Electrónica de Potencia Puente H

1 de 23
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
Una Universidad incluyente y comprometida con el
desarrollo integral
PUENTE H CON MOSFET ACTIVADO POR COMPUERTA LGICA
PRESENTADO POR:
ALFREDO ANAYA PRASCA
COD.1103109528
CARLOS CUASTUMAL VSQUEZ
COD.1085293416
EDGAR GARCA COGOLLO
COD.95061410407
ELECTRNICA DE POTENCIA
PRESENTADO A:
ING. MSC (C) JULIO CSAR OSPINO ARIAS
PAMPLONA - NORTE DE SANTANDER
2015
Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co
2 de 23
desarrollo integral
INTRODUCCIN
Un Puente en H es un circuito electrnico que permite a un motor elctrico
DC girar en ambos sentidos, avance y retroceso.
El puente H propuesto se implementara MOSFET N y P complementarios
para activar el motor. Para activar un sentido de giro se activara los
MOSFET P y N respectivamente; los MOSFET deben estar funcionando en
zona hmica para que su funcionamiento sea optimo ya que en esta zona
los MOSFET el voltaje VDSP,SDN es pequeo entregando la mayora del voltaje
al motor; adems de que en esta zona la temperatura de funcionamiento
relativamente no es tan alta; en comparacin de la temperatura ambiente.
Para activar los sentidos de giro la seal vendr dada por compuerta lgica
TTL; en este parte es donde el diseo del puente H tiene su complejidad. Ya
que las compuerta lgica TTL su seal se limita mucho, la corriente es
pequea; por los tanto condicionara el voltaje que activaran los MOSFET.
3 de 23
desarrollo integral
OBJETIVOS
Diseo de puente H con MOSFET, teniendo en cuenta los parmetros

del Motor seleccionado.
Anlisis del comportamiento de los MOSFET canal P y canal N ante
una seal de entrada de compuerta lgica.
Anlisis trmico del puente H.
4 de 23
desarrollo integral
CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET

(Activado por compuerta lgica)
V+
RC
RC
100k
100k
QA
IRF9640S
U1:A
Vin
1
RB
QB
IRF9640S
Q1
RB
Q2
BC547
BC547
100k
U1:B
4
74LS04
74LS04
QC
Vin
IRF620
QD
Vin
IRF620
R6
R1
100k
100k
Vin
3
100k
5 de 23
desarrollo integral
Pre-diseo
Estimacin de las constantes Kn y Kp, Rdon para los
MOSFET canal P y N.
MOSFET CANAL P (A)
VGG( VSG( ID(m

V)
V)
A)
27
-0,1
26,8
0,2
26,6
0,41
26,4
0,6
26,2
0,8
26
25,8
1,2
25,6
1,4
25,4
1,62
25,2
1,8
25
2,05
24,8
2,2
24,6
2,4
24,4
2,6
24,2
2,8
MOSFET IRF 9640

