Centro de investigacin y

estudios avanzados

rea de diseo electrnico

Cuatrimestre I
Diseo de circuitos analgicos I

Diseo de filtros utilizando elementos concentrados, en

tecnologa MOS y generacin de layout del diseo

Instructor Dr. Federico Sandoval Ibarra

Diseador Ing. Roberto Ivn Gutirrez Echeverra
Zapopan, Jalisco. diciembre de 2015

ndice
Captulo 1 ............................................................................................... - 1 1.1

Introduccin ............................................................................. - 1 -

1.2

Planteamiento del Problema ................................................... - 2 -

1.2.1

No idealidades del diseo ................................................. - 2 -

1.2.2

Anlisis Matemtico .......................................................... - 3 -

1.2.3

Simulacin ......................................................................... - 5 -

1.3 Implementacin ...........................................................................- 6 1.4 Anlisis de Resultados ............................................................... - 8 1.5 Anlisis de ruido ........................................................................- 11 1.6 Conclusiones ............................................................................. - 12 Captulo 2 ............................................................................................. - 14 2.1

Introduccin ........................................................................... - 14 -

2.2

Polarizacin en DC ................................................................. - 15 -

2.3

Anlisis en AC ........................................................................ - 17 -

2.4

Etapa de amplificacin .......................................................... - 21 -

2.5

Conclusiones ..........................................................................- 24 -

Captulo 3 ............................................................................................. - 25 3.1

Introduccin........................................................................... - 25 -

3.2

MOSFET en Silicio .................................................................- 26 -

3.3

Diseo layout de un OTA ...................................................... - 28 -

3.3.1

Tcnicas de diseo ......................................................... - 28 -

3.3.2

Layout desarrollado ....................................................... - 30 -

3.4

Simulacin y verificacin .......................................................- 32 -

3.5

Conclusiones .......................................................................... - 33 -

Captulo 2
Filtro en Tecnologa MOS
.
.
.

En este captulo se presentan los antecedentes y conceptos bsicos

necesarios para emplear una metodologa de diseo de filtros activos pasa
bajas propuesta basndose nicamente en tecnologa MOS. Se abordan
temas tpicos del diseo con transistores como la seleccin de la zona de
trabajo de acuerdo a su comportamiento esperado, mtodos para realizar
una correcta polarizacin utilizando el anlisis en DC (en este caso se
propone una rama de trabajo PPN como fuente de polarizacin), y
posteriormente se emplea el modelado del transistor como circuito
resistivo activo para su anlisis en AC. Finalmente el captulo culmina con
una breve introduccin a los amplificadores simples y diferenciales
bastante tiles para realizar implementaciones fsicas a nivel CI, en
especfico utilizando el OTA.

2.1 Introduccin

l diseo de un filtro utilizando tecnologa MOS es bastante til

bajo el contexto de implementacin a nivel layout dentro de un CI
debido al poco espacio que requiere para ser implementado y a la
fcil disponibilidad para aumentar el nmero de elementos dentro de un
mismo circuito. Naturalmente, se requiere de conocimientos slidos en
cuanto al comportamiento bsico y el correcto uso del transistor, por lo
cual se comienza por dar a conocer desde lo ms bsico del mismo, hasta
estar en un nivel de diseo suficiente para poder analizar al menos el
circuito activo propuesto durante este escrito as como algunas de sus
variantes.
El MOSFET no es un dispositivo lineal, sino que la naturaleza de
su comportamiento es heredada del diodo y consecuentemente no lineal.
Su comportamiento se aproxima utilizando tres zonas principales cuyas
caractersticas de comportamiento son muy distintas entre s, dichas
- 14 -

zonas son denominadas lineal u hmica, corte y saturacin. Se definen

por medio de la polarizacin de sus terminales y su comportamiento se
encuentra descrito brevemente en la Tabla 2-1. La zona de corte sirve
perfectamente cuando se requiere aislar algn circuito de algn otro, la
zona lineal es til para disear resistencias controladas por voltaje,
mientras que la zona de saturacin es la ms empleada comnmente
debido a la basta cantidad de aplicaciones de una fuente de corriente
controlada por voltaje, tal y como sucede en el diseo del filtro en este
captulo.

