzem deformaes
IMPUREZAS NAS CERMICAS

CERMICAS DEFINIO:
Cermicas so compostos entre elementos metlicos e
no-metlicos: eles so muito frequentemente xidos,
nitretos e carbetos. A larga faixa de materiais que caem
dentro desta classificao inclui cermicas que so
compostas de minerais de argilas, cimento e vidro
(CALLISTER, 2011);
IMPUREZAS:
tomos de impureza podem formar solues slidas em
materiais cermicos da mesma forma que em metais
(CALLISTER, 2011);
Essas solues podem ser tanto substitucional quanto
intersticial (CALLISTER, 2011);
Intersticial: o raio inico da impureza deve ser relativamente

pequeno em comparao com o nion (CALLISTER, 2011);
Substitucional: Este tipo de soluo slida em materiais
cermicos se d quando h similaridade de carga entre os
ctions e nions da estrutura e as impurezas; ou seja, uma
impureza substitucional ir substituir um on hospedeiro que
seja mais semelhante a ela no aspecto eltrico (CALLISTER,
2011)
EXEMPLO: no cloreto de sdio, ons de impureza Ca2+ e O2- ,

eles provavelmente substituiriam os ons Na+ e Cl-,
respectivamente.
Solubilidade slida aprecivel de impureza substitucional: o

tamanho e a carga inica da impureza devem ser muito
prximos daqueles dos ons hospedeiros;
on de impureza com carga diferente do hospedeiro: o
cristal deve compensar para que a eletroneutralidade seja
mantida. Um meio de realizar isto pela formao de
defeitos de rede - vacncias ou intersticiais de ambos os
tipos de ons (CALLISTER, 2011)
EXEMPLO DE IMPUREZAS EM CERMICAS: Pequenas
adies de ons de cobalto, cromo, cobre, mangans e ferro
causam grandes mudanas de cor em vidros.
Figura 01 Apresentaes das formas

de impurezas.
DEFEITO: uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade:
na posio dos tomos;
no tipo de tomos.
O tipo e o nmero de defeitos dependem do material,
do meio ambiente, e das circunstncias sob as quais o
cristal processado.
DEFEITOS NOS POLMEROS
DEFINIO:
Polmeros so macromolculas formadas a partir de
unidades estruturais menores (monmeros - que um
pequeno segmento de uma cadeia, que consiste em
molculas de carbono e hidrognio, entre outras.);
So normalmente combinaes de elementos orgnicos,
como o Carbono, Hidrognio alm de outros materiais no
metlicos.
DEFEITOS NOS POLMEROS

DEFEITOS:
Os defeitos nos polmeros so diferentes dos metais, isso
devido as macromolculas, e natureza do estado
cristalino polimrico (BERTUCCIO et. al, 2012).
Defeitos so detectados em lacunas, tomos intersticiais,
tomos/ons de impureza e grupos tomos/ons como
intersticiais na regio cristalina (BERTUCCIO et. al, 2012).
Podem ser tambm: defeitos nas cadeias, cadeias
pendentes ou soltas, assim como discordncias
(BERTUCCIO et. al, 2012).
DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e
normalmente separam regies dos materiais de
diferentes estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas.
1.Superfcie externa;
2.Contorno de gro;
3.Maclas ou Twins;
4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento).
um tipo de defeito pontual de uma

estrutura de cristal;
Envolve um par composto por uma lacuna
catinica e uma lacuna aninica;
formado pela remoo de um ction e de
um nion do interior do cristal, seguido pela
colocao de ambos os ons em uma
superfcie externa;
Representaes esquemticas de lacunas

catinicas e aninicas e de um ction intersticial
um tipo de defeito pontual de uma

estrutura de cristal;
Envolve um par composto por uma lacuna
catinica e uma ction intersticial;
formado quando um ction deixa seu lugar
na estrutura, criando uma lacuna e ocupando
um espao intersticial;
Tambm pode ser chamado de par de Frenkel
ou desordem de Frenkel;
Diagrama esquemtico mostrando defeitos de

