JFET

Ideas bsicas
La figura 13.1 a. Muestra un fragmento de un semiconductor de tipo
n. El extremo inferior es la fuente y el superior se denomina drenador. La
fuente de alimentacin VDD fuerza a que los electrones libres fluyan
desde la fuente hacia el drenador.
Efecto de campo
El termino efecto de campo esta relacionado con las zonas de
deplexin alrededor de cada una de las regiones P. Estas zonas de
deplexin existen porque los electrones libres y los huecos crea las
zonas de deplexin (las reas sombreadas ms oscuras en la figura).
Polarizacin inversa
En la figura 13.2, la puerta de tipo P y la fuente de tipo N forman el
diodo puerte-fuente. En un JFET, el diodo puerta-fuente siempre se
polariza en inversa. Debido a la polarizacin inversa, la corriente de
puerta IG es aproximadamente cero, lo que equivale a decir que el JFET
presenta una resistencia de entrada casi infinita.
La tensin de puerta controla la corriente de drenador
El JFET es un dispositivo controlado por tensin porque una tensin de
entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tensin puertafuente VGS es cero, la corriente mxima de drenador circula a travs del
JFET.
Smbolo esquemtico
El JFET de la figura 13.2 es un JFET de canal n porque el canal entre la
fuente y el drenador es un semiconductor de tipo n. La figura 13.3 a,
muestra el smbolo esquemtico de un JFET de canal n.
La figura 13.3 b muestra un smbolo alternativo para un JFET de canal
n.
Tambin existe un JFET de canal p. El smbolo esquemtico de un JFET
de canal p, mostrado en la figura 13.3 c es similar al de canal n, excepto
que la flecha de la puerta apunta al lado contrario.

Curvas de drenador
La figura 13.4 a muestra un JFET con las tensiones de polarizacin
normales. En este circuito, la tensin puerta-fuente V GS es igual a la
tensin de alimentacin de puerta VGG y la tensin drenador-fuente VDS es
igual al tensin de alimentacin de drenador.

Corriente mxima de drenador

Si cortocircuitamos la fuente de puerta, como se muestra en la figura
13.4 b, obtendremos la corriente mxima de drenador. La figura 13.4 c,
muestra la grfica de la corriente de drenador I D en funcin de la tensin
drenador-fuente cuando la puerta esta cortocircuitada.
La regin activa de un JFET se encuentra entre V P y VDS(mx). La tensin
mnima VP se denomina tensin de estrangulamiento, y la tensin
mxima se denomina tensin de disrupcin.
La regin hmica
En la figura 13.5, la tensin de estrangulamiento separa las dos regiones
principales de funcionamiento del JFET. La regin casi horizontal es la
activa. La parte vertical de la curva de drenador por debajo del punto de
estrangulamiento es la regin hmica.

Tensin de corte de puerta

La figura 13.5 muestra las curvas de drenador de un JFET con una I DSS de
10 mA. La curva superior siempre es para V GS=0, la condicin de puerta
cortocircuitada. En este ejemplo, la tensin de estrangulamiento es de
4V y la tensin de disrupcin es de 30V. Como puede verse, cuanto ms
negativa es la tensin, menor es la corriente de drenador.

Curva de transconductancia
La curva de transconductancia de un JFET es la grfica de I D en funcin
de VGS. A partir de los valores de I D y de VGS de cada una de las curvas de
drenador de la figura 13.5, podemos dibujar la curva mostrada en la
figura 13.6 a. Observe que la curva no es lineal porque la corriente
aumenta rpidamente cuando VGS se aproxima a cero.
Cualquier JFET tiene una curva de transconductancia como la
mostrada en la figura 13.6 b.

Polarizacin en la regin hmica

El JFET puede polarizarse en la regin hmica o en la regin activa.
Cuando esta polarizado en la regin hmica, el JFET es equivalente a una
resistencia. Cuando esta polarizado en la regin activa, el JFET se
comporta como una fuente de corriente.
Polarizacin de puerta
La figura 13.3 a, muestra un circuito de polarizacin de puerta. Se
aplica una tensin de perta negativa en -VGG a la puerta a travs de la
resistencia de polarizacin RG, lo que produce una corriente de drenador
que es menor que IDSS.

