Funcionamiento del
Tiristor
Siguiendo la primera imagen se supone que entre nodo y ctodo no existe tensin alguna
as como entre el el electrodo de gobierno, o puerta y el ctodo por lo que existen ciertas
zonas desprovistas de cargas, bien definidas, en cada una de las uniones PN, y sealadas
como J1, J2, J3. Si se aplica una tensin entre nodo y ctodo siendo el nodo positivo con
respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 se polarizan en sentido directo y se hacen ms
estrechas, mientras que la unin J2 se polariza en sentido inverso, y su zona de agotamiento
se hace ms ancha, tal como se puede ver en la segunda imagen. En estas condiciones no
paso de la corrente aumenta tambin pero muy rpidamente a travs de la curva D-B, con
fuertes intensidades para tensiones muy pequeas.
Para un mejor conocimiento final del tiristor
vamos a hacer un resumen de su maner de actuar.
para ello
vamos a
valores como O-C2-D2 o bien O-C3-D3, etc. De ello se deduce que el cebado producido
para el paso de la corriente directa es permitido o facilitado por la existencia de una tensin
e el electrodo de gobierno. Esta nueva faceta del tiristor ser tambin de gran inters ara
muchas de sus aplicaciones.
Cdigo de designacin de los diodos semiconductores controlados (Tiristores)
Para finalizar veamos el cdigo que se utiliza para distinguir las caractersticas de los
diodos controlado. De manera parecida a como ocurre con otros semicoductores que hemos
estudiado en otras secciones, su interpretacin es como sigue:
La primera letra siempre es una B, que indica que se trata de un semicondutor realizado con
silicio.
La segunda letra puede ser una R o una T. La R indicar que se trata de un dispositivo de
control y conmutacin disparado electrnicamente, con una caracterstica de ruptura y una
resistencia trmica entre la unin y la base de montaje mayor de 15 por W. Si la segunda
letra es una T, indica que se trata de un dispositivo de potencia para control y conmutacin
disparado electricamente, que tiene una caracterstica de ruptura y una resistencia trmica
entre la unin y la base de montaje igual o menor de 15 por W.
El nmero de serie est formado por tres cifras para los dispositivos semiconductores
diseados para aplicacin en aparatos de uso domstico, o por una letra y dos cifras para los
dispositivos semiconductores diseados para equipos profesionales.
Finalmente, el cdigo se complementa con un sufijo, separado del cdigo principal por un
guin, y que est compuesto por unas cifras indicativas de la tensin inversa mxima de
cresta.
En el caso de dispositivos semiconductores controlados en los que el nodo est conectado
a la cpsula (polaridad inversa), se aade detrs del cdigo complementario la letra R.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que
se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de
bajo consumo de potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la
funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la
corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre
corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos estados: corte y
conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms significativos:
Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS
(Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
1 EL DIODO SHOCKLEY
El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por
cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor:
est abierto hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra
y permite la conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por
debajo de un valor especfico (IH).
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente
muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).
vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar
la lmpara sera desconectar la alimentacin.
El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia
de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley,
presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del
mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos
mtodos bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica
y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras Figura 6 y Figura 7.
Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el
paso de corriente con una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en
el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de
corte mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para
entrar en conduccin.
Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales
de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en
rangos de potencia menores que el SCR.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos
opuestos.
Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede
disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como
el diac.
Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las caractersticas ms importantes de
los tiristores que se han presentado.
1
2
0
UNIDIRECCION BIDIRECCION
ON/OF
TIRISTOR
GAT GAT GAT
AL
AL
F
E
E
E
SHOCKLE
Y
SCR
GCS
SCS
X
X
DIAC
TRIAC
X
X
EL TRANSISTOR BIPOLAR
1 INTRODUCCION
En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base,
el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe
corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control,
se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en
conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de
potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin
fijos equivalentes al
lgicos.
2 PRINCIPIO DE OPERACION
Unin
Unin
PI
PI
Corte
PD
PD
Saturacin
PD
PI
RAN
PI
PD
RAI
Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa (RAI)
son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico, estaramos ante la misma
regin de funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el
colector y el emisor se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su
funcionamiento a la RAN. Por ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este
punto se va a analizar el funcionamiento en cada regin de operacin.
2.1 REGION DE CORTE
En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
mviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios s pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prcticos, a un circuito abierto.
A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos matemtico y circuital
simplificados para este estado. El transistor BJT en la regin de corte se resume en la
Figura
Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando se polariza el
transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar el comportamiento del transistor en las
situaciones descritas en la Figura 8 a) y b).
En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones llegan hasta la
unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura 10 muestra la distribucin
de corrientes.
en
Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo hay que
resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da cuenta de los fenmenos
bsicos sealados anteriormente.