VSD( (VSG+VT VTH(
zona de trabajo RDON()
V)
H)V
V)
zona
de
27
3,08
saturacin
zona
de
27
3,38
saturacin
zona
de
27
3,59
saturacin
zona
de
27
3,78
saturacin
zona
de
27
3,98
saturacin
zona
de
27
4,18
saturacin
zona
de
27
4,38
saturacin
zona
de
27
4,58
3,18
saturacin
zona
de
27
4,8
saturacin
zona
de
27
4,98
saturacin
zona
de
27
5,23
saturacin
zona
de
27
5,38
saturacin
zona
de
27
5,58
saturacin
zona
de
27
5,78
saturacin
zona
de
27
5,98
saturacin
RDONp(
)
0,64381
6 de 23
desarrollo integral
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
24
27
6,18
23,8
3,22
0,48
27
6,4
23,7
3,3
1,82
27
6,48
23,6
3,4
6,1
26,9
3
6,58
23,5
3,5
15,4
26,6
6,68
23,4
3,62
36,2
26
6,8
23,3
3,72
86
24,5
6,9
23,2
3,81
148,
4
23
6,99
23,1
3,94
316
17,8
7,12
23
403
15,7
7,18
22,9
4,1
587
10,7
2
7,28
22,8
4,2
690
8,01
7,38
22,6
4,41
943
1,24
7,59
zona hmica
22,4
4,6
960
0,78
7,78
zona hmica
22,2
4,8
954
0,69
7,98
zona hmica
22
958
0,64
8,18
zona hmica
21,8
5,2
956
0,62
8,38
zona hmica
21,6
5,4
960
0,6
8,58
zona hmica
21,4
5,6
961
0,58
8,78
zona hmica
21,2
5,8
960
0,58
8,98
zona hmica
21
958
0,57
9,18
zona hmica
20,8
6,22
961
0,56
9,4
zona hmica
20,6
6,43
956
0,55
9,61
zona hmica
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
1,3149522
8
0,8125
0,7232704
4
0,6680584
55
0,6485355
65
0,625
0,6035379
81
0,6041666
67
0,5949895
62
0,5827263
27
0,5753138
08
7 de 23
desarrollo integral
MOSFET IRF9640 (A)

800
f(x) = 1133.37x^2 - 7701.17x + 13066.8
R = 0.99
600
ID(mA)
400
200
0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
4.4
VGS(V)
MOSFET CANAL P (B)

MOSFET IRF 9640 (B)
VGG( VSG( ID(m VSD( (VSG+VT VTH(
V)
V)
A)
V)
H)V
V)
zona de trabajo RDON()
3,1
zona
de
27
0
0
27
3,1
saturacin
26,8 0,2
0
27
3,3
zona
de saturacin
RDONp(
)
0,63225
8 de 23
desarrollo integral
26,6
0,45
27
3,55
26,4
0,6
27
3,7
26,2
0,8
27
3,9
26
27
4,1
25,8
1,2
27
4,3
25,6
1,4
27
4,5
25,4
1,6
27
4,7
25,2
1,8
27
4,9
25
27
5,1
24,8
2,2
27
5,3
24,6
2,4
27
5,5
24,4
24,2
24
23,8
23,7
23,6
23,5
2,64
2,83
3
3,2
3,3
3,43
3,53
0
0
0
0,49
1,33
6,66
18,2
27
27
27
27
27
26,8
7
26,5
3
5,74
5,93
6,1
6,3
6,4
6,53
6,63
23,4
3,6
38,9
26
6,7
23,3
3,7
69,2
25
6,8
23,2
3,8
23,1
23
3,9
4
142
265,
2
456
22,8
6,9
19
13,7
7
7,1
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
zona
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de
de -
9 de 23
desarrollo integral
22,8
4,2
715
7,17
7,3
saturacin
zona
saturacin
zona
saturacin
22,6
4,4
953
1,4
7,5
zona hmica
22,4
22,2
4,6
4,8
949
960
0,78
0,69
7,7
7,9
zona hmica
zona hmica
22
957
8,1
zona hmica
21,8
5,2
957
0,66
0,62
8
8,3
zona hmica
21,6
21,4
5,4
5,6
958
960
0,61
0,6
8,5
8,7
zona hmica
zona hmica
21,2
5,8
966
0,58
8,9
zona hmica
21
966
0,57
9,1
zona hmica
20,8
6,2
963
0,57
9,3
zona hmica
20,6
6,4
963
0,56
9,5
zona hmica
22,9
4,1
11.5
5
552
7,2
de
de
1,469045
121
0,821917
808
0,71875
0,689655
172
0,656217
346
0,636743
215
0,625
0,600414
079
0,590062
112
0,591900
312
0,581516
096
MOSFET IRF9640 (B)

800
f(x) = 1115.6x^2 - 7550.51x + 12757.63
R = 0.99
600
ID(mA)
400
200
0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
VGS(V)
4.4
10 de 23
desarrollo integral
MOSFET CANAL N (C)