La polarizacin de puerta es el peor mtodo para polarizar un JFET en

la regin activa, ya que el punto Q es muy inestable.

Polarizacin en la regin activa

Los amplificadores JFET tienen que tener un punto Q en la regin
activa. A causa del amplio rango de valores de los parmetros del JFET,
no podemos utilizar la polarizacin de puerta. En su lugar, tenemos que
emplear otro mtodo de polarizacin. Algunos de estos mtodos son
similares a los empleados con los transistores de unin bipolar.
Autopolarizacin
La figura 13.9 a. Muestra un circuito de Autopolarizacin. La figura
13.9 b. Muestra el efecto de la diferentes resistencias de fuente. Existe

un valor medio de RS para el que la tensin puerta-fuente es igual a la

mitad de la tensin de corte.
Si conocemos las curvas de transconductancia de un JFET, podemos
analizar un circuito de Autopolarizacin utilizando mtodos grficos.
En resumen, se trata de una proceso que permite hallar el punto Q de
cualquier JFET autopolarizando cuando se dispone de la curva de
transconductancia. Si no se dispone de esta curva, pueden emplearse
los valores de VGS(off) e IDSS, y:
1. Multiplicar IDSS por RS para obtener el valor de VGS
correspondiente al segundo punto.
2. Dibujar el segundo punto (IDSS, VGS) en la grfica.
3. Trazar una lnea que pase por el origen y por el segundo punto.
4. Tomar nota de las coordenadas del punto de interseccin.
El punto Q de un circuito autopolarizado no es muy estable, por lo que
la Autopolarizacin solo es usada en los amplificadores de pequea
seal.

Polarizacin mediante divisor de tensin

La figura 13.13 a, muestra un circuito de polarizacin mediante divisor
de tensin. El divisor de tensin genera una tensin de puerta que es
una fraccin de la tensin de alimentacin. Restando la tensin puertafuente, obtenemos la tensin en la resistencia de fuente:
V S =V GV GS
obtenemos la corriente de drenador:
V
ID G
RS

La figura 13.13 c, muestra la recta de carga en continua. En un

amplificador, el punto Q tiene que encontrarse en la regin activa. Esto
significa que VDS tiene que ser mayor que IDRDS (regin hmica) y menor
que VDD (corte)

Polarizacin de fuente con dos alimentaciones

La figura 13.17 muestra un circuito de polarizacin de fuente con dos
alimentaciones. La corriente de drenador est dada por:
V
I D SS
RS
De nuevo, la idea es despreciar las variaciones de V GS haciendo VSS
mucho mayor que VGS. Idealmente, la corriente de drenador es igual a
la tensin de alimentacin de la fuente dividida entre la resistencia de La
Fuente. En este caso, las corrientes entrenador es casi constante aunque
se reemplace el JFET O vare la temperatura.

Polarizacin mediante fuente de corriente

Cuando la tensin de alimentacin del drenador no es elevada, puede
no haber la suficiente tensin de puerta Como para poder despreciar las
variaciones de VGS. En este caso, el diseador puede preferir utilizar el
circuito despolarizacin mediante fuente De corriente en la figura 13.18
a. En este circuito, el transistor de unin bipolar bombea una corriente
fija a travs del JFET. La corriente de drenador viene dada por:
V V BE
I D = EE
RE
la figura 13.18 B ilustro efectiva que es la polarizacin mediante
fuente de corriente. Ambos puntos Q tiene la misma corriente. Aunque
VGS es diferente en cada punto Q, ya no tiene ningn efecto sobre el
valor de la corriente de drenador.

Transconductancia
La transconductancia hacia nos dice como de efectiva es la tensin
puerta-fuente controlando la corriente de drenador.
Siemen
La unidad mho se define como la relacin entre la corriente y la
atencin. Pero mira equivalente y moderna es el Siemen (S). En las hojas
de caractersticas podr encontrar cualquiera de las dos unidades.
Pendiente de la curva de transconductancia
La figura 13.20 a, revela el significado de Siemen en trminos de la
curva de transconductancia. Entre los puntos A y B, una variacin en
VGS produce una variacin en I D. La variacin de ID dividida entre la
variacin de VGS es el valor de gm entre A y B. Si seleccionamos
cualquier otra pareja de puntos ms arriba en la curva, Como los puntos
C y D, obtenemos una variacin mayor de ID para la misma variacin
de VGS. Por tanto gm tiene un valor mayor cuanto ms arriba de la curva
se esta. Dicho de otra manera g m es la pendiente de la curva de
transconductancia.

