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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

FACULTAD DE INGENIERIA
ELECTRONICA Y ELECTRICA

RESPUENSTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA


SOLA ETAPA
I.

OBJETIVOS

Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de


audio
Amplificador en frecuencias altas

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores est fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
En general, se har la suposicin de que la respuesta en frecuencia viene
fijada por un POLO DOMINANTE. De esta manera, el anlisis en alta
frecuencia se reduce al clculo de la frecuencia de corte superior asociada a
este polo dominante. 9
El clculo del polo dominante se realizar aplicando el MTODO DE LAS
CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.
Mtodo de las Constantes de Tiempo en Circuito Abierto.
Dnde:
Ci son cada uno de los condensadores que actan en alta frecuencia:
Condensadores intrnsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o
condensadores pequeos de caracterstica paso-bajo introducidos para
controlar la respuesta en frecuencia del circuito.

R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN


CIRCUITO ABIERTO

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Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya


que un solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de banda
audible. Para esto se suele utilizar divisores de frecuencias o crossover

Muchos fabricantes, en lugar de usar slo las audiofrecuencias, para proteger a


los amplificadores de perturbaciones supra snicas o subsnicas, lo que hacen
es medir la respuesta en frecuencia para una banda de frecuencias superior
(generalmente de 12 a 40.000 Hz). En este caso una respuesta en frecuencia
ptima debe estar en torno a 3 dB por encima (+ 3 dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos

los

condensadores

de

acoplamiento, C1 y C2,

desacoplo CE en cortocircuito.
II.

INFORME PREVIO

1. Definir: rbb, rbe, rbc, cbe, cbc , f y ft

rbb: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parmetro


h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido
, esta se denomina a menudo como r si se aplica un corto circuito
entre el emisor y colector, se obtiene:

hie=r =rbb +rb e / rb c

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rbe:

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La resistencia de entrada (r en el modelo hibrido) se aproxima

por medio de la razn:

r =

Vb e
Ib

rbc: Resistencia de retroalimentacin, rce ; resistencia de salida del


transistor.
cbe y cbc; son las capacitancias parasitas del transistor. cb c es la
capacitancia de la unin colector-base a pesar de que es una
capacitancia variable, suele considerarse constante en una regin de
operacin particular del transistor. La capacitancia cb e, la cual es
capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas
de datos como Cib. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de
difusin del emisor y la capacitancia de la unin del emisor. Debido a
que el primer capacitor es el ms grande de los dos, cb e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusin (conocida tambin
como capacitancia de carga de la base).
f y ft : son frecuencias caractersticas, f B es la frecuencia para cuando
el factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
mxima de operacin del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.
2. En el circuito del experimento (fig 5) de cuerdo al modelo pi del transistor
en altas frecuencias , encontrar la expresin f / ft

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56k

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1.5k
C4

R4

C3

1k

22F

22F
V1
12 V

XFG1
12k

0.68k

C1
100F

10k

Modelo Hibrido

Cbc

rbb

gmVbe
rbe

Del circuito mostrado


1+ jwrb e(Cb e+ Cb c )
Ib e
Ic hfeIb e
Ai= =

Ib

Cbe

rce

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Ai ( jw)=

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hfe
(1+ jwrb e (Cb e+ Cb c ) )

Frecuencia de corte:

W B=

1
rb e ( Cb e+Cb c )

Calculo de ft: (frecuencia mxima de operacin del transistor)

1+w 2( rb e ( Cb e+Cb c )2)

hfe
Ai

Ai

hfe

Por tanto:

(1+

wT 2
w B2

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w T=

hfe1

(rb e ( Cb e+Cb c ) )

f T=

hfe1

2 ( rb e ( Cb e+Cb c ) )

Pero hfe2>>1

f T=

hfe
2 ( rb e ( Cb e+Cb c ))

De esta ecuacin y tambin de:

W B=

1
rb e ( Cb e+Cb c )

Tenemos:
fB 1
=
f T hfe

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3. Considerando que cbc <0.1-50p F>, cbe<100-1000p F> rbe=VThfe/IEQ,


encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.
Consideremos un B=100, R B=56k//12k, Ri=1k, RL=10K. La
corriente de polarizacin del transistor IQ=1.99m A.

rb e=

26 mB
=1306.53
1.99 m A

Rin=RB/ rb e=1153.96
Ri/ Rin=535.7

Av =

f=

RL/ RC 1304.34
=
=99.87
rb e/ B
13.06

1
2 (Ri / Rin) cb c (1+ 99.87 )

4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor ser ms


conveniente? por qu?

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La configuracin hibrida , es la ms conveniente para altas frecuencias


ya que cuenta con los parmetros que salen a relucir para altas
frecuencias como las capacitancias parasitas.

Cbc

rbb

gmVbe
rbe

III.

Cbe

MATERIAL Y EQUIPOS

Transistor 2n2222

Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k

Condensadores 2(22uf), 100uf

Multmetro digital

Generador de audio

rce

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Fuente DC

IV. PROCEDIMIENTO
1. Implementa el circuito de la figura 5

2. Sin aplicarla seal a medir

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3. Encontrar una salida mxima sin distorsin


100mv--------60Hz

100mv------------1Mhz

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4. Llenar la siguiente tabla. Note que el punto de corte superior se


encuentra a una frecuencia en que vo es 0.707 de su valor

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V.

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BIBLIOGRAFIA

TEORIA DE CIRCUITOS
CIRCUITOS ELECTRONICOS
CIRCUITOS ELECTRONICOS

R.BOYLESTAD
GHAUSI
SCHILLING