CALLAO
TEMA: CONDUCTIMETRIA
INTEGRANTES:
CDIGO:
1225120505
1225120559
NDICE
INTRODUCCION
3
1. OBJETIVOS
4
2. FUNDAMENTO
TEORICO
5
2.1 CARACTERISTICAS
DEL
SILICIO
Y
GERMANIO..5
2.2 OTENCION
DEL
GERMANIO.
8
2.3 OBTENCION
DEL
SILICIO.
8
2.4 DEFINICION
SEMICONDUCTORES
11
3. APLICACIONES
DEL
SILICIO
Y
GERMANIO27
3.1. APLICACIONES DEL
SILICIO..27
3.2. APLICACIONES
DEL
GERMANIO31
3.3. APLICACIN
EN
SENSORES
.37
4. CONCLUSIONES
39
5. ANEXOS
.40
6. REFERENCIAS
.44
INTRODUCCION
1. OBJETIVOS
2. FUNDAMENTO TEORICO
2.1
2.1.1
PROPIEDADES:
smbolo, nmero : Si, 14
Serie qumica:
Metaloides
Grupo, perodo, bloque :
14, 3, p
Masa atmica:
28,0855 u
Configuracin electrnica:
[Ne]3s2 3p2
Dureza Mohs:
6,5
Electrones por nivel
: 2, 8, 4 (imagen)
Propiedades atmicas:
Radio medio
:120 pm
Electronegatividad:
1,9 (Pauling)
Radio atmico (calc): 111 pm (Radio de Bohr)
Radio covalente :111 pm
Radio de van der Waals:
210 pm
Estado(s) de oxidacin: 4
xidoAnftero
1. Energa de ionizacin:
786,5 kJ/mol
2. Energa de ionizacin:
1577,1 kJ/mol
3. Energa de ionizacin:
3231,6 kJ/mol
4. Energa de ionizacin:
4355,5 kJ/mol
5. Energa de ionizacin:
16091 kJ/mol
6. Energa de ionizacin:
19805 kJ/mol
7. Energa de ionizacin:
23780 kJ/mol
8. Energa de ionizacin:
29287 kJ/mol
9. Energa de ionizacin:
33878 kJ/mol
10. Energa de ionizacin:38726 kJ/mol
Propiedades fsicas:
Estado ordinario :Slido (no magntico)
Densidad : 2330 kg/m3
Punto de fusin :1687 K (1414 C)
Punto de ebullicin:
3173 K (2900 C)
Entalpa de vaporizacin:
384,22 kJ/mol
Entalpa de fusin: 50,55 kJ/mol
Presin de vapor :
4,77 Pa a 1683 KGERMANIO
Estructura cristalina :Cbica centrada en las caras
Calor especfico
700 J/(Kkg)
Conductividad elctrica
4.3510-4 S/m
Conductividad trmica 148 W/(Km)
Velocidad del sonido
8433 m/s a 293,15 K (20 C)
2.1.2
GERMANIO
PROPIEDADES:
Smbolo, nmero, Ge, 32
Serie qumica: Metaloides
Grupo, perodo, bloque: 14, 4, p
Densidad: 5323 kg/m3
Dureza Mohs: 6
Apariencia: Blanco grisceo
N CAS 7440-56-4
N EINECS 231-164-3
Propiedades atmicas:
Masa atmica: 72,64 u
Radio medio: 125 pm
Radio atmico 125 pm (Radio de Bohr)
Radio covalente 122 pm
Configuracin electrnica [Ar] 3d10 4s2 4p2
Electrones por nivel de energa: 2, 8, 18, 4
Estado(s) de oxidacin: 4
xido Anftero
Estructura cristalina: Cbica centrada en las caras
Propiedades fsicas:
Estado ordinario : Slido
Punto de fusin: 1211,4 K
Punto de ebullicin :3093 K
Entalpa de vaporizacin : 330,9 kJ/mol
Entalpa de fusin: 36,94 kJ/mol
Presin de vapor: 0,0000746 Pa a 1210 K
Velocidad del sonido 5400 m/s a 293.15 K (20 C)
Electronegatividad (Pauling): 2,01
Calor especfico: 320 J/(Kkg)
Conductividad elctrica 1,45 S/m
Conductividad trmica : 59,9 W/(Km)
1. Energa de ionizacin: 762 kJ/mol
2. Energa de ionizacin: 1537,5 kJ/mol
2.2
OBTENCION DE
GERMANIO
2.3
OBTENCION DE SILICIO
10
11
12
.
Este es el procedimiento ms comn para la obtencin del silicio
grado electrnico (ge)con pureza del 99,9 %.
2.4
Semiconductores
13
Cristales de silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para
formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto
se debe a los "Enlaces Covalentes", que
son las uniones entre tomos que se
hacen compartiendo electrones
adyacentes de tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que mantiene unidos
los tomos de Silicio.
Cada tomo de silicio comparte sus 4
electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como
se ve en la figura.
La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones
que quedan ( aunque sean compartidos ) con cada tomo, gracias a esta
caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar
fuertemente unidos en los tomos.
14
Enlace
es una
Segn un
convenio ampliamente aceptado tomaremos la
direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones
libres.
Dopado de un semiconductor
Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con tomos de valencia 5.
15
16
Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor de la
figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un
hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina
con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del
cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera.
Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el nmero de huecos
supera el nmero de electrones
libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los
minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los
huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con
los electrones libres del circuito externo.
En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los
electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda.
Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable
en este circuito.
