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Laboratorio N 01: USO Y MANEJO

DEL MULTIMETRO, OSCILOSCOPIO


Y CURVA DE DIODOS
Ing. Virginia Romero Fuentes
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
vromero@uni.edu.pe
virom@yahoo.com

INTRODUCCIN

I.

OBJETIVO

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como


finalidad:

..

..

Es un instrumento elctrico porttil para medir .

III.

II.

TEORA

A. El Osciloscopio
Es un instrumento de medicin electrnico para la .

RESPUESTAS A PREGUNTAS

A. Indicar los cdigos de colores de las


resistencias que se van a usar en esta
e.
B.
Las resistencias son reconocidas por las bandas de colores,
una muestra en general es.

.
.
.

B. El Diodo
Es un componente electrnico de dos terminales que .
.
Tipos.
...

C. Multmetro

TABLA 1
CDIGO DE COLORES DE LA RESISTENCIA

Fig. 2 Punta atenuadora

D. Diferencias entre el equipo generador


de ondas y la seal usada para
callibrar el osciloscopio.
1)

Generador de ondas: Es un dispositivo

-..

Las resistencias a utilizar son:

100 = marron, negro, marron (10)*10ohm


1k= 1000= marron, negro, rojo (10)*100ohm

.
.

.
..

:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::

C. Describa los cables que vienen


incluidos con el osciloscopio, para que
se usa la atenuacion x10?

E. Determinar las diferencias entre los


diodos: semiconductor, led y zener.

Los cables tambien son llamados puntas de prueba, y estas


son:

..

Las puntas directas:Conectan directamente .

1)

..

..
Fig. 1 Punta directa
2)

Las puntas atenuadoras:En corriente


continua o en frecuencias bajas, el efecto de
..
..

IV.

DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

Se enuncia el data sheet de los componentes mas


pronunciados:

VI.

DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA

A. Armar el siguiente circuito:

TABLA 2
DATA SHEET DEL DIODO IN4004

Fig. 4 Circuito matrix


B. Colocar la seal X en la entrada vertical y
colocar la seal Y a la entrada horizontal ;
y la base de tiempos en X-Y, obtener la
elipse y medir a y b. (siempre y cuando la
elipse se observe en forma completa en el
osciloscopio)
C. Variar las resistencias con la dcada de
5k, 8k, 10k, 12k, 15k, 20k, 30k, 50k,
tomando los valores de a y b en cada caso.
V.

EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

Osciloscopio y dos puntas de prueba


1 multmetro
1 generador de ondas
1 panel de conexin c/transformador 220: 12 Vac
Diodos: 1N4004, 4148; LED; ZENER (12 V, 4.8
V/2W)
Capacitores: 0.22Uf, 0.01Uf
Resistencias: 2 resistencias de 100ohm; 1k, 5k,
5k, 8k, 10k, 12k, 15k, 20k, 30k, 50k ohm./1W
01 Dcada de resistencias.

D. En el mismo circuito pero cambiando la


referencia a tierra repetir los pasos
anteriores para medir el desfasaje entre las
seales X e Y. la elipse puede girar hacia el
otro lado.

Fig. 5 Circuito humbolt

E. Con el generador (y con una amplitud


minima de 10V, a una frecuencia 1KHz)
aplicar al circuito de la fig. 4, cambiando
el condensador por 0.01uf y repetir los
pasos para determinar la base, variando R.
F.

Fig. 3 El osciloscopio

Medir las amplitudes y frecuencias


(periodos) de las seales X e Y, ayudndose
con la base de tiempos calibrada.

G. Aplicar X a la entrada Horizontal y la


Seal Y a la entrada vertical (regular
previamente, para que con esta seal, se
observe una onda completa y centrada;
medir T), para observar el desfasaje con
respecto a X, que nos ha servido de

referencia para comparar. Dibujar y anotar


el corrimiento en el eje Horizontal, para
obtener el desfasaje, por comparacin con
T.

D. Simulacin con resistencia de 12k.

E. Simulacin con resistencia de 15k.


F.

H. Siempre en el circuito de la fig. 4 cambiar


R por C y verificar el adelanto atraso de
fase de las ondas.
I.

Simulacin con resistencia de 20k.

G. Simulacin con resistencia de 30k.


H. Simulacin con resistencia de 50k.

Armar el siguiente circuito para observar


las curvas de cada diodo. Trabajando
sobre las ganancias vertical y horizontal

..

J.

VIII.
[1]
[2]
[3]
Fig. 6 Circuito tabla

VII.

SIMULACIN

Fig. 7

A. Simulacin con resistencia de 5k.


..
.
.

B. Simulacin con resistencia de 8k.


C. Simulacin con resistencia de 10k.
Fig. 10 Elipse de matrix3

[4]

BIBLIOGRAFA

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky,


Electroni devices and circuit theory, 10th edition.
Charles K. Alexander and Matthew N. O.
.
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