Frenkel e Schottky em slidos inicos
DEFEITO DE FRENKEL
Slidos inicos com grande

diferena de tamanho
entre ctions e nions;
Exemplos: ZnS, AgCl, AgBr,
Agl;
DEFEITO DE SCHOTTKY
Compostos altamente
inicos;
Compostos altamente
organizados;
Compostos onde existe
uma pequena diferena de
tamanho entre ctions e
nions;
Exemplos: NaCl, KCl, KBr,
CsCl, AgCl.
DEFEITO DE FRENKEL
No afeta a densidade do
slidos pois envolve
apenas a migrao de ons
dentro do cristal, ento
preservam tanto o volume
quanto a massa;
DEFEITO DE SCHOTTKY
O nmero total de ons em

um cristal com esse defeito
menor que o valor terico
de ons, ento a densidade
deste slido menor que o
normal;
1.DEFEITOS NA SUPERFCIE EXTERNA

Um dos contornos mais bvios;
Na superfcie os tomos no esto completamente
ligados;
O estado de energia dos tomos na superfcie maior que
no interior do cristal;
Os materiais tendem a minimizar est energia
A energia superficial expressa em unidades de energia
por unidade de rea (erg/cm2 ou J/m2).
2.CONTORNO DE GRO
Corresponde regio que separa dois ou mais cristais
de orientao diferente;
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica orientao,
caracterizada pela clula unitria.
Fonte: Costa E.M.

IMPERFEIES CRISTALINAS
Notas de aula - PUC-RS.
2.CONTORNO DE GRO
H um empacotamento ATMICO menos
eficiente;
H uma energia mais elevada;
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao);
Favorece a difuso;
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias.
CONTORNO DE PEQUENO NGULO

Ocorre quando a desorientao dos cristais
pequena;
formado pelo alinhamento de discordncias
ngulo de
desalinhamento
Contorno de gro de alto

ngulo
Contorno de gro de baixo
ngulo
Fonte: Cincia e Engenharia de Materiais:

uma introduo
Callister, JR.,William D., 1940.
ngulo de
3.MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

um tipo especial de contorno de gro;
Os tomos de um lado do contorno so imagens
especulares dos tomos do outro lado do contorno;
A macla ocorre num plano definido e numa direo
especfica, dependendo da estrutura cristalina.
Fonte: Costa E.M.

3.MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

O seu aparecimento est geralmente associado
com A PRESENA DE:
tenses trmicas
e mecnicas;
Impurezas;
Etc.
Fonte: Costa E.M.

4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento).

Corresponde a interrupo de uma seqncia regular
de empacotamento de planos em uma rede cristalina.
As falhas de
empacotamento so
encontradas em metais
CFC quando existe uma
interrupo na
sequencia de
empilhamento ABABAB.
Fonte: Costa E.M.
um defeito linear ou unidimensional

em torno do qual alguns tomos esto
desalinhado. (Callister, 2011)
uma poro extra de um plano de tomos, ou semi

plano, cuja aresta termina no interior do cristal.
(Callister, 2011).
Representao esquemtica de um defeito

linear do tipo discordncia em aresta.
A discordncia em aresta est centralizada em

torno de uma linha definida ao longo da
extremidade do semi plano adicional de tomos,
conhecida como a linha da discordncia.
A discordncia em aresta pode ser representada

pelo smbolo (
), que tambm indica a posio
da linha da discordncia. Tambm pode ser
formada por semi plano adicional de tomos que
esteja includo na frao inferior do cristal, sendo,
neste caso representada pelo smbolo (
).
Dpto de Cincia dos Materiais e Metalurgia PUC Rio Disponvel: http://www.dcmm.pucrio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf
Considerada como a consequncia da tenso de

cisalhamento que aplicada para produzir a
distoro. (Callister, William D,.1940).
Representao esquemtica de um defeito

linear do tipo discordncia em espiral.
A distoro atmica associada com uma

discordncia em espiral tambm linear ao longo da
linha da discordncia e est associada com a
trajetria helicoidal que traada em torno da sua
linha pelos planos atmicos;
O smbolo
discordncia;
usado para designar este tipo de
Na discordncia em espiral, a linha da discordncia,

