TRANSDUCTORES OPTICOS Y FOTOSENSIBLES

INTRODUCCION
Como ya sabemos, la luz es una forma de radiacin electromagntica comprendida entre los
380 nm y los 770 nm de longitud de onda a la que es sensible el ojo humano.

Longitud de onda
380 - 450 nm
450 - 490 nm
490 - 500 nm
500 - 550 nm
550 - 570 nm
570 - 590 nm
590 - 620 nm
620 - 750 nm

Color
Violeta
Azul
Azul/Verde
Verde
Amarillo/Verde
Amarillo
Naranja
Rojo

Figura 1. Espectro electromagntico de luz visible y sus longitudes de onda

Son de especial importancia tres regiones del espectro electromagntico: ultravioleta, visible e
infrarrojo.
La divisin adoptada por la CIE (Internationale de lclairage Comit Internacional de la
Iluminacin) para las ondas ultravioleta es:
ULTRAVIOLETA (100-400nm)
Nombre de la
Margen de longitudes de
Banda
onda
UV-A
315-400nm
UV-B
280-315nm
UV-C
100-280nm
Tabla 1. Bandas ultravioleta segn CIE.
El infrarrojo se sita en un margen comprendido entre 770-1.000.000nm. Esta banda
tambin se divide arbitrariamente como se refleja en la tabla.
INFRARROJO (770-1.000.000nm)
Nombre de la banda
Margen de longitudes de onda
Infrarrojo cercano (longitud de onda
770-1400nm
corta)
Infrarrojo lejano (longitud de onda larga) 1400-1000000nm (1.4-1000um)
Tabla 2. Bandas del infrarrojo
La sensibilidad del ojo humano no es igual en todo el intervalo y tiene su mximo para 555 nm
(amarillo-verdoso) descendiendo hacia los extremos (violeta y rojo). Como no todos los ojos
son idnticos se considera una respuesta estndar determinada por la CIE que se reproduce
en la figura 2. Esta curva es la denominada curva fotpica y expresa la respuesta relativa del
ojo en funcin de la longitud de onda.

Figura 2. Curva fotpica

FOTOMETRA
La luz, al igual que las ondas de radio, los rayos X o los gamma es una forma de energa. Si la
energa se mide en joules (J) en el Sistema Internacional, para qu necesitamos nuevas
unidades. La razn es ms simple de lo que parece. No toda la luz emitida por una fuente llega
al ojo y produce sensacin luminosa, ni toda la energa que consume, por ejemplo, una
bombilla se convierte en luz. Todo esto se ha de evaluar de alguna manera y para ello
definiremos nuevas magnitudes: el flujo luminoso, la intensidad luminosa, la iluminancia, la
luminancia, el rendimiento o eficiencia luminosa y la cantidad de luz.
Flujo luminoso
Para hacernos una primera idea consideraremos dos bombillas, una de 25 W y otra de 60 W.
Est claro que la de 60 W dar una luz ms intensa. Pues bien, esta es la idea: cul luce
ms? o dicho de otra forma cunto luce cada bombilla?

Cuando hablamos de 25 W o 60 W nos referimos slo a la potencia consumida por la bombilla

de la cual solo una parte se convierte en luz visible, el llamado flujo luminoso. Podramos
medirlo en watts (W), pero parece ms sencillo definir una nueva unidad, el lumen, que tome
como referencia la radiacin visible. Empricamente se demuestra que a una radiacin de 555
nm de 1 W de potencia emitida por un cuerpo negro le corresponden 683 lumen.
Se define el flujo luminoso como la potencia (W) emitida en forma de radiacin luminosa a la
que el ojo humano es sensible. Su smbolo es y su unidad es el lumen (lm). A la relacin
entre watts y lmenes se le llama equivalente luminoso de la energa y equivale a:
1 watt-luz a 555 nm = 683 lm
Flujo luminoso

Smbolo:
Unidad: lumen (lm)

Intensidad luminosa
El flujo luminoso nos da una idea de la cantidad de luz que emite una fuente de luz, por ejemplo
una bombilla, en todas las direcciones del espacio. Por contra, si pensamos en un proyector es
fcil ver que slo ilumina en una direccin. Parece claro que necesitamos conocer cmo se
distribuye el flujo en cada direccin del espacio y para eso definimos la intensidad luminosa.