MOSFET IRF620
VGS(V ID(mA VDS(V VTH(V Vds<Vgs)
)
)
)
Vth
3,1
0,34
19,95 3,17
-0,07
3,3
2,5
19,9
3,3
3,5
4
19,85
3,5
3,6
14,82 19,23
3,6
3,7
14,35 19,48
3,7
3,8
46,5
18,38
3,8
3,9
56,2
18,28
3,9
4
100
17,2
4
4,1
150
15,56
4,1
220,1
4,2
13,18
4,2
4
4,3
248,7 13,13
4,3
4,4
416
8,8
4,4
4,5
480
7,18
4,5
4,6
554
6
4,6
4,7
635
3,28
4,7
ZONA DE TRABAJO
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
RDON()
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Zona Saturacin
Zona
Zona
Zona
Zona
Zona
Saturacin
Saturacin
Saturacin
Saturacin
hmica
5,1653543
3
11 de 23
desarrollo integral
4,9
722
0,94
4,9
Zona hmica
5,1
728
0,78
5,1
Zona hmica
5,3
731
0,73
5,3
Zona hmica
5,5
732
0,71
5,5
Zona hmica
5,7
733
0,68
5,7
Zona hmica
5,9
735
0,67
5,9
Zona hmica
6,1
735
0,66
6,1
Zona hmica
6,3
735
0,63
6,3
Zona hmica
6,5
733
0,64
6,5
Zona hmica
6,7
732
0,63
6,7
Zona hmica
6,9
731
0,63
6,9
Zona hmica
733
0,63
Zona hmica
MOSFET IRF620 (C)

700
600
f(x) = 412.32x^2 - 2826.51x + 4825.22

R = 0.99
500
400
ID(mA) 300
200
100
0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
4.4
4.6
4.8
VGS(V)
1,3019390
6
1,0714285
7
0,9986320
1
0,9699453
6
0,9276944
1
0,9115646
3
0,8979591
8
0,8571428
6
0,8731241
5
0,8606557
4
0,8618331
1
0,8594815
8
12 de 23
desarrollo integral
MOSFET CANAL N (D)

MOSFET IRF620 (D)
VGS(V
)
3,1
3,3
3,5
3,7
3,9
4,1
4,3
ID(mA)
0,32
1,91
8,34
29,4
86,4
197,7
397,4
VDS(V)
19,8
19,75
19,5
18,3
17,44
13,23
8,66
(VGS-VTH)V
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
ZONA DE TRABAJO
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
zona de saturacin
RDON()
-
VTH(V)
3,1
13 de 23
desarrollo integral
4,5
4,7
4,9
5,1
5,3
5,5
5,7
5,9
6,1
6,3
6,5
6,7
6,9
7
582
706
719
723
724
725
727
726
730
730
726
727
731
731
7,86
3,465
1,152
0,9
0,73
0,71
0,65
0,64
0,63
0,63
0,62
0,62
0,64
0,64
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2
3,4
3,6
3,8
3,9
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
zona
de saturacin
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
hmica
4,907932011
1,602225313
1,244813278
1,008287293
0,979310345
0,894085282
0,8815427
0,863013699
0,863013699
0,85399449
0,852819807
0,875512996
0,875512996
MOSFET IRF620 (D)

700
600
f(x) = 487.86x^2 - 3310.47x + 5595.54
R = 0.99
500
ID(mA)
400
300
200
100
0
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2
4.4
VGS(V)
Tabla resumen de parmetros determinados de los MOSFET N,P.
4.6
14 de 23
desarrollo integral
V th (V)
Referencia
IRF9640 (A)
IRF9640 (B)
IRF620 (C)
IRF620 (D)
3,18
3,18
3,17
3,17
R DON ( )
0,64
0,63
0,92
0,94
KN , P(
1,13
1,11
0,48
0,41
Medicin de Vce BJT BC547

