UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

CALLAO
FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES
Y MATEMTICA
CURSO: INTRODUCCIN A LA
CRISTALOGRAFA
TEMA: PARTICULARIDADES DEL PROCESO DE
DISOLUCIN DE LOS CRISTALES
MTODOS PRCTICAS DE OBTENCIN DE
MONOCRISTALES A PARTIR DE UNA FUSIN
MTODO DE CRISTALIZACIN POR SOLUCIN

EVANGELIO VERGARAY,JOS ANDRS

NDICE

1229120453

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA
pg.:
INTRODUCCIN

TEMA 1: PARTICULARIDADES DEL PROCESO DE DISOLUCIN DE LOS

CRISTALES
4
1.1 Velocidad de disolucin
1.2 Hendiduras polidricas microscpicas
7
1.3 Lquidos cristalinos

TEMA 2: METODOS PRCTICOS DE OBTENCIN POR FUSIN DE

MONOCRISTALES 10
2.1 Qu es un monocristal
2.2 El aparato de Kiropulos
2.3 Crecimiento por la tcnica Bridgman-Stockbarger vertical
12
2.4 Proceso de Verneuil
2.5 Proceso de Chrozarlski

10
11

16
18

TEMA 3: METODO POR CRISTALIZACIN POR DISOLUCION

20
3.1 Termostato(forma grfica)

22

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA
FUENTES Y BIBLIOGRAFA

23

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA

INTRODUCCIN

Muchos procesos que ocurren en esta vida pueden dejar perplejos a sus
espectadores, sean estos por su alto grado de complejidad o por su gran
simpleza. De todos modos, todo ello se relaciona en un todo; as lo mismo en la
cristalografa, la forma en cmo ocurre un proceso determinado nos puede dar
pistas y funcionar como pruebas para ideas concebidas del funcionamiento de
lo observado, para la cristalografa: los cristales.
El proceso de disolucin de los cristales y su formacin, puede llegar a ser una
herramienta muy til en estas pocas. Con dichos conocimientos, la
manipulacin de los elementos resulta de una manera ya no compleja, si no
natural para quien lo recurra. Se ha observado que los cristales se encuentran
presentes en muchas partes de nuestra vida, y no nos referimos a slo los
cristales vistosos que podemos encontrar, si no tambin a nuestra biologa:
Protenas, enzimas, el ADN, etc.; as tambin en la industria se ha acrecentado
su uso por las propiedades que estos presentan. Los cristales por su
disposicin y su forma han logrado desarrollar grandes facilidades para el ser
humano como en la informtica, joyera, panales fotovoltaicos, etc.
Por ello, revisaremos aquellas particularidades que se han podido observar al
diluir un cristal y que explican y se pueden explicar de acuerdo a la teora
establecida.

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CRISTALOGRAFA

TEMA 1: PARTICULARIDADES DEL

PROCESO DE DISOLUCIN DE LOS
CRISTALES
Hemos
podido
observar
mediante experimentos como
un cristal colocado en un
disolvente puro o en una
solucin no saturada del
compuesto
del
cristal,
disolver al cristal.
Esto
ocurre,
por
la
interaccin entre la disolucin del material con el cristal, las fuerzas de
interaccin entre los distintos elementos lograrn separar al cristal.
Las caractersticas de como se diluye un cristal dependen de su composicin y
estructura interna.
1.1 Velocidad de disolucin
Ahora bien, se ha observado que al disolverse los vrtices y las aristas lo
hacen con mayor rapidez que las caras, adquiriendo una forma redondeada y
derretida en el proceso.

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CRISTALOGRAFA

(imagen del NaCl disolvindose)

Durante el proceso de disolucin se ve claramente como el cristal obtiene una
forma redondeada, derretida. Esto se puede entender de la siguiente manera,
imaginemos la representacin del cristal en celdas:

El cubo sombreado ser su celda unitaria y los puntos sus puntos de red, los
cuales representan un tomo. La fuerza que
mantenga unidos a tomos contiguos ser la
energa de interaccin que exista entre uno y
otro
tomo,
su
fuerza
de
adhesin
intermolecular, el cual podra graficarse como la
unin entre puntos de red. Entonces si hay
interaccin con un mayor nmero de tomos
contiguos, tendr una mayor resistencia ante la
accin del disolvente para extraerlo de la celda.

