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ING. ELECTRONICA

Materia: Electrnica analgica II

CATEDRTICO:
Alejandro Villegas Gonzales

ALUMNOS:
Andrade No Mauricio
Nahuacatl Rodrguez Carlos Alberto
Rojas zapotitla Yair

 Objetivo
Determinar el comportamiento del ancho de banda de un transistor bjt a bajas
frecuencias y determinar las frecuencias de corte del amplificador

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores
1 Transistor BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
1 multmetro
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica
La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres reas:
La regin de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasa alto.
Una regin independiente de la frecuencia (rea central de la curva).

 La regin de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasa bajos.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se

puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la baseemisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que
significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los

BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de
stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de
galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el

porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un
diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

Desarrollo de la practica
Como se muestra en la figura el circuito armado fue un amplificador de pequea
seal el cual al aplicarle diferentes frecuencia veremos el comportamiento de este
sistema. As tambin se determinaran la frecuencia de corte de este circuito a
bajas frecuencias.
XBP1

XSC2
IN

Tektronix
P
G

1 2 3 4

OUT

R1
39k

V1
12 V

R2
1.8k

C2

Q1

C3

V2
20mVrms
10kHz
0Deg

1uF
IC=0V

1uF
IC=0V

R5
10k

BC547C

R3
15k

R4
220
C1
R6
1k

10uF

Los clculos realizados para el valor de las resistencias y se calcul las

frecuencias de corte a bajas frecuencias mediante el teorema de Miller y anlisis
en la frecuencia.
Se propone ICQ=2mA, Av=10, re=180, =100
De la siguiente expresin se despeja RC

RC / RL
+r ' e

Av =

Se calcula la re
'

r e=

25 mV 25 mV
=
=12.5
ICQ
2 mA

RC= Av(re+re)= 10(180+12.5)= 1925

De la siguiente formula se despeja RE
RC+ + r ' e=

VCCVCE
ICQ

RC + + r ' e=

12 Vs6 Vs
2 mA

'

RC + + r e=3 K

RE=3K-1925-12.5 = 1062.5
Se calcula Rb para poder determinar R1 y R2
VBB=Rb IB + VBE + IE RE
Rb=

IB=

RE
10
ICQ

(100)(1062.5)
10

= 10625

= 20A

VBB= 10625 20A + 0.7Vs + 2mA 1062.5

VBB= 3.03 Vs
R 1=Rb

R 2=

VCC
12 Vs
=10625
VBB
3.03 Vs

= 42.07 K

Rb
10625
=
=14.21 K
1VBB /VCC 13.03 Vs /12 Vs

Se calcula la impedancia de salida para determinar el valor del capacitor CE

Zout= Re+re // (re +

R 2/ R 1

Zout= 1062.5 + 180 // (12.5 +

14.21 K / 42.07 K
100

Zout= 108.36
1
CE= 2 Rf

1
= 2 108.36 200 Hz

= 7.34F

1
f1= 2 RC

1
= 2 108.367.34 F

= 200.10 Hz

Resultados
Circuito Armado

En la simulacin se obtuvo la siguiente grafica:

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

La grafica que
obtuvimos de
nuestro circuito
RC en bode es
la siguiente:

 Conclusion

En la demostracin de la prctica concluimos que el circuito CR acta como un

filtro pasa altas y solamente tiene una frecuencia de corte a bajas frecuencias.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

 Objetivo
Determinar el comportamiento del ancho de banda de un transistor bjt en altas
frecuencias y determinar la frecuencia de corte del amplificador.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
U1

Bjt_npn1

 Introduccin terica

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se

puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la baseemisor.La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est
compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El
colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones
inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el
valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que
significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,

pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas

por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los
BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de
stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de
galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un
diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn
est representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y
es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn, F. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

 Desarrollo de la practica
Como se muestra en la figura el circuito armado fue un amplificador de pequea
seal el cual al aplicarle diferentes frecuencia veremos el comportamiento de este
sistema. As tambin se determinaran la frecuencia de corte de este circuito a
altas frecuencias.

XBP1

XSC2
IN

Tektronix
P
G

1 2 3 4

OUT

R1
39k

V1
12 V

R2
1.8k

C2

Q1

C3

V2

1uF
IC=0V

20mVrms
10kHz
0Deg

1uF
IC=0V

R5
10k

BC547C

R3
15k

R4
220
C1
R6
1k

10uF

Los clculos realizados para el valor de las resistencias y se calcul las

frecuencias de corte a altas frecuencias mediante el teorema de Miller y anlisis
en la frecuencia.
Clculos realizados
Se propone ICQ=2mA , Av=10, re=180 , =100

De la siguiente expresin se despeja RC

Av =

RC / RL
+r ' e

Se calcula la re
r ' e=

25 mV 25 mV
=
=12.5
ICQ
2 mA

RC= Av(re+re)= 10(180+12.5)= 1925

De la siguiente formula se despeja RE
RC+ + r ' e=

VCCVCE
ICQ

RC + + r ' e=

12 Vs6 Vs
2 mA

'

RC + + r e=3 K

RE=3K-1925-12.5 = 1062.5
Se calcula Rb para poder determinar R1 y R2
VBB=Rb IB + VBE + IE RE
Rb=

RE
10

ICQ
IB=

(100)(1062.5)
10

= 10625

= 20A

VBB= 10625 20A + 0.7Vs + 2mA 1062.5

VBB= 3.03 Vs
R 1=Rb

VCC
12 Vs
=10625
VBB
3.03 Vs

= 42.07 K

R 2=

Rb
10625
=
=14.21 K
1VBB /VCC 13.03 Vs /12 Vs

Se toman los siguientes valores de la hoja de especificaciones del transistor:

Ce=6pF
Cc=3.5pF
fT=300MHz
Se calcula Ce
1
Ce= 2 fT r ' e

1
(2 )(300 MHz)(12.5 )