BJT NPN (Q1)
TRANSISTOR BC547
VB( V+ VCE
V)
(V) (mV)sat
2,4 12
13,16
3,5 12
9,51
5
12
7,53
BJT NPN (Q2)

TRANSISTOR BC547
VB(V)
V+(V) VCE
A
)
V2
15 de 23
desarrollo integral
2,4
3,5
5
(mV)sat
13,03
9,32
7,36
12
12
12
Medicion de Im e Ia de motor
V+
IM(mA
)
743
12
IA(mA)
973
CALCULOS PARA DETERMINAR V e I DE LA COMPUERTA LOGICA
Linealizacin de la compueta Logca

0.6
0.4
Ioh(mA)
f(x) = - 0.17x + 0.85
0.2
0
2.5
3.5
4.5
5.5
Voh(V)
0,020,49
=0,165
( 52,7)
y=mx +b Reemplazando valores
m=
16 de 23
desarrollo integral
0,02=(0,1655 ) +b
se obtiene que:
b=0,846
Los valores de voltaje de entrada y corriente de la compuerta son los

siguientes
V OH =3,4 V
I OH =0,28 mA
Con la ecuacin de la recta ( y y o )=m ( xx o )

que trabaja la compuerta
mA
( I DH 0,02 mA ) =0,165 V ( 3,4 V 5 V )
Despejando se obtiene que:
se obtiene la corriente con
I DH =0,2843 mA
CALCULOS PARA DETERMINAR RP,RN,RB
17 de 23
desarrollo integral
Aplicando LVK en la malla se obtiene

R
( B0,2843 mA )+0,7 V
3,4 V +
Se despeja el valor de la resistencia
RB =9,49 K
I C =hfeI B =1700,2843 mA=48,331mA

Aplicando LVK en la malla se obtiene
R
( P48,331 mA)=11,98 V
Despejando el valor de la resistencia

Para la resistencia
RN =
RN
RP =242
por ley de ohm
V OH
4V
=
=14,069 K
V OH 0,2843 mA
ANALISIS TERMICO
Anlisis trmico MOSFET IRF620 (C)
Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)

=0,7 A
RDON =0,92
RJA=62,5 /W
Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)

2
TJ Ta= RDON RJA
Reemplazando se obtiene
18 de 23
desarrollo integral
TJ =28,175+ 31=59,175
Hallamos la constante del disipador
K=
59,175
=0,39
150
Se comprueba que el MOSFET IRF620 (C) no necesita disipador de calor.
Anlisis trmico MOSFET IRF620 (D)

=0,7 A
RDON =0,94
RJA=62,5 /W
2
TJ Ta= RDON RJA
TJ =28,787 +31=59,787
59,7875
=0,39
Hallamos la constante del disipador K=
150
Se comprueba que el MOSFET IRF620 (D) no necesita disipador de calor.
Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (A)

=0,7 A
RDON =0,64
RJA=62,5 /W

TJ Ta=2RDON RJA
TJ =19,58+ 31=50,58
19 de 23
desarrollo integral
Hallamos la constante del disipador
K=
50,58
=0,33
150
Se comprueba que el MOSFET IRF9640 (A) no necesita disipador de calor.
Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (B)

=0,7 A
RDON =0,63
RJA=62,5 /W
2
TJ Ta= RDON RJA
TJ =19,6 +31=50,6
50,6
=0,33
Hallamos la constante del disipador K=
150
Se comprueba que el MOSFET IRF9640 (B) no necesita disipador de calor.
IMPLEMENTACIN DEL PUENTE H
20 de 23
desarrollo integral
Observacion: ya que el voltaje que trabaja la compuerta para activar los