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Para una celda que se encuentre en las aristas o los vrtices, estos disponen
de una mayor libertad, lo cual mostrar una disolucin ms acelerada que en
las caras.

(Representacin de la accin del disolvente)

Otro rasgo caracterstico al diluir los cristales es la velocidad con la que se
diluye una cara del cristal: Las caras que crecieron con mayor rapidez se
diluirn tambin con mayor rapidez.
Para el caso de un cristal de NaCl, que presenta una estructura de
+1
empaquetamiento cbico compacto, con los tomos de Na (bolas blancas)
1

y Cl

(bolas negras).

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Imaginemos que un cristal tiene que crecer y que los iones cargados en
solucin pueden depositarse en las caras elctricamente neutras o en los
planos ms cargados. Los iones preferirn depositarse sobre una cara con la
carga opuesta que sobre una cara neutra. Por lo tanto, las caras diagonales
crecern mucho ms rpido que las caras neutras y la forma final ser la de un
cubito. Al disolverse se comenzar por las esquinas dando espacio para que el
disolvente ingrese a las reas expuestas, de manera inversa a como se
gener.
Estas esquinas tienen un origen de creacin.
Esta figura representa una capa de puntos reticulares
en una red cbica. Las lneas representan los planos
posibles en un cristal, y resulta que de estos planos
aquellos que incluyen el mximo nmero de puntos
reticulares son los ms frecuentes, tales como AB y
AC.
El plano AB tiene una densidad de puntos mucho mayor que el plano AD, AE y
AF. Los clculos de la energa implicada indican que le energa de las
partculas en un plano tal como el AB, en el que existe una elevada densidad
de nodos es menor que la energa de las partculas en planos menos
densamente poblados, tal como el AF. De aqu que el plano AB sea el ms

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CRISTALOGRAFA

estable, puesto que en el proceso la

configuracin de ms baja energa es la de
mxima estabilidad. Los planos AF, AD, AE,
etc... crecern, sin embargo ms de prisa
que el AB ya que se necesitan aadir
menos partculas por unidad de rea. En el
proceso de crecimiento, estas caras
inestables, tienden a eliminarse por su
acelerado crecimiento y las caras ms
estables crecern de manera casi perfecta.
Anlogamente, al diluirse las caras
inestables (con mayor velocidad de
crecimiento) que pudieron terminar como
caras o como aristas se eliminarn ms
rpido, mientras que las caras de lenta
disolucin en el proceso resultarn opacas.
Se puede definir que la velocidad de disolucin del cristal ser una funcin
continua de la direccin de crecimiento de la cara del cristal, por la relacin que
existe entre su velocidad y el ngulo con que se forma.

1.2 Hendiduras polidricas microscpicas

Debido a que los cristales poseen una estructura regularmente ordenada,
diferentes planos y direcciones contenidos dentro de ellos tienen diferentes
alrededores atmicos. Estas diferentes disposiciones atmicas a lo largo de los
diferentes planos o direcciones cristalinas dan lugar a las propiedades
vectoriales, dureza, conductividad trmica y elctrica, dilatacin trmica,
velocidad de la luz, velocidad de crecimiento y disolucin. Puesto que la
magnitud de la propiedad depende de la direccin, vara al cambiar de
direccin cristalogrfica.

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Un proceso vectorial discontinuo, corresponden slo a ciertos planos o

direcciones definidas dentro del cristal, no existen valores intermedios de tales
propiedades relacionadas con direcciones cristalogrficas intermedias. Esto
quiere decir que no existe un rango continuo de direcciones que presenten una
propiedad vectorial de este tipo como funcin continua del ngulo.
La velocidad de disolucin se considera como un proceso vectorial discontinuo,
y la disolucin de un cristal o de algn fragmento de cristal puede suministrar
un poliedro ms o menos definido. Un ejemplo ms claro de la naturaleza
vectorial de la velocidad de disolucin lo suministran las figuras de corrosin. Si
un cristal es tratado brevemente con un disolvente qumico que lo ataca, las
caras se corroen.

Las forma de las marcas que se forman es regular y depende de la estructura

del cristal, de la cara que es atacada, de la presencia de impurezas qumicas e
inclusiones y de la naturaleza del disolvente. Puede incluso obtenerse valiosa
informacin acerca de la geometra de la organizacin interna de los cristales a
partir del estudio de tales figuras de corrosin. Aparecen con mayor facilidad
cuando los disolventes son dbiles.