a direo do cisalhamento e o vetor de Burgers so
Dpto
de Cincia dos Materiais e Metalurgia PUC Rio Disponvel: http://www.dcmm.pucparalelos
rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf
Formao de discordncia por cisalhamento: a linha da

discordncia, D, se expande pelo cristal at que o
deslizamento se complete.
As discordncias encontradas nos materiais

cristalinos provavelmente no saem puramente
arestas ou puramente espiral, mas exibiro
componentes de ambos os tipos, denominadas
mistas. (Callister, William D,.1940).
Discordncia mista (carter simultneo de aresta

e espiral).
Efeito de deformao da rede cristalina

provocada por discordncia mista.
A magnitude e a direo da distoro da rede

associada a uma discordncia so expressadas
em termos de um vetor de Burgers. (Callister,
2011).
Para materiais metlicos, o vetor de Burgers ir

apontar para uma direo cristalograficamente
compacta e ter uma magnitude igual ao
espaamento interatmico;
Determinao do
vetor de Burgers
em
cristal
perfeito (a) e em
cristal na presena
de
discordncia
(b).
Na discordncia em aresta, a linha da

discordncia e o vetor de Burgers so
perpendiculares.
DETERMINAO DO TAMANDO DO GRO
O tamanho do gro d
e metais policristalinos importante, j que a superfcie dos contornos

entre os gros tem um efeito importante em muitas propriedades dos
metais, especialmente na resistncia mecnica.
Em temperaturas baixas (inferiores a cerca de metade da temperatura
absoluta de fuso), a regio do contorno provoca um aumento da
resistncia mecnica dos metais, porque sob tenso dificulta o
movimento das discordncias.
Em temperaturas elevadas pode ocorrer o escorregamento ao longo
dos contornos e estes se tornam regies vulnerveis nos metais
policristalinos.
O tamanho do grmtodo de interseo:

Uma srie de segmentos de linhas retos (todos com o mesmo
comprimento) so desenhados sobre uma microfotografia.

O comprimento da linha dividido pelo nmero mdio de
intersees de gros por linha.

O dimetro mdio do gro tomado como sendo esse
resultado dividido pela ampliao da fotomicrografia.
Na tabela abaixo, indicam-se os nmeros de tamanho de gro, assim como o

nmero de gros por pol, numa ampliao de 100X, e o nmero de gros por
mm, com uma ampliao de 1X.
Em geral, um material pode ser classificado como grosseiro quando n < 3, de

gro mdio, 4 < n < 6; de gro refinado, 7 < n < 9, e com gro ultrafino, n > 10
Na figura abaixo, mostram-se exemplos do tamanho de gro de

amostras de chapa de ao de baixo teor de carbono:
Exerccio
Fez-se a determinao do tamanho de gro ASTM, em uma fotomicrografia de um

metal com uma ampliao de 100X. Se existirem 64 gros por polegada quadrada,
qual o nmero ASTM de tamanho de gro do metal?
N = 2n-1
N = nmero de gros por polegada quadrada em 100X
n = nmero de tamanho de gro ASTM
64 gros/pol = 2n-1
log 64 = (n 1)(log 2)
1,806 = (n 1)(0,301)
n=7
Exerccio
Se existem 60 gros por polegada quadrada, em uma fotomicrografia de um metal

obtida com uma ampliao de 200X, qual o nmero ASTM de tamanho de gro do
metal?
Se com uma ampliao de 200X existem 60 gros por polegada quadrada,

com uma ampliao de 100X, teremos:
log 240 = (n 1)(log 2)
2,380 = (n 1)(0,301)
n = 8,91
A razo entre as ampliaes tem de ser elevada ao quadrado, porque
estamos interessados no nmero de gros por polegada quadrada.
Para uma liga que contm dois tomos hipotticos

identificados como 1 e 2, a concentrao do tomo
1 em %p dada por:
m1
C1
100
m1 m2
Onde:
C1 Concentrao do tomo 1
m1 + m2 massa dos elementos 1 e 2
m1 massa dos elementos 1 e 2
A base para os clculos o nmero de mols

