Universidad de Sevilla

Escuela Superior de Ingenieros

DEPARTAMENTO DE
INGENIERA ELECTRNICA

APUNTES DEL PRIMER PARCIAL DE LA ASIGNATURA

Tecnologa y Componentes
Electrnicos y Fotnicos

Francisco Colodro Ruiz

Juan Garca Ortega
Carlos Janer Jimnez

Tabla de contenidos:
CAPTULO 1 ...................................................................................................................... 5
INTRODUCCIN A LOS SLIDOS CRISTALINOS.................................................. 5
1.1

SLIDOS CRISTALINOS. MATERIALES SEMICONDUCTORES ....................................... 5

1.2

EL TOMO DE HIDRGENO. NMEROS CUNTICOS. ................................................. 8

1.3

TOMOS COMPLEJOS.............................................................................................. 11

1.4

BANDAS DE ENERGA ............................................................................................. 13

1.5

PORTADORES DE CARGA EN UN SEMICONDUCTOR: ELECTRONES Y HUECOS ........... 16

CAPTULO 2 .................................................................................................................... 19
CONCENTRACIONES DE PORTADORES EN EQUILIBRIO TRMICO ........... 20
2.1

DENSIDAD DE ESTADOS EN LAS BANDAS DE VALENCIA Y CONDUCCIN............... 21

2.2

PROBABILIDAD DE OCUPACIN DE ESTADOS ......................................................... 22

2.3

CONCENTRACIN DE ELECTRONES Y HUECOS EN EQUILIBRIO TRMICO ............... 24

2.4

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS EN EQUILIBRIO TRMICO. ................................ 29

CAPTULO 3 .................................................................................................................... 35
PROCESOS DE TRANSPORTE DE CARGA.............................................................. 36
3.1

MECANISMOS DE DISPERSIN DE PORTADORES..................................................... 38

3.2

CORRIENTE DE ARRASTRE ...................................................................................... 40

3.3

EFECTO DE LA TEMPERATURA Y EL DOPADO SOBRE LA MOVILIDAD. EFECTO DE

SATURACIN EN LA VELOCIDAD DE ARRASTRE............................................................................. 44

3.4

DIFUSIN DE PORTADORES. ................................................................................... 46

3.5

COMPONENTES DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR........................................ 48

3.6

EFECTOS DEL CAMPO ELCTRICO EN LAS BANDAS DE ENERGA .............................. 50

CAPTULO 4 .................................................................................................................... 51
GENERACIN Y RECOMBINACIN DE PORTADORES DE CARGA EN
DESEQUILIBRIO .......................................................................................................................... 52

4.1

CUASINIVELES DE FERMI. ...................................................................................... 53

4.2

TIEMPO MEDIO DE EXISTENCIA DE PORTADORES EN DESEQUILIBRIO.................... 56

4.3

TIPOS DE RECOMBINACIN. ................................................................................... 57

4.3.1

Recombinacin entre Bandas. ........................................................................ 58

4.3.2

Recombinacin en Centros de Captura.......................................................... 59

4.3.3

Recombinacin superficial ............................................................................. 59

CAPTULO 5 .................................................................................................................... 60
ECUACIONES DE CONTINUIDAD ............................................................................. 60
5.1

ECUACIONES DE CONTINUIDAD. ............................................................................ 61

5.2

HIPTESIS SIMPLIFICADORAS. ................................................................................ 65

5.3

ECUACIN DE DIFUSIN DE LOS PORTADORES....................................................... 66

CAPTULO 6 .................................................................................................................... 69
EL DIODO DE UNIN PN ............................................................................................. 69
6.1

LA UNIN P-N EN EQUILIBRIO TRMICO.................................................................. 69

6.2

LA UNIN P-N POLARIZADA.................................................................................... 73

6.3

CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE UNIN ................................................ 76

6.3.1

Procedimiento de clculo ............................................................................... 76

6.3.2

Caracterstica esttica I-V.............................................................................. 78

