Sensor de Presin: Acondicionamiento y

Caracterizacin de seales
Erick Mndez, Danny Alcedo, estudiantes de la Universidad Ricardo Palma-Peru2 ,

{EMndezl, Dalcedo}@gmail.com,
Adviser M. Chauca, member IIITEC, IEEE-MWSCAS, AOTS and Ricardo Palma University-Per

mario.chauca@iiitec.org
A. Sensor Capacitivo
Abstract.- Proximity sensors are the most common
and affordable solution for the detection of objects
that can not be touched . The most commonly used
sensor is the inductive proximity type, which
generates an electromagnetic field , which detects
metal objects that pass close to his face . This
detection technology is usually used in applications
where the metal object to be detected is within an
inch or two of the sensor face .
I.

INTRODUCCION
ste laboratorio nos ayudara a conocer en como
actua el sensor de proximidad capacitivo e
inductivo.

Un sensor de proximidad es un transductor que

detecta objetos o seales que se encuentran cerca del
elemento sensor.
Existen varios tipos de sensores de proximidad segn
el principio fsico que utilizan. Los ms comunes son
los interruptores de posicin, los detectores
capacitivos, los inductivos y los fotoelctricos, como
el de infrarrojos.

La funcin del detector capacitivo consiste en sealar

un cambio de estado, basado en la variacin del
estmulo de un campo elctrico. Los sensores
capacitivos detectan objetos metlicos, o no
metlicos, midiendo el cambio en la capacitancia, la
cual depende de la constante dielctrica del material
a detectar, su masa, tamao, y distancia hasta la
superficie sensible del detector.
Los detectores capacitivos estn construidos en base
a un oscilador RC. Debido a la influencia del objeto a
detectar, y del cambio de capacitancia, la
amplificacin se incrementa haciendo entrar en
oscilacin el oscilador. El punto exacto de sta
funcin puede regularse mediante un potencimetro,
el cual controla la realimentacin del oscilador. La
distancia de actuacin en determinados materiales,
pueden por ello, regularse mediante el
potencimetro.

Figura 3. Sensor de Proximidad Capacitivo

Figura 1. Sensor de proximidad

Figura 4. Onda de Oscilacin Capacitiva

Figura 2. Diagrama de Bloques del sensor de proximidad

Figura 5. Partes del sensor Capacitivo

Objetivo Estndar

Son especificados para cada sensor capacitivo, se

define normalmente como metal o agua.

El sensor consiste en una bobina con ncleo de

ferrita, un oscilador, un sensor de nivel de disparo de
la seal y un circuito de salida. Al aproximarse un
objeto "metlico" o no metlico, se inducen corrientes
de histresis en el objeto. Debido a ello hay una
prdida de energa y una menor amplitud de
oscilacin.

Figura 8. Sensor de Proximidad Inductivo

Figura 6. Relacin de las constantes dielctricas

La grafica muestra la relacin de las constantes

dielctricas de un objetivo y la habilidad del sensor de
detectar el material basado en la distancia nominal
del sensado (sr).

Figura 9. Onda de Oscilacin Inductiva

Figura 10. Partes del sensor Inductivo

Figura 7. Tabla de constantes Dielectricas

B. Sensor Inductivo
Los sensores inductivos de proximidad han sido
diseados para trabajar generando un campo
magntico y detectando las prdidas de corriente de
dicho campo generadas al introducirse en l los
objetos de deteccin frricos y no frricos.

Objetivo Estndar

Un objetivo estndar es una placa que tiene una

superficie plana, liza, hecha de acero dctil de 1mm
de grosor.
La longitud de los lados del objetivo estndar es igual
al dimetro de la superficie del sensado o tres veces
el rango de operacin especificada, el cual es mayor.
La distancia de sensado es constante para el objetivo
estndar. Sin embargo, para objetivos no ferrosos tal
como el bronce, aluminio y cobre, ocurre un
fenmeno conocido como efecto epitelial.

A. Mediciones del Sensor de proximidad

Figura13. Voltaje de alimentacin del sensor (1)

Figura 11. Grafica objetivo estndar

Figura14. Voltaje de alimentacin del sensor (2)

Figura 12. Tabla de constantes dielctricas

II.