Fig. 2- 1 Curva caracterstica I-V del NMOSFET

Es tarea del usuario determinar la zona de trabajo por medio del

anlisis en DC del circuito verificando que las condiciones establecidas
dentro de la Tabla 2-1 se cumplan para las condiciones de trabajo
particulares.
Tabla 2-1 Polarizacin en distintas zonas de operacin del transistor
Regin de
operacin
Corte

Condiciones de
polarizacin

Modelo caracterstico
Nivel 1

Comportamiento

VGS < Vth

IDS = 0

Circuito Abierto
(Alta impedancia)

Lineal

VDS < VGS -Vth

Saturacin

VDS > VGS -Vth

IDS = |KP|

IDS =

|VDS |
Weff
(|VGS |-|Vth |) |VDS |
Leff
2

Resistencia
controlada por VGS

KP Weff
(|VGS |-|Vth | )2
2 Leff

Fuente de corriente
controlada por VGS

2.2 Polarizacin en DC
Una vez mencionado las distintas regiones de operacin, es de gran
utilidad conocer tcnicas para determinar la polarizacin de un
transistor y forzarlo a operar en una zona deseada en especfico. Para
ello existen algunas conexiones bastante tiles entre las cuales la
conexin diodo del transistor es de las ms conocidas, mediante esta
conexin se pretende que el transistor se encuentre siempre operando
- 15 -

como una fuente de corriente ideal (en la zona de saturacin). La

conexin diodo se logra cortocircuitando la terminal de compuerta con
la terminal del drenaje de modo que la condicin listada en la Tabla 2-1
se cumple siempre y cuando haya sobrepasado el voltaje de umbral
. Sin embargo, a pesar de forzar un transistor a que se encuentre
trabajando en una zona an se requiere de una tcnica para determinar
los voltajes de referencia a utilizar.
Tal y como est descrito en la Tabla 2-1, es de natural inters que
el voltaje de las terminales de la compuerta se mantengan constantes sin
importar el nmero de ramas o arreglos de transistores, por lo cual se
toma ventaja del comportamiento del transistor en la zona lineal bajo
condiciones de DC para modelarlo como una resistencia equivalente
Fig. 2-2.

Fig. 2- 2 Modelo equivalente resistivo de una red PPN 1

De esta manera, se puede modelar una rama simple de tres

transistores en cascada (PPN) como un circuito ms simple: un divisor
de tensin. En este divisor de voltaje los valores resistivos de cada
transistor se dependen de un parmetro que existe al trabajar dentro de
la zona lineal del transistor denominado transconductancia, el cual se
define como la razn de cambio de respecto a (2.1). La resistencia
equivalente del MOSFET es nada menos que el recproco de dicha
trasnconductancia.

(| | | |)
= = 2

(2.1)

Ahora que se tienen las herramientas para forzar a un valor

determinado de voltaje en alguno de los nodos, es necesario definir
algn voltaje que sea conveniente en cierto nodo. Para la aplicacin de
un Filtro usualmente se requiere que el voltaje de salida se encuentre a
0V DC, es decir, sin offset, por lo cual a continuacin se propone un
circuito que logra reproducir los voltajes mostrados en Fig. 2-2 siempre
y cuando las relaciones de las resistencias del circuito se cumplan.
1

F. Sandoval, Sesin-VIII-DCAI-Transistor-MOS-LEVEL-1-Nov-13-2015
- 16 -

Dichas relaciones son fcilmente demostrables si se parte de que la

corriente que fluye a travs de los tres transistores es la misma como se
muestra a continuacin:
=

