Transistor Bipolar de Juno - TBJ

Cap. 4 Sedra/Smith
Cap. 2 Boylestad
Cap. 6 Malvino
Fundamentos do TBJ

Notas de Aula SEL 313

Circuitos Eletrnicos 1
Parte 1
1o Sem/2016 Prof. Manoel

Introduo
O transistor a unidade bsica de semicondutor com 3 terminais.
O 3. terminal permite o controle do fluxo de corrente ou do nvel de
tenso ou da potncia entre os dois outros terminais.
Funes principais:

Chave controlada ou,

Amplificador linear.

Como amplificador opera na REGIO ATIVA no tratamento de sinais

de forma linear.
Como chave opera nas regies de CORTE e de SATURAO
(conduzindo ou no-conduzindo) no tratamento de sinais digitais.
OBJETIVO INICIAL : Anlise de circuitos bsicos de transistores no
projeto de amplificadores lineares e de chaves
simples.

Estrutura fsica e operao do TBJ

O nome Transistor Bipolar de Juno se deve ao fato de conter junes
PN tais como as dos diodos e pelo fato de que tantos os eltrons quanto as
lacunas formam a corrente no dispositivo.

(a)

Emissor

(b)

Tipo N

Tipo P

Tipo N+

Regio do
Emissor

Regio da
Base

Regio do
Coletor

Juno
EmissorBase
(JEB)

Contato
metlico
Coletor

Juno
Base-Coletor
(JCB)

Figura 2.1 Aspecto construtivo e modelo simplificado das junes no transistor NPN

A regio de Base bem estreita em relao ao Emissor e Coletor (1:150)

e a base menos dopada (1:10) , sendo o Emissor o mais dopado. A
resistncia da base mais elevada que nas outras partes.

Junes no TBJ e Operao

As junes em temperatura ambiente e equilbrio trmico do dispositivo
formam duas Regies de Depleo em torno de JEB e de JCB.
Sem efeito de polarizaes externas cada uma das regies de depleo se
comporta tal como nos diodos.
As regies de operao do TBJ dependem de um polarizao simultnea
das duas junes e as condies necessrias so indicadas a seguir.
Com Polarizao simultnea :

CORTE
ATIVA
SATURAO

JEB
Reversa
Direta
Direta

JCB
Reversa
Reversa
Direta

Caso NPN na Regio Ativa

Polarizao direta

Eltrons
injetados
Lacunas injetadas

Polarizao reversa

Difuso
de eltrons

Eltrons
coletados

Eltrons
recombinados

Figura 2.2 Correntes no modo ativo do caso NPN.

JEB Direta Depleo reduzida (diodo em conduo) ( VBE ~ 0,7V )

JCB Reversa Depleo aumentada
IE = eltrons + lacunas injetadas
IB = eltrons recombinados + lacunas perdidas
IC = eltrons atrados (acelerados) pelo potencial de JCB e VCB

Caso PNP na Regio Ativa

No caso do PNP trocam-se as funes de eltrons e lacunas em relao ao NPN.

Figura 2.3 Correntes no modo ativo do caso PNP.

O smbolo do TBJ em circuitos usa

uma seta no terminal de Emissor e esta
seta aponta o sentido de corrente neste
terminal.
No NPN a corrente convencional sai pelo
Emissor e no caso do PNP a corrente
entra pelo Emissor.

Figura 2.4 Smbolos do transistores NPN e PNP.

Fluxo de Correntes no TBJ

Se bateria VBE = 0.7V, o diodo Emissor-base conduz atravs da injeo de
eltrons do Emissor para a Base.
Sendo a Base estreita e pouco dopada uma pequena parte destes eltrons se
recombinam com as lacunas majoritrias na Base.
A maior parte do eltrons vindo do Emissor so acelerados pelo potencial
positivo na juno reversa no coletor e pelo potencial positivo externo da
bateria VCB. Assim, grande parte dos eltrons atravessam a base e a juno
JCB e so acelerados para o ou coletados no Coletor.
A corrente de Emissor IE portanto a poro de eltrons injetados mais a
poro de lacunas da Base para o Emissor.
A corrente de Base IB a poro de lacunas que deixam a base em direo do
Emissor e a poro de lacunas que se recombinam com eltrons.
A corrente de Coletor IC se constitui dos eltrons que atravessam a base e a
juno reversa JCB.