Superficies
y
bordes
corrodos por la hidrlisis

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un grano de anfbol
(ncoles paralelos).

Los antpodas de las figuras de corrosin, salientes de crecimiento, aparecen

ms raramente y tienen un origen completamente diferente, ya que no slo los
origina el crecimiento si no tambin el cambio peridico de crecimiento y
disolucin.

1.3 Lquidos Cristalinos

Los cristales de ciertas sustancias orgnicas, al calentarlos, se transforman en
lquidos con las mismas propiedades pticas que los cristales uniaxiles
(uniaxiales o unixicos). Esto quiere decir que pueden presentar una absorcin
general o selectiva de la luz dependiendo de la direccin de vibracin. En la
actualidad se conocen unas 250 formaciones de esta especie.

(Textura

de un cristal lquido
en fase nemtica)

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CRISTALOGRAFA

Se
suele
de
los
botnico
1888
pareca tener
ao
ms
solvent el
descripcin
materia
cristal.
1922,
fue
vez
de

atribuir el descubrimiento
cristales
lquidos
al
Friedrich Reinitzer que en
encontr una sustancia que
dos puntos de fusin. Un
tarde
Otto
Lehmann
problema
con
la
de un nuevo estado de la
medio entre un lquido y un
Finalmente, Friedel, en
quien habl por primera
"mesofase".

La principal
caracterstica de estos
compuestos
es que sus molculas son
altamente
anistropas en su forma,
pueden ser
alargadas, en forma de
disco u otras
ms complejas como forma
de pia. A
diferencia de los cristales
(orientacin
a
largo
alcance
y
posiciones
ordenadas
a
largo
alcance), los
cristales lquidos tienen
una
orientacin a largo alcance,
pero
posiciones ordenadas a
corto alcance. Adems, contienen intrnsecas propiedades fsicas anistropas.
En funcin de esta forma el sistema puede pasar por una o ms fases
intermedias (mesofases) desde el estado cristalino hasta el lquido. En estas
mesofases el sistema presenta propiedades intermedias entre un cristal y un
lquido.

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TEMA 2:METODOS PRCTICOS DE

OBTENCIN POR FUSIN DE
CRISTALES AISLADOS.

El cultivo de fusin de grandes cristales aislados en forma de poliedros

naturales es una tarea muy difcil, por eso generalmente se limitan a obtener
bloques monocristalinos.

(monocristal de cuarzo sinttico)

QU ES UN MONOCRISTAL?
Un monocristal es un material en el que la red cristalina es continua y no est
interrumpida por bordes de grano hasta los lmites de la muestra. Dicho de otro
modo es un cristal nico generado de un ncleo sin uniones que no
concuerden con su estructura inicial.
En la prctica han adquirido cuatro mtodos de cultivo:

Kiropulos
Bridgman (mtodo del tubo estirado)
Verneuil
Czochralski

Estos cuatro mtodos se basan en el fenmeno de seleccin sealado por

Gross y Moeller.

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Si por ejemplo en el fondo del recipiente surge al mismo tiempo una gran
cantidad de cristales pequeos, en su crecimiento ulterior su nmero disminuye
y, al fin y al cabo sobrevive un cristal que continua creciendo. Las causas de
la seleccin se deben buscar principalmente en la misma geometra del
crecimiento de los cristales y en su orientacin preliminar.
MTODOS:
1. El aparato de Kiropulos.- consta de un horno elctrico de resistencia,
A, un crisol de platino, B, y el refrigerante, C. el refrigerante es una
probeta de platino con un tubito de cobre en el interior, a travs del cual
se puede insuflar aire, mediante cualquier mecanismo el refrigerante se
puede introducir en el crisol y sacarlo lentamente del mismo.

Despus de fundir en el crisol con gran sobrecalentamiento la sustancia

destinada a la cristalizacin, se introduce el refrigerante en la fusin y
se empieza a hacer pasar el aire por l. Despus de formarse en el
extremo en el extremo del refrigerante una pequea excresencia
cristalina de la sustancia a modo de semiesfera se intensifica el
soplado y se empieza a sacar el refrigerante. Cuando la semiesfera
llega a la altura de la superficie del bao de la fusin, de los numerosos
cristales de la semiesfera sobrevive generalmente uno, que contina
creciendo al seguir sacando el refrigerante.
El proceso fue desarrollado por Spyro Kyropoulos para hacer crecer
monocristrales de haluros alcalinos. El crecimiento sumergido como
este permite que la gradiente de crecimiento sea menor que para el
proceso Czchoralzky.