= 42.44pF

Av=10
Cin(M)= Cc (Av+1) = 3.5pF (10+1) = 38.5pF

1
f2= 2 RC
C=Ce+Cin(M) = 42.44pF + 38.5pF = 80.94pF
R= rg//Rin(base)
rg= RG//R1//R2 = 42.07K // 14.21K = 10.6K
Rin(base)= re = 100 12.5 = 1250
R= 10.6K//1250 = 1.1K
1
f2= 2 1.1 K 80.94 pF

Salida
C=Cout (M) + Cp

= 1.78MHz

Cout(M) = Ce

Av +1
Av

= 42.44pF

10+ 1
10

= 46.6pF

R= RC//RL = 1925//10K = 1.6K

Para que corte en 200KHz se calcula el capacitor

1
C= 2 1.1 K 200 KHz

= 723.4pF

Resultados
Circuito Armado

En la simulacin se obtuvo la siguiente grafica:

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

La grafica que
obtuvimos de
nuestro circuito
RC en bode es
la siguiente:

Conclusion

En la demostracin de la prctica concluimos que el circuito CR acta como un

filtro pasa bandas y encontramos en el dos frecuencias de corte a altas
frecuencias.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

Objetivo:
Disear amplificadores con FET, encontrando su frecuencia de
funcionamiento o su ancho de banda, aplicando los conceptos y los
conocimientos que se vieron en clase.

 Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor FET
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad
de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores
MOSFET.
Historia
Fue ideado tericamente por el alemn Julius von Edgar Lilienfeld en 1930,
aunque debido a problemas de carcter tecnolgico y el desconocimiento acerca
de cmo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se
pudieron fabricar hasta dcadas ms tarde. En concreto, para que este tipo de
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y

el aislante debe ser perfectamente lisa y lo ms libre de defectos posible. Esto es

algo que slo se pudo conseguir ms tarde, con el desarrollo de la tecnologa del
silicio.
Funcionamiento

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de acumulacin canal

n.

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de deplexin canal n.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado
en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo
opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de
dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se
dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el
dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el

conductor entre ellos es la puerta(gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin
se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se
crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en
pMOS, huecos en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
Modelos matemticos

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

donde
en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los
electrones, es la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal
y W el espesor de capa de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser

la siguiente:

Estas frmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores

MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden,
como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente

de drenador no crece cuadrticamente en transistores de canal corto.

Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensin entre fuente y sustrato modifica

la tensin umbral que da lugar al canal de conduccin

Modulacin de longitud de canal.

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, nmos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media

micra).

Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.

Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen
una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta
es del orden de los nanoamperios.

Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro

de superficie que conlleva.

La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los

nanosegundos.

Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta

frecuencias y baja potencia

Desarrollo de la practica
El primer paso para desarrollar esta practica fue obtener todos los
calculos correspondientes para obtener los valores de los dispositivos
que se usarian para el desarrollo de esta practica y los calculos son los
correspondientes tomando en cuenta el analisis de el siguiente circuito
de un amplificador con FET con una ganancia de 10.

XBP1

XSC1
G

IN

T
A

OUT

R1
970k

V1
22 V

R2
2.2k

XMM2

XMM1

C2
Q2
C3
470nF
IC=0V
70.71mVrms
2kHz
0Deg

470nF
IC=0V

RL
1k

2N3967

V2

R3
220k

R4
680

C1
47uF
IC=0V

Los clculos realizados para el valor de las resistencias y se calcul las

frecuencias de corte a bajas frecuencias y altas frecuencias mediante el teorema
de Miller y anlisis en la frecuencia.

IgRg Vgs IdRs 0

Vgs IdRs
2Vs Id (1000)
Id

2Vs
2mA
1000

VgsQ

Vgs 4Vs

2Vs
2
2

VgsQ
2

3
4 x10 3 1
gm gmo 1
4 x10 0.5 2mS
Vp
4

VgsQ

Id Idss 1
Vp

2
8mA 1

4

8mA 0.5 2mA

2

1
1
1

15.75 Hz
6
6
6
2 R Rg 0.01x10
2 1000 1x10 0.01x10
0.06346
1
1
Fcc

46.131Hz
3
2 Rp Rl Cc 2 4.7 x10 2.2 x103 0.5 x10 6
1
1
1
Fcs

238.7318 Hz
6
2 Re q Cs 2 333.33 2 x10
0.0041888
1
Re q Rs
4.7 x103 500 333.33
gm
Fc

Av ( gm)( Rs Rd ) (2mS )(4.7 x103 2.2 x103 ) (2mS )(1498.22) 2.98

RTh1 ( R Rg ) (10 x103 1x106 9.9 x103
C1 Cw1 Cgs (1 A)Cgd 5 pf 4 pf (1 3)2 pf 9 pf 8 pf 17 pf
1
1
FH1

656 KHz
2RthC1 2 (9.9 x103 )(17 pf )
Rtho ( Rd Rl ) (4.7 x103 2.2 x103 ) 1498.55
1
2 pf ) 9.17 pf
3

Co Cwo Cds Cm 6 pf 0.5 pf (1

FHo

1
11.57 MHz
2 (1.5 x103 )(9.19 pf )

Resultados
Circuito Armado

En la simulacin se obtuvo la siguiente grafica:

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

La grafica que
obtuvimos de
nuestro circuito
RC en bode es
la siguiente:

 Conclusion
Podemos concluir que los amplificadores con FET son muy tiles para la
aplicacin en aparatos electrnicos para el aumento de voltaje, normalmente este
tipo de amplificadores se utilizan en amplificadores de audio, un problema que
tuvimos al calcular este amplificador fue que los valores de los dispositivos que
utilizamos solo eran valores aproximados por lo que tuvimos pequeos
inconvenientes en el proceso de nuestra practica.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

 Objetivo

Disear y construir un amplificador diferencial para una frecuencia que ser

restringida con un capacitor.
Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

3 Transistores BJT
1 diodo
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
Protoboard
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica

El Amplificador Diferencial, par de emisor acoplado, o par diferencial es un bloque

constructivo esencial en los modernos amplificadores integrados.
El esquema general de este circuito es el que a continuacin se indica.