1 1 2 2
=
=
1
2
3
1 1
=
=
1
2
3
21 1 1 21
=
=
1
2
3
1 2 1
=
=
3 3 2

(2.2)
(2.3)
(2.4)
(2.5)

Luego, utilizando la definicin de la transconductancia (2.1),

tomando en cuenta = = 2.5, , = 0.6, , = .9, / = 3.1858
y fijando una condicin de = como primera aproximacin se
obtienen las expresiones siguientes:

1 3 2 (| | | |) 1
=
=
=

3 1
2
(| | | |)
2

= 34.58868571

(2.6)

(2.7)

La expresin anterior es de suma importancia debido a que para

mantener voltajes constantes nicamente se necesita que la ecuacin
(2.7) se cumpla, y gracias a una condicin tan bsica se puede crear una
rama de referencia que alimente cualquier cantidad de ramas
conformadas por el mismo nmero de transistores que ella tal y como se
muestra en la figura. Para el caso de trabajo especficado se fij un valor
= 7.5 , lo que equivale en = 259.4151429 , y lo cual se puede
expresar como = 25 , = 864.7171 bajo una tecnologa de referencia
de . 5 , = .3 .

2.3 Anlisis en AC
Una vez preparado el circuito de polarizacin (resaltado de color
azul en la Fig. 2-3), se est en condiciones de realizar anlisis en AC de
los distintas ramas o circuitos propuestos y mostrados como ramas a la
derecha de la rama de polarizacin. Dichos circuitos se proponen
partiendo de que son completamente compatibles con el circuito de
polarizacin, es decir arreglos de 3 transistores que cumplen con la
condicin (2.7) y que por lo tanto, no alteran los voltajes de polarizacin.
Ntese que para realizar el anlisis en AC hay que sustituir todo
transistor dentro de una rama por su circuito elctrico equivalente en AC
(Fig. 2-4) y despus realizar un anlisis del circuito con el fin de
obtener una impedancia equivalente en el punto de referencia asignado
cuando exista una carga conectada a l (Fig. 2-5).

- 17 -

Fig. 2- 3 Circuito de polarizacin alimentando diferentes ramas PPN 2

Dentro de la figura se deden apreciar cuatro fenmenos de

importancia:
1) La naturaleza capacitiva del MOSFET se modela como la ms alta
impedancia posible: un circuito abierto que sirve de aislante entre
distintas etapas de diseo.
2) Existe una fuente de corriente, la cual depender nicamente de los
voltajes aplicados en la compuerta y al drenaje
3) Existe una admitancia en paralelo caracterstica de toda fuente
de corriente la cual proviene de su estructura interna y cuya magnitud
es relativamente baja ya que es indeseable que la fuente de corriente
disipe una gran cantidad de potencia en s misma.
4) Al trabajar dentro de la zona lineal del transistor se puede definir un
parmetro denominado transconductancia, el cual se define como la
razn de cambio de respecto a (2.8)

1
(| | | |) =
= = 2

(2.8)

5) Se implementa una notacin en la cual un 1 representa un transistor

en conexin diodo, mientras que utiliza un 0 para representar un
transistor polarizado por medio de alguna de polarizacin externa.

Fig. 2- 4 Circuito elctrico equivalente del nMOSFET 3

2
3

F. Sandoval, Sesin-VIII-DCAI-Transistor-MOS-LEVEL-1-Nov-13-2015
F. Sandoval, Sesin-VIII-DCAI-Transistor-MOS-LEVEL-1-Nov-13-2015
- 18 -