Diferencia entre flujo e intensidad luminosa.

Se conoce como intensidad luminosa al flujo luminoso emitido por unidad de ngulo slido en
una direccin concreta. Su smbolo es I y su unidad la candela (cd).
Smbolo: I
Unidad: candela
(cd)

Intensidad luminosa

Iluminancia
Quizs haya jugado alguna vez a iluminar con una linterna objetos situados a diferentes
distancias. Si se pone la mano delante de la linterna podemos ver esta fuertemente iluminada
por un crculo pequeo y si se ilumina una pared lejana el circulo es grande y la luz dbil. Esta
sencilla experiencia recoge muy bien el concepto de iluminancia.

Concepto de iluminancia.
Se define iluminancia como el flujo luminoso recibido por una superficie. Su smbolo es E y su
unidad el lux (lx) que es un lm/m2.
Iluminancia

Smbolo: E
Unidad: lux (lx)

Existe tambin otra unidad, el foot-candle (fc), utilizada en pases de habla inglesa cuya
relacin con el lux es:
1 fc 10 lx
1 lx 0.1 fc
En el ejemplo de la linterna ya pudimos ver que la iluminancia depende de la distancia del foco
al objeto iluminado. Es algo similar a lo que ocurre cuando hacemos interactuar dos imanes,
cuando alejamos los imanes la fuerza disminuye considerablemente. Lo que ocurre con la
iluminancia se conoce por la ley inversa de los cuadrados que relaciona la intensidad
luminosa (I) y la distancia a la fuente. Esta ley solo es vlida si la direccin del rayo de luz
incidente es perpendicular a la superficie.

Ley inversa
de
los
cuadrados

Qu ocurre si el rayo no es perpendicular? En este caso hay que descomponer la iluminancia

recibida en una componente horizontal y en otra vertical a la superficie.

A la componente horizontal de la iluminancia (EH) se le conoce como la ley del coseno. Es fcil
ver que si
= 0 nos queda la ley inversa de los cuadrados. Si expresamos E H y EV en funcin
de la distancia del foco a la superficie (h) nos queda:

En general, si un punto est iluminado por ms de una lmpara su iluminancia total es la suma
de las iluminancias recibidas:

Luminancia
Hasta ahora hemos hablado de magnitudes que informan sobre propiedades de las fuentes de
luz (flujo luminoso o intensidad luminosa) o sobre la luz que llega a una superficie (iluminancia).
Pero no hemos dicho nada de la luz que llega al ojo que a fin de cuentas es la que vemos. De
esto trata la luminancia. Tanto en el caso que veamos un foco luminoso como en el que
veamos luz reflejada procedente de un cuerpo la definicin es la misma.
Se llama luminancia a la relacin entre la intensidad luminosa y la superficie aparente vista
por el ojo en una direccin determinada. Su smbolo es L y su unidad es la cd/m 2. Tambin es
posible encontrar otras unidades como el stilb (1 sb = 1 cd/m2) o el nit (1 nt = 1 cd/cm2).

Smbolo: L

Luminancia

Unidad: cd/m2

Es importante destacar que slo vemos luminancias, no iluminancias.

Rendimiento luminoso o eficiencia luminosa
Ya mencionamos al hablar del flujo luminoso que no toda la energa elctrica consumida por
una lmpara (bombilla, fluorescente, etc.) se transformaba en luz visible. Parte se pierde por
calor, parte en forma de radiacin no visible (infrarrojo o ultravioleta), etc.