En este circuito se diferencian dos etapas distintas:

Una formada por el amplificador diferencial propiamente dicho donde aparece la
fuente de seal y los transistores enfrentados con las redes de polarizacin
Otra formada por una fuente de corriente real (con resistencia en paralelo a la
fuente).
A continuacin de definen ambas etapas.
ETAPA DE AMPLIFICACIN DIFERENCIAL.
El Amplificador diferencial se caracteriza por presentar dos transistores idnticos
con similares caractersticas, tanto internas como de las redes de polarizacin.
Ya que el circuito dispone dos entradas y dos salidas de seal, existen cuatro
configuraciones posibles realizando las distintas combinaciones entre entradas y
salida.

Entrada y salida simtrica: Es la forma ms tpica de un amplificador

diferencial, tiene dos entrada v1 y v2, El voltaje de salida se obtiene de la
diferencia entre las salidas de los colectores.

Entrada asimtrica y salida simtrica: En algunas aplicaciones slo se

usa uno de los terminales de entrada con la otra conectada a tierra,

mientras que la salida se obtiene entre los colectores de los dos

transistores del circuito.

Entrada simtrica y salida asimtrica: Esta es la forma ms practica y

utilizada porque puede excitar cargas asimtricas o de un solo terminal
como lo hacen los amplificadores EC, emisor seguidor y otros circuitos.
Esta etapa es la que se usa para la etapa de entrada de la mayor parte de
los Amplificadores Operacionales comerciales. Presenta dos entradas de
seal para las bases de cada transistor mientras que la salida se obtiene
nicamente de uno de los colectores respecto a masa

Entrada y salida asimtrica: Esta configuracin presenta tanto para la

entrada como para la salida un nico terminal. Este tipo de configuracin es
til para las etapas de acoplamiento directo donde se requiere slo
amplificar una entrada. Esta configuracin es la que se solicita en las
especificaciones de la prctica.

Anlisis De Amplificador Diferencial En Pequea Seal.

Explicadas los distintos tipos de un amplificador diferencial, pasamos a
continuacin a un estudio ms detallado de los conceptos importantes de las
ganancias.

Ganancia del modo diferencial: Consideremos que se aplica una seal

VDM a la base de Q1. Empleando el concepto de semi-circuito, es decir
analizando slo una mitad del circuito, se llega al modelo de pequea seal
de la figura siguiente.

Con VDM positivo, Vo1=ADM*VDM. Si queremos que las seales de entrada y

salida se encuentran en fase, sedemos tomar obtener la salida por el transistor
opuesto al que se introduce la seal, es decir si la fuente de seal se coloca en la
base de Q1, la salida se deber sacar del colector de Q2 para que ambas seales
estn en fase.

Ganancia del modo comn: Una seal en modo comn es aquella que se aplica
simultneamente a las dos entradas del Amplificador Diferencial. La mayor parte
de las seales de interferencia, esttica y otro tipo de seales indeseables son
seales en modo comn

Para este circuito la ganancia ACM ser:

El significado es claro, cuando una seal en modo excita el amplificador, aparece
una gran resistencia de emisor en el circuito equivalente de c.a.

Razn de rechazo del modo comn: En un principio el amplificador

diferencial se disea para amplificar seales diferenciales; por lo tanto se
requiere que ADM>>ACM. Una forma de valorar la actuacin de un
transistor es mediante la relacin de rechazo al modo comn, que queda
definida de la siguiente forma:

Como puede desprenderse de lo anteriormente indicado, para obtener unos

valores mnimamente aceptables, algunos textos y catlogos establecen 72 dB de
CMRR como mnimo aceptable, se requiere grandes valores de RE y
frecuentemente se necesita emplear fuentes de corrientes con resistencias de
salidas altas.
Para aumentar el CMRR se debe aumentar la tensin Early efectiva, es decir, la
resistencia de salida de la fuente de corriente. Los A.O. con relaciones de rechazo

del modo comn comprendidas entre 80 y 90 dB emplean por lo general fuentes

de corrientes Wilson, Widar o Cascodo.
2.3. POLARIZACIN POR ESPEJO DE CORRIENTE.
La polarizacin por espejo de corriente se basa en que la corriente de base es
mucho ms pequea que la corriente de la resistencia y por el diodo, por lo que la
corriente por la resistencia y por el diodo son prcticamente iguales. Si la curva del
diodo fuese idntica a la curva de VBE del transistor, la corriente del diodo sera
igual a la corriente de emisor y se llegara a la siguiente conclusin: que la
corriente del colector es aproximadamente igual a la corriente que circula a travs
de la resistencia de polarizacin. Este circuito es muy importante, ya que significa
que se pude fijar la corriente de colector al controlar la corriente de la resistencia.
El circuito se comporta entonces como un espejo, la corriente de la resistencia se
refleja en el colector del transistor.

Explicado el concepto bsico de funcionamiento de este tipo de circuitos,

generalmente no se colocan diodos, ya que las caractersticas de recta de carga
del diodo y el diodo Base-Emisor del transistor difieren. Es por esto por lo que se
usan dos transistores de idnticas caractersticas, uniendo en uno de ellos la base
y el colector consiguiendo de esta forma un diodo.
Para la realizacin del circuito de polarizacin de espejo de corriente hemos
optado por la configuracin de fuente de corriente de tres transistores Wilson por
ser una etapa de alta impedancia y por la diferencia tan extremadamente pequea
entre la corriente de colector y IRC como se ver ms adelante.

