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WILLIAM JAVIER LEMUS

COD:20091007039

HAROL ABELLA
SILICIO (Si)

El silicio (del latn: slex) de smbolo Si. Es un elemento qumico metaloide, de nmero atmico 14 y situado
en el grupo 14 (IV A) de la tabla peridica de los elementos. Es el segundo elemento ms abundante en
la corteza terrestre (27,7 % en peso) despus del oxgeno.
En su forma amorfa tiene un color marrn, en su variante cristalizada tiene forma de octaedros de color azul
grisceo. Es ms activo en su forma amorfa que en su forma cristalizada.

CARACTERISTICAS:
El tomo silicio presenta un enlace covalente, esto quiere decir que cada tomo est unido a otros cuatro
tomos y compartiendo sus electrones de valencia (4). Ya que necesita estabilidad en su capa de valencia.
Al aplicarle energa externa, ya sea de calor o de luz, se rompen los enlaces quedando un electrn libre por
cada enlace roto, pero a su vez, se tiene un hueco vaco, el que ocupaba el electrn. De esta forma se
obtiene la corriente elctrica, por el movimiento de los electrones hacia los potenciales positivos y del
movimiento de los huecos hacia los potenciales negativos. Para esto se utiliza el silicio como semiconductor
intrnseco.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos aadindoles tomos
o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Peridica con tres
electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de
silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los
ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que
normalmente los aportarn los tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa
forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P
(positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o
agujeros que quedan en su estructura cristalina.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se
comportan
como
materiales
aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea
cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento
perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su
ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de
sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto

electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura
cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones
libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

UNIN P-N
Al unir dos superficies de estos estos cristales, se crea una difusin De electrones del cristal N al P creando
nuevos iones tanto negativos como positivos, ocupando cada grupo un lado diferente de la unin. Al espacio
que queda entre los lados se le llama barra interna de potencial. La acumulacin iones + en la zona N y de
iones en la zona P, forma un campo elctrico, dicho campo fuerza a los electrones del lado N a mantener su
estado. Lo que suele llamarse diferencia de potencial. Si = 0,7 V.

SILICIO AMORFO (Si-a)


El silicio amorfo que es una estructura no cristalina. Primer uso en materiales FV en 1974. En 1996, el silicio
amorfo constituy ms del 15% de la produccin mundial de FV. Pequeos mdulos experimentales de Si-a
superan el 10% de eficiencia, en los mdulos comerciales se alcanza un rango entre el 5-7%. Usado en
productos de consumo.

SILICIO MONOCRISTALINO (Si-c)


Este tipo de celda tiene una estructura cristalina ordenada, con cada tomo idealmente situado en una
posicin pre-ordenada y muestra un comportamiento predecible y uniforme.
El silicio pasa a travs de varios ciclos de filtracin intensiva lenta con la energa y los procesos de separacin
y por lo tanto es el tipo ms costoso de silicio.

SILICIO POLICREISTALINO (poli-Si)


El silicio policristalino (poli-Si) es un material que consta de mltiples pequeos cristales de silicio. Y su
elaboracin es en recipientes cuadrados, dejando enfriar en ellos el silicio puro.

REFERENCIAS:

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_7.htm

http://elementos.org.es/silicio

http://dci.uqroo.mx/RevistaCaos/2011/3-RCC-11-YMK.pdf