PROBLEMAS

[Nota: A menos que se especifique otra cosa, suponga que T =300 K

en los siguientes

problemas; asimismo, que el coeficiente de emisin es n=1 a menos que se

especifique otra cosa.]
Seccin 1.1 Materiales semiconductores y sus propiedades
1.1 a) Calcule la concentracin de portadores intrnsecos del silicio a i)
T =250 K y ii) T =350 K .
b) Repita la parte a) para el caso del arseniuro de galio.
1.2 a) La concentracin de portadores intrnsecos en el silicio no debe ser mayor a
ni=10 12 cm3 . Determine la temperatura mxima permitida.
9
3
b) Repita la parte a) para ni=10 cm .

1.3 Calcule la concentracin de portadores intrnsecos en el silicio y el germanio a

las temperaturas siguientes: a) T =100 K , b) T =300 K y c)
T =500 K .
1.4 a) Encuentre la concentracin de electrones y huecos en una muestra de
15
3
germanio que tiene una concentracin de tomos donadores de 10 cm .
Es el semiconductor tipo N o tipo P?
b) Repita la parte a) para el caso del silicio.
1.5 El arseniuro de galio est dopado con tomos con impurezas aceptadoras en
16
3
una concentracin de 10 cm .
a) Encuentre la concentracin de electrones y huecos. El semiconductor es
tipo P o tipo N?
b) Repita la parte a) para el caso del germanio.
16

1.6 El silicio est dopado con 5 10

tomos de arsnico/ cm

a) El material es tipo P o tipo N?

b) Calcule la concentracin de electrones y huecos a T =300 K .
c) Repita la parte b) con T =350 K .
1.7 a) Calcule la concentracin de electrones y huecos en silicio que tiene una
16
3
concentracin de tomos aceptadores igual a 5 10 cm . El
semiconductor es tipo P o tipo N?
b) Repita la parte a) para el GaAs.

1.8 Una muestra de silicio est conformada de manera que su concentracin de

17
3
huecos es po=2 10 cm .
a) Se deben agregar tomos de arsnico o boro al silicio intrnseco?
b) Qu concentracin de tomos con impurezas se debe agregar?
c) Cul es la concentracin de electrones?
1.9 La concentracin de electrones en el silicio a T =300 K

es

no =5 1015 cm3 .
a) Determine la concentracin de huecos
b) El material es tipo P o tipo N?
c) Cul es la concentracin del dopado con impurezas?
1.10
a) Se debe disear material semiconductor de silicio de forma que la
concentracin de electrones portadores mayoritarios sea de
15
3
no =7 10 cm . Deben agregarse tomos con impurezas aceptadoras y
donadoras al silicio intrnseco con el fin de lograr esta concentracin? Qu
concentracin de tomos con impurezas dopantes se requiere?
b) En este material de silicio, la concentracin de huecos portadores
16
3
minoritarios no ser mayor que po=10 cm . Determine la temperatura
mxima permitida.
1.11

a) El campo elctrico aplicado al silicio tipo P es

E=10 V /cm . La

1
conductividad del semiconductor es =1.5(cm)
y el rea transversal

es

A=10 cm

. Determine la corriente de deriva.

b) El rea transversal de un semiconductor es

resistividad es

A=2104 cm2 y la

=0.4(cm ) . Si la corriente de deriva es

I =1.2 mA , qu campo elctrico debe aplicarse ?

1.12

Se establece una densidad de corriente de deriva de 120 A /cm

en

silicio tipo N con un campo elctrico aplicado de 18 V /cm . Si las

movilidades de los electrones y los huecos son de

n=1250 cm /V s y

p=450 cm2 /V s , respectivamente, determine la concentracin de dopado

requerida.
1.13

Un material de silicio tipo N tiene una resistividad de

=0.65(cm) .

a) Si la movilidad de los electrones es

n=1250 cm /V s . Cul es la

concentracin de tomos donadores?

b) Determine el campo elctrico requerido para establecer una densidad de
2
corriente de deriva de J =160 A/cm .
1.14

a) La conductividad requerida de un material de silicio debe ser

2
2
=1.5(cm)1 . Si n=1000 cm /V s y p=375 cm /V s , cul

es la concentracin de tomos donadores que se debe agregar?

b) La conductividad requerida de un material de silicio debe ser
2
2
=0.8(cm)1 . Si n=1200 cm / V s y p=400 cm /V s , qu
concentracin de tomos aceptadores se debe agregar?
1.15

En GaAs, las movilidades son

n=8500 cm2 /V s y

p=400.