MOSFET de canal N no es suficiiente,comprabando estos con la medicion
V GS
21 de 23
desarrollo integral
Con compuerta:
V GS
medido: 3.548V
I=
3,548 V
=239,56 A
14,81 k
Sin compuerta:
V GS
medido: 4,88V
I=
4 , 48V
=329, 507 A
14,81 k
2 ( v GSV Th ) ( I A R DON ) (I A R DON )

despejando V GS teorico es 3,614V en
I A =K N
comparacion del medido que es 3,548V se deduce que la compuerta no
tiene el voltaje suficiente para que los MOSFET de canal N trabajen en zona
ohmica
MEDICIN DE SENTIDO HORARIO
BJT
VCE(V)
0,32
VSD(V)
0,34
VDS(V)
1,15
IC(mA)
47,41
IB( A)
280,85
TC(c)
25
MOSFET CANAL P
VSG(V)
ID(A)
TC(c)
11,5
0,762
32
VGS(V)
4,82
Tac)
21
VOH(V)
3,43
Ta(c)
21
MOSFET CANAL N
ID(A)
Ta(c)
TC(c)
0,772
21
57
Iint(mA)
0,31
Vint(V)
4,88
22 de 23
desarrollo integral
MEDICIN DE SENTIDO ANTI- HORARIO
VCE(V)
0,31
IC(mA)
47,13
MOSFET CANAL P
VSG(V)
ID(A)
11,46
0,727
VSD(V)
0,29
VDS(V)
1,09
BJT
IB( A)
TC(c)
285,10
24
VGS(V)
4,83
ID(A)
Tac)
22
TC(c)
27
MOSFET CANAL N
Ta(c)
TC(c)
22
56
VOH(V)
3,4
Ta(c)
22
Iint(mA)
0,32
OBSERVACIONES
CONCLUSIONES
Vint(V)
4,89
23 de 23
desarrollo integral
Segn las mediciones tomadas en el circuito del puente H y los

clculos tericos que en encuentra que la seal de las compuertas es
insuficiente para activar los MOSFET de canal N.
Al momento de realizar el anlisis trmico del MOSFET de canal N
se determina que la constante es menor a 0,5.pero en la prctica
presenta una temperatura considerable

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1 de 23

PUENTE H CON MOSFET ACTIVADO POR COMPUERTA LGICA

Diseo de puente H con MOSFET, teniendo en cuenta los parmetros

CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET

VGG( VSG( ID(m

MOSFET IRF 9640

MOSFET IRF9640 (A)

MOSFET CANAL P (B)

MOSFET IRF9640 (B)

MOSFET CANAL N (C)

MOSFET IRF620 (C)

f(x) = 412.32x^2 - 2826.51x + 4825.22

MOSFET CANAL N (D)

MOSFET IRF620 (D)

Tabla resumen de parmetros determinados de los MOSFET N,P.

Medicin de Vce BJT BC547

BJT NPN (Q2)

CALCULOS PARA DETERMINAR V e I DE LA COMPUERTA LOGICA

Linealizacin de la compueta Logca

f(x) = - 0.17x + 0.85

Los valores de voltaje de entrada y corriente de la compuerta son los

Con la ecuacin de la recta ( y y o )=m ( xx o )

se obtiene la corriente con

CALCULOS PARA DETERMINAR RP,RN,RB

Aplicando LVK en la malla se obtiene

I C =hfeI B =1700,2843 mA=48,331mA

Despejando el valor de la resistencia

por ley de ohm

Anlisis trmico MOSFET IRF620 (C)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)

Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)

Se comprueba que el MOSFET IRF620 (C) no necesita disipador de calor.

Anlisis trmico MOSFET IRF620 (D)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)

Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (A)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)

Por ley de ohm trmica: temperatura de unin (TJ)

Hallamos la constante del disipador

Se comprueba que el MOSFET IRF9640 (A) no necesita disipador de calor.

Anlisis trmico MOSFET IRF9640 (B)

Ta=31 Temperatura mxima de ambiente (pamplona)

IMPLEMENTACIN DEL PUENTE H

Observacion: ya que el voltaje que trabaja la compuerta para activar los

2 ( v GSV Th ) ( I A R DON ) (I A R DON )

MEDICIN DE SENTIDO ANTI- HORARIO

Segn las mediciones tomadas en el circuito del puente H y los

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