Informe Previo No.

2: La Caracterstica Exponencial del

Transistor Bipolar
Resumen- Obtener experimentalmente el contenido armnico de
la corriente de colector del transistor bipolar.

I.

INTRODUCCIN

Para el presente laboratorio se estudiara las caractersticas del

transistor bipolar, utilizando el circuito mostrado en la fig.3,
analizando la corriente del colector del transistor y la seal
en la salida Vo que produce el voltaje Vin.

Transistor Bipolar
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en
contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido por
tres regiones semiconductoras, emisor, base y colector,
siendo la regin de base muy delgada (< 1m). El modo
normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa.
En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los
terminales del transistor se muestran en la fig.1.

II.

CUESTIONARIO.

Fig. 2. Zonas de operacin de un transistor bipolar.

Ebers

Moll
desarrollaron
un
modelo que
relacionaba
las
corrientes con
Fig. 1. Smbolos y sentido de referencia tensiones en
las
de un transistor bipolar.
los
terminales del
transistor. Este modelo, establece las siguientes ecuaciones
generales:

Donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para

las uniones emisor y colector, respectivamente, F el factor
de defecto y R la fraccin de inyeccin de portadores
minoritarios.
Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros
estn relacionados mediante el teorema de reciprocidad.
Valores tpicos de estos parmetros son: F=0.99, R=0.66,
IES=10-15A y ICS=10-15A.
En la fig.2 se muestra las zonas de operacin de un transistor
bipolar, en la regin directa.

Fig. 3. Amplificador.

1.

Calcule el punto de operacin del transistor del amplificador

de la fig.3.

Analizando en DC, el circuito de la fig.3, cuando est en

resonancia.
Tomando en cuenta algunas aproximaciones:

IC I E

IB 0

Vcc R2
VBE
R1 R2
IC I E
R3

Remplazando valores que sugiere el circuito de la fig.3.

vT

(n2 n3 )
(n n3 )
v0 2
n1
n0

v0 vT (

Finalmente, si
correccin

v0 g m (

Remplazando los valores sugeridos en el circuito de la fig.1,

tenemos:

12 x 22 K
0.7
I C 22 K 22 K
10 K

n3
)
n1

Vin Vm cos( wt ) , introducimos el factor de

n3
n 2I
) RC vin g m RC ( 3 ) 1( x ) Vin
n1
n1 xI 0( x )

I
n3
V
)Vin ; x m , g m CQ
n1
VT
VT

v0 Gm ( x ) RC (

De la relacin del nmero de vueltas en el inductor, obtenemos

VA y VB.

vB Gm ( x ) RCVin

I C 0.53mA

2 I1( x )
, con Gm ( x ) g m
n1
v A Gm ( x ) RC (
)Vin
xI 0( x )
n2 n3

Hallando el VCE.

VCE VCC I C ( R3 R4 )
3.

Remplazando valores.

VCE 12 0.53m(10 K 1K )
VCE 6.17V

2 I 2( x )

para los valores de Vin = 20,

I 0( x )

50, 70, 100, 200, 300, 350mV.

Ayudndonos de la teora del libro de Clark & Hess, tenemos
las siguientes ecuaciones.

Por tanto el punto de operacin del transistor es:

I C 0.53mA

VCE 6.17V
2.

Gm ( x ) y

Calcule

iC I ES e
iC I ES e

Determine una expresin general para VA, VB y V0 en

resonancia asumiendo los datos de la bobina y un QT alto (los
datos de transistor son conocidos).

VBE
VT

VBE
VT

Vm cos( wt )
VT

, si x

Vm
VT

e x cos( wt ) I EQ e x cos( wt )

Desarrollando en series de Fourier.

I

iC I EQ I 0( x ) 1 2 n ( x ) cos(nwt )
n 1 I 0( x )

Hallando los coeficientes de la serie de Fourier, mediante la

Funcin de Besel Modificada, detallada en el Apndice del libro
de Clark & Hess.

In( x)
Analizando el circuito en AC en resonancia, tenemos:
Fig. 4. Circuito equivalente utilizando parmetros .

VA g m RCVin

VA

RC I CQ
VT

Vin

1
2

e x cos cos n d

Para calcular lo que nos piden:

I 2( x )
I 0( x )

Gm ( x ) g m

e x cos cos 2 d

2 I1( x )
xI 0( x )

e x cos d

(1)

gm

2 e x cos cos d

x e x cos d

(2)

v0 Gm ( x ) RC (

2In( x)

I 0( x )
n3
n
1
) 1
( 2 )( ) Vin
2 I1( x ) n 1 QT
n1
n 1

I 0( x )

De las ecuaciones (1) y (2), se hacen los clculos, cuyos

resultados se muestran en la tabla 1, teniendo en cuenta que:

Vin
Vin

VT 26mV

gm

III. MATERIALES Y EQUIPOS

VT
26mV

49.05
I CQ 0.53mA

Vin (mV)
20
50
70
100
200
300
350

X
0.77
1.92
2.69
3.85
7.69
11.54
13.46

Gm(x)
44.92
34.82
28.52
21.83
11.9
8.12
7.01

2I2(x)/I0(x)
0.14
0.57
0.83
1.11
1.51
1.67
1.71

POSICIN

NOMBRE

VALOR

Q1

Transistor

BF 494

Bobina de FI de AM

R1

Tabla.1.Valores de gm(x) y 2I2(x)/I0(x), para distintos valores de Vin.

Resistencia
Rp

Potencimetro

100K

C1, C2

Condensador
Electroltico

1F
3x 10F
47pF
100pF

C3
4.

Para

t
Vin 260mV cos( 0 )
n

encuentre

Condensador Cermico
Fuente de alimentacin
doble

una

Osciloscopio

expresin general para Vo(t).

Generador de seales

De la expresin para vo, desarrollado en el libro de Clark &

Hess.

Multmetro Digital.
Tabla. 1. Tabla de materiales.

v0 Gm ( x ) RC (

2I n( x)

I 0( x ) cos t
n3
)vin 1
2 I1( x )
t

n1
n 1
cos( )

n
I 0( x )

De la propiedad:

Z L ( j )
Z

L ( j )
n

Con

n 1
n 1 QT
2

Vm 260mV

10
VT
26mV

Gm (10) 9.3

Blanca
Negra
amarilla
47
2X 1K
2X 10K
2X 22K

30V