La figura 13.20 b nuestro circuito equivalente de alterna para un JFET.

Entre la puerta y la fuente hay una resistencia R GS muy grande. El
drenador de un JFET se comporta como una fuente de corriente del valor
gmVGS.

Amplificadores JFET
La figura 13.21 A muestra un amplificador en fuente comn. Los
condensadores de acoplo y desacoplo son cortocircuitos en alterna. Por
tanto, la seal est acoplada directamente a la puerta. Dado que la
fuente est desacoplada a tierra, toda la tensin alterna de entrada
aparece entre la puerta que La Fuente, lo que da lugar a una corriente
alterna de drenador. Puesto que la corriente alterna de drenador fluye
travs de la resistencia de drenador, obtenemos con atencin alterna de
salida amplificada e invertida. Esta seal de salida se acopla entonces a
la resistencia de carga.

Seguidor de fuente
La figura 13.22 muestran seguidor de fuente. La seal de entrada
existe la puerta y la seal de salida sta acoplada desde la fuente a la
resistencia de carga. Como en el seguidor de emisor, el seguidor de
fuente tiene una ganancia de tensin menor que 1. La principal ventaja
del seguidor de fuente es que tiene una impedancia de entrada muy
alta. A menudo, ver que seguidor de Fuentes utiliza al principio de un
sistema, seguido de las etapas bipolares de ganancia atencin.

Conmutador analgico JFET

Adems el seguidor de emisor, otra aplicacin importante del JFET se
encuentra en la computacin analgica. En esta aplicacin, el JFET se
comporta como un conmutador que dejar pasar O bloquea una seal
alterna pequea. Para conseguir este comportamiento, la tensin
puerta-fuente VGS slo toma dos valores: cero o un valor que es mayor
que VGS(off). De esta forma, el JFET Opera en la regin hmica con la
regin de corte.
Conmutador paralelo
La figura 13.27 a muestra un conmutador paralelo JFET pero podemos
emplear como circuito equivalente el circuito mostrado en la figura
13.27 b.
En funcionamiento normal, la tensin alterna de entrada tiene que ser
una seal pequea, normalmente ms pequea de 100 mV. Una seal
pequea asegura que el JFET permanece la regin hmica cuando la
seal alterna alcanza su pico positivo. Adems, R D es mucho mayor que
RDS para asegurar la saturacin fuerte.
Conmutador serie
La figura 13.27 c muestra un conmutador serie JFET en la figura 13.27
d es su circuito equivalente. Cuando V GS es un nivel alto, el conmutador
se cierra y el JFET es equivalente una resistencia R DS. En este caso, la
salida es aproximadamente igual a la entrada.
La relacin on off de un conmutador se define como la tensin de
salida mxima dividida entre la tensin de salida mnima.

Troceador
La figura 13.28 muestra Troceador JFET. La tensin de puerta es una
onda cuadrada continua que hace que el JFET conmute continuamente
de un estado a otro. La tensin de entrada es un impulso rectangular
con valor de VDC. Se aplica la onda cuadrada a la puerta y en la salida se
tiene una seal troceada ( conmuta entre saturacin y corte).
Un Troceador JFET puede utilizar un conmutador paralelo O un
conmutador serie. Bsicamente, el circuito convierte una tensin
continua de entrada en una onda cuadrada de salida. El valor de pico de
la salida troceada es VDC.

Otras aplicaciones del JFET

En la mayora las las aplicaciones de amplificador, un JFET no puede
competir con un transistor bipolar. Pero sus propiedades poco habituales
lo convierten en una de las mejores opciones en aplicaciones especiales.
Multiplexacin
Multiplexar quiere decir muchos en uno. La figura 13.31 muestra
multiplexador, un circuito que admite una o ms seales entrada y las
pasa a la lnea de salida. Cada JFET se comporta como un conmutador
serie. Las seales de control (V1, V2 y V3) hacen que los JFET conduzcan
y se corten. Cuando una seal de control est a nivel alto, la seal de
entrada correspondiente se transmite a la salida.

