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TIRISTORES Y TRIACS

TIRISTORES Y TRIACS
INTRODUCCIN
1.

Qu es el tiristor?

Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente


idneo en electrnica de potencia. El triac, por su parte, no es sino la variante bidireccional.
El tiristor, concebido en un principio como equivalente de estado slido para reemplazar
al tiratrn a gas, se ha impuesto rpidamente en toda una serie de dominios de los que los ms
importantes son, a parte de la conmutacin pura y simple, la variacin de velocidad de motores y la
graduacin de luz.
En efecto, el tiristor permanece normalmente bloqueado hasta el momento en que se le
hace conducir actuando sobre su electrodo de disparo. Puesto que ese momento se puede fijar
con toda precisin, es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades de corriente (o de
potencias) en su valor medio.
Fundamentalmente son dos los modos posibles de funcionamiento. Sea, por ejemplo, la
onda alterna rectificada de la figura 1 a; gracias al tiristor se puede no dejar pasar ms que algunas
semiondas, bloqueando las otras: se obtendra entonces la onda de la figura 1 b, en la que se han
suprimido las semiondas 2, 4, 6 y 7.
Se puede igualmente no desbloquear el tiristor hasta un poco despus del principio de
cada semionda, como se indica en la figura 1 c; de esa forma slo se dispone de una parte de la
potencia total, como puede verse mejor en el caso de una semionda, en la figura 1 d; en esta
modalidad de funcionamiento se acta pues sobre los ngulos de conduccin de corriente y de
bloqueo, varindolos a voluntad como ya se haca con el tiratrn.
Pero el tiristor presenta sobre el antiguo tiratrn una serie de ventajas, debidas
precisamente al hecho de que constituye un elemento de estado slido: innecesidad de
precalentamiento, volumen reducido, fuerte resistencia a los choques y aceleraciones, posibilidad
de trabajo en todas las posiciones, insensibilidad a las sobrecargas, fiabilidad, vida media muy
larga, velocidad elevada de conmutacin, cada de tensin directa muy baja y poca depencia de la
corriente, etc.
Todo esto explica el hecho de que el tiristor haya conquistado o est en vas de hacerlo,
nuevos y vastos dominios tales como la alimentacin, la televisin en color, el automvil, la
optoelectrnica, la lgica indus trial, la regulacin, automatismos, telefona, etc. El tiristor, obtenido
en los Estados Unidos por la firma General Electric hacia 1957, abord el mercado europeo hacia
1959-1960. Su nombre se incluye entre los de esos nuevos componentes que han revolucionado
el desarrollo de la electrnica desde que en 1948 se encontr ese elemento extraordinario llamado
transistor.

JUAN CARLOS MADRIGAL LOBOS

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Figura N 1: El Tiristor Acta en dos Modalidades Distintas. Siendo en a), la onda de entrada,
el tiristor suprime en b), algunos semiperodos de ella, mientras que en c), subsisten todos
los semiperodos aunque no completos, como puede apreciarse mejor en d).
2.

La familia de los tiristores

El trmino "tiristor" designa a toda una familia de elementos semiconductores cuyas


caractersticas son similares, en principio, a las de las antiguas vlvulas "tiratrones". El nombre de
tiristor proviene justamente de la contraccin de tiratrn y transistor.
El tiristor tiene dos estados estables que dependen de los efectos de realimentacin de
las uniones en la estructura PNPN; estas uniones pueden ser dos o ms, y los elementos pueden
ser uni o bidireccionales, con dos o ms terminales, distinguindose entonces entre "diodos" (dos
terminales), "triodos" (tres terminales) y "tetrodos" (cuatro terminales).
Dentro de esta gran familia cabe distinguir:
v