de um elemento em relao ao nmero total
de mols de todos os elementos de uma liga,
m1'
dado por:
nm1
Onde:
m1 massa (em gramas)
A1 peso atmico
A1
A Concentrao para o elemento 1 em termos

da porcentagem atmica em uma liga
contendo os tomos dos elementos 1 e 2,
nm1
definida por:
C1'
nm1 nm 2
Onde:
nm1 nmero de mols
100
Para converter a % em peso em % atmica,

em elementos hipotticos 1 e 2, as
expresses de converses so:
C1 A2
C1'
100
C1 A2 C2 A1
C1' A1
C1
100
C1' A1 C2' A2
C2 A1
C2 '
100
C1 A2 C2 A1
C2' A2
C2
100
C1' A1 C2' A2
Uma vez que estamos considerando apenas

dois elemementos, os clculos envolvendo as
equaes anteriores podem ser simplificados
quando se observa que:
C1 C2 100
C1' C2' 100
As concentraes em termos dessa base

sero representadas com a utilizao ode
duas linhas (isto C1 e C2), e as equaes
relevantes so as seguintes:
C1
"
C1
103
C1 C2

2
1
C2
"
C2
103
C1 C2

2
1
Onde: massa especfica () g/cm
A massa especfica e o peso atmico de uma

liga binria tendo sido dada a composio em
termos ou da % em peso ou da % atmica:
md
100
C1 C2
md
C1' A1 C2' A2
C1' A1 C2' A2
Onde: massa especfica (md)
A massa especfica e o peso atmico de uma

liga binria tendo sido dada a composio em
termos ou da % em peso ou da % atmica:
Amd
100
C1 C2
A1 A2
Amd
Onde: Peso atmico (Amd)
C1' A1 C2' A2
100
Determine a composio, em porcentagem

atmica, de uma liga com 97%p alumnio e
3%p cobre.
Soluo:
Se representarmos as respectivas composies em
porcentagem em peso como Cal= 97 e Ccu= 3, a
substituio nas Equaes:
C1 A2
C1'
100
C1 A2 C2 A1
C1' A1
C1
100
C1' A1 C2' A2
C Al ACu
C
100
C Al ACu CCu AAl
'
Al
(97)(63,55 g / mol )
C
100
(97)(63,55 g / mol ) (3)(26,98 g / mol )
'
Al
C Al' 98,7%a
'
Cu
CCu AAl
100
CCu AAl C Al ACu
'
Al
(3)(26,98 g / mol )
100
(3)(26,98 g / mol ) (97)(63,55 g / mol )
C
C
'
C Al
1,30%a
A Microscopia ptica, tambm denominada

microscopia de luz, consiste em uma tcnica de
observao de objetos e sistemas com ampliaes
de algumas dezenas at milhares de vezes das
dimenses fsicas, tipicamente 10X a 1500X.
O microscpio ptico mais simples consiste de duas
lentes montadas em uma estrutura, com um
suporte para anteparo do material a ser observado.
O equipamento conta ainda com um sistema de
iluminao, filtros, colimadores, e outras partes, no
sentido de otimizar a qualidade da imagem obtida.
Existem
diversas variaes de modelos,

com imagem por luz refletida
(materiais opacos), luz transmitida
(materiais translcidos), imagem por
fluorescncia, dentre outras.
A ampliao final de um microscpio
ptico ser o resultado do produto
obtido pela ampliao da lente ocular
pela objetiva, situando-se na faixa de
~40X a ~1000X.
A microscopia ptica utiliza as

propriedades ondulatrias da radiao
eletromagntica, principalmente na
faixa de energia da luz visvel.
Alguns fenmenos de interao da
radiao com a matria so
importantes, tais como:
Absoro;
Refrao;
Difrao.
Na
microscopia ptica, para materiais

opacos luz visvel, apenas sua
superfcie submetida observao,
sendo necessrio o uso no modo de
reflexo.
Para que se possa fazer uma anlise
estrutural no material, preciso realizar
o processo de preparao das amostras
previamente. As etapas do processo de
preparao
so
formadas
pela
separao da amostra, embutimento,
lixamento, polimento e ataque
qumico.
SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L - 2002
Utiliza feixes de eltrons ao invs de

radiao
luminosa
(microscpio
ptico);
Existem trs tipos:
De transmisso (MET): usado para a
observao de cortes ultrafinos;