Amplificador troceador
Podemos construir un amplificador con acoplo directo quitando los
condensadores de acoplo y desacoplo, y conectando la salida de cada
etapa directamente a la entrada de la etapa siguiente. De esta forma,
las tensiones continuas y alternas se acoplan. Los circuitos que pueden
amplificar seales y continua se denominan amplificadores de continua.
El inconveniente ms destacables del acoplamiento directo es la deriva,
un lento desplazamiento en la tensin continua de salida final debido a
pequeas variaciones de la tensin de alimentacin, los parmetros del
transistor y las variaciones de temperatura.
La figura 13.32 a muestra una forma de resolver el problema de la
deriva divida al acoplamiento directo. En lugar de utilizar el
acoplamiento directo, utilizamos un troceador JFET para convertir la
atencin continua de entrada en una onda cuadrada. El valor de pico de
esta seal es igual VDC. Puesto que la onda cuadrada es una seal
alterna, podemos emplear un amplificador de alterna convencional, uno

que contenga condensadores de acoplo y desacoplo. Entonces se podra

detectar los picos de la salida amplificada con el fin de recuperar una
seal continua amplificada.

Amplificador separador
La figura 13.33 muestra un amplificador separador, una etapa que
asla la etapa que le precede de la que le sigue. Idealmente, un
separador tendr una alta impedancia entrada. En este caso, casi toda la
atencin de Thevenin de la etapa A aparece en la entrada del separador.
El separador deber tener una paja impedancia de salida, con el fin de
garantizar de que toda la tensin de salida llegue a la entrada de la
etapa B.
El seguidor de emisor es un excelente amplificador separador porque
tiene una alta impedancia entrada (del orden de megaohmios para bajas
frecuencias) Y Una baja impedancia de salida (normalmente de unos
pocos cientos de ohmios). La alta impedancia de entrada representa una
pequea carga para la etapa A. La baja impedancia de salida permite al
separado excitar a cargas grandes (resistencia de carga pequeas).
Control automtico de ganancia
Cuando un receptor pasa de estar sintonizando una emisora con una
seal dbil a sintonizar otra emisora que emite una seal fuerte, el
altavoz producir un estruendo a menos que el volumen se baje de

forma inmediata. El volumen tambin puede variar debido a un

desvanecimiento: una disminucin de la intensidad de la seal que vida
al cambio en el camino entre el transmisor y receptor. Para evitar estos
cambios de volumen indeseados, los receptores ms modernos utilizan
el control automtico de ganancia (CAG).
La figura 13.36 ilustra la idea bsica del CAG. Una seal de entrada
Vin pasa a travs de un JFET utilizado como resistencia controlada por
tensin. La seal se amplifica para tener la tensin de salida V out. La
seal de salida se realimenta a un detector de pico negativo. La salida
de este detector proporciona entonces la seal VGS para el JFET.
Si la seal entrada aumenta de repente en una cantidad importante,
la tensin de salida se incrementar. Esto significa que a la salida del
detector de pico se obtendr una tensin negativa grande. Dado que V GS
es ms negativa, el JFET tendr una resistencia hmica mayor, la cual
reduce la seal que hay que amplificar y hace que la seal de salida sea
ms pequea.
Por otro lado, si la seal de entrada se atena, la tensin de salida
disminuye y el detector de pico negativo producir una salida ms
pequea. Puesto que VGS es menos negativa, el JFET transmitir ms
tensin al amplificador, el cual producir una tensin final ms elevada.
Por tanto, el efecto de cualquier variacin repentina en la seal de
entrada se compensa o al menos se reduce mediante el circuito de
control de ganancia.