Fig. 2- 5 Circuito elctrico equivalente de la rama 001 4

Es evidente que para resolver el circuito elctrico equivalente se

requiere de los valores de conductancia y transconductancia de cada
transistor ya que dependen de las dimensiones fsicas del mismo. Para
determinarlos, se vali del clculo de estos parmetros generado por el
anlisis en DC en Tanner empleando la configuracin 001 mostrada en
Fig. 2-3 Ntese que durante la simulacin se emple el ancho y largo
del canal calculados en (2.7), mientras que los modelos de transistores
CMOSn y CMOSp utilizados fueron de nivel 49 Fig. 2-7.
En los resultados de dicha simulacin se puede observar que los
valores de referencia ideales son ligeramente diferentes a los esperados.
Sin embargo, se encuentran muy cerca de los valores ideales,
concluyendo en que el circuito de polarizacin propuesto basado
nicamente en las dimensiones del transistor se puede emplear con
resultados satisfactorios. Adems, de los resultados de simulacin se
obtuvieron los valores necesarios de conductancia y transconductancia
mostrados en el cuadro naranja Fig. 2-7.
Dimensiones
empleadas

Fig. 2- 6 Cdigo implementado en Tanner

Los valores de conductancia y trasconductancia resultantes se

mantendrn fijos, mientras que la proporcin del ancho y largo del
transistor no se modifique, por lo cual a partir de ahora se puede hacer
una sustitucin en el circuito equivalente de acuerdo con la Tabla 2-2.

F. Sandoval, Sesin-VIII-DCAI-Transistor-MOS-LEVEL-1-Nov-13-2015
- 19 -

Tabla 2- 2 Conductancias y transconductancias obtenidas de la simulacin nivel 49

25.41541 S

25.41541 S

510.7534 S

8.27979 S

Voltajes de Referencia
adecuados
Valores de conductancia y
transconductancia

Fig. 2- 7 Resultados de Simulacin Nivel 49

Una vez estimados los valores de y se puede realizar el

clculo de la impedancia en el punto de referencia ante los distintos
circuitos elctricos equivalentes. Por medio de esta impedancia
equivalente se puede disear fcilmente un filtro RC de primer orden tal
y como se muestra en la Fig. 2-8 que ilustra como realizar un filtro pasa
altas por medio de este mtodo. Como auxiliar para el diseo de algn
filtro, la Tabla 2-3 incluye un resumen de cada una de las impedancias
equivalentes calculadas propias de cada rama .

- 20 -

Configuracin

Configuracin

Tabla 2- 3 Resistencia de entrada equivalente en el nodo de referencia

Resolviendo el circuito equivalente de la Fig. 2.8 se puede

obtener la funcin de transferencia (2.9) para un implementar un filtro
pasa altas con ganancia unitaria y polo ubicado en 2 1 utilizando
nicamente dispositivos MOSFET.

Fig. 2- 8 Filtro pasa altas utilizando impedancia de entrada equivalente 5

(. )

El circuito equivalente mostrado se puede mejorar si se cambia la

configuracin de la rama de transistores PPN a una ms apropiada cuya
ganancia sea mayor a la original. Para realizarlo se puede implementar
un circuito amplificador simple o un denominado circuito amplificador
diferencial.

() =

2.4 Etapa de amplificacin

F. Sandoval, Sesin-VIII-DCAI-Transistor-MOS-LEVEL-1-Nov-13-2015

El amplificador diferencial es un circuito conformado por dos

amplificadores simples y necesita de dos entradas para generar una
salida proporcional a la diferencia de sus seales de entrada tal y como
su nombre lo indica. Inherente a su diseo tiene como desventaja el
requerir ms dispositivos que una configuracin de amplificacin simple
para cumplir su desempeo. No obstante, sus ventajas como el ser
menos sensible al ruido e interferencias que los circuitos sencillos lo
hace un componente apropiado especialmente para su uso en CIs.
5

- 21 -

El comportamiento del amplificador sencillo en AC se puede

obtener realizando un anlisis de pequea seal (en AC) ante su circuito
equivalente mostrado en la Fig. 2-9, y deriva en la ecuacin (2.10)
cuando se toma en cuenta que 2 2
= 2 ( )

(2.10)