v
v
v
v
v
v
v
v
v

Los tiristores propiamente dichos, que son los elementos ms conocidos y que en
lengua inglesa se denominan "silicon controlad rectifier" o SCR. Se trata de
elementos unidireccionales, con tres terminales (nodo, ctodo y puerta)
bloqueados en el tercer cuadrante, por lo que tambin se les llama "tiristores
triodos de bloqueo inverso" (reverso blocking triode thyristors).
Los triacs, que derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionales, se
denominan tambin "tiristores triodos bidireccionales". Su nombre usual proviene
de la contraccin de "triode AC switch".
Los fototiristores o tiristores fotosensibles. El trmino ingls es "light activated
silicon controlad switch" o LASCR (segn GE).
Los tiristores bloqueables, llamados tambin de "gain de commande I'ouverture"
("GCO" de Silec, por ejemplo).*
El conmutador unilateral de silicio, "SUS", de "silicon unilateral switch".
El conmutador bilateral de silicio, "SBS", de "silicon bilateral switch".
El tiristor tetrodo de dos electrodos de mando, o "SCS", de "silicon controlled
switch".
El diodo Shockley, o diodo tiristor, tambin llamado diodo de cuatro capas
Etctera.
Tiristores con puerta de extincin ("gate turn-off switch"), GTO que los franceses
denominan a veces con el nombre Silec de GCO. (N. del T.)

JUAN CARLOS MADRIGAL LOBOS

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TEORA DEL TIRISTOR


1.

Estructura y smbolo

El tiristor es un semiconductor slido de silicio formado por cuatro capas P y N


alternativamente, dispuestas como se ve en la figura, donde tambin se representa su smbolo.

Figura N 2: Estructura y smbolo del tiristor.


Los dos terminales principales son el de nodo y el de ctodo, y la circulacin entre ellos
de corriente directa (electrones que van del ctodo al nodo o corriente que va de nodo a ctodo)
est controlada por un electrodo de mando llamado "puerta" ("gate" en ingls).
El tiristor es un elemento unidireccional; una vez aplicada la seal de mando a la puerta,
el dispositivo deja pasar una corriente que slo puede tener un nico sentido. Por ello a veces se
designa al tiristor por lo que constituye, de hecho, su definicin, rectificador controlado, traduccin
incompleta del ingls, "silicon controlled rectifier" de ah las siglas de SCR.
El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente
como sigue:
Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del
dispositivo, el cual realiza entonces la funcin de un diodo;
Interrupcin de corriente : usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los
contactores mecnicos;
Regulacin : la posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear
el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida;
Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy dbil en
comparacin con la corriente principal, se produce un fenmeno de amplificacin en
corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad
2.

El tiristor bajo tensin (en estado de bloqueo)

Para simplificar el siguiente anlisis admitiremos que el ctodo del tiristor est siempre a
masa y que la puerta no est conectada ("flotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en
oposicin (fig. 2-2). En efecto, las capas P 2N2 Y P1N2 forman diodos que aseguran el aguante en
tensin del dispositivo. De esta forma:
Si el nodo es positivo, el elemento est polarizado directamente, pero el diodo P1N2
bloquea la tensin aplicada;
Si, por el contrario, el nodo es negativo, los diodos P2N2 Y PN, tienen polarizacin
inversa. Por ser dbil la tensin de avalancha de P1N2, su papel es despreciable es
P2N2 el e ha de limitar la corriente inversa de fuga.

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Figura N 3: Las Tres Uniones del Tiristor Pueden Representarse Mediante Tres Diodos
Equivalentes.

Figura N 4: El Tiristor Es Equivalente a Una Combinacin de Dos Tiristores, Uno PNP y otro
NPN.
La tensin mxima viene limitada, prcticamente, por la tensin de avalancha de los
diodos P 2N2 Y P 1N1.
3.

El tiristor bajo tensin directa

Se comprender mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al montaje con dos
transistores, PNP y NPN, de la figura, que resulta equivalente. Estos dos transistores estn
conectados de forma que se obtenga una realimentacin positiva.
Supongamos que sea positiva la regin P2 con relacin a la N1. Las uniones J3 y J1
emiten portadores, positivos y negativos respectivamente, hacia las regiones N2 y P1. Estos
portadores, tras su difusin en las bases de los transistores, llegan a la unin J2, donde la carga
espacial crea un intenso campo elctrico.
Siendo 2 la ganancia de corriente que da la fraccin de la corriente de huecos inyectada
en el emisor y. que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado 1 la ganancia de corriente que
da la fraccin de la corriente de electrones inyectada en el emisor que llega al colector del NPN,
podemos escribir:
IC2 = 2lA
y
IC1 = 1IA
La corriente total de nodo IA es evidentemente la suma de lC1, e IC2, a la que hay que
sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unin central J2 y a la que llamaremos lCX. Se
tiene entonces:
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IA = 1IA + 1IA + ICX


lo que nos da:
IA =

ICX
(1 + 2)

Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia es baja para valores


reducidos de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si CI X es reducida, el
denominador de la fraccin anterior se acerca a 1 (para corrientes dbiles) y la corriente IA es
apenas mayor que la corriente de fuga.
Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada
presentando una elevada impedancia.
Cuando aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga lCX, aumentan la corriente y la
ganancia. La suma 1 + 2 tiende entonces a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta
corriente toma un valor muy alto, limitado slo por el circuito externo.
El tiristor est entonces en estado conductor (tambin se dice que est desbloqueado o
disparado).
Hagamos observar que este tipo de cebado por aumento de la corriente de fuga, esto es,
en general, por aumento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo del elemento, no es
aconsejable en la mayora de los casos.

4.

Principio de cebado por puerta

El cebado por puerta es el mtodo ms usual de disparo de tiristores. El razonamiento


siguiente aparecer mucho ms claro si nos referimos a la figura.
Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de mando en su
puerta (este ataque es en corriente, denominndose IG a esta ltima). El transistor NPN designado
T1 recibe una corriente de base IG, pasando a ser su corriente de colector de IG1, donde , es la
ganancia de corriente de este transistor (montaje en emisor comn).

Figura N 5: Montaje Equivalente de un Tiristor Que Explica el Fenmeno Del Cebado


Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2 (PNP) que entrega
entonces una corriente de IG1 2 (siendo 2 la ganancia de corriente de T2). Esta corriente, que
aparece en el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base de T1.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. El producto 12 es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se ceba;
2. El producto 12 tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de amplificacin y
el elemento bascula al estado conductor.

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Estas dos condiciones (12 < 1 Y 12 1) caracterizan el estado del tiristor en funcin
de la corriente. En efecto, la ganancia de un transistor de silicio crece normalmente, por lo
general, en funcin de la corriente (fig). As pues:
Si la corriente de puerta es dbil, el producto 12 es inferior a la unidad y no se ceba
el elemento;
Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante
elevadas para que el producto 12 tienda a 1.

IE
Figura N 6: La Ganancia de Corriente B de un Transistor de
Silicio Depende por lo General de la Corriente de Emisor.
En cuanto se produce el cebado, la realimentacin hace que los dos transistores
conduzcan a saturacin (por cuanto la corriente de colector de uno se inyecta sistemticamente en
la base del otro). Una vez en conduccin, los transistores se mantienen ya en ese estado, incluso
aunque desaparezca el impulso inicial de puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la
corriente IA.
5.

Cmo puede cebarse un tiristor?


Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:
De bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso;
De bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es direc ta, segn que est
cebado o no.

En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conduccin se
recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de silicio: la de poseer una
ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor, IE.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la
corriente IE. Los ms importantes son:
v La tensin. Cuando aumenta la tensin nodo - ctodo del tiristor, llega un momento
en que la corriente de fuga es suficiente para producir un brusco aumento de la
corriente IE.
Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos de 4 capas (diodos tiristores).
v La derivada de la tensin . Ya se sabe que una unin PN presenta una cierta
capacidad. As, pues, si se hace crecer bruscamente la tensin nodo - ctodo, esta
capacidad se carga con una corriente:

I =C

dV
dt

Y, si esta corriente i es suficientemente elevada, provocar el cebado del tiristor.


v La temperatura. La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio aumenta al
doble, aproximadamente, cada 140 C (al aumentar la temperatura). Cuando la
corriente alcanza un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los mismos
fenmenos ya vistos.
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v El efecto transistor. Es la forma clsica de gobernar un tiristor.


En la base del transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que
provocan el fenmeno de cebado (la base es la puerta del tiristor).
v El efecto fotoelctrico. La luz, otra de las formas de energa, puede tambin
provocar el cebado del tiristor al crear pares electrn - hueco. En este caso se emplea
un fototiristor, que es un tiristor con una "ventana" (esto es una lente transparente que
deja pasar los rayos luminosos) en la regin de puerta.
6.