DESARROLLO (PREPARACIN TCNICA

DEL TRABAJO)

Este proyecto, se realiz mediante los datos de

fabricante del sensor de proximidad, a la cual en el
laboratorio se demostr sus datos en el osciloscopio
y fuente de voltaje, que son los dos equipos digitales
en apoyar para nuestras medidas

Figura15. Prueba en vida real del Interruptor DS30P1

Despus de ello, obtuvimos los datos del osciloscopio,

donde nos arroj un tren de pulsos (B. Pruebas).
Para el desarrollo de la experiencia de la experiencia
se utilizaron los siguientes materiales:

osciloscopio
fuente de alimentacin
multmetro digital
Sensores de proximidad

Figura16. Prueba en vida real del sensor (2)

Por consiguiente, mostraremos las pruebas que se

realizaron con los sensores de proximidad: LJ30A,
LJC30A y DS30P1.
Dichas pruebas que se realizaron fueron la distancia
en detectar un objeto cualquiera y la rapidez de
deteccin que realiza el sensor.

Figura17. Prueba en vida real del sensor LJ30A

B. Pruebas

Figura18.- Prueba en vida real del Sensor LJC30A

Figura19. Tren de pulsos (1)

Figura19.- Prueba de proximidad a 60cm

Figura20. Tren de pulsos (2)

Figura20.- Prueba de proximidad a 40cm

Figura21. Tren de pulsos (3)

III.

CONCLUSIONES

El propsito de este proyecto educativo fue

verificar la eficiencia de cada sensor, en que
distancias opera con respecto a la deteccin de un
objeto y a que velocidad puede transmitir los datos
ofrecidos por un objeto.
Tambin podemos decir, que nosotros podemos
manipular su rango de distancia para asi tener una
medicin exacta para realizar nuestra tabulacin.
Figura21.- Tren de pulsos de la figura

IV.

RECOMENDACIONES

Se recomienda, que si desea aplicar este proyecto

y busca mayor sensibilidad, verificar su datasheet
para as trabajar sin inconvenientes y tener el
resultado esperado y concreto.

V.

REFERENCIAS

[1]. Middelhoek S, Hoogerwerf AC (1985) Smart

sensors: when and where? Sens Actuators
8(1):3948 Elsevier Sequoya
[2]. Obermier E, Kopystynski P, Neil R (1986)
Characteristics of polysilicon layers and their
application in sensors. In: IEEE Solid-State
Sensors Workshop
[3]. Frijlink PM, Nicolas JL, Suchet P (1991) Layer
uniformity in a multiwafer MOVPRE reactor for
IIIV compounds. J Cryst Growth 107:167174
[4]. Morgan DV, Board K (1985) An introduction to
semiconductor microtechnology, Wiley, New
York
[5]. Muller RS, Howe RT, Senturia SD, Smith RL,
White RM (eds) (1991) Microsensors, IEEE
Press, Washington, DC
[6]. Rancourt JD (1996) Optical thin films users
handbook, McGraw-Hill, New York
[7]. Ratner M, Ratner D(2003) Nanotechnology: a
gentle introduction to the next big idea. Pearson
Education, New York
[8]. Gad-El-Hak M (ed) (2006) MEMS introduction
and fundamentals. 2nd ed, CRC Press, Boca
Raton, FL
[9]. Seippel, R.G. 1983. Transducers, Sensors and
Detectors. Reston, Virginia: Reston Publishing
Company.
[10]. Summer, E.S. 1969. Electronic Sensing
Controls. Radnor, Pennsylvania: Chilton Book
Company.
[11]. Cluley, J.C., 1985. Transducers for
Microprocessor Systems. New York: Macmillan.
[12]. Edmonds, T.E. 1985. Chemical Sensors. New
York: Blackie and Sons.
[13]. Giachino, J.M. 1986. Smart sensors. Sensor
and Actuator 10:239248.

[14]. Langdon, R.M. 1985. Resonator sensorsA

review. Journal of Physics E: Scientific
Instruments 18(2):103115.
[15]. Sessler, G.M. 1991. Acoustic sensors. Sensors
and Actuators A. 26(1):323330.
[16]. Motamed, M.E. and R.W. White, ed. 1987.
Special issue on acoustic sensors. IEEE
Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics,
and Frequency Control 34(2).
[17]. Blake, M.P., and W.S. Mitchell. 1972.
Vibration
and
Acoustic
Measurement
Handbook. New York: Spartan Books.
[18]. Giles, A.F. 1966. Electronic Sensing Devices.
London: Newnes.

VI.

BIOGRAFIAS

Integrantes:
Erick Mndez Lpez.
Nacido el 03 de Julio del
1993.Estudiante de Ing. Electrnica
del 7mo ciclo de la Universidad
Ricardo Palma.

Danny Alcedo Arteaga.

Nacido el 20 de agosto de
1988.Estudiante de Ing. Electrnica
del 7mo ciclo de la Universidad
Ricardo Palma.