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2. Crecimiento por la tcnica Bridgman-Stockbarger vertical.- para

obtener monocristales de metales de bajo punto de fusin. Un tubo de
metal duro o cuarzo con el extremo inferior estirado en forma capilar se
llena de la sustancia fundida y se suspende verticalmente en el horno
elctrico de forma de tubo.
El enfriamiento del metal se efecta dejando bajar gradualmente el tubo
de cristal hacia el interior de otro tubo de temperatura inferior. La
cristalizacin empieza en el capilar, donde se produce el fenmeno de
seleccin. Como resultado de ello todo el metal se llena de metal
monocristalinos.
Despus de haber realizado varios ensayos y probado la tcnica de
crecimiento de los semiconductores de la familia I-III-VI 2 hemos
establecido varios parmetros adecuados que consisten en mantener
una zona caliente y otra ms fra con una diferencia de 100 0 crendose
entre ella un gradiente de temperatura de 16 0 por centmetro. Cada
capsula tiene una longitud aproximada entre 9 y 11 cm y el lingote
crecido tiene una longitud aproximada de 3 cm, por lo que existe una
diferencia de temperatura de aprox. 500C entre la punta y la cola del
lingote.

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A medida que se desplaza el perfil de temperatura a lo largo de la cpsula, la

punta se coloca ligeramente por debajo del punto de fusin y el semiconductor
en estado lquido se congela formndose una semilla en esa punta. As a
medida que el perfil de temperatura baja lentamente, usualmente 1 0 C/h, se
espera que la semilla crezca en la direccin definida.

Como se mencion anteriormente, es necesario conocer el diagrama de fases

de estos materiales para elaborar el programa de crecimiento adecuado,
considerando el punto de fusin, el cambio estructural en el estado slido y
cualquier otro proceso trmico que pueda presentar estos compuestos.

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Por ejemplo, el procedimiento aplicado para el crecimiento del CIT:135

a) Se incrementa la temperatura en las 8 zonas del horno desde 25 0C

hasta 8500 C con una rapidez de calentamiento de 400C/h. en los
compuestos con telurio es menos probable el riesgo de explosin de la
capsula que los de selenio y de all que se puede calentar en el horno
rpidamente.
b) Debido a que el cobre tiene un punto de fusin de 1083 0C, se contina
elevando la temperatura en las 8 zonas a una rapidez de 10 0C/h hasta
11500C para garantizar la fusin de todos los elementos constituyentes.
Se disminuye la rapidez de calentamiento debido a que la presin de
vapor de cada elemento aumenta con el incremento de la temperatura,
figb.
c) Se mantiene a 11500C durante 24 horas y se hace vibrar la cpsula
peridicamente para lograr la mezcla homognea de los materiales
fundidos.
d) Se baja la temperatura hasta 9200C con una rapidez de 200C/h y a partir
de all se crea el gradiente de temperatura necesario para enfriar el
lingote por partes, es decir, las 4 zonas inferiores se lleva hasta 820 0C a
razn de 100C/h y a las otras 4 zonas superiores se mantienen en 920 0C

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e) Como todava se est sobre el punto de fusin del CIT:135=778 0C, el

horno se enfra lentamente a razn de 1 0C/h hasta 5200C las 4 zonas
inferiores y hasta 6200C las cuatro zonas superiores, pasando por la
temperatura de fusin. Esto es para que el compuesto solidifique en la
punta de la capsula cnica mientras que el resto es lquido, crendose
all la semilla monocristalina del compuesto. Esta tcnica es muy
conveniente pues desplazara a las posibles impurezas que pudieran
existir hacia el extremo ltimo de solidificarse.
f) Luego se igualan las 4 zonas superiores a la temperatura de 520 0C,
siempre a una rapidez de 1 0C/h para favorecer la dinmica de
crecimiento y reacomodo de los tomos en la red cristalina. A esta
temperatura se deja el lingote por 120 horas de recogido a 2/3 del punto
de fusin del compuesto.
g) Finalmente se lleva hasta temperatura ambiente con una razn de
enfriamiento de 400C/h. el crecimiento de cada lingote tarda 26 das
aproximadamente.