De varredura (ou MEV): capaz de produzir
imagens de alta ampliao para a
observao de superfcies;
De varredura por sonda (MVS): para
visualizao de tomos.
FONTE: CONTEUDO, 2014.
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012.
A imagem formada por um feixe de

eltrons que passa atravs da amostra;
Os contrastes na imagem so obtidos pelas
diferenas na dispero ou difrao do feixe
produzidas entre os vrios elementos da
microestrutura ou defeitos;
A amostra deve ser preparada na forma de
uma folha muito fina, o que assegura a trans
misso atravs da amostra de uma frao
aprecavel do feixe incidente.
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012
O feixe transmitido
projetado sobre uma tela
fluorescente ou um filme
fotogrfico;
Ampliaes
de
at
1.000.000 de vezes;
Empregada no estudo das
discordncias.

uma verso mais recente;

A superfcie da amostra a ser examinada
varrida com um feixe de eltrons e o feixe de
eltrons refletido (retroespalhado) coletado e,
ento exibido na mesma taxa de varredura em
um tubo de raios catdicos (semelhante a tela
de uma TV);
A superfcie da amostra pode ou no estar polida
e ter sido atacada quimicamente, porm deve
ser condutora de eletricidade; um revestimento
metlico superficial muito fino deve ser aplicado
sobre materiais no condutores;
FONTE: DEDAVID et. al, 2007.
Microscopia Eletrnica de
Varredura (MEV)

Esquema de componentes do MEV
Ampliaes variam de 10 a 50.000 vezes;

So tambm possveis profundidades de campo
muito grandes;
Permitem anlises qualitativas e semiquantitativas da composio elementar em
reas muito localizadas da superfcie.
O MEV um aparelho que pode fornecer
rapidamente informaes sobre a morfologia e
identificao de elementos qumicos de uma
amostra slida. Sua utilizao comum em
biologia, odontologia, farmcia, engenharia,
qumica, metalurgia, fsica, medicina
e geologia.
Existem diversas variedades;

Difere dos opticos e eletrnicos pelo fato de que
nem a luz nem a eltrons so usados para formar
uma imagem;
O microscpio gera um mapa topogrfico, um
uma escala atmica, que uma representao
dos detalhes e das caractersticas da superfcie
da amostra que est sendo examinada.
Emprega uma sonda minuscula de extremidade
muito fina que colocada muito prxima
(distncia em nanometros) da superfcie da
amostra.
Durante a varredura , a sonda sofre deflexes

perpendiculares a esse plano, em resposta a
interraes eletrnicas ou de outra natureza,
entre a sonda e a superfcie da amostra;
Os movimentos da sonda no plano da superfcie
e para fora do plano so controlados por
componentes cermicos piezeltricos;
Adicionalmente, esses movimentos da sonda
so monitorados eletronicamente e transferidos
e armazenados em um computador, o que gera
entao a imagem tridimensional da superfpcie.
Anlise na escala nanomtrica;

Ampliaes de at 109 vezes;
So
geradas
imagens
tridimensionais ampliadas;
Alguns
MVS podem ser
operados
em
diversos
ambientes: vcuo, ar, lquidos;
Permitem
o
exame
da
superfcie dos materiais nos
nveis atmicos e molecular;
Alavancou a entrada na era dos
nanomateriais.

FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012
CALLISTER, William D.; RETHWISCH, David G. Cincia e

engenharia de materiais: uma introduo. 8. ed. Rio de Janeiro,
RJ: LTC, 2012. xxi, 817 p.
DEDAVID, Berenice Anina; GOMES, Carmem Isse; MACHADO

Giovanna. Microscopia Eletrnica De Varredura - Aplicaes E
Preparao De Amostras: Materiais Polimricos, Metlicos E
Semicondutores. Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande
do Sul. EDIPUCRS. Porto Alegre, 2007.
CONTEDO aberto. In: Wikipdia: a enciclopdia livre.