Finalmente:
En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el
enunciado:
IB
IC
IE
VBE
VCE
VBC
EB = 5 V
43 A
4,3 mA
4,343 mA
0,7 V
5,7 V
-5 V
EB = 7 V
63 A
6,3 mA
6,363 mA
0,7 V
3,7 V
-3 V
Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en corte VCE
= 0 V. En la RAN, a medida que aumenta EB disminuye VCE. Este resultado es lgico,
puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como VCE = EC - RCIC, al aumentar el
En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el
enunciado del problema:
IB
IC
IE
VBE
VCE
VBC
EB = 5 V
143 A
10 mA
10,14 mA
0,7 V
0,7 V
EB = 7 V
193 A
10 mA
10,19 mA
0,7 V
0,7 V
La corriente IC se mantiene constante en 10 mA, pese a las variaciones de IB, puesto que la
tensin VCE es ahora constante. Ntese adems que en ambos casos se cumple que IC es
menor que el producto FIB.
Retomando de nuevo el caso en el que RC sea una bombilla, los resultados obtenidos
muestran que ahora la intensidad luminosa ser ahora constante, luego se ha perdido la
capacidad de regular, y el dispositivo se comporta ahora como un interruptor cerrado.
frente a
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse todo lo
dicho cuando se estudi aqul.
). Evidentemente, no se
real.
De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes electrnicos,
con respecto a los transistores
Seales de continua
En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el anlisis de ambas
situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que puede
realizarse el clculo de las corrientes y tensiones de polarizacin de un transistor sea cual
fuere su regin de operacin. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se
deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de
pequea amplitud, a travs del modelo de parmetros hbridos.
4.1 MODELO DE EBERS-MOLL
En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones de
funcionamiento (corte, saturacin, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe un
modelo esttico general vlido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll.
El modelo est basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones PN,
la unin base-emisor y la unin base-colector. Por lo tanto se puede expresar las corrientes
del transistor como la superposicin de las corrientes en las dos uniones PN. En la Figura
20 se muestra la notacin empleada durante este apartado.
El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como se
ha explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unin base-emisor es atrapada por
la unin base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de corriente aFIDBE. aF es un
parmetro caracterstico de cada transistor que toma valores prximos a la unidad.
De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la regin de base para alcanzar el
emisor. Esto se modela con la fuente de corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de un
transistor no es simtrica, sino que est optimizada para obtener valores altos de aF, aR es
generalmente pequea (desde 0.02 a 0.5).
Adems, aplicando las leyes de la fsica de semiconductores se obtiene la condicin de
reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresin:
Se puede sustituir en esta ecuacin las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Adems, si se
definen las constantes bF y bR de manera que
que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN segn el
modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son vlidas para cualquier regin de
funcionamiento.
An siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe todos
los efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo orden como
la tensin de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC con VCE no estn
incluidos en este modelo.
4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA
NORMAL
Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de IB,
IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin
En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms
ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la
deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:
Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las
expresiones anteriores:
Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las
funciones f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto.
Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las
siguientes:
A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:
en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre s.
Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
de Ebers-Moll para la RAN.
Funcin f1 =>
Funcin f2 =>
Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este
resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad
hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son
aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.
4.3.3 Representacin grfica
El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para procesar la
informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra elctrica. El movimiento de una
cuerda metlica en el interior de un campo magntico (creado por los captadores o pastillas)
provoca una pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa
dbil seal pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una
amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de
terminales hasta el amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea seal,
que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se desee.
Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir ciertas
condiciones:
1. Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace
as, se produce una distorsin, una prdida de la informacin que
aporta.
2. La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea
amplificar ha de ser mnima. El circuito amplificador necesita una fuente
de alimentacin propia.
5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR
Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7 V. Por lo
tanto no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura siguiente representa
aproximadamente la respuesta que se obtendra al tratar seales de alterna:
Transforma
en una tensin
INCONVENIENTES:
1. Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, I B ira a
tierra a travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la
introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), I C ira a tierra a
travs de ella, dandola.
: Resistencias de polarizacin.
El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la amplificacin
de seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se definen dos parmetros de
AC: la ganancia en tensin y la resistencia de entrada:
Ganancia en tensin:
).
Ntese que en este parmetro se relacionan las amplitudes de las seales alternas entrada y
de salida y no los valores instantneos. Se da por supuesto que el circuito va a mantener en
gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de cuantificar la
magnitud de la amplificacin. (El grado de distorsin de la seal de salida con respecto a la
de entrada se valora mediante otros parmetros).
Resistencia de entrada:
Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parmetro que relaciona
las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes elctricas implicadas
5.5 METODO DE CALCULO
en el ltimo esquema
y la ganancia dinmica de
;
3) Estudio AC
La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.
Como
Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN,
ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin
de entrada.
Resistencia de emisor (
): Un aumento de la corriente de colector
provocar una elevacin de la tensin de emisor. Con ello, como la
tensin de base es fija, la tensin base emisor disminuir, la corriente de
base tambin y finalmente, la corriente de colector volver a su valor de
diseo. El condensador se encarga de cortocircuitar esta resistencia en
alterna.