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3. Proceso de Verneuil.- Utilizado en su origen para la fabricacin

de corindones sintticos (rub y zafiro), se emplea tambin en la
actualidad para la fabricacin de espinelas. En sntesis, consiste en
dejar caer polvo de almina con el colorante adecuado a travs de una
llama oxhdrica, que por su elevada temperatura (2200 C,
aproximadamente) funde la mezcla. para sustancias de elevado punto
de fusin en particular para el corindn Al 2O3, se utiliza el mtodo
(proceso) de Verneuil.
La sustancia a cristalizar en forma de polvo muy fino, se coloca en el
recipiente L de fondo reticular. Golpeando peridicamente con el
martillo M, la pared lateral de la tolva B, el polvo cae por el tubo A,
sobre la buja E, de material refractario, donde por coccin de la mezcla
detonante forma una mesa desmenuzable. La mezcla detonante se
forma uniendo el oxgeno que pasa a la mufla por el tubo A, con el
hidrogeno que entra por el tubo F. cuando el cono N de la masa
calcinada alcanza una determinada dimensin y forma, las condiciones
de combustin del gas y la posicin del cono cambian, el vrtice del
cono se funden un poco, creando con ello el germen cristalino.
Ulteriormente la temperatura de la llama en el vrtice del cono se
regula de manera que los granitos de polvo fundido caigan en el
germen cristalino, que, creciendo gradualmente hacia arriba, forma el
monocristal esfrico.

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CRISTALOGRAFA

A pesar de algunas mejoras en el mtodo, el proceso Verneuil se

mantiene prcticamente inalterado hasta nuestros das, manteniendo
una posicin de liderazgo en la fabricacin de corindn sinttico y
espinela. Su revs ms importante lleg en 1917, cuando Jan
Czochralski present el proceso Czochralski, que ha encontrado
numerosas aplicaciones en la industria de los semiconductores, donde
se requiere un aumento de la calidad de los cristales que el proceso
Verneuil en parte no puede producir.

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CRISTALOGRAFA

4.-

Proceso de Czochralski.- El mtodo consiste en un crisol

(generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por
ejemplo germanio. La temperatura se controla para que est justamente
por encima del punto de fusin y no empiece a solidificarse. En el crisol
se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un
pequeo monocristal del mismo semiconductor que acta como semilla.
Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, ste se agrega a
la semilla, solidificndose con su red cristalina orientada de la misma
forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va
elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilndrico.
Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusin por zonas
para purificarlo.

(Breve explicacin del proceso Czochralski)

(Lingote de silicio
monocristalino)

Las situaciones de inestabilidad indeseables en la masa fundida se pueden

evitar mediante la monitorizacin y la visualizacin de los campos de
temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de cristales.
Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si
desciende, se forman agregados que no son monocristalinos.
Este proceso se realiza normalmente en una atmsfera inerte, como argn, y
en una cmara inerte, como cuarzo.
Este mtodo es utilizado para la obtencin de silicio monocristalino mediante
un cristal semilla depositado en un bao de silicio. Es de amplio uso en la
industria electrnica para la obtencin de wafers u obleas, destinadas a la
fabricacin de transistores y circuitos integrados.
Ventajas del mtodo:

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El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificacin en

una configuracin confinada) acomoda la expansin volumtrica sin
mayor problema, esto elimina complicaciones que podran surgir cuando
el fundente moja el contenedor.
Por este mtodo se pueden obtener monocristales grandes a altas
velocidades. Actualmente el dimetro de los cristales puede variarse
cambiando los parmetros trmicos. Tambin puede alcanzarse alta
perfeccin cristalina.
Limitaciones:
A pesar de que puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, ste no se
presta para el crecimiento de materiales cuya presin de vapor en el punto de
fundicin de alguno de sus constituyentes sea alta.
Las dificultades primarias estn asociadas con problemas del manejo de la
rotacin y de la sujecin del cristal; y con los requerimientos de la configuracin
trmica para mantener el equilibrio termodinmico entre el vapor y el fundente.
La necesidad de utilizar un crisol en el proceso de crecimiento Czochralski
implica el riesgo de contaminar el fundente. Adems, este mtodo no se presta
para el crecimiento continuo.

(Crisoles usados en el proceso

Czochralski)

(Crisoles despus de ser

usados)

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CRISTALOGRAFA

TEMA 3: METODO POR

CRISTALIZACIN POR DISOLUCION
El proceso de cristalizacin por disolucin consiste en ceder al disolvente el
exceso e sustancia disuelta. De esto se deduce que los cristales pueden
desprenderse solamente de una solucin sobresaturada.
Se denomina solubilidad (o coeficiente de solubilidad) el nmero que indica la
cantidad de gramos de sustancia que puede ser disuelta en 100g de disolvente.
La sobresaturacin se puede obtener de dos maneras:
1) Mediante la evaporacin del disolvente.
2) Bajando la temperatura, ya que para la inmensa mayora de las
sustancias, la solubilidad disminuye en este caso.
En un caso KNO3, la solubilidad aumenta rpidamente con la temperatura de
solucin. En otro caso NaCl, al contrario, con una elevacin de temperatura
desde 00 hasta 1000, la cantidad de sustancia que puede ser disuelta, aumenta
solamente en 5g. Por lo tanto para obtener nuevamente cristales de salitre, hay
que disolverlo en agua hirviendo y despus enfriar la solucin, est claro que
no es conveniente hacer lo mismo para obtener cristales de cloruro sdico; en
este caso se debe provocar una intensa evaporacin del disolvente.

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA

En la inmensa mayora de los casos, la variacin de la temperatura influye

altamente en el grado de solubilidad de la sustancia. Por eso la cristalizacin se
tiene que realizar en termostato, aparatos que automticamente se mantiene
invariable la temperatura determinada. Los termostatos son de varios tipos. En
los termostatos areos, el medio que mantiene constante la temperatura, es el
aire.
En los termostatos de agua, este es el medio. En la cristalizacin se usan
principalmente termostatos de agua, los esquemas de construccin los elaboro
el profesor G. Wulff y despus los perfecciono su discpulo el profesor
shbnikov. Para el calentamiento se puede utilizar el gas o la corriente
elctrica.
El termostato de agua calentado a gas construido por G. Wulff, es un recipiente
metlico de varias decenas de litros de capacidad con paredes cubiertas de
material termoaislante. Se calienta por la parte inferior con uno o varios
mecheros a gas. En estos mecheros se instalan unos casquetes de chacota
con varios agujeros pequeos .Estas boquillas (casquetes) impiden que la
llama pase al interior del mechero cuando la afluencia del gas se reduce
consideradamente.
De la red de retribucin, en direccin hacia los mecheros, el gas debe pasar
por un termorregulador: la parte ensanchada M del tubo del vidrio curvado est
lleno de un lquido de elevado coeficiente de dilatacin con lo cual en volumen

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA

de la parte M es muy sensible la variacin de temperatura. En los termostatos

de G. Wulff la parte ensanchada M del termorregulador se llena de tolueno. En
tubo P est lleno de mercurio, cuyo excedente se haya en la parte superior
ensanchada B. El gas viene por el tubo H pasando por la parte ensanchada B,
se dirige hacia el mechero. Al elevarse la temperatura, el tolueno se dilata, el
mercurio del tubo B haciende, con lo cual disminuye el espacio libre para el
paso del gas. El mechero empieza a calentar menos, la temperatura baja,
desciende el mercurio y el paso del gas hacia el mechero aumenta. En la parte
superior ensanchada B hay un pequeo orificio hasta el cual no puede llegar el
mercurio. Este orificio se ha hecho para que pase cierta cantidad de gas y no
se apague el mechero , aun cuando el mercurio intersecte la boca del tubo H
en el interior del termostato hay un dispositivo para que se mezcle
continuamente el agua que llena el termostato .Los cristalizadores se colocan
en unos soportes especiales de manera que la mayor parte de su volumen se
halle sumergida en el agua del termostato , el nivel de agua evidentemente,
debe ser inferior a la altura en las paredes de los cristalizadores .

INTRODUCCION A LA

CRISTALOGRAFA

FUENTES Y BIBLIOGRAFA

Principios de cristalografa - E. Flint

Cristalografa y mineraloga - Celia marcos
Introduccin a la cristalografa Lic. Carlos Alberto Quiones
Monteverde
Manual de minerologa
Cornelis Klein, Cornelius S. Hurlbut

WEBS BIBLIOGRFICAS:
https://es.wikipedia.org/wiki/Cristal_l%C3%ADquido
https://es.wikipedia.org/wiki/Proceso_de_Verneuil
https://es.wikipedia.org/wiki/Proceso_Czochralski
https://es.wikipedia.org/wiki/Cristal_l%C3%ADquido