6.3.3

Corrientes de generacin y recombinacin en la RCE .................................. 81

6.3.4

Dependencia de la caracterstica con la temperatura ................................... 82

6.3.5

Corrientes de portadores en las regiones neutras.......................................... 83

6.3.6

Breve ejemplo de polarizacin ....................................................................... 84

6.4

POTENCIALES Y CAMPOS EN LAS CERCANAS DE UNA UNIN P-N ........................... 86

6.5

MECANISMOS FSICOS DE RUPTURA EN LAS UNIONES P-N ....................................... 89

6.6

EFECTOS CAPACITIVOS DE LA UNIN P-N. .............................................................. 91

6.6.1

Dinmica de la unin...................................................................................... 91

6.6.2

Capacidad de Transicin................................................................................ 92

6.6.3

Capacidad de difusin .................................................................................... 93

6.6.4

Corriente total por un diodo........................................................................... 95

6.7

RESPUESTA EN CONMUTACIN Y TIEMPO DE ALMACENAMIENTO ........................... 96

CAPTULO 7 .................................................................................................................... 98
EL TRANSISTOR BIPOLAR......................................................................................... 98
7.1

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT)....................................... 98

7.2

DIAGRAMA DE CORRIENTES EN UN BJT ................................................................. 99

7.3

GANANCIAS DE CORRIENTE CONTINUA DEL TRANSISTOR ..................................... 102

7.4

MODELOS ESTTICOS Y GRAN SEAL DEL BJT .................................................... 105

7.4.1

Modelo de Ebers-Moll .................................................................................. 105

7.4.2

Modelo simplificado ..................................................................................... 108

7.5

CARACTERSTICA ESTTICA EN EMISOR COMN .................................................. 110

CAPTULO 8 .................................................................................................................. 115

DISPOSITIVOS FOTNICOS..................................................................................... 115
8.1

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED) ......................................................................... 116

8.1.1

Mecanismos de recombinacin de portadores ............................................. 117

8.1.2

Semiconductores de Transicin Directa e Indirecta. ................................... 118

8.1.3

Materiales semiconductores emisores de luz. .............................................. 120

8.1.4

Caracterstica de los dispositivos semiconductores emisores de luz ........... 121

8.2

DISPOSITIVOS FOTODETECTORES......................................................................... 121

8.2.1

Fotoconductores ........................................................................................... 123

8.2.2

El Fotodiodo PIN......................................................................................... 125

8.2.3

El fotodiodo de Avalancha (APD) ................................................................ 128

8.2.4

El fototransistor ............................................................................................ 128

8.3

LA FIBRA PTICA ................................................................................................ 128

CAPTULO 1

INTRODUCCIN A LOS SLIDOS

CRISTALINOS

1.1

SLIDOS CRISTALINOS. MATERIALES SEMICONDUCTORES

Las sustancias slidas que se encuentran en la naturaleza pueden clasificarse segn el

modo como se organizan los tomos que las constituyen. En los slidos cristalinos, los tomos se
organizan siguiendo un patrn de regularidad que se repite en todo el espacio ocupado por el
cuerpo (Figura 1). En los slidos policristalinos existen tambin determinados patrones de
regularidad que se repiten en regiones locales del cuerpo y que pueden variar de una de estas
regiones a otra. Y por ltimo existen slidos llamados amorfos donde los tomos constituyentes
estn localizados de una manera arbitraria, no pudindose encontrar ningn patrn de regularidad.
En la actualidad todos los dispositivos electrnicos estn construidos sobre sustratos de material
semiconductor cristalizado. Por ello, desde el punto de vista de la ingeniera electrnica, slo los
slidos cristalinos tienen inters. El resto de este apartado se dedica a resumir brevemente algunas
caractersticas de stos.
Los slidos cristalinos tienen una estructura muy regular. Los tomos que los constituyen
estn ordenados en el espacio de una manera peridica casi perfecta, de forma que el slido puede
verse como un mosaico, en el que existe un bloque elemental que se repite regularmente. En la
Figura 2 se muestran distintos ejemplos, donde se observa que la red puede describirse por medio de

un paraleleppedo elemental (celdilla elemental) que se repite peridicamente en el espacio

construido sobre los tres vectores de translacin asociados a sus aristas. Esta estructura lleva a que
los cristales sean sustancias anistropas, es decir, sustancias cuyas propiedades dependen de la

direccin o el plano en que se midan. No es difcil convencerse de esto si se observa que existen
direcciones y planos esencialmente distintos, donde la periodicidad en la repeticin de tomos es
distinta.

Figura 1. Ilustracin de los diferentes tipos de slidos para un cuerpo bidimensional: (a) cristalino, (b)
policristalino y (c) amorfo

Figura 2. Algunos ejemplos de celdas elementales

Los cristales poseen numerosas simetras, es decir, existen distintas direcciones no

paralelas y planos no paralelos estructuralmente idnticos unos a otros. Estas propiedades de
simetra tienen una influencia importante en las propiedades de los slidos, ya que el diagrama de
bandas del slido (se introducir ms tarde) refleja estas simetras. Todas las propiedades fsicas de
los slidos cristalinos y, entre ellas, las propiedades elctricas, dependen del comportamiento
colectivo de los tomos que los forman, tomos que, como se ha dicho anteriormente, estn
ordenados en una red tridimensionalmente peridica.
La mayora de los materiales que poseen propiedades semiconductores o que se combinan
con otros para la fabricacin de semiconductores pueden encontrarse en los grupos II B, III A, IV A,
V A y VI A de la Tabla Peridica de los Elementos Qumicos (ver Tabla 1). La columna IV tiene un
especial inters por encontrarse los semiconductores elementales. En los primeros aos del
desarrollo de la electrnica de estado slido, el material ms usado fue el Ge. Sin embargo, en la
actualidad la mayora de dispositivos y componentes electrnicos que se comercializan estn
construidos sobre Si. Una de las caractersticas de estos dos materiales es que no son fotoemisivos.
Tabla 1. Recuadrados los elementos utilizados en la fabricacin de semiconductores

II B

III A

IV A

VA

VI A

B (Boro)

C (Carbono)

N (Nitrgeno)

O (Oxgeno)

Al (Aluminio)

Si (Silicio)

P (Fsforo)

S (Azufre)

Zn (Zinc)

Ga (Galio)

Ge (Germanio) As (Arsnico)

Cd (Cadmio)

In (Indio)

Sn (Estao)

Hg (Mercurio)

Tl (Talio)

Pb (Plomo)

Se (Selenio)

Sb (Antimonio) Te (Teluro)
Bi (Bismuto)

Po (Polonio)

A diferencia de ellos, la mayora de los compuestos binarios formados por elementos de

los grupos III y V de la tabla tienen la propiedad de poder emitir radiacin ptica en el intervalo
espectral del infrarrojo cercano y luz visible. Algunos de estos son: GaAs, InP, InSb, ... El GaAs
es un material semiconductor con especial relevancia en las comunicaciones por fibra ptica, pues
fue el material ms empleado en los comienzos de stas para la realizacin de dispositivos emisores

de luz (=0.85 m). Tambin por algunas de sus caractersticas1 se emplea en la generacin de
microondas para la telecomunicacin. En la actualidad se estn usando tambin en el terreno de las
comunicaciones pticas compuestos ternarios y cuaternarios (Ej: AlGaAs, InGaAsP, ... ) El
compuesto GaP permite la realizacin de dispositivos fotoemisores que irradian luz visible, y
dependiendo de las impurezas2 con que se dope, se puede conseguir luz verde o roja. El compuesto
ternario GaAsP tambin emite luz visible.
1.2

EL TOMO DE HIDRGENO. NMEROS CUNTICOS.