Desarrollo de la practica

Para el desarrollo de la prctica calculamos el valor de R de RC para poder

obtener el voltaje en los colectores de los dos transistores que debe ser cero.

Y el circuito analizado es el siguiente:

XSC1
Tektronix
P
G

1 2 3 4

R1
39k

V1
12 V

R2
1.7k

R3
1.7k
2

Q2

Q1

5
6

BC547C

BC547C
V2
15mVrms
2kHz
0Deg

4
Q4

0
BC547C

Q3

BC547C
VDD

VDD
-12V

Los clculos realizados fueron los siguientes:

Se propone el valor de ICQ = 740A
Se obtiene re

re=

25 mV
1
ICQ
2

Av=

RC
r' e

==

25 mV
1
740 A
2

= 67.567

RC= Av (re) = (30)(67.567) = 2027.02

R=

2 VCC
ICQ

(2)(12Vs)
740 A

= 31486.48

Vc = VCC ICQ RC = (12Vs) (740A (2027.02))

VC1= 11.28 Vs
Vc = VCC ICQ RC = (12Vs) (740A (2027.02))
VC2= 11.28 Vs
Vctotal= VC1-VC2 = 11.28 Vs 11.28 Vs = 0

Resultados
El circuito armado y la grafica en el osciloscopio son los siguientes:

 Conclusion
En esta practica podemos concluir que en efecto la prueba que hicimos con
diferentyes capacitores para delimitar la frecuencia de funcionamiento de nuestro
circuito fue correcta y asi pudiendo comentar que este tipo de amplificadores
diferenciales son muy utiles ya que son los amplificadores operacionales que
conocemos hoy dia que se encuentran encapsulados dentro de un integrado,
siendo de muy buen uso en la electronica.

 Bibliografa
http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

Objetivo

Disear un circuito amplificador resonante, encontrando su frecuencia de

funcionamiento y su ancho de banda, aplicando los conceptos y los conocimientos
que se vieron en clase tambin encontrando la frecuencia de resonancia en el que
la seal de entrada toma su mximo valor dentro del funcionamiento del circuito.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
Inductor de 2.7H
Protoboard

Introduccin terica
El condensador, en un tiempo igual a cero, ofrece una impedancia cercana a cero
ohmios, por lo que permite que fluya una gran corriente a travs de l, la cual va
disminuyendo hasta que sus placas sean llenadas de tantas cargas positivas y
negativas como lo permita el tamao de las mismas y la permitividad elctrica del
aislante que hay entre ellas.
En este instante el condensador acta como un aislante, ya que no puede permitir
ms el paso de la corriente, y se crea un campo elctrico entre las dos placas, que
es el que crea la fuerza necesaria para mantener almacenadas las cargas
elctricas positivas y negativas, en sus respectivas placas.
Por otra parte, en un tiempo igual a cero la bobina posee un impedancia casi
infinita, por lo que no permite el flujo de la corriente a travs de ella y, a medida que
pasa el tiempo, la corriente empieza a fluir, crendose entonces un campo
magntico proporcional a la magnitud de la misma. Pasado un tiempo, la bobina
acta prcticamente como un conductor elctrico, por lo que su impedancia tiende
a cero. Al estar el condensador y la bobina en paralelo, la energa almacenada por
el campo elctrico del condensador (en forma de cargas electrostticas), es
absorbida por la bobina, que la almacena en su campo magntico, pero a
continuacin es absorbida y almacenada por el condensador, para ser nuevamente
absorbida por la bobina, y as sucesivamente. Esto crea un vaivn de la corriente
entre el condensador y la bobina. Este vaivn constituye una oscilacin

electromagntica, en la cual el campo elctrico y el magntico son perpendiculares

entre s, lo que significa que nunca existen los dos al mismo tiempo, ya que cuando
est el campo elctrico en el condensador no existe campo magntico en la
bobina, y viceversa.
Frecuencia de la oscilacin
La caracterstica de este tipo de circuito, tambin conocido como circuito tanque
LC, es que la velocidad con que fluye y regresa la corriente desde el condensador
a la bobina o viceversa, se produce con una frecuencia (f) propia, denominada
frecuencia de resonancia, que depende de los valores del condensador (C) y de la
bobina (L), y viene dada por la siguiente frmula:

donde:
f se mide en Hercios, C en Faradios y L en Henrios.

Desarrollo de la practica
Para este circuito procederemos a encontrar la frecuencia de resonancia de
nuestro circuito que ser mediante los siguientes clculos.

XSC1
C1
330pF

V2
12 V

L1
2.7H

Tektronix
P
G

C2
Q1

C3
V1

.1F
R2
4.3k

50mVrms
5.33MHz
0

.01F

BC547BP

Clculos realizados
1
fr= 2 LC

1
2 2.7 H 330 pF

= 5.33 MHz

XL= 2 fr L = (2) (5.33MHz) (2.7H) = 90.42

QL=

XL
RS

90.42
1.6

= 56.51

Rp= QL XL = (56.51) (90.42) = 5K

rc= Rp//RL = 5K//10K = 3.33K
Q=

B=

rc
XL

3.33 K
90.42

fr
Q

5.33 MHz
36.82

= 36.82

= 144.76 KHz

f1=

fr
2

5.33 MHz144.76 KHz

2

= 2.60 MHz

f2=

fr+
2

5.33 MHz+ 144.76 KHZ

2

= 2.73 MHZ

R1
10k

1 2 3 4

Resultados
Circuito Armado

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

La grafica que obtuvimos de nuestro circuito LC en bode es la siguiente:

 Conclusion
Podemos concluir que los amplificadores sintonizadores son de un buen uso optimo
en los circuitos para telecomunicaciones ya que solo aceptan una frecuencia
mxima que pudimos observar en el osciloscopio, la frecuencia de resonancia en
nuestro caso utilizamos 2 inductores diferentes pudimos observar como la
frecuencia de nuestro circuito cambiaba cambiando los inductores, que fue esa la
finalidad de esta practica, teniendo un poco de problemas al acoplar el circuito
tanque al transistor, ya que no sabamos si estaba trabajando de manera correcta.
Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

 Objetivo

Disear un circuito amplificador push-pull complementario, para que con una carga
de 8 entregue una potencia efectiva de 1 watt.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 potencimetro
1 TIP PNP
1 TIP NPN
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
Protoboard
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica
Este amplificador se llama amplificador contrafsico o amplificador Push-Pull,
pues utiliza 2 grupos de transistores. Cada grupo se encarga de amplificar una
sola fase de la onda de entrada. Ver en el diagrama.

Un grupo es de color amarillo y el otro es de color verde. (en este caso slo hay un
transistor por grupo). Cuando un grupo entra en funcionamiento el otro entra est
en corte y viceversa.
Un amplificador emisor comn se utiliza para amplificar seales pequeas. En
esta configuracin la tensin de la seal de salida tiene prcticamente la misma
amplitud que la de la seal de entrada (ganancia unitaria) y tienen la misma fase.
Cuando la seal de entrada es grande y lo que se desea es ampliar la capacidad
de entrega de corriente, se utiliza un amplificador
contrafsico o push-pull. (Amplificador de
potencia).
El amplificador que se muestra en el siguiente
grfico est constituido por dos transistores. Uno
NPN y otro PNP de las mismas caractersticas
La entrada de la seal llega a la base de ambos
transistores a travs de la patilla base de cada
transistor.
El transistor Q1 tendr polarizacin directa en los semiciclos positivos (ver color
amarillo) y a travs de RL (resistor de carga) aparecer una seal que sigue a la
entrada (esto significa que la seal de entrada y salida estn en fase).
El los ciclos negativos el transistor Q1 se pone en corte y no aparecer la seal en
la salida.
El transistor Q2 tendra polarizacin direcra en los semiciclos negativos y a travs
de RL aparecer una seal que sigue a la entrada es decir estn en fase.
En los ciclos positivos el transistor Q2 se pone en corte y no aparecer seal en la
salida.

 Desarrollo de la practica

Para realizar la prctica se armo el siguiente circuito con dos tips un 31 y un tip 32
complementarios.
V1
8V
C2

R1
100

Q2

R5

2N2222A

XSC1
Tektronix

1F
V2
50mVrms
30kHz
0

1M
30%
Key=A
C3

1F
R2
100

VCC= VCE1 + VCE2

VCEQ=

VCC
2

MPP= VCC = 8Vs

C1

Q1

1F

Clculos realizados

P
G

2N3702

R3
8

1 2 3 4

Pout =

MPP 2
8R L

(8Vs)
8(8 )

= 1watt

Resultados
Circuito Armado

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

 Conclusion
Podemos concluir que el amplificador push-pull complementario se llama as por
que los transistores deben ser complementarios es decir que tengan las mismas
caractersticas para que puedan amplificar correctamente y no se saturen y den 1
watt efectivo en la carga de 8.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

 Objetivo

Disear un circuito amplificador clase AB/B, y meterle seal de audio para que con
una carga de 8 entregue una potencia efectiva de 1 watt.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 potencimetro
1 TIP PNP
1 TIP NPN
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
Protoboard
1 bocina de 8
2 diodos complementarios

1 transistor bjt
U1

Bjt_npn1

U2

Bjt-pnp1

 Introduccin terica

Amplificador electrnico puede significar tanto un tipo de circuito electrnico o

etapa de este, como un equipo modular que realiza la misma funcin; y que
normalmente forma parte de los equipos HIFI. Su funcin es incrementar la
intensidad de corriente, la tensin o la potencia de la seal que se le aplica a su
entrada; obtenindose la seal aumentada a la salida. Para amplificar la potencia
es necesario obtener la energa de una fuente de alimentacin externa. En este
sentido, se puede considerar al amplificador como un modulador de la salida de la
fuente de alimentacin.

Circuito amplificador HIFI Clase D, de 200W RMS sobre altavoz de 4 Ohm.

Caractersticas
El amplificador puede realizar su funcin de manera pasiva, variando la relacin
entre la corriente y el voltaje manteniendo constante la potencia (de manera
similar a un transformador), o de forma activa, tomando potencia de una fuente de
alimentacin y aumentando la potencia de la seal a su salida del amplificador,
habitualmente manteniendo la forma de la seal, pero dotndola de mayor
amplitud.
La relacin entre la entrada y la salida del amplificador puede expresarse en
funcin de la frecuencia de la seal de entrada, lo cual se denomina funcin de
transferencia, que indica la ganancia del mismo para cada frecuencia. Es habitual
mantener a un amplificador trabajando dentro de un determinado rango de

frecuencias en el que se comporta de forma lineal, lo cual implica que su ganancia

es constante para cualquier amplitud a su entrada.
El componente principal de estos amplificadores, denominado elemento activo,
puede ser un tubo de vaco o un transistor. Las vlvulas de vaco suelen usarse
an en algunos amplificadores diseados especficamente para audio por la
respuesta en frecuencia de estos, preferida en algunos estilos musicales. Los
transistores suponen la base de la electrnica moderna. Con ellos se disean
circuitos ms complejos, como los amplificadores operacionales, que a su vez se
usan en otros como los amplificadores de instrumentacin.
Clases de amplificador
Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes continuas altas de su fuente de
alimentacin, independientemente de la existencia de seal en la entrada. Esta
amplificacin presenta el inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad
de calor, que ha de ser disipada. Esto provoca un rendimiento muy reducido, al
perderse una parte importante de la energa que entra en l. Es frecuente en
circuitos de audio y en equipos domsticos de gama alta, ya que proporcionan
gran calidad de sonido, al ser muy lineal, con poca distorsin.
Tiene una corriente de polarizacin en relacin con la mxima corriente de salida
que pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo consiste en un solo
transistor de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de
alimentacin y el otro a la carga. Cuando no hay seal de entrada la corriente fluye
directamente del positivo al negativo de la fuente de alimentacin, consumindose
potencia sin resultar til.
Clase B

