El TRANSISTOR UJT

Tambin llamado transistor monounin, uniunin.

Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura.
Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en
circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.
Este dispositivo puede provocar grandes tiristores con un pulso en la base 1
Smbolo. Consiste de tres terminales llamados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2)

Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros

dispositivos. Es un dispositivo de disparo.
Est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y
un emisor. El emisor est fuertemente dopado con impurezas P y la regin N dbilmente
dopado con N. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es
elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).

Estructura. La unin P-N del dispositivo se forma en la frontera entre la varilla de aluminio
y la barra de silicio tipo N
CIRCUITO EQUIVALENTE
El modelo equivalente representado en la siguiente figura est constituido por un diodo
que excita la unin de dos resistencias internas, RB1 y RB2 , que verifican RBB = RB1+
RB2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

En donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y y el es el factor
de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca

FUNCIONAMIENTO DEL UJT

El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior.
El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia RB1B2 mediante la
tensin aplicada al emisor.
Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no
conduce IE = 0.

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE.

Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde RBB varia en
funcin de IE.
A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a
IV el diodo se polariza inversamente.
CURVA CARACTERSTICA
En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE, aumenta la
corriente IE hasta un punto mximo IP.
Mas all del punto mximo, la corriente aumenta a medida que disminuye la
tensin en la regin de resistencia negativa.
La tensin alcanza un mnimo en el punto valle.
La resistencia RB1, la resistencia de saturacin es mas bajo en el punto valle.

Donde:
VP: voltaje de pico o tensin de disparo.
IP: corriente de pico (de 20 a 30 A.)
. VV: voltaje de valle del emisor
IV: corriente de valle el emisor
Cuando el Veb alcanza el Vp y comienza a fluir una pequea corriente, el UJT cae
bruscamente a un pequeo voltaje entre emisor y base. Este pequeo voltaje se
denomina voltaje de valle Vv
REGION DE CORTE
En esta regin , la tensin del emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene
polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica
que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente
ecuacin:
Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. El UJT en esta regin
se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

REGIN DE RESISTENCIA NEGATIVA.

Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP
entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la
resistencia R1 debido a procesos de recombinacin
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la
corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
REGIN DE SATURACIN
. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la
tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la
corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT
entrara de forma natural a la regin de corte.

Hay dos tipos de transistores monounin: El transistor monounin original, o UJT. (El
2N2646 es la versin ms utilizada de la UJT) El transistor monounin programable o PUT
, es un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un ejemplo de tal dispositivo).

APLICACIONES DEL UJT

Funcionamiento de un oscilador de relajacin con UJT
Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control de potencia como
Tiristores o TRIACs
El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto
sucede este se descarga a travs de la unin E-B1.
El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de
aproximadamente 2.5 Voltios.
Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su
carga otra vez. (Ver la lnea verde en el siguiente grfico)
El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado
entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.

Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede modificar tanto el capacitor C

como el resistor R1. R2 y R3 tambin son importantes para encontrar la frecuencia de
oscilacin.
La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R1C
Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar entre lmites
aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes
frmulas:

R1 mximo = (Vs - Vp) / Ip

R1 mnimo = (Vs - Vv) / Iv
donde:
Vs = es el valor del voltaje de alimentacin (en nuestro circuito es de 20 Voltios)
Vp = valor obtenido dependiendo de los parmetro del UJT en particular
Ip = dato del fabricante
Vv =dato del fabricante
Iv = dato del fabricante