CAPTULO 04
CS
DIFUSO ATMICA
Co
Figura 4.1. Difuso em metais puros por istopos radioativos : A) Esboo da movimentao dos
tomos na rede cristalina; B) Grfico da concentrao dos tomos na distncia e no tempo.
intersticial mais rpida que por vacncias, pois os tomos intersticiais so menores e tem maior
mobilidade, alm de que h mais posies intersticiais que vacncias na rede, onde a
probabilidade de movimento intersticial maior que a difuso de vacncias.
Figura 4.2. Ilustrao esquemtica da difuso qumica envolvendo dois diferentes metais.
Alguns exemplos de processos que utilizam a difuso atmica so: dopagem em materiais
semicondutores para
Para uma temperatura finita, todos os tomos dispostos em uma rede cristalina se
encontram em uma condio de permanente vibrao no espao. Sendo assim, os tomos podem
mudar de posio na rede e caminhar dentro da estrutura cristalina de duas maneiras: - 2 tomos
50
vizinhos vibram simultaneamente em direes opostas: poder ocorrer troca de posio entre
esses tomos; 2 pares de tomos sofrem modificao de posies em um sentido de giro,
conforme ilustrado na Figura 4.3.
Existindo uma vacncia na rede cristalina, essa dever evidentemente requerer menor
energia para que um determinado tomo mova-se para essa posio do que a energia para os
mecanismos anteriores, j que existe uma energia associada ao defeito cristalino (Figura 4.4). A
difuso ocorre mais facilmente por um movimento aleatrio da vacncia na rede cristalina.
A difuso atmica efetiva pode ocorrer por dois mecanismos diferentes: por meio de
vacncias existentes na rede cristalina, ou por meio dos interstcios, que ocorre com tomos
pequenos se colocando entre tomos maiores, promovendo distoro na rede e mudana de
propriedades. Como os tomos intersticiais so menores que os tomos que constituem a matriz,
estes possuem maior mobilidade, tornando a difuso por interstcios mais rpida que a difuso por
vacncias. Adiciona-se a isto uma existncia maior de posies intersticiais do que vacncias na
rede.
atmico; alta densidade ou massa especfica; raio atmico grande; ligaes fortes (inicas e
covalentes); alto ponto de fuso e alta qualidade cristalina.
A Figura 4.5 apresenta exemplos de microestruturas de camadas superficiais de aos com
baixo e mdio teores de carbono submetidos cementao slida, nitretao gasosa,
boretao em caixa e ao tratamento superficial com laser.
(D) nitretada [Vendramin, 2004], (E) boretada [Bjar, 2006] e (F) tratada a laser [Cheung, 2003].
Energia de Ativao: o interesse est nos tomos com energia suficiente para se moverem.
Boltzmann props uma expresso para estimar a relao entre estes e a quantidade total de
tomos do material:
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D
N
= f ( e K .T )
N total
(4.1)
V = c.(e
QD
R.T
EQUAO DE ARRHENIUS
(4.2)
onde: c = Constante;
QD = Energia de ativao proporcional ao nmero de stios disponveis para o movimento
atmico (tabelado) [J/mol ou cal/mol];
R = Constante dos Gases [= 8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.k ou 8,62.10-5 eV/tomo];
T = Temperatura [K]
A Figura 4.7 apresenta uma representao da variao da energia de ativao com alguns
aspectos da estrutura do material. Conforme se observa para a superfcie externa do material a
quantidade de energia de ativao menor, aumentando para as regies de contornos de gros e
vacncias e intersticiais.
EQUAO DE ARRHENIUS
logV = logc- Q/2,3R.(1/T)
Y= b + mx
Equao da reta
J=
M
A.t
em ( kg/m2.s ) ou ( at/m2.s )
(4.3)
J = D.
dC
dx
(4.4)
D = D o .e(
QD
)
R.T
(4.5)
coeficiente de difuso dos tomos de carbono no ferro CCC maior que no CFC (Figura 4.9), pois
o sistema CCC tem um fator de empacotamento menor: CCC FE = 0,68, CFC FE = 0,74. A Tabela
4.1 a seguir apresenta alguns valores para as principais propriedades relacionadas a difuso
atmica de alguns sistemas metlicos.
ccc
55
EQUAES
- 3200
)x10 - 4
R.T
1,70x10-11
C ??
-10
. exp(
- Qd
) . exp[-0993( 1 - a c )]
T
,
,
f c ??
a c ??