Los amplificadores de clase B se caracterizan por tener intensidad casi nula a

travs de sus transistores cuando no hay seal en la entrada del circuito. sta es
la que polariza los transistores para que entren en zona de conduccin, por lo que
el consumo es menor que en la clase A, aunque la calidad es algo menor debido a
la forma en que se transmite la onda. Se usa en sistemas telefnicos,
transmisores de seguridad porttiles, y sistemas de aviso, aunque no en audio.
Los amplificadores de clase B tienen etapas de salida con corriente de
polarizacin nula. Tienen una distorsin notable con seales pequeas,
denominada distorsin de cruce por cero, porque sucede en el punto que la seal
de salida cruza por su nivel de cero volt a.c. y se debe justamente a la falta de
polarizacin, ya que en ausencia de esta, mientras la seal no supere el nivel de
umbral de conduccin de los transistores estos no conducen.
Clase C
Los amplificadores de clase C son conceptualmente similares a los de clase B en
que la etapa de salida ubica su punto de trabajo en un extremo de su recta de
carga con corriente de polarizacin cero. Sin embargo, su estado de reposo (sin
seal) se situa en la zona de saturacin con alta corriente, o sea el otro extremo
de la recta de carga. Las desventajas de los estos amplificadores son ms
evidentes que en los clase B, principalmente por la alta disipacin involucrada ante
la ausencia de seal. Este tipo de amplificador solo es apto para RF o aplicaciones
de conmutacin, pero se evita su utilizacin en etapas de potencia con transistores
bipolares, tampoco se usan en audio.
[Clase AB
Los amplificadores de clase AB reciben una pequea polarizacin constante en su
entrada, independiente de la existencia de seal. Es la clase ms comn en audio,
al tener alto rendimiento y calidad. Estos amplificadores reciben su nombre porque
con seales grandes se comportan como un clase B, pero con seales pequeas
no presentan la distorsin de cruce por cero de la clase B.
Tienen dos transistores de salida, como los de clase B, pero a diferencia de estos,
tienen una pequea corriente de polarizacin fluyendo entre los terminales de
base y la fuente de alimentacin, que sin embargo no es tan elevada como en los
de clase A. Esta corriente libre se limita al minimo valor necesario para corregir la
falta de linealidad asociada con la distorsin de cruce, con apenas el nivel justo
para situar a los transistores al borde de la conduccin. Este recurso obliga a
ubicar el punto Q en el lmite entre la zona de corte y de conduccin.

Clase D
Los amplificadores de clase D tienen un elevado rendimiento energtico, superior
en algunos casos al 95%, lo que reduce la superficie necesaria de los disipadores
de calor , y por tanto el tamao y peso general del circuito.
Aunque con anterioridad se limitaban a dispositivos porttiles o subwoofers, en los
que la distorsin o el ancho de banda no son factores determinantes, con
tecnologa ms moderna existen amplificadores de clase D para toda la banda de
frecuencias, con niveles de distorsin similares a los de clase AB.
Los amplificadores de clase D se basan en la conmutacin entre dos estados, con
lo que los dispositivos de salida siempre se encuentran en zonas de corte o de
saturacin, casos en los que la potencia disipada en los mismos es prcticamente
nula, salvo en los estados de transicin, cuya duracin debe ser minimizada a fin
de maximizar el rendimiento.
Esta seal conmutada puede ser generada de diversas formas, aunque la ms
comn es la modulacin por ancho de pulso. sta debe ser filtrada posteriormente
para recuperar la informacin de la seal, para lo que la frecuencia de
conmutacin debe ser superior al ancho de banda de la seal al menos 10 veces.
Los amplificadores de clase D requieren un minucioso diseo para minimizar la
radiacin electromagntica que emiten, y evitar as que interfieran en equipos
cercanos, tpicamente en la banda de FM.
Otras clases
Las clases E, G y H no estn estandarizadas como las A y B. Se trata de
variaciones de los circuitos clsicos, que dependen de la variacin de la tensin de
alimentacin para minimizar la disipacin de energa en los transistores de
potencia en cada momento, dependiendo de la seal de entrada.


Desarrollo de la prctica
Para realizar la prctica se armo el siguiente circuito con dos tips un 31 y un tip 32
complementarios.
V1
8V

R4
27.5k

R1
100
D1
1DH62

C2
V2
50mVrms
30kHz
0

Tektronix

2N2222A

D2
1DH62

1F

C1
1F
2N3702

R5
BC547BP
R2
8

1M
10%
Key=A

Clculos realizados
VCC= VCE1 + VCE2
VCC
2

MPP= VCC = 8Vs

Pout =

MPP
8 RL

P
G

Q1
Q3

VCEQ=

XSC1

Q2

(8Vs)
8(8 )

= 1watt

R3
8

1 2 3 4

Resultados
Circuito Armado

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

 Conclusion
Podemos concluir que el amplificador clase AB/B es muy utilizado en la mayora de
los amplificadores de audio ya que es muy efectivo y entrega una gran fidelidad de
audio a la salida como en nuestra practica que sala 1 watt de potencia efectivo.
Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

 Objetivo
Disear un amplificador retroalimentado para que en lazo cerrado de una ganancia
de 3 y en lazo abierto una ganancia de 900
Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

2 Transistores BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Generador
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio

1 Protoboard
U1

Bjt_npn1

Introduccin terica
AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS
RETROALIMENTACION. En su bsqueda de mtodos para el diseo de
amplificadores con ganancia estable para el uso de los repetidores telefnicos
Harold Black, un ingeniero de electrnica de la compaa Western Electric invent
el amplificador retroalimentado en 1928.
Desde entonces esta tcnica se ha ocupado tan ampliamente que es casi
imposible pensar en los circuitos electrnicos sin alguna forma de
retroalimentacin, tanto implcita como explcita; la mayor parte de los sistemas
fsicos incluyen alguna forma de retroalimentacin. Ms an el concepto de la
retroalimentacin y su teora asociada es utilizado corrientemente en reas
diferentes de la Ingeniera, como el modelo de sistemas biolgicos.
La retroalimentacin puede ser tanto positiva como negativa (regenerativa,
degenerativa). Es interesante notar, sin embargo, que los ingenieros en electrnica
han desarrollado la teora de la retroalimentacin negativa.
En el diseo de los amplificadores la retroalimentacin se aplica para el efecto de
una o ms de las propiedades siguientes:

Desensibiliza la ganancia esto es, hace el valor de la menos sensible a las

variaciones en el valor de los componentes del circuito, tales como las variaciones
que podran provocar las variaciones en la temperatura.
Reduce la distorsin no lineal es decir, hace la salida proporcional a la entrada (en
otras palabras hace a la ganancia del valor de nivel de seal).
Reduce el efecto del ruido- seales elctricas indeseables generadas por los
componentes del circuito y de la interferencia externa.
Controla las impedancias de entrada y de salida-al seleccionar una topologa de
retroalimentacin apropiada, puede hacerse que las impedancias de entrada y de
salida aumenten o disminuyan segn se desee.
Extensin del ancho de banda del amplificador Todas las propiedades deseables
anteriores se obtienen a expensas de una reduccin de ganancia, y al factor de
reduccin de ganancia se le llama magnitud de retroalimentacin, es el factor por
el cual el circuito se desensibiliza, mediante el cual el ancho de banda se extiende,
la impedancia de entrada de un amplificador de voltaje se incrementa y as
sucesivamente.
En sntesis, la idea bsica de la retroalimentacin negativa es cambiar ganancia
por otras propiedades deseables.
Bajo ciertas condiciones la retroalimentacin puede volverse positiva y de tal
magnitud que cause oscilaciones.
Sin embargo, no debe implicarse que la retroalimentacin positiva lleve a la
inestabilidad, esta es til en cierto nmero de aplicaciones tales como el diseo de
los filtros activos.
Para hablar de amplificadores retroalimentados primero debemos citar todos las
partes que componen un amplificador retroalimentado, as tenemos un
amplificador bsico, cualquier tipo de amplificador bsico como los vistos en
electrnica 2, una red de retroalimentacin, esta red puede estar formada por
elementos activos o pasivos, una red para muestrear la variable de salida y una
red mezcladora que se utiliza para sumar la variable de entrada con la variable de
retroalimentacin. Consideremos la configuracin inversora en la cual la variable
de retroalimentacin est desfasada 180 grados respecto a la entrada, si est en
fase se dice que tenemos retroalimentacin positiva

TOPOLOGIAS BASICAS
Amplificadores de voltaje (retroalimentacin en serie y derivacin), se requiere
impedancia de entrada alta e impedancia de salida baja. Muestrea voltaje y suma
voltaje.

Amplificadores de corriente (retroalimentacin en derivacin y serie). Impedancia

de entrada baja y de salida alta. Muestrea corriente y suma corriente.
Amplificadores de transcoductancia (retroalimentacin serie-serie). Muestrea
corriente y suma voltaje.
Amplificadores de transimpedancia (retroalimentacin derivacin-derivacin).
Muestrea voltaje y suma corriente.
Si consideramos la realimentacin negativa conectando la resistencia Rf entre la
salida y la entrada. La comparacin real de la salida y la entrada tiene lugar
combinando las corrientes i1 e i2 en el nodo de entrada, por lo que se le llama
diferenciacin de corriente.
Segn el seor Schilling un amplificador diferenciador de corriente negativa
comprende conceptualmente tres secciones.
Un amplificador al que se le aplica la realimentacin
Una red de realimentacin que puede contener desde una sola resistencia hasta
un circuito con elementos no lineales.
Un circuito diferenciador (o sumador) en que la salida se compara con la entrada

Desarrollo de la practica
Como se muestra en la figura el circuito armado fue un amplificador
retroalimentado de 2 etapas para poder determinar la ganancia en lazo abierto y
lazo cerrado.

XSC1

R1
47k

R3
50k

C3

Q1

C1
4.7F

R6
105k

R2
22k

120mVrms
1kHz
0

R7
13.5k

R9
1.2k

P
G

1 2 3 4

4.7F
C5
4.7F

BC547BP

R4
1.2k

Tektronix

C6

Q2

4.7F

BC547BP

V1

V2
12 V

R8
1.76k

R10
10k

C4
10F

C2
1F

R5
30k

R12
2.43k

Se calculo el valor de las resistencias para la segunda etapa y los clculos son los
siguientes
Se propone ICQ=0.5mA ,
Los datos que tenemos son: Av=30 , =100 , RL=10K , VCE=6Vs , VCC=12Vs

De la siguiente expresin se despeja RC

Av =

RC / RL

Se calcula la re
r ' e=

25 mV 25 mV
=
=50
ICQ
0.5mA
1

RC=

1
1

'
AV (r e) RL

1
=

1
1

30(50 ) 10 K

De la siguiente formula se despeja RE

= 1.76K

RC+ + r ' e=

VCCVCE
ICQ

RC + + r ' e=

12 Vs6 Vs
2 mA

'

R C+ + r e=3 K

RE=3K-1.76K-50 = 600
Se calcula Rb para poder determinar R1 y R2
VBB=Rb IB + VBE + IE RE
Rb=