Fig. 2- 9 Amplificador simple6

Se puede observar que a pesar de que el amplificador simple

ofrece una ganancia lineal, la misma es muy pobre a comparacin de la
que brinda el amplificador diferencial descrito a continuacin. Para
conectar dos amplificadores simples y formar un amplificador
diferencial basta con realizar la conexin de ambos amplificadores en
configuracin espejo de corriente (1:1 por tener transistores con
dimensiones idnticas) mostrada en Fig. 2-10 y derivando en las
ecuaciones (2.11), (2.12) y (2.13).
+
)
+ = 2 (+

(2.11)

)
= 2 (

(2,12)

= = + +

(2,13)

)) = 2 (
)
= 2 ((+ ) + (

(2.14)

Debe de tomarse atencin en que para poder pasar de la

expresion (2.13) a la expresin (2.14) se tom en cuenta que en un
anlisis en AC los transistores superiores se encuentran cortocircuitados
al tener sus terminales de drenaje y fuente conectadas a tierras
analgica, por lo cual la generacin de corriente proviene
exclusivamente de los transistores 2 .

Sesin-XI-DCAI-Amplificador-Simple-Diferencial-Nov-25-2015
- 22 -

Fig. 2- 10 Amplificador diferencial con espejo de corriente 1:17

Ahora, debido a que lo que se requiere es una ganancia de voltaje

en el punto y el OTA genera una ganancia de corriente, es necesario
determinar la resistencia equivalente asociada al circuito en ese punto,
para que en base a la corriente en ese punto se pueda determinar una
+

relacin de con los voltajes de entrada

, y
(3.5). Dicha
resistencia es nada menos que la suma en paralelo de las admitancias
mostradas en la Fig. 2-10 ya que se puede intuir del circuito que es la
nica trayectoria a travs de la cual pueden fluir las corrientes
inyectadas por 2 y 3 .
De (3.6) se puede intuir que la ganancia usualmente es bastante
grande ya que las conductancias 2 y 3 se encuentran en el orden
del prefijo micro (), mientras que la transconductancia 2 se
encuentra en el orden de , dando como resultado origen al trmino de
Amplificador Operacional de Transconductancia (en ingls OTA)
comnmente utilizado en aplicaciones de amplificacin controlada por
voltaje.

Fig. 2- 11 Distintas representaciones del amplificador diferencial (OTA) 8

Para maximizar la ganancia entregada por un OTA las seales de

+

entrada
y
usualmente son seales de voltaje de la misma
magnitud a contrafase.
= = (

7
8

1
+

))
) (2 (

2 + 3

Sesin-XI-DCAI-Amplificador-Simple-Diferencial-Nov-25-2015
Sesin-XI-DCAI-Amplificador-Simple-Diferencial-Nov-25-2015
- 23 -

(3.6)

Para el trabajo actual, un OTA provee una ganancia de dB con un

ruido esperado menor al de un amplificador simple como se ve en (3.7)
convirtindose en un buen modelo a ser simulado e implementado en
silicio.
0 = |

2
2.36915
|=|
| = 70.311 = 36.94
(8.2797 + 25.4154)
2 + 3

(4.4)

2.5 Conclusiones
Se revisaron los antecedentes y conceptos bsicos necesarios para el
uso de transistores MOS en aplicaciones de filtraje, se propusieron
mtodos de polarizacin basados en el cortocircuito de terminales y en la
simetra o proporcin del circuito equivalente modelado mediante una
aproximacin resistiva, se abord el anlisis en AC explicando lo
necesario para llevar a cabo aplicaciones prcticas del MOSFET como
amplificadores simples y diferenciales, se propuso un mtodo de
extraccin de parmetros del transistor auxilindose de una simulacin
en T-Spice, y se culmin con este captulo puramente terico al
establecer las bases del diseo analtico necesarias para desarrollar un
circuito OTA ideal (con 36 dB de ganancia) para ser implementado en
Silicio una vez que haya sido generado su layout.

3 ABC

- 24 -