MOSFET
La figura 14.1 muestra un MOSFET en modo de vaciamiento (DMOSFET, depletion-mode MOSFET) un fragmento de material N con una
puerta aislada a la izquierda y una regin P a la derecha. La regin P se
denomina sustrato. Los electrones que fluyen desde la fuente hacia
entrenador deben atravesar el estrecho canal existente entre la puerta y
el sustrato P.
En la parte izquierda del canal hay depositada una delgada capa de
dixido de silicio. El dixido de silicio es lo mismo que el vidrio, es un
aislante. En un MOSFET, la puerta es metal. Puesto que la puerta
metlica est aislada del canal, la corriente de puerta despreciable fluye
incluso cuando la tensin de puerta es positiva.
La figura 14.2 A muestra un MOSFET en modo de vaciamiento con
una tensin de puerta negativa. La alimentacin V DD fuerza que los
electrones libres fluyen desde la fuente hacia el drenador, atravesando
el estrecho canal situado al izquierda del sustrato P. Al igual que en un
JFET, la tensin de puerta controla la anchura del canal. Cuanto ms
negativa es la tensin de puerta, ms pequea es la corriente de
drenador. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente negativa, la
corriente de drenador se interrumpe. Por tanto, el funcionamiento de un
MOSFET en modo de vaciamiento es similar al de un JFET.
Puesto que la puerta est aislada, tambin podemos utilizar una
tensin de entrada positiva, Como se muestra en la figura 14.2 b. La
tensin de puerta positiva aumenta el nmero de electrones libres que
atraviesan el canal. Cuanto ms positiva es la tensin de puerta, mayor
ser la conduccin desde la fuente hacia el drenador.

Curvas del MOSFET y en modo de vaciamiento

La figura 14.3 A muestra el conjunto de curvas de drenador de un
MOSFET en modo de vaciamiento de canal N tpico. Observe que las
curvas por encima de VGS=0 son positivas y las curvas por debajo de

VGS=0 son negativas. Como un JFET, la curva inferior es para V GS= VGS(off)
Y la corriente de drenador ser aproximadamente igual a cero.

Amplificadores MOSFET en modo de vaciamiento

Un MOSFET en modo de vaciamiento es nico porque puede funcionar
con tensin y fuente positiva o negativa. En consecuencia, podemos fijar
su punto Q en VGS=0, Como se muestra en la figura 14.5. cuando la
seal de entrada es positiva, ID aumenta por encima de IDSS. Cuando la
seal entrada es negativa, ID decrece por debajo de IDSS.

MOSFET en modo de enriquecimiento

La figura 14.8 A muestra un E-MOSFET. El sustrato P ahora se extiende
hasta tocar el dixido de silicio. Como podemos ver, ya no hay un canal
N entre la fuente y el drenador. Esta figura 14.8 B muestra las tensiones
de polarizacin normales. Cuando la tensin de puerta es cero, la
corriente entre la fuente y el drenador es cero.
La nica forma de obtener una corriente es con una tensin de puerta
positiva. Cuando la tensin de puerta se hace positiva, atrae electrones
libres a la regin P. Estos se recombina con los huecos junto al dixido de
silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente positiva, todos
los huecos que tocan el dixido de silicio estn llenos y los electrones
libres comienzan a fluir desde la fuente hasta el drenador. El efecto es el
mismo que el de crear una delgada zona de material tipo N junto al
dixido de silicio. Ests delgada capa conductora se denomina capa de
inversin de tipo N. Cuando existen, los electrones libres pueden fluir
fcilmente desde la fuente al drenador.
Se dice que el JFET es un dispositivo en modo de vaciamiento porque
su conductividad depende del funcionamiento de las zonas de deplexin.
El E-MOSFET se clasifica como dispositivo en modo de enriquecimiento
porque una pensin de puerta mayor que la tensin de umbral enriquece
(aumenta) su conductividad.

Curvas de drenador
La figura 14.9 A muestra un conjunto de curvas de drenador de un EMOSFET.
La parte casi vertical de la grfica es la regin hmica, Y las partes
casi horizontales definen la regin activa. Cual est polarizado en la
regin hmica, el E-MOSFET es equivalente a una resistencia. Cual est
polarizado en la regin activa, es equivalente a una fuente de corriente.
La figura 14.9 B muestra una curva de transconductancia tpica.

Smbolo esquemtico
El smbolo esquemtico de la figura 14.10 A muestra una lnea de
canal de trazos con el fin de indicar que su condicin es normalmente en
corte. Como ya sabemos, una tensin de puerta >la atencin de umbral
crea una capa de inversin de tipo N que conecta la fuente al drenador.