Las propiedades elctricas y trmicas de los slidos estn caracterizadas por la estructura de
las bandas de energa de los mismos. La formacin de estas bandas surge por la interaccin de los
electrones de los tomos constituyentes del slidos y por la naturaleza cuntica de los mismos. Por
ello, ser necesario en este apartado introducir algunos de los resultados ms importantes de la
rama de la fsica conocida como Mecnica Cuntica. La Mecnica Cuntica estudia el mundo
subatmico, y en particular la interaccin de las partculas que forman a los tomos y las fuerzas de
enlace de los slidos. Para ilustrar la presentacin de los resultados que tienen inters para nosotros,
utilizaremos como ejemplo el sistema fsico constituido por un protn y un electrn, es decir, un
tomo de hidrgeno.
Segn el modelo del tomo de hidrgeno clsico, el protn, que tiene una masa 1836 veces
mayor que la del electrn, permanece en reposo, mientras el electrn gira a su alrededor. El sistema
permanece en equilibrio dinmico3 cuando se iguala la fuerza elctrica de atraccin entre ambas
partculas con la fuerza centrfuga del electrn. El estado del sistema est caracterizado por la
posicin y la velocidad del electrn en cualquier instante de tiempo. El sentido fsico de ambas
magnitudes es bien conocido por el alumno. Ahora bien, segn el Principio de Incertidumbre de
Heisenberg, es imposible medir simultneamente la posicin y el momento lineal de una partcula,

Como se vera en captulos posteriores presenta una resistencia de pequea seal negativa para ciertos valores de
polarizacin
2
Por impurezas en este caso entendemos tomos diferentes al Ga y al P que se insertan en la red cristalina del
compuesto GaP de una manera controlada. El GaP es un semiconductor de transicin indirecta, esto quiere decir que
por si slo no es un material fotoemisor, por ello la necesidad de utilizar impurezas
3
En realidad, segn la mecnica clsica, el electrn es una particula acelerada que irradia energa electromagntica y
que por tanto acaba precipitndose sobre el protn. Es un sistema inestable.

es decir, no es posible saber simultneamente la posicin y la velocidad de la partcula. Por tanto,

para definir el estado del electrn, y as estudiar el tomo de hidrgeno como un ente cuntico, hay
que renunciar a las ideas clsicas. En mecnica cuntica, el estado de una partcula4 es definido por
la funcin de onda (rr ) . El sentido fsico de la funcin de onda es dado por la interpretacin de la
cantidad | (rr ) | 2 V como la probabilidad de encontrar al electrn en el pequeo volumen de valor
r
V situado en el punto del espacio r .

Figura 3. Funciones de densidad de probabilidad del tomo de hidrgeno.

Una de las conclusiones inmediatas que se pueden obtener es que el electrn ya no se

puede considerar como una partcula localizada en un punto determinado, sino que se encuentra
localizado en una regin difusa en torno al ncleo. A esta regin se conoce con el nombre de

Entendemos por estado en este caso todo lo que fsicamente se puede conocer de la partcula.

10

orbital5 y la probabilidad de encontrar al electrn en la misma es alta. En la Figura 3 se representa la

apariencia tridimensional del mdulo al cuadrado de varias funciones de onda de un electrn
perteneciente a un tomo de hidrgeno aislado. Las regiones sombreadas indican dnde existe una
probabilidad mayor de encontrar al electrn.
Uno de los resultados de la Mecnica Cuntica es que no siempre las magnitudes fsicas
pueden tomar infinitos valores de un intervalo continuo. Por ejemplo, la energa del electrn en el
tomo de hidrgeno, segn las ideas clsicas, era una funcin continua de la distancia al ncleo, es
decir, E = E (r ) . Como r toma valores en el intervalo (0,+) , E toma tambin valores en otro
intervalo continuo. Sin embargo, la teora cuntica nos dice que en la realidad la energa del
electrn slo puede tomar valores de un conjunto discreto, es decir, E = E n

n = 1,2,3,... En

la Figura 4 se muestran los diferentes valores de energa que puede tomar el tomo de hidrgeno.
Como se observa, en el estado fundamental ( n = 1 ), la energa es E1 = 13.6eV . Por tanto, para
ionizar al tomo es necesario suministrar externamente al tomo la energa de 13.6 eV. Cada vez
que el electrn pasa de un nivel de energa superior a uno inferior, la diferencia de energa se emite
como un fotn. Si ocurre el proceso contrario, es decir, un electrn pasa de un nivel energtico
inferior a uno superior, el tomo absorbe un fotn. La relacin entre la energa del fotn y su
frecuencia es dada por la ley de Planck, E = hf , donde h = 6.625 10 34 Js es la constante de
Planck. El ndice n utilizado para enumerar los diferentes valores de energa del tomo se conoce
por nmero cuntico principal y toma valores desde 1 hasta + .
Cada nivel de energa se corresponde con un estado electrnico6, teniendo asociado una

funcin de onda (o un orbital). Sin embargo, en el tomo existen otras magnitudes fsicas que se
conservan, que toman valores discretos y que pueden ser medidas simultneamente junto con la
energa. Por tanto, los valores que estas magnitudes toman estn indexados por variables enteras l
y m . El nmero cuntico orbital l nos indica el valor del mdulo del momento angular alrededor

En la mecnica clsica el electrn recorra una trayectoria perfectamente definida y era posible predecir donde estara
en instantes futuros de tiempo. Por ello se hablaba de rbita, concepto acuado por la similitud del tomo con un
sistema planetario. Como en realidad no es posible predecir la posicin del electron, se ha acuado el concepto de
orbital.
6
En la realidad, el tomo de hidrgeno es degenerado, es decir, diferentes estados electrnicos pueden tener el mismo
valor de energa. Este hecho se observa en la Figura 3, donde diferentes orbitales poseen el mismo nmero n .

11

del ncleo que puede tomar un electrn en un determinado estado y el nmero cuntico magntico
m nos indica el valor que puede tomar la proyeccin del momento angular del electrn alrededor

del ncleo sobre una direccin arbitraria del espacio. Para un valor determinado n del nmero
cuntico principal, los valores que puede tomar el nmero cuntico orbital son l = 0,1,..., n 1 . Y
para un valor determinado l , los posibles valores que puede tomar el nmero cuntico magntico
son m = l ,...,0,..., l .

Figura 4. Los cinco niveles menores de energa del tomo de hidrgeno y el nivel de ionizacin.

Existe un cuarto nmero cuntico conocido como spin, que slo puede tomar dos valores

s = 1 / 2,+1 / 2 y que est relacionando con las dos nicas orientaciones de giro del electrn
entorno a s mismo. Por tanto, podemos concluir, que para definir el estado electrnico de un
electrn en el tomo, es necesario indicar cuatro nmeros cunticos. O dicho de otra manera, la
r
funcin de onda del electrn en un estado estacionario es funcin del vector de posicin r y de
r
cuatro parmetros que son nmeros enteros = n, l , m, s (r ) .
1.3

TOMOS COMPLEJOS

El tomo de hidrgeno es el ms sencillo de analizar por tener un slo un electrn. Sin

embargo, muchas de las conclusiones a las que se han llegado en el apartado anterior siguen siendo
vlidas para tomos con un nmero mayor de electrones. Concretamente, los valores energticos

12

que pueden tomar los electrones son discretos y cada estado electrnico es definido por los cuatros
nmeros cunticos. Se dice que todos los electrones que ocupan estados con el mismo nmero
cuntico principal constituyen una capa. Dentro de una capa, todos los electrones con el mismo
nmero cuntico orbital forman una subcapa. A cada valor de l se le asigna una letra, tal y como se
muestra en la Tabla 2. As pues, una subcapa se puede identificar indicando los nmeros cunticos
n y l . Por ejemplo, la notacin 3 p 3 indica que en la subcapa l = 1 de la capa n = 3 , slo hay tres

estados electrnicos ocupados de los 6 estados totales. El nmero mximo de electrones que puede
haber en una subcapa figura tambin en la Tabla 2 y se deja como ejercicio que el alumno
compruebe de donde se obtienen los mismos.
Tabla 2 Letras asignadas al nmero cuntico orbital y nmero mximo de electrones en cada subcapa

Nmero cuntico orbital

Letra

Nmero mximo de electrones

10

14

La ocupacin de los estados electrnicos de un tomo con un nmero determinado de

electrones se rige por dos principios fsicos fundamentales7. Estos son:
1. Principio de la mnima energa. Todos los electrones tienen la tendencia natural de ocupar
los estados de menor energa.
2. Principio de Exclusin de Pauli. No puede haber dos o ms electrones con los cuatro
nmeros cunticos iguales. Si esto fuera posible, todos los electrones de un tomo ocuparan
el estado fundamental o de menor energa.
Por tanto, los electrones ocupan los estados electrnicos de menor a mayor energa sin

poder haber ms de un electrn en el mismo estado. La configuracin electrnica de un tomo

En realidad sera necesario una tercera regla de ocupacin, el principio de mxima multiplicidad o regla de Hund.
Pero en nuestro caso no tiene inters.

13

nos indica como los electrones se distribuyen por las diferentes subcapas del mismo. Como ejemplo
pondremos algunos elementos semiconductores del grupo IV A de la tabla peridica.

El nmero de electrones del Si es 14 y su configuracin electrnica es:

1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 2 .

El Ge tiene 32 electrones y por tanto: [ Ar ]3d 10 4 s 2 4 p 2 . El smbolo [Ar ] refiere la

configuracin electrnica del gas noble argn.

Las propiedades elctricas de los slidos estn ntimamente relacionadas con los electrones
de la ltima capa de los tomos constituyentes. Para el caso de los semiconductores del grupo IV A,
en su ltima capa ( n = 3 para el Si y n = 4 para el Ge) hay cuatro electrones.

1.4

BANDAS DE ENERGA

En este apartado y el siguiente se pretende describir, de una forma aproximada, el

comportamiento de aquellos electrones de un slido que son responsables de sus propiedades
elctricas, es decir, su mayor o menor capacidad para conducir la electricidad. Si se consideran los
tomos aislados, antes de formar el slido cristalino, resulta que son los electrones de la ltima
capa los que, al formarse el slido, determinan las propiedades elctricas de ste. Se tendr, pues,
que para conocer las propiedades elctricas de un slido es preciso describir el comportamiento de
N m objetos cunticos (electrones), donde N es el nmero de tomos del slido y m el nmero de

electrones de la ltima capa del tomo aislado.

La extensin espacial de la funcin de onda asociada a los electrones de un tomo es tanto
mayor cuanto mayor sea el nivel energtico del electrn. Por ello, son precisamente las funciones
de onda de los electrones de valencia las que en mayor medida interaccionan entre s cuando se
forma el slido cristalino. Esto justifica el considerar separadamente el conjunto formado por el
ncleo del tomo y los electrones internos, por un lado, y los electrones de valencia por otro.
Cuando dos tomos estn lo suficientemente separados, los electrones de uno y otro no
interaccionan entre s. Las regiones sombreadas de la Figura 3 correspondientes a electrones
equivalentes de estos dos tomos no se solapan. Aquellos electrones que ocupan niveles similares

14

en ambos tomos tienen la misma energa y estn descritos por funciones de onda iguales (mientras
no haya interaccin entre ambos). Sin embargo, a medida que se aproximan dos tomos, las
funciones de onda que describen el comportamiento de dos electrones comienzan a solaparse con lo
que se ven perturbadas, es decir, se modifican ambas funciones. Cualitativamente se observa un
desplazamiento en los niveles energticos de ambos electrones de forma que stos no coincidan.
Esto es debido a que los electrones son un tipo particular de entes cunticos, los fermiones, que
poseen una caracterstica muy especial: dos o ms fermiones no pueden ocupar un mismo estado
cuntico8. Por este motivo se separan los niveles energticos de los electrones al aproximarse para
formar la red cristalina.