a) Determine el rango de la conductividad para un intervalo de concentracin

15
19
3
de donadores de 10 N d 10 cm
b) Con los resultados de la parte a), determine el rango de densidad de
corriente de deriva si el campo elctrico aplicado es E=0.10V /cm .
1.16
En la figura P1.16 se muestran las concentraciones de electrones y
huecos en una muestra de silicio. Asuma que las movilidades de electrones y
huecos son las mismas que el problema 1.12. Determine la densidad de
corriente de difusin total respecto de la distancia x para 0 x 0.001cm
.
grafico
1.17

La concentracin de huecos en el silicio est dada por

4

15

p ( x )=10 +10 exp (x / L p)

x0

L p es 10 m . El coeficiente de difusin de huecos es

El valor de
2

D p=15 cm /s . Determine la densidad de corriente de difusin de huecos

con
a) x=0 ,
b) x=10 m y
c) x=30 m .

1.18

GaAs es dopado a

17

. a) Calcule no

N a=10 c m

po . b) Se

15
3
generan huecos y electrones en exceso de forma que n=p=10 cm .

Determine la concentracin total de electrones y huecos.

Seccin 1.2 La unin PN
a) Determine la barrera de potencial integrada V bi en una unin PN de

1.19

N d =N a=10 15 cm3 ; ii)

silicio para i)
15

N a=10 cm

; iii)

18

N d =5 1017 cm3
3

N a=N d=10 cm

b) Repita la parte a) para el GaAS.

1.20

Considere una unin PN de silicio. La regin N est dopada a un valor de

N d =1016 cm3 . La barrera de potencial integrada es de V bi =0.712 V .

Determine la concentracin de dopado tipo P que se requiere.

1.21
es

La concentracin de donadores en la regin N de una unin PN de silicio

16
3
N d =10 cm . Grafique V bi respecto de N a en el rango
15

18

10 N a 10 cm

, donde

N a es la concentracin de aceptadores en la

regin P.
1.22

Considere una unin PN de GaAs dopada uniformemente con

18
3
16
3
concentraciones de dopado de N a=5 10 cm
y N d =5 10 cm .
Grafique la barrera de potencial integrada V bi respecto de la temperatura
para 200 K T 500 K .

1.23

La capacitancia de unin sin polarizacin de una unin PN de silicio es

C jo =0.4 pF . Las concentraciones de dopado son N a=1.5 10 16 cm3 y
15

N d =4 10 cm

. Determine la capacitancia de unin con

a) V R =1 V ,
b) V R =3 V y
c) V R =5 V .
1.24

La capacitancia sin polarizacin de un diodo de unin PN de silicio es

C jo =0.02 pF y el potencial integrado es V bi =0.80 V . El diodo est

polarizado en inversa a travs de un resistor de 47 K y una fuente de

voltaje.

a) Para t < 0 , el voltaje aplicado es 5 V

y con t=0 , el voltaje aplicado

disminuye a cero volts. Calcule el tiempo que tarda el voltaje del diodo en
cambiar de 5 V a 1.5 V . (Como aproximacin, utilice la capacitancia
promedio del diodo entre los dos niveles de voltaje.)
b) Repita la parte a) para un cambio en el voltaje de entrada de 0 V

3.5 V . (Utilice la capacitancia promedio del diodo entre estos dos niveles de
voltaje.)
1.25

Las concentraciones de dopado de una unin PN de silicio son

N d =5 1015 cm3 y N a=10 17 cm3 . La capacitancia de unin sin

polarizacin es C j 0=0.60 Pf . Una inductancia de 1.50 mH est conectada

en paralelo a la unin PN. Calcule la frecuencia de resonancia f 0 del
circuito para voltajes de polarizacin inversa de a) V R =1 V , b) V R =3 V
y c) V R =5 V .
a) Con que voltaje de polarizacin inversa la corriente de

1.26

polarizacin inversa en un diodo de unin PN de silicio alcanza 90 por ciento

de su valor de saturacin? b) Cul es el cociente entre la corriente para un
voltaje de polarizacin inversa de 0.2 V y la corriente para un voltaje de
polarizacin inversa de 0.2 V?
1.27

a) La corriente de saturacin inversa de un diodo de unin PN es

I S=1011 A.

Determine la corriente en el diodo para los voltajes 0.3, 0.5, 0.7, -0.02, -0.2 y
13
-2V. b) Repita la parte a) para I S=10
A.
1.28

a) La corriente de saturacin inversa de un diodo de unin PN es

11
I S=10
A. Determine el voltaje del diodo que producir corrientes de i)

10

A, 100

A, 1 mA y ii) 5 1012 A. b) Repita la parte a) para

I S=1013 A y la parte a) ii) para 1014 A.

