Funcionamento:

Como visto na aula anterior, o JFET constitudo de uma barra de silcio do tipo n com
duas regies do tipo P difundidas nos dois lados ( o mesmo vale para uma fatia de silcio do tipo
p com duas regies do tipo n difundidas nos dois lados), como visto na figura abaixo:

Figura1
Uma analogia perfeita para descrever o funcionamento de um JFET a de uma torneira,
onde podemos considerar o terminal de fonte como sendo o lado da origem da presso dgua
(torneira), o dreno o ralo por onde o liquido que vem da fonte escoa e o terminal da porta como
sendo o registro por onde liberamos ou bloqueamos o fluxo da torneira, considerando a presso
dgua com sendo a corrente a ser controlada e a toro aplicada no registro como sendo a
tenso de controle.

Figura2
Na figura abaixo uma tenso positiva VDS foi aplicada no canal n entre o dreno e a fonte,
e o terminal da porta foi ligado diretamente ao terminal fonte, estabelecendo a condio
VGS=0V.

Figura 3

O resultado o terminal da porta e da fonte num mesmo potencial, e uma regio de

depleo na extremidade inferior de cada um dos materiais p, semelhante distribuio
encontrada para a situao de no-polarizao da Figura1. No instante em que a tenso V DD (=
VDs) aplicada, os eltrons fluem para o terminal de dreno, estabelecendo a corrente
convencional ID, com o sentido definido pela Figura3. O caminho do fluxo de cargas revela
claramente que as correntes de dreno e fonte so equivalentes(I D = IS,). Sob as condies
mostradas na Figura3, o fluxo de cargas no restringido, e limitado apenas pela resistncia do
canal n entre o dreno e a fonte.
E importante observar que a regio de depleo mais larga na parte superior, em ambos os
materiais tipo p. Este fato mais bem explicado com o auxlio da Figura4. Assumindo uma
resistncia uniforme no canal n, ela pode ser distribuda da maneira mostrada na Figura4. A
corrente ID estabelecer nveis de tenso ao longo do canal, como indicado na mesma figura. O
resultado que a regio superior do material tipo p estar reversamente polarizada em cerca de
1,5V, enquanto que a regio inferior estar reversamente polarizada por apenas 0,5V. Lembre da
anlise da operao do diodo que, quanto maior a tenso reversa aplicada, mais larga a regio
de depleo justificando a distribuio da regio de depleo mostrada na Figura 4. Devido ao
fato de a juno p-n estar reversamente polarizada, a corrente de porta zero ampres, como
mostrado na mesma figura. Esta caracterstica do JFET bastante relevante.
Na medida em que a tenso V DS, aumenta de 0 para alguns volts, a corrente aumenta como
previsto pela lei de Ohm, e o grfico de I D, versus VDs tem a forma mostrada na Figura 5. A
relativa linearidade da curva revela que, para a regio de baixos valores de V Ds, a resistncia
absolutamente constante. Quando VDs aumenta de valor e se aproxima do nvel V P, na Figura 5,
as regies de depleo da Figura 3 se alargam, provocando considervel reduo na largura do
canal. Isto acarreta um aumento na resistncia do canal, representado na curva da Figura 5
Quanto mais horizontal a curva, maior a resistncia, e no limite tem-se uma resistncia
"infinita". Se a tenso VDS, for elevada a um nvel onde as duas regies de depleo parecem se
"tocar", como mostrado na Figura 6, resulta na condio de pinch-off.
O nvel de VDs que estabelece esta condio referido como tenso de constrio (do
ingls, pinch-off e denotado por VP,, como mostra a Fig. 5.

Figura4

Figura 5

Figura 6
Na verdade, o termo "pinch-off inapropriado, sugerindo que a corrente cortada e cai
a zero. A entretanto, como mostrado na Fig. 5, este o caso extremo I D mantm um nvel de
saturao definido por IDss na Figura 5. Na verdade, ainda existe um canal muito estreito, com
uma corrente de altssima densidade. O fato de I D, no ser cortada no pinch-off e manter o nvel
de saturao indicado na Figura5 verificado pelo seguinte argumento: a ausncia de uma
corrente de dreno impossibilitaria a existncia de diferentes nveis de potencial atravs do canal
n, e no estabeleceria os nveis de tenso reversos ao longo da juno pn. Com isto, haveria a
perda da distribuio da regio de depleo, que, em primeiro lugar, originou o pinch-off.
A medida que VDs cresce e se afasta de VP, a regio de confronto entre as duas regies de
depleo aumenta em comprimento ao longo do canal, mas o nvel de I D permanece
essencialmente o mesmo. Em resumo, portanto, uma vez estabelecido V DS, > VP, o JFET
apresenta as caractersticas de uma fonte de corrente. Como mostrado na Fig. 7, a corrente
constante em ID = IDSS, mas a tenso VDs (para nveis > VP,) determinada pela carga empregada.
A escolha da notao IDSS, vem do fato de a corrente ser do Dreno para Fonte (Source),
com um curto-circuito (Short-circuit) da porta para a fonte. Se continuarmos a investigar as
caractersticas do dispositivo, acharemos que:
Ids a corrente mxima de dreno para um JFET, e definido pela condio VGs = 0V e
VDs > I VP|.
Observe na Figura 5 que VGs = 0V para toda a curva. Os prximos pargrafos descrevero como
a curva caracterstica da Figura 5 afetada por variaes no nvel de V Gs.
VGS < 0v
A tenso da porta para a fonte, denotada por V Gs, a tenso controladora do JFET. Assim como
vrias curvas para IC, versus VCE foram estabelecidas para diferentes nveis de I B no TBJ, curvas
de ID versus VDs para vrios nveis de VGs podem ser desenvolvidas para o JFET. Para o
dispositivo de canal n, a tenso controladora VGs feita cada vez mais negativa, a partir de V Gs =
0V. Ou seja, o terminal de porta estar cada vez mais em potenciais menores comparados
fonte. Na Figura 8, uma tenso negativa de -1V foi aplicada entre os terminais de porta e fonte,
para uma tenso VDs reduzida. A polarizao negativa estabelece regies de depleo
semelhantes quelas obtidas com VGs = 0V, mas com nveis menores de V Ds. Portanto, o
resultado da aplicao de uma polarizao negativa na porta alcanar a condio de saturao
em nveis menores de tenso VDs, como mostrado na Figura 9, para VGs = -1V. O nvel de
saturao resultante para ID foi reduzido, e de fato continuar a reduzir para valores de V Gs cada
vez mais negativos. Observe tambm na Figura 9 como a tenso de pinch-off diminui,
descrevendo uma parbola, medida que V Gs se torna cada vez mais negativo. Eventualmente,
quando VGs = -VP, a tenso ser suficientemente negativa para estabelecer um nvel de saturao
com ID = 0mA, e, para todos os efeitos, pode-se considerar que o dispositivo foi "desligado".
Em resumo:

O nvel de VGs que resulta em IP = 0mA definido por VGs = VP com VP , sendo uma
tenso negativa para dispositivos de canal n, e uma tenso positiva para JFETs de
canal p.
Na maioria das folhas de especificaes, a tenso de pinch-off especializada como
VGs(OFF) ao invs de VP. A folha de especificaes ser revista mais tarde, ainda neste captulo,
quando os elementos mais importantes forem introduzidos. A regio direita do lugar
geomtrico da tenso de pinch-off, na Figura 9, a regio normalmente empregada para
amplificadores lineares (amplificadores que no distorcem o sinal aplicado), e quase sempre
referida como corrente constante, saturao, ou regio de amplificao linear.

Figura7

Figura 8

Figura 9