Para hacernos una idea de la porcin de energa til definimos el rendimiento luminoso como
el cociente entre el flujo luminoso producido y la potencia elctrica consumida, que viene con
las caractersticas de las lmparas (25 W, 60 W...). Mientras mayor sea mejor ser la lmpara y
menos gastar. La unidad es el lumen por watt (lm/W).
Rendimiento luminoso Smbolo:
Unidad: lm / W
Cantidad de luz
Esta magnitud slo tiene importancia para conocer el flujo luminoso que es capaz de dar un
flash fotogrfico o para comparar diferentes lmparas segn la luz que emiten durante un cierto
periodo de tiempo. Su smbolo es Q y su unidad es el lumen por segundo (lms).
Cantidad de luz
Q = t

Smbolo: Q
Unidad: lms

CELULAS SOLARES
Clula solar es el trmino ms comnmente usado para designar clulas fotovoltaicas. Este
tipo de clula es generalmente una clula de silicio PN que responde a la luz en el margen de
los 350 a 1200 nm y que convierte eficientemente la luz en electricidad.
Dado que clulas fotovoltaicas de silicio son las utilizadas para convertir la luz solar en
electricidad, son denominadas clulas solares.

Figura 1. Respuesta espectral relativa de una clula de silicio

La clula de silicio tiene caractersticas estables y puede soportar temperaturas extremas. Esto
la convierte en fuente de poder conveniente, para uso en lugares donde existen temperaturas
extremas.
Las clulas de silicio son fabricadas de rodajas de silicio, que tienen un espesor aproximado de
3 dcimas de mm (0,3 mm). La superficie activa de la clula parece estar coloreada. Una franja
de contactos de nquel estaados rodea la circunferencia de la clula, y provee los contactos
hmicos necesarios para la conexin a circuitos externos. La superficie inactiva de las clulas
consiste enteramente en nquel estaado.
Las clulas de silicio se proveen en varios tamaos y configuraciones. Una clula nica
generalmente produce 0,45 V en el punto operacional diseado, con una intensidad de
corriente que depende del tamao de la clula. A partir de una clula de 5 cm de dimetro se
obtiene fcilmente una corriente de varios cientos de mA.

Figura 2. Circuito equivalente a una clula solar

Se utilizan los siguientes smbolos:
C = capacidad inherente
RSH = resistencia interna de prdida
D = tensin de salida limitada por diodo de juntura ideal
Rs = resistencia del material y conductores
RL = resistencia de la carga
RSH y C aumentan mientras que RS disminuye con el tamao de la clula.

Caractersticas elctricas
La tensin de circuito abierto de la clula de silicio vara en forma casi lineal con el logaritmo de
la intensidad de iluminacin y, en principio, no depende de la superficie de la clula. Sin
embargo, en celdas muy pequeas (aproximadamente 1 cm 2) la conductividad interna de
derivacin es mayor y la tensin de circuito abierto es menor.

Figura 3. Tensin de circuito abierto

La figura 4 nos muestra las caractersticas de la corriente en funcin de la tensin, para una
intensidad luminosa solar dada. La potencia transmitida a la carga es mxima en el punto
donde la curva baja abruptamente. Esto define la resistencia ptima de carga.

Figura 4. Curva de corriente en funcin de la tensin

REFERENCIAS
lsc = Corriente de cortocircuito
Imp = Corriente a la potencia mxima
Vmp = Tensin a la potencia mxima
Voc = Tensin de circuito abierto
Las magnitudes designadas ms arriba dependen de la intensidad luminosa y, en cierta
medida, de la temperatura.
Las figuras 4 a 7 representan las salidas de las clulas solares, determinadas por diferentes
parmetros.

Figura 5. Corriente de clula solar a

diferentes intensidades luminosas
(flujo de energa)

Figura 6.
Corriente de clula solar a diferentes
momentos del da

Figura 7. Corriente de clula solar a diferentes temperaturas

Las clulas solares pueden ser conectadas en paralelo y/ o en serie, para obtener tensiones
ms altas y corrientes mayores.
Si una de las clulas en una conexin en serie no es iluminada, acta como elemento
bloqueante, y toda la matriz (o red) conectada en serie muestra un corte muy marcado. La
corriente contribuida por esta celda falta en una conexin en paralelo, pero el funcionamiento
de la matriz no se ve afectado.
La salida de potencia de las clulas solares depende de la intensidad de la luz solar incidente
sobre la clula. La clula deber ser montada formando un ngulo de inclinacin ptimo,
determinado por la latitud geogrfica. La direccin de la luz solar deber ser perpendicular a la
superficie de la clula solar. La salida tambin vara con el momento del da y el mes del ao.
La figura 8 nos muestra la variacin de salida relativa, durante diferentes meses del ao, para
una clula solar montada horizontalmente a una latitud de 67N.

Figura 8. Variaciones diarias de salida relativa en la ciudad de Holsteinborg

(Dinamarca, 67N) durante los diferentes meses del ao.
Podemos ver que la salida relativa durante Febrero y Octubre es aproximadamente un tercio de
la salida en Junio. La variacin podra haber sido mucho menor si la clula solar hubiera estado
montada en el ngulo ptimo. Esto puede apreciarse en la figura 9.

Figura 9. Variaciones diarias de la salida relativa para un ngulo ptimo del colector (e=67) en
la ciudad de Holsteinborg, durante los diferentes meses del ao

FOTORESISTENCIA
Principio de funcionamiento
Las fotorresistencias (LDRs, Light Dependent Resistors, resistencias dependientes de la luz)
son sensores resistivos basados en semiconductores empleados para la medida y deteccin de
radiacin electromagntica.
Una LDR est constituida por un bloque de material semiconductor sobre el que puede incidir la
radicacin y dos electrodos metlicos en los extremos (figura 1).

Figura 1. Estructura de una LDR fabricada con material semiconductor fotosensible; smbolo
elctrico.
Tipos y construccin
Una LDR tpica consiste en una fina capa semiconductora dispuesta sobre un sustrato
cermico o plstico. La pelcula semiconductora describe una pista en zig-zag con contactos
metlicos en los extremos (figura 2). La forma de la pelcula sensitiva tiene por objeto
maximizar la superficie de exposicin y al mismo tiempo mantener un espacio reducido entre
los electrodos para aumentar la sensibilidad.
Entre los materiales semiconductores ms usados para realizar las LDRs se encuentran el
sulfuro de cadmio (CdS) y el seleniuro de cadmio (CdSe). Estos dos materiales son muy
utilizados, sobre todo en los sensores fotoconductivos de bajo coste; sin embargo, se
caracterizan por una respuesta relativamente lenta (su constante de tiempo es del orden de
50ms). La tensin mxima que pueden soportar puede llegar hasta 600 V y hay modelos
capaces de disipar ms de un vatio.

Figura 2. LDR con una pista en zig-zag de material resistivo.

Modelo de la LDR
La relacin entre la resistencia de la LDR y la iluminacin L puede modelarse a partir de la
ecuacin:

Lo

L
donde L es la iluminacin (en lux), es una constante que depende del material (entre 0,7 y
1,5) y RL y Ro son las resistencias a los niveles de luz L y Lo respectivamente. La expresin
anterior se representa en la figura 3.
RL Ro

Figura 3. Relacin resistencia-iluminacin en una LDR. La diferencia entre la resistencia con

niveles altos de luz y en la oscuridad es muy alta (la relacin es mayor de 10.000) y la
sensibilidad para bajos niveles de iluminacin es muy acusada.
La tabla 1 muestra los valores ms habituales de los parmetros del modelo junto a otros datos
caractersticos.

Parmetro

Valores tpicos
Ro
2K-200 K @ 10Iux
0,7-1,5

Tensin mxima
100 V-150 V
Potencia mxima
50 mW - 1 W
Tiempo de respuesta >10 ms a varios s
Tabla 1. Valores tpicos de los parmetros de las LDRs.
Aplicaciones de la LDR
Las aplicaciones de las LDRs se centran en la medida de luz (fotometra) y en la deteccin de
cambios de luz. Las fotorresistencias son sensores bastante sensibles, sobre todo con bajos
niveles de iluminacin, aunque en esta zona su dependencia con la temperatura se hace muy
acusada. Otro inconveniente es su lentitud de respuesta ya que presentan constantes de
tiempo del orden de segundos lo que limita su uso a aplicaciones de baja frecuencia.
Acondicionamiento de la LDR
El acondicionamiento suele realizarse mediante un divisor de tensin, (figura 4).

Figura 4. Acondicionamiento de una LDR mediante un divisor resistivo.

As, en aplicaciones de medida donde se busca una respuesta lineal, la obtencin del valor de
R puede hacerse calculando el valor que lleve a la mxima linealidad en el punto central del
intervalo de medida (puede aplicarse el mtodo del punto de inflexin). Para que exista punto
de inflexin debe cumplirse la condicin > 1 por lo que deber tenerse en cuenta a la hora de
elegir la LDR en aplicaciones de fotometra.
Para el circuito de la figura 4 se obtiene la tensin de salida:

Haciendo que el punto de inflexin de la expresin anterior coincida con el centro de nuestro
intervalo de medida, se obtiene un valor de R dado por:

donde RLC es la resistencia de la LDR en el punto central del intervalo de medida. La

sensibilidad en ese punto se calcula como:

En relacin con la tensin de alimentacin del divisor, y, debe llegarse a un compromiso entre
precisin, que lleva a elegir valores bajos de tensin para evitar el autocalentamiento y
sensibilidad, que aconsejara valores grandes. En general, se considera que el incremento de
temperatura debido al autocalentamiento debe ser ms pequeo que la precisin deseada en la
medida. Teniendo en cuenta que el incremento mximo de temperatura por autocalentamiento
(mxima potencia aplicada, Pmax) se producir cuando la resistencia de la LDR sea igual a la
resistencia fija del divisor, R, calculada anteriormente, se tiene;

y por tanto:

siendo el coeficiente de disipacin y T el incremento de temperatura mximo permitido por

autocalentamiento.

FOTODIODO
El dispositivo bsico fotosensible de silicio es un diodo de juntura PN de polarizacin invertida,
el fotodiodo. La luz de una longitud de onda conveniente que incide sobre la juntura produce
pares de electrones-huecos que son barridos a travs de la juntura por el campo creado en la
regin neutra. Esto causa que circule por el circuito externo una corriente proporcional a la
irradiacin efectiva que incide sobre el dispositivo. En principio el fotodiodo se comporta como
un generador de corriente constante, hasta que se alcanza su tensin de avalancha (figura 1).
Tiene un coeficiente de temperatura bajo y su tiempo de respuesta est en la escala de los
sub-microsegundos. La respuesta espectral y la velocidad de respuesta dependen de la
geometra y las impurezas de la juntura.

Figura 1. Fotodiodo fotosensible de juntura PN de polarizacin invertida

Todos los detectores de silicio consisten de un fotodiodo de juntura y un amplificador. Los
fotodiodos son generalmente hechos de la misma pastilla (chip) de silicio usada en difusin de
impurezas de la seccin amplificadora. La corriente del fotodiodo, en la mayora de los
dispositivos comerciales, est en el margen de menos de 1uA hasta decenas de uA. A la
pastilla puede agregrsele un amplificador, a bajo costo.
El coeficiente de absorcin de luz en el silicio decrece con el aumento de la longitud de onda.
Se producen ms parejas de electrones de vaco cerca de la superficie del silicio cuando la
longitud de onda de la luz incidente es menor. Por lo tanto, el fotodiodo tiene una respuesta
pico para una cierta longitud de onda, en la cual se produce un mximo de pares de
electrones-huecos cerca de la juntura de un fototransistor.
La mayora de la radiacin incidente es absorbida cerca de la superficie del dispositivo para
menores longitudes de onda, y por eso no penetra dentro de la juntura. Por lo tanto, la
respuesta espectral del fotodiodo depende principalmente de la profundidad de la juntura.
La respuesta espectral de un fotodiodo de germanio se extiende sobre una gama mucho ms
amplia de longitudes de onda que la de un fotodiodo de silicio.

Figura 2. Comparacin entre un fotodiodo de silicio y uno de germanio

Las figuras 3 y 4 muestran las configuraciones del circuito equivalente y del circuito tpico de los
fotodiodos.

Figura 3. Circuito equivalente

eo = (is + in + lo) RL
is = corriente de la seal = iL . R
iL = luz de entrada (vatios)
R = responsividad (amperios/vatios)
in = corriente de ruido
lo = corriente de oscuridad (o residual) (CC)
Cp = capacidad de la juntura 30 pF
Rp = resistencia de la juntura 50M
Rs = resistencia en serie 7.5 K
RL = resistencia de carga (agregada por el usuario)

R = responsividad del fotodiodo (amperio/vatio)

iL = luz de entrada (vatios)
Fotoconductivo

RL = resistencia de carga
Rf = resistencia de realimentacin
Fotovoltaico
Figura 4. Configuraciones de circuitos tpicos.

FOTOTRANSISTOR
Tanto la estructura interna de un fototransistor como su funcionamiento son similares a las de
un transistor bipolar salvo que la inyeccin de la corriente de base se va a lograr, en el caso del
fototransistor, mediante el mecanismo fotoelctrico. Cuando incide un fotn con suficiente
energa en la zona de transicin constituida entre el colector y la base, se genera un par
electrn-hueco. El campo elctrico existente en la zona separa el par y acelera el electrn hacia
la zona N (el colector) y el hueco hacia la zona P (la base) constituyendo una fotocorriente
primaria, Ifp (figura 1a). El mecanismo de generacin de esta fotocorriente es, por tanto,
idntico al de los fotodiodos. A partir de aqu, el principio de funcionamiento es idntico al de un
transistor bipolar.

Figura 1. a) Generacin de un par electrn-hueco al incidir un fotn con energa mayor que la
banda prohibida; b) el hueco, una vez que ha alcanzado la zona N provoca la inyeccin de un
elevado nmero de electrones para cancelarlo. Todos, menos uno, alcanzan el colector.
En definitiva, la corriente que circula por el colector es mucho mayor que la fotocorriente
primaria y la relacin entre ambas es la ganancia, T

Ic T Ifp
Las curvas caractersticas de un fototransistor (corriente de colector-tensin colector emisor)
son similares a las de los transistores bipolares salvo que, en vez de reflejarse en funcin de la
corriente de base, aparecen en funcin de la irradiancia de la luz incidente.

Figura 2. Curvas caractersticas del fototransistor BPWJ7N de Vishay para una longitud

de onda de luz incidente igual a 950 nm.

La ventaja del fototransistor frente al fotodiodo es la ganancia. Sin embargo, presenta notables
inconvenientes como la mayor dependencia de la temperatura, la menor linealidad y, sobre
todo, la escasa reproducibilidad y el mayor tiempo de respuesta. Por ello, el fototransistor slo
se suele emplear para la deteccin de nivel de luz como sucede, por ejemplo, en las
aplicaciones digitales. Para estas aplicaciones, los circuitos de acondicionamiento habituales
son muy simples (figura 3), trabajndose, generalmente, entre la situacin de corte (al incidir
luz) y saturacin (cuando no incide) o bien en zona activa cuando se necesita un tiempo de
respuesta ms reducido y aadiendo un comparador para discriminar el nivel.

Figura 3. Circuitos de acondicionamiento para fototransistores.

FOTOTRANSISTOR
El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones amplificador-fotodiodo ms simples.
La luz que incide en la juntura PN de polarizacin invertida (colector-base) genera una corriente
de base que es amplificada debido a la ganancia de corriente del transistor. La polarizacin
externa de la base es posible si ste terminal es llevado a que la corriente del emisor sea:

IE ( IP IB )( hFE 1)
Donde:
IP = corriente de base generada por el fotn
IE = corriente del emisor
IB = corriente de base
hFE = ganancia de corriente del transistor en CC

Figura 1. Corriente generada por la luz en un fototransistor

La sensibilidad un transistor semejante puede ser ajustada variando el nivel de polarizacin en
la base. La frmula muestra que la respuesta del fototransistor cambia cuando h FE cambia con
la corriente, la tensin de polarizacin y la temperatura. La velocidad de respuesta del fotodiodo
vara ms que la del transistor.
Generalmente, en lo referente a fotodetectores, a mayor ganancia la respuesta es ms lenta.
Esta aclaracin no es siempre cierta, siendo una excepcin el caso de una tensin constante a
travs del fototransistor.
Una hFE alta y un rea de juntura grande colector-base requeridas para tener un fototransistor
de alta sensibilidad, tambin puede causar niveles altos de corriente residual (o de oscuridad),
cuando la juntura colector-base es polarizada inversamente. La corriente residual (RESID) del
fototransistor es:

ICEO ( RESID) hFE ICBO

lCBO es la corriente elctrica de fuga de la juntura colector-base.
Se requiere un cuidadoso proceso de fabricacin de la pastilla del transistor para minimizar la
corriente residual del fototransistor y mantener una alta sensibilidad luminosa. Las corrientes
residuales tpicas de un fototransistor a una polarizacin inversa de 10 V son del orden de 10nA
a temperatura ambiente, y se duplican para cada 10C de aumento de temperatura.
Los efectos de las corrientes residuales pueden ser disminuidos para aplicaciones de niveles
bajos de luz, evitando que la juntura colector-base sea inversamente polarizada, al ser V CEO

menor que la cada de tensin de polarizacin directa del diodo de silicio. Esto permite la
deteccin de la corriente de luz en la escala de los nA. En la Figura 2 se muestra un circuito
que ilustra este modo de operacin.

Figura 2. Uso de un fototransistor a niveles muy bajos de luz

APLICACIONES DE LOS DETECTORES OPTICOS Y FOTOSENSIBLES

Detectores de proximidad
Detectores de color
Detectores de humo
Instrumentacin analtica basada en fluorescencia, absorbancia, colorimetra,
bioluminiscencia
Sistemas de comunicaciones por fibra ptica
Optoacopladores
Detectores de proximidad fotoelctricos
Los detectores de proximidad pticos estn compuestos de una fuente de luz (un LED,
generalmente) y un fotodetector. Existen, comercialmente, tres tipos fundamentales en funcin
del modo de deteccin:
Detectores por reflexin en objeto (difusos): el LED y el fotodetector estn montados sobre
la misma cabeza de forma que en presencia de un objeto parte de la luz procedente del
LED se refleja en el mismo y alcanza al fotodiodo. El alcance mximo de estos detectores
es de unos 2 metros, aunque lo ms habitual suelen ser algunos centmetros.

Detectores por reflexin en espejo: un espejo refleja la luz del LED hacia el fotodetector,
que tambin est situado en la misma cabeza, constituyndose una barrera luminosa. La
deteccin de un objeto se realiza a partir de la interrupcin de la barrera, El alcance
mximo es de unos 10 metros.

Detectores de barrera: para alcances mayores se sita la fuente de luz y el fotodetector en

extremos opuestos. El alcance puede llegar hasta los 50 metros con LEDs y hasta los 200
metros utilizando diodos lser como fuente luminosa.

Codificadores pticos (optical encoders)

Los codificadores pticos se utilizan para la medida de posicin y velocidad angular y lineal. Se
clasifican en dos tipos, incrementales y absolutos.

Codificadores pticos incrementales

Codificador ptico compuesto por un disco opaco ranurado, un LED y un fotodetector situados
a ambos lados del disco para la deteccin del paso de una ranura.

Medida de posicin con un codificador incremental mediante la cuenta del nmero de pulsos a
partir de una seal ndice de referencia.

Codificadores pticos absolutos

Principio de funcionamiento de un codificador ptico absoluto. En el ejemplo de la figura el

disco est codificado en cdigo Gray.

Sensores de color

Principio de funcionamiento de un detector de color. Los LEDs se van encendiendo de modo

secuencial: el fotodiodo recibe la luz correspondiente reflejada en el objetivo y que depender
de su color.