1.29

Un diodo de unin PN de silicio tiene un coeficiente de emisin de n = 1.

La corriente del diodo es I D =1mA cuando V D =0.7 V . A) Cul es
la corriente de saturacin de polarizacin inversa? b) Trace, en la misma

grfica, log 10 I D respecto de V D

en el rango 0.1 V D 0 .7 V

cuando

el coeficiente de emisin es i) n = 1 y ii) n = 2.

1.30

Grafique log 10 I D respecto de V D

para a)

I S=1012 y b)

en el rango 0.1 V D 0.7 V

I S=1014 A.

1.31
a) Consiste un diodo de unin PN de silicio operando en la regin de
polarizacin directa. Determine el incremento en el voltaje de polarizacin
directa que provocara un incremento de corriente en un factor de 10, b) Repita
la parte a) con un incremento en un factor de 100.
1.32

a) Considere el circuito que se muestra en la figura P1.40. El valor de

R1 se reduce a R1 = 10 K y el voltaje de corte del diodo es
V =0.7 V . Determine

I D y V D . b) Repita la parte a) si

R1 =

50 K .
1.33

Considere el circuito que se muestra en la figura P1.44. Determine la

corriente I D y el voltaje V D en el diodo para a) V =0. 6 V y
V =0.7 V .

1.34

El voltaje de corte del diodo es V =0.7 V

muestran en la figura P1.45. Grafique V 0 e

en los circuitos que se

I D respecto de

II

en el

rango 0 I I 2 mA en el circuito que se muestra en a) figura P1.45a), b)

figura P1.45b) y c) figura P1.45c).
FIGURA
1.35

El voltaje de corte del diodo que se muestra en el circuito de la figura

P1.46 es V =0.7 V . El diodo permanecer polarizado en encendido para
un voltaje de fuente de alimentacin en el rango de 5 V PS 1 0 V . La
corriente de diodo mnima ser de

I D (min) = 2 mA. La potencia mxima

disipada en el diodo no podr ser mayor que 10mW. Determine los valores
correctos de R1 y R2 .
FIGURA

1.36

Calcule I y V 0 en cada uno de los circuitos que se muestran en la

figura P1.47 si i) V =0.7 V

y ii) V =0.6 V .

FIGURA
1.37

Repita el problema 1.47 si la corriente de saturacin inversa de cada uno

14
de los diodos es I S=5 10
A. Cul es el voltaje en las terminales de
cada diodo?

1.38

Considere el circuito con diodo Zener que se muestra en la figura P1.57.

El voltaje de ruptura Zener es V Z =5.6 V a I Z = 0.1 mA y la resistencia
incremental Zener es r Z

= 1 0 . a) Determine V 0 sin ninguna carga (

R L = ). b) Calcule el cambio en el voltaje de entrada si V PS

c) Calcule V 0 si V PS

= 10 V y

varia 1 V.

RL = 2 K .

FIGURA
1.39

a) El diodo Zener de la figura P1.57 es ideal con V Z

= 6.8 V.

Determine la corriente y potencia mxima disipada en el diodo ( R L = ). b)

Determine el valor de

R L tal que

I Z se reduzca a 0.1 de su valor

mximo.
1.40

Considere el diodo Zener que se muestra en la figura P1.57. El voltaje del

diodo Zener es V Z =6 .8V a I Z = 0.1 mA y la resistencia Zener
incremental es r Z

= 2 0 . a) Calcule V 0 sin carga ( R L = ). b)

calcule el cambio en el voltaje de salida cuando se encuentra conectada la

resistencia de carga de R L = 1 K .
1.41
La corriente de salida de un diodo de unin PN utilizada como celda
solar est dada por
I D = 0.2 5 1014

[ ( ) ]
exp

VD
1
VT

La corriente de cortocircuito se define como

I SC =

I D cuando V 0 = 0

y el voltaje de cortocircuito se define como V 0 C = V D

Calcule los valores de

cuando

I D = 0.

I SC y V 0 C .

1.42

A partir de las caractersticas corriente-voltaje de la celda solar que se

describi en el problema 1.60, grafique I D respecto de V D .

1.43

a) Con las caractersticas corriente-voltaje de la celda solar descrita en el

problema 1.60, determine V D cuando I D = 0.8 I SC . b) Con los
resultados de la parte a), determine la potencia suministrada por la celda solar.