Correntes no TBJ
Corrente de Coletor
IC praticamente a corrente do diodo polarizado diretamente em JEB

iC I S e

( vBE

VT

VT 25 mV

(2.1)

Corrente de Base
dopagem)

IB praticamente uma parcela muito pequena de IC (pouca recombinao e baixa

IS
iB


iC

v BE

VT

(2.2)

muito grande ( 100 a 500)

Corrente de Emissor

iE

IE sempre a soma de IC e IB e poucas vezes maior que IC.

v BE

VT
1
1

iC
I S e
iC i B

(2.3)

Outras relaes de correntes no TBJ

em (2.2) chamado : ganho de corrente em Emissor-Comum;
definido como : ganho de corrente em Base-Comum e vale 1.
iC iE

(2.4-a)

(2.4-b)

(2.4-c)

ou

iE

vBE
I S VT
e

(2.5)

Caractersticas de Entrada Sada

Base-Comum

Boylestad/Nasheslky

Regio de Saturao

Regio de Corte

Figura 2.5 Caractersticas Entrada Sada (Base-Comum)

Caractersticas de Entrada Sada

Emissor-Comum
Regio de Saturao

Regio de Corte
Figura 2.6 Caractersticas Entrada Sada (Emissor-Comum)

Dados tpicos de catlogos (Datasheet)

Figura 2.7 Exemplo Datasheet.

Dados tpicos de catlogos (Datasheet)

Figura 2.8 Exemplo Datasheet.

Dados tpicos de catlogos (Datasheet)

de 110 at 800

IC

Figura 2.9 Exemplo Datasheet.

Dados tpicos de catlogos (Datasheet)

de 100 at 600

IC

Figura 2.10 Exemplo Datasheet.

Dados tpicos de catlogos (Datasheet)

de 120 at 800

IC

Figura 2.11 Exemplo Datasheet.

Teste de TBJ com Ohmmetro

(Juno Base-Emissor)
Baixa
Resistncia

Transistor
NPN

Figura 2.12 Teste CC do TBJ. Terminal (+) na Base.

Teste de TBJ com Ohmmetro

(Juno Base-Coletor)
Alta
Resistncia

Transistor
NPN

Figura 2. 13 Teste CC do TBJ. Terminal (-) na Base.

Teste de TBJ com Multmetro Digital

Alguns modelos contem um testador interno

Alm de indicar o estado do Transistor

pode-se ler o valor do ganho (ou hfe)
no display digital

Figura 2. 14 Teste CC do TBJ. Terminal (-) na Base.

Exemplos de encapsulamento (Case)

Figura 2.15 Tipos de encapsulamentos.

Exemplos de encapsulamento (Case)

Figura 2.16 Tipos de encapsulamentos.

Exemplos de encapsulamento (Case)

Figura 2.17 Tipos de encapsulamentos.

Montagem do TBJ no encapsulamento TO-92

Figura 2.18 Detalhe montagem TBJ.

Encapsulamento em DIP 14

Figura 2.19 Tipo de encapsulamento em CI de mltiplos transistores.

Bibliografia
SEDRA -

Pgs. 207 a 215

BOYLESTAD - Pgs. 95 a 114

MALVINO -

Pags. 188 a 202

O Primeiro Transistor
VIDE Arquivo PDF BJT_History .pdf
Fonte : (google) BJT History

Figura 2.20 Foto, Esboo e Diagrama do primeiro Transistor (de contato).

Algumas animaes de BJT

http://www.learnabout-electronics.org/bipolar_junction_transistors_05.php
http://images.google.com.br/imgres?imgurl=http://pics.computerbase.de/lexi
kon/188807/Transistor_animation.gif&imgrefurl=http://www.computerbase.
de/lexikon/Bipolartransistor&usg=__cHNUxXviPOVkPEDrRiTbthyerE=&h=480&w=640&sz=25&hl=ptBR&start=3&um=1&itbs=1&tbnid=FI5wXSfKk8nR0M:&tbnh=103&tbnw
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