1 Un transistor est polarizado en RAN como se indica en la figura. Tiene una corriente de
base de 8 mA y una corriente en el colector de 1.2 mA. Cul es valor de la corriente en el
emisor?. Cul es la ganancia (b) del transistor?.
7 Encontrar la tensin del colector del transistor de la figura del problema 8 cuando se
encuentra en corte.
8 Si la b del transistor de la figura es 50, Qu tensin es necesaria a la entrada para saturar
el transistor?
16 Que resistencia RB se requiere para que el transistor opere en el punto medio de la recta
de carga si ECC es 20 V, RC es 5 KW y b es 125?
17 En el circuito amplificador de la figura:
18 En el circuito de la figura:
Punto de operacin DC
Circuito equivalente AC
1.
La ganancia de tensin.
5.- Cual crees que es la tensin mxima que se puede aplicar a la base
del circuito de manera que el circuito siga comportndose como un
seguidor?Por qu?
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que
el concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a
fabricarse comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los
transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los
BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado
puede incorporase un numero mayor. Adems su proceso de fabricacin es tambin ms
simple. Adems, existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden ser implementadas
nicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor
MOS el componente estrella de la electrnica digital.
En este tutorial se explica el principio de funcionamiento de ambos tipos de dispositivos,
as como sus modelos circuitales elementales.
1 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)
Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N, tal y
como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de
fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).
Regin de corte
Regin lineal
Regin de saturacin
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente
distinto al de los transistores BJT.
1.1.1 Regin de corte
Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado
en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
1.1.2 Regin lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una
corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El
valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En
este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o pequea en
comparacin con VGS.
1.1.2.1 Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una
tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.
Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en
una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una
doble dependencia:
Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y
a VDS.
1.1.2.2 Valores altos del voltaje drenaje-fuente
Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia con respecto al caso
anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su
comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo
largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero a
medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el
terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la
tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente
(Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los
contactos).
Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V
Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V,
que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta
tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin
inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona de
depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de
anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la
seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS, y
que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.
Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo del
drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente
de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal,
con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En
primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia
claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la prctica slo se
opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero la VGS positiva hace
crecer rpidamente IG.
Anlogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para
el JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con seales continuas y
otro para las seales alternas aplicadas sobre un punto de operacin de la regin de
saturacin.
En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operacin, a saber,
corte, saturacin y zona lineal. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se
deducen posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de
pequea amplitud.
1.4.1 Modelo esttico ideal
VGS > VP
VGS > VP
Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos,
mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la direccin ID tal y como aparece en el
modelo.
1.4.2 Modelo para seales alternas
De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo se escogen como
variables independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las
corrientes IG e ID. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas
por dos funciones f1 y f2 tales que:
Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las
expresiones anteriores:
Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna,
caracterizada por un VGS y por un VDS. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse
como:
A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:
Para el clculo de los parmetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
esttico para la regin de saturacin.
Funcin f1 =>
Funcin f2 =>
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica VGS - ID, con
VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.
2.2.1 Transistor NMOS de enriquecimiento
Los parmetros comerciales ms importantes del transistor MOS son anlogos a los de los
JFET presentados en el apartado 1.3.
2.4 MODELOS CIRCUITALES
Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares
a las de los JFET. Por ello, todos admiten una representacin circuital anloga.
2.4.1 Modelo esttico de Schichman-Hodges
1. Regin de corte
o
Condicin VGS<VTH
Intensidad ID=0
1. Regin lineal.
o
Condiciones: VGS>VTH
Intensidad:
Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor
1. Regin de saturacin
o
Intensidad:
Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja
frecuencia sobre un punto de polarizacin en regin de saturacin, puede demostrarse de
forma anloga a como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se
calcula a travs de la siguiente expresin
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes
y soportar elevadas tensiones en estado de corte.
a) Calclese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra
en la regin de saturacin.
b) Hallar la resistencia RL mxima que se puede alimentar con la intensidad hallada
mediante el circuito anterior
Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qu
valores se puede esperar que vare la intensidad I cuando el transistor trabaja en la regin de
saturacin. Datos: Idss=10mA; VP=-5V.
1. La tensin de entrada Vin es una tensin que vara muy lentamente con
el tiempo de manera que, se puede resolver el circuito mediante un
anlisis en continua. Si E=10V e I D=1mA, calcular la relacin entre Vout y
Vin. Qu intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere que
Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V
1. Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez
voltios. Datos: VTH = 5 V. ECC = 20 V.
Qu consumo de potencia hay en los estados lgico '1' y '0' de ambos circuitos?
1. El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un
interruptor. Cuando se polariza la puerta con una tensin de 15V, el
transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de
carga. Al polarizar con 0V la puerta, el transistor permanece en corte. Se
pide: