INTRODUCCIN
El transistor JFET funciona mediante la excitacin
de su material n o material p por un potencial
aplicado entre los terminales Gate y Source, que
se denota como VGS, valores que al ser ubicados
en un plano en el eje de las abscisas junto con el
valor correspondiente de la corriente que pasa por
Drain y Source, IDS, en el eje de las ordenadas, se
puede observar la curva caracterstica del
transistor, el cual cuenta con tres zonas: hmica,
Activa y Corte. En esta prctica de laboratorio se
trabaja en la zona activa, ya que permite
mantener un flujo casi uniforme de corriente frente
a un valor de potencial aplicado en el Gate, para
as lograr una primera etapa de amplificacin de
la seal de entrada, todo esto con sus respectivos
condensadores de acople y desacople segn lo
visto en clase.
Siguiendo con la seal pre-amplificada a la
segunda etapa, la cual contiene un transistor tipo
BJT, el cual mediante un divisor de tensin se
encuentra en su zona activa, dando as la mayor
amplificacin del circuito al analizarlo por etapas.
Figura1.Circuito Amplificador
Anlisis en DC
Para realizar esta prctica primero se debe
analizar el equivalente del circuito en DC, que se
puede observar en la Figura 2:
Anlisis en AC
En la Figura 3 se puede observar la imagen del
equivalente del circuito para el anlisis en AC,
para el transistor JFET en este anlisis se utiliz
su equivalente en el modelo que es muy similar
al modelo del BJT, y para el transistor BJT se
utiliz su equivalente en el modelo T, ya que este
modelo es muy til cuando se tienen resistencias
en el emisor.
La
que se va a utilizar es
ser ms grande que la
.
porque no puede
)
(
))
(
[
]
(
)
------------------------------------------------------------------
((
))
((
))
SIMULACIN
-----------------------------------------------------------------(
( )
Voltaje de salida
(
2. CIRCUITO
AMPLIFICADOR
EN
CASCADA CON TRANSISTORES BJT Y
JFET (2SK105)
Anlisis en AC
En la Figura 9 se puede observar la imagen del
circuito del anlisis en AC, primero con el modelo
del JFET que es muy similar al modelo del BJT,
seguido de este, est el modelo del BJT del cual
utilizamos el modelo T, ya que esta es muy til
cuando se tienen resistencias en el emisor.
(Mxima transconductacia)
La
que se va a utilizar es
ser ms grande que la
.
porque no puede
(
))
(
La ganancia total del circuito es:
-------------------------------------------------------------------
((
Como la ganancia no da del 100%, entonces hay
que acomodar los datos para poder obtener esta
ganancia. La ganancia que se va a acomodar es
la del transistor BJT de la siguiente manera:
Se hace la ganancia igual a:
, ya que es lo que necesitamos para
tener una ganancia del 100%.
Luego de la siguiente formula se despeja RL
))
-------------------------------------------------------------------
((
)Voltaje de entrada
(
SIMULACIN
Voltaje de salida
(
(
)
Barrido experimental
Figura15.
Grfica
experimental
del
barrido
Tabla de resultados
Vp
IDSS
VGS
Valores
calculados
2.5V
6.8ma
-0.95V
Valores
medidos
3.5V
5.5mA
-0.7V
Diagrama de bloques
3. RESULTADOS EXPERIMENTALES
El circuito montado fue el cual tiene el
JFET
2SK105 debido a que el BF245A est
descontinuado y este es un reemplazo aceptable
para este componente.
4. CONCLUSIONES
Inicialmente se puede concluir que para este
ejercicio de circuito amplificador en cascada, se
tienen dos diferentes familias de transistores para
dos objetivos distintos, para empezar, la etapa
con el JFET se encarga de proporcionar un buen
acople a la seal con su gran impedancia de
entrada pero debido a esto no proporciona una
ganancia significativa para la amplificacin de la
seal, es por esto que es necesaria una segunda
etapa implementando un BJT que proporcionara
una mejor amplificacin debido a las altas
ganancias que se pueden obtener a partir de
estos transistores. Los transistores JFET tienen
una amplia gama de usos comerciales, por lo
tanto para este laboratorio es importante
5. BIBLIOGRAFA
corporation/2SK105_and_IFN105.
pdf
Malvino, A. P. (2000). Principios de
Electrnica. (J.
L. Alba Castro, & C. L. Cortn,
Trads.) Madrid, Espaa: Mc
Graw Hill.