17
El diodo no polarizado
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad,
pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra
mitad de tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre
otras cosas forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un
electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado
en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado.
El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un circulo y con
un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).
Entonces la representacin de un SC
tipo n sera:
Y la de un SC tipo p:
Zona de deplexin
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se
dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden
y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se
convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el
hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de
valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un
par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa.
18
Barrera de potencial
Los dipolos tienen un campo elctrico
entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la
zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La
intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta
llegar al equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es
equivalente a una diferencia de
potencial llamada "Barrera de Potencial"
que a 25 C vale:
0.3 V para diodos de Ge.
Polarizacin directa
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el
terminal negativo de la fuente est
conectado al material tipo n, diremos
que estamos en "Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa
tendra esta forma:
En este caso tenemos una corriente
que circula con facilidad, debido a que
la fuente obliga a que los electrones
libres y huecos fluyan hacia la unin.
Al moverse los electrones libres hacia
la unin, se crean iones positivos en el
extremo derecho de la unin que
atraern a los electrones hacia el
cristal desde el circuito externo.
As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente
y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo
tomaremos siempre contrario al del electrn.
19
Polarizacin inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de
continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo de la batera conectado al
lado p y el positivo al n, esta conexin se
denomina "Polarizacin Inversa".
En la siguiente figura se muestra una
conexin en inversa:
20
La barrera de energa
Para poder comprender como funcionan los dispositivos semiconductores,
es necesario conocer el modo en que los niveles de energa controlan la
accin de una unin pn.
Ahora se ver como se forma la barrera de potencial de 0.7 V en el diodo.
Veremos 5 puntos:
Antes de la difusin
Empieza la difusin y la recombinacin
Equilibrio
Polarizacin Directa
Polarizacin Inversa
Antes de la Difusin
Zona p y n antes de unirse:
21
Esto es porque +5 atrae ms fuertemente que +3. A mayor carga atrae con
ms fuerza, disminuye as el radio, con lo que la energa es menor.
22
Al recombinarse, la
energa que hay desde el
nivel que tena al que est el hueco al que ha saltado la tiene que saltar y la
suelta en forma de calor (un diodo se suele calentar) o tambin en forma de
radiacin que puede ser visible (Led) o no.
Esto contina hasta que se llega a 0.7 V y se llega al equilibrio.
Equilibrio
Al llegar a 0.7 V las bandas se han desplazado. Han subido hasta que el
nivel inferior de p este al mismo nivel que el nivel superior de n.
23
Polarizacin Directa
Ahora romperemos el equilibrio poniendo una pila.
La pila es una "Energa Externa" que hace subir los niveles de la zona n.
Esta pila en directa elevar el nivel de energa de la zona n.
24
Polarizacin Inversa
Otra forma de romper el equilibrio es con la Polarizacin Inversa, que se da
poniendo la pila al revs que en el caso anterior.
25
Al poner la pila de esa forma aumenta el W porque la pila atrae a los huecos
y los electrones.
Y se ensancha la W hasta igualarse la barrera de potencial al valor de la pila
externa. En este ejemplo se llegar al nuevo equilibrio al llegar esa barrera
de potencial al valor de 5 V.
Las bandas de energa de la zona n bajan respecto a la zona p, y no hay
corriente.
EL DIODO DE UNIN
Antes de ver el diodo vamos a ver las caractersticas de la resistencia.
26
Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las
tensiones son negativas.
27
28
La zona directa
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:
Tensin Umbral
Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo
conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la
intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.
29
Resistencia Interna
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir
que se comporta como una resistencia.
La zona inversa
En polarizacin inversa tenamos un corriente que estaba formada por la
suma de los valores de la corriente I S y la corriente de fugas If:
Hay que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se rompe por
avalancha (excepto si es un Zener).
30
31
La
integracin en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en
32
33
34
3.2.
35
El
36
37
1014
cm3 ,en
NOTA:
El germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones electrnicas que hoy son
cotidianas. Entre 1950 y 1970, hubo una enorme demanda de germanio en la
industria electrnica, hasta que fue sustituido por el silicio, que tiene ms
propiedades elctricas.
Se debe saber que las aplicaciones del germanio se ven limitadas por su
elevado coste. Los minerales rentables para su extraccin son la germanita y la
ranierita. La mayor parte se obtiene en forma de xido (GeO2) como
subproducto de la obtencin del zinc o la combustin del carbono.
38
tecnologas actuales ,por lo que se han realizado una gran cantidad de estudios
experimentales y tericos de nanoestructuras de germanio .
Existen varios tipos de nanoestructuras de distintos materiales ,en el caso del
germanio existe gran atencin hacia estructuras como nanocristales los
nanoalambres y el Pge .
Nanocristales de Ge
Nanoalambres de germanio
39
germanio poroso
40
3.3.
41
42
4. CONCLUSIONES
43
5. ANEXOS
5.1.
Modelos equivalentes lineales aproximados
del diodo
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada
una de ellas es til en ciertas condiciones.
2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por
0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque
44
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
45
46
5.2.
47
6. REFERENCIAS
INTERNET:
PGINA WEB: www.europapress.es /noticia-germanio-redescubiertomicroelectrnica.
PGINA WEB: www.amazings.com/ noticias/041109d.html
PGINA WEB: WWW.books.google.com.pe/ futuro-de-silicio-ygermanio.
PDF:
Diodos.Pdf /www.global.lvs.com
RMF47202.Pdf /www.fbcdna.net
Tecnologa+Memes.Pdf /www.attachment.com
48