La flecha apunta a esta capa de inversin, la cual se comporta como un

canal N cuando el dispositivo est conduciendo.

La regin hmica
Aunque el E-MOSFET puede polarizarse en la regin activa, rara vez se
hace porque principalmente se utiliza como dispositivo de conmutacin.
La tensin de entrada tpica espn un nivel bajo un nivel alto.
Resistencia drenador-fuente en conduccin
Cuando un E-MOSFET est pulverizado la regin hmica, es
equivalente a una resistencia R DS(on). Casi todas las hojas de
caractersticas especifiquen el valor de esta resistencia para una
corriente de drenador-fuente y una tensin puerta fuente determinadas.
La figura 14.11 ilustra este concepto.

Conmutacin digital
El MOSFET es ideal para emplearlo Como dispositivo de conmutacin.
Cuando la tensin de puerta est muy por encima del tensin de umbral,
el dispositivo conmuta del corte a la saturacin. Esta accin off-on es la
clave en la construccin de computadoras.

Circuitos analgicos, digitales y de conmutacin

El trmino analgico significa continua, como por ejemplo una onda
sinusoidal. Cuando hablamos de una seal analgica, nos estamos
refiriendo a seales que cambia continuamente su nivel de tensin,
Como la mostrada en la figura 14.17 A. La seal no tiene que ser
sinusoidal, ya que siempre que no existen cambios repentinos entre dos
niveles de tensin distintos, se dice que la seal es una seal analgica.
El trmino digital hace referencia a una seal discontinua. Esto quiere
decir que la seal salta entre dos niveles de tensin distintos, Como la
forma de onda mostrada en la figura 14.17 b. Las seales digitales como
sta son el tipo de seales que emplean las computadoras. Y estas
seales son cdigo de la computadora que representan nmeros, letras
y otros smbolos.

CMOS
Una forma de reducir el consumo de corriente en un circuito digital
consiste en utilizar dispositivos CMOS.
La figura 14.21 A muestra el mecanismo.
Consumo de potencia
La ventaja ms importante del CMOS eso es extremadamente bajo
consumo de potencia. Puesto que ambos MOSFET estn conectados en
serie en el circuito de la figura 14.21 A, el consumo de corriente en
reposo viene determinado por el dispositivo que no conduce. Dado que
su resistencia es el orden de los megaohmios, el consumo de potencia
en reposo se aproxima a cero.
El consumo de potencia aumenta cuando la seal de entrada
conmuta de nivel bajo a nivel alto, y viceversa.
La razn de esto es la siguiente: en el punto medio de una transicin
de un nivel bajo al nivel alto, o a la inversa, ambos dispositivos MOSFET
esta en conduccin, lo que significa que la corriente de drenador
aumenta temporalmente. Dado que la transicin es muy rpida, slo se

produce un breve impulso de corriente. El producto de la tensin de

alimentacin del drenador por este breve impulso de corriente implique
que el consumo de potencia medio dinmico es mayor el consumo de
potencia en reposo. En otras palabras, un dispositivo CMOS disipa ms
potencia media cuando se produce una transicin que cuando est en
reposo.

FET de potencia
El EMOS de alta potencia es diferente. En el EMOS de alta potencia, es
un dispositivo discreto ampliamente utilizado en aplicaciones que
controlan motores, lmparas, unidades de disco, impresoras, fuente de
alimentacin, etctera.
Dispositivos discretos
Los fabricantes estn produciendo diferentes dispositivos tales como
VMOS, TMOS, hexFET, trench MOSFET y waveFET. Todos estos FET de
potencia utilizan geometras de canal diferentes para aumentar sus
valores mximos permitidos. Estos dispositivos pueden manejar
corrientes mximas desde 1 A hasta ms de 200 A.
La figura 14.23 a muestra una estructura de un MOSFET en moto de
enriquecimiento en un circuito integrado. La fuente se encuentra al
izquierda, la puerta en el centro y drenador en la parte derecha.
La figura 14.23 b muestra la estructura del dispositivo VMOS.