Curva caracterstica del tiristor

En la figura se ha dibujado la curva caracterstica tpica de un tiristor (elemento


unidireccional), representndose la corriente IA en funcin de la diferencia de tensin nodo ctodo.
Cuando es nula la tensin V, lo es tambin la corriente IA. Al crecer la tensin, V en
sentido directo - se la designar como VF, siendo F la inicial de "forward" (directo en ingls), se
alcanza un valor mnimo (V d) que provoca el cebado; el tiristor se hace entonces conductor y cae la
tensin nodo - ctodo mientras aumenta la corriente IA. Por lo mismo que hemos dicho de la
tensin, a esta corriente directa la llamaremos IF.

Figura N 7: Curva Caracterstica de un Tiristor.


Si se polariza inversamente el tiristor, aplicndole una tensin V R (donde R es la inicial de
"reverse", esto es, inverso en ingls) observaremos la existencia de una dbil corriente inversa de
fuga (esta corriente inversa recibir el smbolo IR) hasta que se alcanza un punto de tensin inversa
mxima que provoca la destruccin del elemento.
El tiristor es pues conductor slo en el primer cuadrante. El disparo ha sido provocado en
este caso por aumento de la tensin directa.
La aplicacin de una corriente de mando en la puerta desplaza, como veremos, hacia la derecha el
punto de disparo V d.

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METODOS DE CONMUTACION
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del
mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos
bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin
forzada. Ambos mtodos se presentan en las Figura N 8 y Figura N 9.

Figura N 8: Apertura del SCR mediante


INTERRUPCIN DE LA CORRIENTE ANDICA
En la Figura N 8 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un
interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en
serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conduc ir. El interruptor en
paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura N 9, se introduce una
corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta
una batera en paralelo al circuito

.
Figura N 9: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

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APLICACIONES DEL SCR


Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en
reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura N 10 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia
variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga
(por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia
limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR.
Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la
onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura N 10.

Figura N 10: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90


Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en
la Figura N 10 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la
carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura N 10 (b), el SCR
conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el
ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la
carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el
siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se
ilustra en la Figura N 11. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a
la gate del SCR.

Figura N 11: Disparos cclicos para control de potencia


GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)
Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el
paso de corriente con una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en el
terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de corte
mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para entrar en
conduccin.

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Figura N 12: Smbolo del GCS


Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden soportar slo
unas pocas decenas de amperios.
SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)
Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos
terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en
rangos de potencia menores que el SCR.

Figura N 13: Smbolo del SCS


El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de
poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el
inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores
de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos
temporizadores.
EL DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos
opuestos.

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Figura N 14: Construccin bsica y smbolo del diac


La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona
como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que
hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y
derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Figura N 15: Caracterstica V-I del diac

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EL TRIAC
El triac pertenece a la familia de los tiristores, ya que se trata en definitiva de un tiristor
bidireccional; pero dada su importancia, le dedicaremos aqu un captulo especial.
1.

Definicin

El triac es un elemento semiconductor de tres electrodos, uno de los cuales es de mando


(la puerta) y los otros dos son los principales de conduccin. El elemento puede pasar de un
estado de bloqueo a un rgimen conductor, en los dos sentidos de polarizacin (cuadrantes I y III,
de la figura) y volver al estado de bloqueo por inversin de la tensin o por disminucin de la
corriente por debajo del valor de mantenimiento, IH.

Figura N 16 : Caractersticas del Triac.

Figura N 17 : Caracterstica I / V del Triac.


El triac es, pues, la versin bidireccional del tiristor; en su representacin elctrica se le
puede comparar a la asociacin en antiparalelo de dos tiristores (figura), presentando no obstante
dos ventajas fundamentales sobre este montaje en el que slo se podra gobernar las puertas
mediante un trans formador de impulsos:
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v
v

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El circuito de mando resulta ms sencillo al no existir ms que un electrodo de


disparo;
El dispositivo puede bascular al estado conductor independientemente de la
polaridades de puerta o de nodo (el disparo se efecta en los cuatro cuadrantes).

Figura N 18: Puede compararse el triac a la asociacin en antiparalelo de dos tiristores


2.

Estructura

El triac puede obtenerse mediante diversas estructuras de capas de difusin como, por
ejemplo, la de la figura. En ella pueden reconocerse los dos tiristores constituyentes del triac:

Figura N 19: Estructura de un Triac tpico


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3.