Microscpio
eletrnico.
Disponvel
em:
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Mi
crosc%C3%B3pio_eletr%C3%B4nico>. Acesso em: 01 de maio de
2014
REFERCIAS
BERTUCCIO, Antonio; MICHELLINE, Isadora;
ROLLA, Lucas; ZAIDAN, Ludmila. Polmeros
Estrutura. Trabalho Acadmico. 2012.
Disponvel em:<
http://prezi.com/l0wwangplykm/polmerosestrutura>. Acesso em maro de 2014.
JEDYN, Felipe. Materiais No Metlicos. Aula
01: Reviso de Estrutura Atmica e Ligao
Interatmica e Introduo aos Materiais
Cermicos. Curitiba. Disponvel em:
<http://ftp.demec.ufpr.br/.../Introducao_e_Conteud
o_Ceramicos_V02.pptx>. Acesso em maro de
2014.
Referncias
Shackelford, James F. Introduo cincia dos materiais para
engenheiros / James F. Schackelford; traduo Daniel Vieira; reviso
tcnica Nilson C. Cruz. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.
Smith, Willian F.; Hashemi, Javad. Fundamentos de Engenharia e
Cincia dos Materiais. Porto Alegre; AMGH Editora, 2012.
Cincia dos Materiais Multimdia.
http://www.cienciadosmateriais.org
http://projetocienciando.blogspot.com.br/2012/
12/microscopia-optica-aplicada-ao-estudo.html
http://www.biomaterial.com.br/capitulo7part01.
pdf
http://www.angelfire.com/crazy3/qfl2308/1_mult
ipart_xF8FF_6_Microscopia_otica.pdf
SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L. - Estudo por
microscopia ptica e lupa das caractersticas mineralgicas e
microestruturais do clnquer aplicado ao processo de moagem e qualidade do
cimento - Rev. Esc. Minas vol.55 no.2 Ouro Preto - MG - 2002.

Capitulo 3 - Lacunas e Impurezas Nos Solidos

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O mais simples dos defeitos pontuais a

O nmero de lacunas em equilbrio depende da

N = n total de stios atmicos;

Nmero de lacunas aumenta exponencialmente

tomo que se encontra comprimido em um

Ocorrem em quantidade significativamente

Presentes em todos metais mximo de

Ligas tomos de impurezas

Adio de tomos soluo slida

tomos do soluto so adicionados no

Fator do tamanho atmico

formar um composto metlico

Materiais metlicos com fator de

Quantidade inferior a 10%

tomos de impurezas geralmente so maiores

IMPUREZAS NAS CERMICAS

IMPUREZAS NAS CERMICAS

Intersticial: o raio inico da impureza deve ser relativamente

EXEMPLO: no cloreto de sdio, ons de impureza Ca2+ e O2- ,

IMPUREZAS NAS CERMICAS

Solubilidade slida aprecivel de impureza substitucional: o

IMPUREZAS NAS CERMICAS

Figura 01 Apresentaes das formas

DEFEITO: uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

DEFEITOS NOS POLMEROS

DEFEITOS NOS POLMEROS

DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS

um tipo de defeito pontual de uma

Representaes esquemticas de lacunas

um tipo de defeito pontual de uma

Diagrama esquemtico mostrando defeitos de

Slidos inicos com grande

O nmero total de ons em

1.DEFEITOS NA SUPERFCIE EXTERNA

Fonte: Costa E.M.

CONTORNO DE PEQUENO NGULO

Contorno de gro de alto

Fonte: Cincia e Engenharia de Materiais:

3.MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

Fonte: Costa E.M.

3.MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

Fonte: Costa E.M.

4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento).

um defeito linear ou unidimensional

uma poro extra de um plano de tomos, ou semi

Representao esquemtica de um defeito

A discordncia em aresta est centralizada em

A discordncia em aresta pode ser representada

Dpto de Cincia dos Materiais e Metalurgia PUC Rio Disponvel: http://www.dcmm.pucrio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf

Considerada como a consequncia da tenso de

Representao esquemtica de um defeito

A distoro atmica associada com uma

usado para designar este tipo de

Na discordncia em espiral, a linha da discordncia,

Formao de discordncia por cisalhamento: a linha da

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