MOSFET

MOSFET (Transistor de efecto campo MOS)

Transistores MOSFET en encapsulado D2PAK.

Cada uno maneja 30 A de corriente y 120 V de
tensin. Un fsforo o cerilla aparece al lado para
efectos de comparacin.
Tipo

Semiconductor

Principio
de Efecto de campo
funcionamiento
Invencin

Dawon Kahng
Atalla (1960)

Martin

Smbolo electrnico

Configuracin

Puerta (G), Drenaje (D) y

Fuente (S). A veces se
incluye un cuarto terminal

de Sustrato (B).
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Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de puerta (G), sustrato (B),
fuente (S) y drenador (D). La puerta est separada del cuerpo por medio de una capa de
aislante (blanco).
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin
bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadorescomerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador (D),
puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio
que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por
el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar
la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la
puerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la puerta tambin se ha
reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la
aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino
IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no
es metlica, y un aislante de puerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es

el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor

(Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
Smbolos de transistores MOSFET[editar]
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El
diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del
canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para
indicar la fuente y el drenador. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres
partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del
MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para
destacar la puerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central
del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre
apunta en la direccin P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en una tina P o
sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si
el sustrato est conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en
dispositivos discretos) se conecta con una lnea en el dibujo entre el sustrato y la fuente.
Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los
diseos de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un
smbolo de inversin para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se
puede utilizar una flecha en la fuente de forma similar a como se usa en los transistores
bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los MOSFET de
enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los smbolos para los JFET(dibujados
con la fuente y el drenador ordenados de modo que las tensiones ms elevadas
aparecen en la parte superior del smbolo y la corriente fluye hacia abajo).

Canal
P

Canal
N

JFET

MOSFET
Enriq.

MOSFET
sustrato)

Enriq.

(sin

MOSFET
Empob.

Para aquellos smbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aqu se
representa conectada internamente al fuente. Esta es la configuracin tpica, pero no
significa que sea la nica configuracin importante. En general, el MOSFET es un
dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los MOSFET
comparten una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente
conectada a los terminales dla fuente de todos los transistores.
Funcionamiento[editar]
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los
primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creacin de un
canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensin en la puerta. La tensin de la
puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin
de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato
originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de
la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en
la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o
PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un
canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y
tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexin tienen un canal conductor en su estado
de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica
en la puerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y
una disminucin respectiva de la conductividad.
Estructura metal-xido-semiconductor[editar]
Vase tambin: Estructura MOS

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer

una capa de dixido de silicio(SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una
capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que
el dixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a
un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por
un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin
de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una
densidad de aceptores N A), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco),
una tensin positiva VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una regin
de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la
interfaz entre el aislante de puerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre
de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados
negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una
alta concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de
inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor
y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona
que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y la
fuente, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente
mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de
portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de
puerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la
misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.
Estructura MOSFET y formacin del canal[editar]

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de puerta dobla las
bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la puerta
(izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de

cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor
aplicada en la puerta agota los huecos, y la banda de conduccin disminuye de forma
que se logra la conduccin a travs del canal.
Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la puerta. La puerta est localizada encima
del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de
dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como
un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado
con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales
(fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn
separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero
deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. la fuente y el
drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se
indica con un signo '+' despus del tipo de dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y
el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de
canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el drenador son
regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El terminal de fuente se denomina as
porque ser origen de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el
canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual
los portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la
posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del
semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura,
cuando se aplica una tensin de puerta suficiente, el borde de la banda de valencia se
aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la puerta.
Cuando se polariza todava ms la puerta, el borde de la banda de conduccin se acerca
al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se
llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n originado en la
interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el
drenador y la fuente, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un
potencial entre el drenador y la fuente. Al aumentar la tensin en la puerta, se
incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto se
incrementa el flujo de corriente entre el drenador y la fuente.

Para tensiones de puerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes

portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea
corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y la fuente.
Cuando se aplica una tensin negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-puerta)
se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al
canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una
tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa para
el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de
subumbral entre el drenador y la fuente.
Modos de operacin[editar]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones
de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusin
se utiliza un modelo ?algebraico que es vlido para las tecnologas bsicas antiguas, y
se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho ms complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Corte[editar]

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres en
esta zona, debido a que los electrones son repelidos del canal.
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conduccin entre la fuente y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por la

distribucin de Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energa presentes en la fuente ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es
una funcin exponencial de la tensin entre puerta-fuente. La corriente subumbral
sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:
donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,
VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de xido.
Regin lineal u hmica[editar]

NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la

inversin del sustrato, y la corriente fluye de drenador a fuente.
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea
una regin de agotamiento en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta
tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en PMOS,
electrones en NMOS) en la regin de agotamiento, que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre drenador y fuente dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por medio
de la ecuacin:

donde
es la movilidad efectiva de los portadores de carga,
es la capacidad del xido por unidad de rea,
es el ancho de la puerta,
es la longitud de la puerta.
Saturacin o activa[editar]

NMOS en la regin de saturacin.Al aplicar una

tensin de drenador ms alta, los electrones son
atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se
deforma.
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente
no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Efectos de segundo orden[editar]

Estas ecuaciones son un modelo sencillo
de funcionamiento de los transistores
MOSFET, pero no tienen en cuenta un
buen nmero de efectos de segundo
orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin

entre la tensin de puerta y la
corriente de drenador no crece
cuadrticamente en transistores de
canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La

tensin entre fuente y sustrato
modifica la tensin umbral que da
lugar al canal de conduccin.

Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones[editar]
La forma ms habitual de emplear
transistores MOSFET es en circuitos de
tipo CMOS, consistentes en el uso de
transistores
PMOS
y
NMOS
complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia

(HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia,
MOSFET de doble puerta.

con

Ventajas con respecto a transistores

bipolares[editar]
La principal aplicacin de los MOSFET
est en los circuitos integrados PMOS,
NMOS y CMOS, debido a las siguientes
ventajas de los transistores de efecto de
campo con respecto a los transistores
bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor

bipolar (actualmente del orden de
media micra).

Gran capacidad de integracin debido

a su reducido tamao.

Funcionamiento por tensin, son

controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada
muy alta. La intensidad que circula por
la puerta es se expresa en
nanoamperios.

Los circuitos digitales realizados con

MOSFET no necesitan resistencias, lo
que conlleva a un ahorro de
superficie.

La velocidad de conmutacin es muy

alta,
siendo
expresada
en
nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en

aplicaciones en los convertidores de
alta frecuencias y baja potencia.