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La mitad de la pastilla, ABC, representa un tiristor de estructura clsica cuya


conduccin tiene lugar segn (l);

La mitad ABD es un tiristor de conduccin inversa (segn II), siendo la capa N3 la


de ctodo. Tecnolgicamente pues, el triac es la unin de las capas de dos
tiristores cuya superficie de emisor til en cada semiperodo es la de media pastilla;

La puerta del conjunto est formada por dos capas de tipos opuestos: N4 y una
porcin de P 1.

Cebado del triac

Si se aplica la tensin V1 al nodo A1, la tensin V2 al nodo A2 y la tensin VG a la


puerta, y si tomamos V1 como masa de referencia (V 1 = 0), podemos definir 4 cuadrantes de
polarizacin (figura N 4):

Figura N 20: Cuatro cuadrantes de polarizacin.

CUADRANTE
I
II
III
IV
3.1

V2
>0
>0
<0
<0

VG
>0
<0
<0
>0

NOTACION
++
+--+

Cebado en el cuadrante I (+ +)

El triac se dispara como un tiristor normal. La zona P 1 es la puerta y la unin N1P1 inyecta
portadores, producindose el disparo del tiristor entre P 2 y N1 (figura N 21). La corriente IG mnima
de disparo es funcin de la reparticin de los cortocircuitos entre N1 y P 1, es decir, del valor de la
resistencia R situada entre la puerta y el nodo A1. En este cuadrante, el triac se comporta pues
como el tiristor N1P1N2P2.

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Figura N 21: Disparo del Triac en el primer cuadrante.


3.2

Cebado en el cuadrante II (+ -)

La corriente de disparo circula de P1 a N4, y ceba el tiristor N4P1N2P2 (figura N 22).


Debido a la geometra del elemento, la corriente principal de N4P1N2P2 polariza las bases
P1N2 y el tiristor N1P1N2P2 bascula a su vez. Este ltimo, normalmente de menor impedancia,
provoca la apertura de N4P1N2P2 (por IH) a menos que se mantenga la corriente de puerta.
La corriente principal circula, pues, como ocurra en el cuadrante (I) entre P2 y N1.

Figura N 22 Disparo del Triac en el segundo cuadrante.


3.3

Cebado en el cuadrante III (- -)

La situacin aqu es un poco ms compleja. Refirmonos al esquema de la figura N 23.


El potencial de P1 es superior al de N4; la unin P1N4 tiene pues polarizacin directa e inyecta
portadores. Ahora bien, el tiristor que queremos cebar es el formado por las capas N3P2N2P 1
(ctodo en N3, nodo en P1).
La unin eficaz de puerta de ese tiristor es el diodo N3P2; para que se produzca el disparo
es pues necesario que esa unin N3P2 inyecte sus portadores. El razonamiento que sigue se
comprender mejor refirindose al esquema de la figura N 24.
El transistor T1 est formado por las capas N4P1N2, y T2 por las capas P2N2P1; el resistor R es la
impedancia de cortocircuito entre N3 Y P2. Para que se cebe el tiristor Th 2 es necesario que la
corriente de emisor de T2 que circula por R d una polarizacin suficiente de la unin puerta ctodo de Th 2 (tiristor con cortocircuito de emisor). Tenemos pues:

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Figura N 23

Figura N 24

Figura N 23 Disparo del Triac en el tercer cuadrante.


Figura N 24 Esquema equivalente del Triac en el tercer cuadrante.
IB2 = 1IG
IE2 = 2lB2 = 12 IG
donde:
IE2 es la verdadera corriente de puerta de Th 2;
IG es la corriente inyectada en la puerta del triac.
Es de hac er notar que el transistor T1 tiene polarizacin directa en sus uniones colector base y emisor - base; est pues en saturacin, y 1 es un valor impuesto. En general 12 no
difiere mucho de la unidad, con lo que el triac presenta en este cuadrante una sensibilidad
relativamente cercana a la que presenta en los cuadrantes precedentes.
Resumiendo, el cebado de Th 2 se logra mediante una corriente IE2 creada por IG en los
transistores T1 y T2.
3.4

Disparo en el cuadrante IV (- +)

El proceso de disparo es idntico al del tercer cuadrante, siendo ahora la capa N1 la que
juega el papel que anteriormente desempeaba la capa N4.
No obstante, la zona N3P2N2P1 susceptible de cebarse est bastante alejada
geomtricamente; la sensibilidad se ver pues reducida proporcionalmente.

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