IB=

RE
10
ICQ

(100)(1.2 K)
10

= 12K

= 5A

VBB= 12K 5A + 0.7Vs + 0.5mA 1.2K

VBB= 1.36 Vs
R 1=Rb

R 2=

VCC
12 Vs
=12 K
V BB
1.36 Vs

= 105.8 K

Rb
12 K
=
=3.53 K
1VBB /VCC 11.36 Vs /12 Vs

Se calculo el valor de las resistencias para la primer etapa y los clculos son los
siguientes
Se propone ICQ=2.5mA
Los datos que tenemos son: Av=30 , =100 , VCE=6Vs , VCC=12Vs re=100

Se calcula Zin2

Zin= R1 // R2 // (re2)
Zin= 3.53K
Se calcula la re
'

r e=

25 mV 25 mV
=
=10
ICQ 2.5 mA

Se encuentra el valor para RC

RC=

1
1
1

'
AV (r e+ ) RL

1
=

1
1

3.53
K
30(10 +100 )

= 50.6K

Se proponen R1=47K R2=222K RE=30K re=1.2K

Se hacen los clculos para la retroalimentacin

1
Af=

1
= AV

+ Rf

Rf=

Resultados
Circuito Armado

1
3

= 0.33

1.2 K
1.2 K
0.33

= 2.43K

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

Conclusion
En la demostracin de la prctica concluimos que el amplificador retroalimentado
le da una mayor estabilidad al sistema y nos permite tener un mayor ancho de
banda pero sacrificando la ganancia ya que es pequea.
Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo

Objetivo
Disear un oscilador colpitts que oscile a una frecuencia de 100KHz.

Material y equipo utilizado

Resistencias de varios valores

1 Transistor BJT
Capacitores de varios valores
Osciloscopio Digital
Inductancias
Fuente de voltaje
Puntas para osciloscopio
1 Protoboard
1 multmetro

U1

Bjt_npn1

Introduccin terica
El oscilador Colpitts es un tipo de oscilador es muy utilizado en generadores
de frecuencia de alta calidad y se usa principalmente para obtener frecuencia
por encima de 1 Mhz. Su estabilidad es superior a la del oscilador Hartley.
Para poder lograr la oscilacin este circuito utiliza un divisor de tensin formado
por dos capacitores: C1 y C2.
De la unin de estos capacitores sale una conexin a tierra. De esta manera la
tensin en los terminales superior de C1 e inferior de C2 tendr tensiones
opuestas.
Teorema de Miller
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las
capacidades inter-terminales asociadas a los dispositivos activos. En
amplificadores monoetapa inversores cuya ganancia est desfasada 180 (Av
es negativa) la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la
salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte superior
y limita su ancho de banda. Este fenmeno se denomina efecto Miller. En la
siguiente figura se muestra grficamente la aplicacin del teorema de Miller
sobre la capacidad C. capacidad de realimentacin se puede descomponer
en dos, C1 y C2, resultando el circuito equivalente de la derecha. A la
capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un
amplificador inversor la capacidad de entrada se incrementa en un trmino
que depende de la ganancia del amplificador y de la capacidad conectada
entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo. Obsrvese que si

Av>>1, entonces C1 AvC y C2 C.

Modelo de alta frecuencia de transistores FET

El anlisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado
para transistores bipolares. Los condensadores que limitan la frecuencia de
operacin de un FET son: capacidad puerta-fuente o Cgs, capacidad puertadrenador o Cgd, y capacidad drenador-fuente o Cds; generalmente Cgs >>
Cgd, Cds. En la figura 3.15.a se indica el modelo de pequea seal y alta
frecuencia para transistores FET. Por conveniencia, los fabricantes miden las
capacidades de un FET en condiciones de cortocircuito a travs de tres
capacidades: Ciss o capacidad de entrada con salida cortocircuitada, Coss o
capacidad de salida con entrada cortocircuitada, y Crss o capacidad de
retroalimentacin. Estas capacidades varan con las tensiones de polarizacin;
por ejemplo, en la grfica 3.15.b se indica el valor de estas capacidades en
funcin de VDS. La relacin entre ambos tipos de capacidades es la siguiente

El efecto Miller descrito en un E-C tambin se produce en la configuracin

fuente-comn de la figura siguiente parte (a). Como se puede observar en el
circuito equivalente de pequea seal de la figura siguiente parte(b), el
terminal puerta de un FET no est aislado del de drenaje, sino que estn
conectados a travs de Cgd. Segn el teorema de Miller, esa capacidad puede
descomponerse en dos: (1-v)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av= gmRD||rd.
Despreciando la segunda capacidad que se suma a Cds, se observa que

debido al efecto Miller se incrementa notablemente la capacidad de entrada

(Ci) de puerta del FET. Al ser sta la capacidad dominante, la frecuencia de
corte superior viene dada como

Desarrollo de la prctica
Como se muestra en la figura el circuito armado fue un oscilador colpitts. As tambin se
determinaran la frecuencia en la cual el circuito oscila que debe ser igual a 100KHz.

V1
12 V
L2
1H

C4
47pF

XSC1
Tektronix

C3
1nF

L1
2.2mH

R2
100k

P
G

C2
99nF
Q1

R3
10k

R4
10k

C1
1F

BC547BP
R1
360

Clculos realizados
fo =

1
2

c 1+ c 2
c1c2 L

1 /2

1
2

R1= c2/c1gm = 99gm = 99 r/hfe

1 nF+100 nF
1nF 100 nF 2.7 mH

1/ 2

= 100KHz

1 2 3 4

99(1.1 K)
100

= 1089

R1 =r//R2=1089

r R2
r + R 2

= 1089

R2=108.9K

Resultados
Circuito Armado

En el osciloscopio se obtuvo lo siguiente:

 Conclusion

En la demostracin de la prctica concluimos que el oscilador colpitts usa elementos

reactivos pequeos y exciven una Q mas elevada en comparacin con otros osciladores.

Bibliografa

http://www.unicrom.com/tut_filtroPasaBanda.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Filtro_pasa_bajo