D = 8,05x10-12 . exp(1,08C)
D = D o . exp(
-4
m 2 /s , Q d = - 175008 J/ mol
- (37000 - 6600C)
]x10
R.T
D = 4,53x10 -7. [1 + y c (1 - y c ) .
3,08x10-11
1,00x10-11
- Qd
) , D o = 7,92x10
R.T
1,66x10-11
-4
, R em cal/mol
8339,9
1
] . exp{[-( ) - 2,221x10 - 4 ] . (17767 - y c . 26436)}
T
T
2,63x10-11
1,57x10-11
1,42x10-11
Como o processo difusivo nos tratamentos termoqumicos ocorre em condio noestacionria ou transitria, a concentrao (C) do material varia no tempo (t) e na posio (x) de
acordo com a Segunda Lei de Fick, determinada por [Smith, 1998; Van Vlack, 1981]:
C
2C
= D. 2
t
x
(4.6)
C t,X C o
CS Co
= 1 erf
2. D.t
(4.7)
56
ou
C t,X = C S (C S C o ).erf
2. D.t
(4.8)
CS
Concentrao, C
Concentrao, C
CS
CS - Co
Cx
Cx - Co
Co
0
Co
x
Distncia da Interface, X
C x Co
x
= 1 erf
CS Co
2. D.t
t2 > t1
t1 > 0 s
t =0s
(A)
Distncia da Interface, X
(B)
Figura 4.10 (A) Perfil de concentrao em um instante de tempo qualquer e (B) Variao do
x
0,15 0,35
= 0,5714 = 1 erf
0 0,35
2. D.t
C x Co
x
= 1 erf
Cs Co
2. D.t
resultando em:
x
= 0,4286
erf
2. D.t
e da Tabela de ERF z =
x
2. D.t
= 0,4002
x = 1,26 x10 3 m
= 1,26 mm
A Tabela 4.3 apresenta os principais parmetros de difuso para as ligas ferrosas e noferrosas empregadas nos clculos dos perfis de concentrao.
SUBSTRATO
Fe-
CCC
Fe-
CCC
Fe-
CCC
Fe-
CCC
Cu
Al
Ni
Cu
Al
Al
Do
[m2/s]
ENERGIA DE ATIVAO
[J/mol]
[eV/tomo]
2,8 . 10-4
251000
2,60
5,0 . 10-5
284000
2,94
6,2 . 10-7
80000
0,83
2,3 . 10-5
148000
1,53
7,8 . 10-5
6,5 . 10-5
2,7 . 10-5
2,4 . 10-5
2,3 . 10-4
1,2 . 10-4
211000
136000
256000
189000
144000
131000
2,19
1,41
2,65
1,96
1,49
1,35
EQUAO (4.2)
T [oC]
D [m2/s]
500
3,0 . 10-21
900
1,8 . 10-15
900
1,1 . 10-17
1100
7,8 . 10-16
500
2,4 . 10-12
900
1,7 . 10-10
900
5,9 . 10-12
1100
5,3 . 10-11
500
4,2 . 10-19
500
4,1 . 10-14
500
1,3 . 10-22
500
4,0 . 10-18
500
4,2 . 10-14
500
1,9 . 10-13
58
Tetradrico
Vacncia
Qd
Contorno
Meio da aresta
Superfcie
Meio da aresta
Centro da face
Incio
Fim
Meio da aresta
(A)
Centro da lateral
(B)
(C)
Figura 4.11 (A) Energia de ativao para difuso; e posies ocupadas por tomos intersticiais:
(B) Estrutura CCC, (C) Estrutura CFC.
Exemplo: Para as estruturas cristalinas CCC e CFC existem 2 tipos de stios intersticiais: para a
estrutura CCC o maior stio encontrado nas posies 0, e , isto , sobre as faces {100} da
clula unitria (conhecido como stio intersticial tetradrico), e para a estrutura CFC esse stio
maior est localizado no centro de cada uma das arestas da clula unitria (conhecido como stio
intersticial octadrico). Demonstre que a solubilidade do carbono maior na austenita (Fe - CFC)
do que na ferrita (Fe - CCC), determinando o raio (r) de um tomo de impureza que se ajusta
nesses stios em termos do raio atmico (R) da matriz.
