ELECTRONICA I

ESPE-EAC 2011

TEMA: CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

1- OBJETIVOS

Verificar el principio de funcionamiento del osciloscopio.

Analizar algunas aplicaciones bsicas del diodo.
Familiarizar al estudiante en el uso de instrumentos de medida y observar lo
realizado.

2- EQUIPO Y MATERIALES

Generador de seales
Fuente DC
Osciloscopio
Protoboard
Multmetro
Cables conductores
Resistencias, diodos

3- MARCO TEORICO
Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.

Tensin
umbral,
de
codo
o
de
partida
(V
).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide
en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para

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pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de

corriente.
Corriente mxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa),
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de

saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de
unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como
los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares

electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por
tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.

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4- PROCEDIMIENTO
4.1 Armar en el protoboard un circuito, analizarlo. Muestre simultneamente las seales
en un osciloscopio. Dibuje la curva caracterstica obtenida en una hoja de papel
milimetrado.

5- ANALISIS DE RESULTADOS

VD vs ID
1200
1000
800
600
VD vs ID
400
200
0
0

0,5

1,5

-200

Se observa de manera grfica la correspondencia de las mediciones obtenidas en el

laboratorio con las caractersticas de la curva del diodo conectado en directa, dicha grfica
representa la corriente del diodo en funcin de la tensin del diodo y se puede observar
que cercano a la tensin de ruptura (que en el silicio es aproximadamente 0,7 V) el diodo
comienza a conducir ms corriente, manteniendo casi constante la tensin entre los
extremos del diodo.
Al estar el diodo en Inversa, ste no conduce corriente y se comporta como una llave
abierta, por dicho motivo la medicin de corriente se debe a que el Multmetro que mide
la tensin del diodo est haciendo de puente entre los extremos del diodo, por lo que la
corriente medida es la corriente que pasa a travs del Multmetro ya que su resistencia
interna no es infinita como se supone la del Multmetro ideal. Por este motivo esta
medicin en inversa no representa la curva caracterstica del diodo, solo la relacin lineal
entre la corriente y la tensin en la resistencia interna del Multmetro que mide la cada
de tensin en el diodo.

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CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
En la presente prctica pudimos observar de manera prctica el funcionamiento de un
diodo en directa y en inversa en corriente continua, as como observar de manera prctica
la curva caracterstica de dicho dispositivo.
En el primer caso, se realiz la medicin de la corriente que circulaba a travs del diodo y
la tensin que caa en l, observando que luego de pasar la tensin de umbral
(aproximadamente 0,7 en el Si) el diodo comenz a conducir mucha corriente, formando
una curva exponencial en la grfica. Esta representacin se corresponde con la curva
caracterstica del diodo estudiada en las clases tericas.
En el segundo caso, se realiz la medicin de la corriente que circulaba a travs del diodo,
pero al estar conectado en inversa, se observo linealidad entre la tensin de la fuente de
corriente continua y la corriente que circulaba por el circuito; deduciendo luego que esta
linealidad se debe a que la corriente medida por el Multmetro se debe a que, el
Multmetro que mide la tensin del diodo oficia de puente entre los extremos del diodo
por lo que la corriente medida es la corriente que circula por la resistencia interna del
Multmetro. Dicha linealidad responde a la ley de Ohm y no a las caractersticas del diodo
conectado en inversa. Por dicho motivo con el instrumental disponible en el laboratorio
no se puede realizar la medicin de las corrientes del diodo conectado a inversa ya que
dichas corrientes son muy pequeas y los Multmetro disponibles no son capaces de
medirlas.
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

U.R.L://fisica.udea.edu.co/~gicm/lab_electronica/Propiedades%20AO.pdf
U.R.L://www.uhu.es/adoracion.hermoso/Documentos/tema-5.pdf
Electrnica Teora de Circuitos 6 edicin_ Autores_ Robert L. Boylestad

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