FET de potencia en paralelo

Los transistores de unin bipolares no pueden conectarse en paralelo
porque sus cadas de tensin VBE no se aproximan lo suficiente. Si
intentamos conectarlos en paralelo, se produce un efecto de
acaparamiento de corriente. Esto quiere decir que el transistor con la
menor tensin VBE toma ms corriente de colector que los dems.

Los FET de potencia conectados en paralelo lo sufren este problema

del de acaparamiento de la corriente. Si uno uno de los FET que potencia
trata de acaparar la corriente, su temperatura interna aumentar. Esto
aumenta su resistencia, lo que reduce su corriente de entrenador. El
efecto global es que todos los FET de potencia tengan la misma
corriente de drenador.
Desconexin ms rpida
Los portadores minoritarios de los transistores bipolares se almacenan
en el rea de la unin durante la polarizacin directa. Cuando se intenta
poner en corte el transistor bipolar, las cargas almacenadas fluyen
durante un tiempo, impidiendo que se produzca un paso a la regin de
corte rpida. Puesto que un FET de potencia no tiene portadores
minoritarios, puede hacer que dejen de fluir la corriente mucho ms
rpidamente que un transistor bipolar. Normalmente, un FET de potencia
puede hacer que deje de incluir una corriente del orden de amperios en
una decima de nanosegundos, por lo que es de 10 a 100 veces ms
rpido que un transistor de unin bipolar comparable.
FET de potencia cmo interfaz
Los circuitos integrados digitales son dispositivos de baja potencia
porque pueden slo suministrar corrientes de carga pequeas. Si
deseamos utilizar la salida del circuito integrado digital para excitar una
carga de alta corriente, podemos emplear un FET de potencia como
interfaz ( un dispositivo A que permite que un dispositivo B se
comunique con, o controle, un dispositivo C).
La figura 14.24 muestra cmo puede controlar un CI digital una carga
de alta potencia.
La figura 14.25 es un ejemplo del circuito integrado digital que
controla una carga de alta potencia.

Convertidores de continua-alterna (cc-ca; dc-ac)

Cuando se produce un fallo repentino en la alimentacin, las
computadoras dejan de funcionar y puede perderse datos valiosos. Una
solucin consiste en utilizar un sistema de alimentacin ininterrumpida
(SAI) o UPS. Un SAI contiene una batera y un convertidor de continua en
alterna. La idea bsica es la siguiente: cuando se produce un fallo de
alimentacin, la tensin de la batera se convierte en una tensin alterna
que se aplica a la computadora.
La figura 14.26 muestra el convertidor de continua alterna.
Convertidores de continua-continua
La figura 14.27 es un convertidor de continua continua, un circuito
que convierte una tensin continua de entrada en una de salida, que
puede ser ms grande o ms pequea. El FET de potencia con multa de
un nivel a otro, produciendo una onda cuadrada tienes devanado del
secundario. Rectificador de media onda y El filtro con condensador a la
entrada produce entonces la tensin de salida. Utilizando diferentes
relaciones de espiras, podemos obtener una tensin continua de salida
que ser ms grande o ms pequeo que la atencin de entrada. Para
obtener menos rizado, podemos emplear un rectificador de onda
completa un rectificador en puente. El convertidor de continua en
continua es una de las partes ms importantes del circuito de
conmutacin de las fuentes de alimentacin conmutadas.

Como probar un MOSFET

Los dispositivos MOSFET requiere un cuidado especial cuando se les
prueba para determinar su correcto funcionamiento. Como se ha
mencionado anteriormente, la delgada capa de dixido de silicio que hay

entre la puerta y el canal puede destruirse fcilmente si V GS es mayor

que VGS(max). A causa de la puerta aislada y de la construccin del canal,
probar los dispositivos MOSFET con un hmetro O Un multmetro digital
no resulta muy efectivo. Un buen mtodo de probar estos dispositivos
consiste en emplear un trazador de curvas. Si no se dispone de un
trazador de curvas, pueden construirse circuitos de pruebas especiales.
La figura 14.35 A muestra un circuito capaz que probar tanto los
MOSFET en modo del vaciamiento como los MOSFET en modo de
enriquecimiento. Cambiando el nivel detencin y la polaridad de V1, se
puede probar el dispositivo en los modos de funcionamiento de
vaciamiento y enriquecimiento.