CCC
4.R 4.R
+
= R 2 + 2.R.r + r 2
2. 3 4. 3
r 2 + 2.R.r 0,667 R 2 = 0
r = 0,291.R
CFC
a a
2
+ = (R + r)
2 4
a = 2.R + 2.r
e como a = 2.R.21/2
r=
a 2.R
2
r=
2.R. 2 2.R
2
r = 0,41.R
Cementao
60
Austenita
Austenita rica C
T
[ C]
o
T 50 C
o
TTT
Atmosfera rica em C
Tcrtica
Resfriamento
Ferrita e Perlita
Perlita
Ferrita e Perlita
t [h]
tempo de tratamento
Geralmente a mxima dureza atingida depois da tmpera nos aos ao carbono ocorre para
um teor de carbono em torno de 0,77%, atingindo valores em torno de 65 HRC para resfriamento
em gua. Para teores inferiores a esse, o material apresenta valores mais baixos medida que se
afasta da composio eutetide, pois a dureza da martensita tambm diminui com o decrscimo
de carbono. Para teores superiores a 0,8%C, a dureza cai devido maior reteno de austenita,
como acontece com os aos contendo nquel, alm da possibilidade de formao de carbonetos.
Como resultado da reteno da austenita, pode-se ter uma situao em que se tem uma dureza
mais baixa na superfcie do material do que a desejada
[Kraus, 2005].
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EXERCCIOS PROPOSTOS
1.) Suponha que uma chapa fina de ferro a 700C, tenha um de seus lados exposta a uma
atmosfera carborizante (rica em carbono) e seu outro lado a uma atmosfera descarborizante.
Supondo que o estado estacionrio seja alcanado, calcule o fluxo de tomos de carbono que
se difundem atravs desta chapa se a concentrao de carbono nas posies de 5 e 10 mm
da superfcie 1,2 e 0,8 kg/m3, respectivamente. Assuma que o coeficiente de difuso do
carbono do ferro nesta temperatura 3.10-11 m2/s.
R: 2,4.10 -9 kg/m2/s
2.) Para algumas aplicaes necessrio endurecer a superfcie dos aos para conferir maior
5.) Explique porque a difuso de intersticiais mais rpida que a difuso de vacncias.
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11.) Quais so os principais fatores da estrutura dos materiais que favorecem a difuso?
12.) Quais so os principais fatores da estrutura dos materiais que dificultam a difuso?
13.) A difuso de uma impureza intersticial se d mais facilmente no ferro CCC ou no ferro CFC?
Explique.
14.) A purificao do gs hidrognio pode ser feita por difuso usando uma folha de paldio.
Calcule quantos kilogramas de hidrognio passa por hora atravs de uma lmina de paldio
de 6 mm de espessura e de rea de 0,25 m2 a 600C. Suponha que o coeficiente de difuso
do hidrognio 1,7.10-8 m2/s, que a presso do hidrognio nos lados de alta e baixa presso
de 2 e 0,4 Kg/m3 , respectivamente e que o estado estacionrio seja atingido.
R: 4,1.10-3 Kg/h
15.) Uma chapa fina de ferro CCC de 2,0 mm de espessura foi exposto a uma atmosfera
16.) Determine o tempo necessrio para cementao para alcanar uma concentrao de carbono
m2/s.
63
R: 901 K
19.) Os coeficiente de difuso do Nquel no Ferro a 1473 K e 1673 K so 2,2.10-15 m2/s e
concentrao de carbono nas duas faces so 0,65 e 0,30 Kg/m3 de Fe, os quais so mantidas
constantes. Se Do e a energia de ativao so 6,2.10-7 m2/s e 80.000 J/mol, respectivamente,
calcule a temperatura na qual o fluxo de difuso ser 1,43.10-9 Kg/m2.s.
R: 1044 K
21.) Duas chapas metlicas, A e B, so colocadas em contato ntimo uma com a outra. Depois de
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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
10. CHEUNG, N., Simulao Numrica de Tratamento Superficial por Refuso a Laser:
Interao Laser-Matria e Solidificao. Tese de Doutorado. UNICAMP/FEM/DEMA,
2003.
11. NUCLEMAT. Ncleo de Engenharia de Materiais Metlicos. Faculdade de Engenharia.
Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul.
12. SARKAR, S.; Gupta, G.S. Two-Dimensional Mathematical Modeling of the Pack Carburizing
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13. VECCHIA, F.D.; Costa, E.M.; Santos, C.A.; Dedavid, B.A. Avaliao do Desempenho da
Cementao Gasosa com o Uso de uma Nova Mistura de Gases. Anais do 17
CBECIMAT. Congresso Brasileiro de Engenharia e Cincia dos Materiais, 15 a 19 de
UNICAMP/FEM/DEMA, 2004.
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