Figura 5. Formacin de las bandas de valencia y conduccin de un cristal de carbono.

En la Figura 5 se observa lo que ocurre a medida que se acercan los N tomos de una red
cristalina de carbono. Los 2N niveles energticos 2s de los tomos, as como los 6N niveles 2p,
empiezan a separarse, formando, inicialmente, dos bandas de niveles energticos, una
correspondiente a los niveles 2s de los tomos y otra correspondiente a los niveles 2p. Si el
acercamiento entre tomos contina, las dos bandas se funden en una sola. Si la aproximacin

Es una forma diferene de enunciar el principio de exclusin de Pauli.

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contina, esta banda se divide en dos, cada una de las cuales contiene 4N niveles energticos. La
banda inferior recibe el nombre de banda de valencia y la superior banda de conduccin. En la
figura se ha representado tambin la distancia de separacin entre tomos en la red del diamante, es
decir, la distancia para la cual la energa total del sistema se hace mnima. El intervalo de
separacin entre ambas bandas recibe el nombre de banda prohibida y la diferencia de energa
entre ellas anchura de la banda prohibida.
A una temperatura igual a 0K, los electrones ocupan los niveles de energa ms bajos. El
diamante cuenta con cuatro electrones en su ltima capa, por lo que la banda de valencia estar
totalmente ocupada, mientras que la banda de conduccin estar totalmente vaca. Para que un
electrn pueda desplazarse como una partcula a lo largo de la red cristalina (condicin
indispensable para que sea conductor de la electricidad) debe tener estados de energa superiores
accesibles (vacos) dentro de la banda a la que pertenece. Por ello se puede deducir que a 0K el
diamante es un aislante perfecto. A temperaturas superiores a 0K los electrones no tienen por qu
ocupar necesariamente los niveles energticos ms bajos posibles y existe una probabilidad no nula
de que un electrn ocupe un estado energtico de la banda de conduccin. La probabilidad de que
un electrn que a 0K ocupa la banda de valencia pueda ocupar la banda de conduccin, depende
tanto de la temperatura como de la anchura de la banda prohibida. En el diamante la anchura de la
banda prohibida es lo suficientemente grande como para que a temperatura ambiente la
probabilidad de que esto ocurra sea nfima. Por ello el diamante es una excelente aislante incluso a
temperaturas altas.

Figura 6. Diferencias entre metales, metales de transicin, dielctricos y semiconductores.

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Los metales son buenos conductores de la electricidad debido a que la banda de conduccin
no est vaca sino que se encuentra parcialmente llena, o bien puede ocurrir que la banda de
valencia y la banda de conduccin se solapen entre s (este es el caso de los metales de transicin),
tal como se muestra en la Figura 6.
Hay determinados slidos cristalinos que presentan caractersticas de conduccin elctrica
intermedias entre las de los aislantes y los metales. Son los semiconductores, entre los que cabe
destacar el Silicio, el Germanio y el Arseniuro de Galio. En estos materiales la anchura de la banda
prohibida es lo suficientemente pequea para que a temperatura ambiente haya una concentracin
no despreciable de electrones en la banda de conduccin. Este tipo de materiales es aislante a
temperaturas bajas y su conductividad elctrica crece a medida que aumenta la temperatura. En el
siguiente apartado se discutir con mayor detalle el proceso de conduccin de corriente en un
semiconductor.

1.5

PORTADORES DE CARGA EN UN SEMICONDUCTOR: ELECTRONES Y

HUECOS

Antes de introducir el concepto de huecos es conveniente recordar la naturaleza del enlace

covalente. Como se sabe de qumica, la tendencia natural de todo tomo que se combina consigo
mismo o con otros elementos de la tabla peridica para formar una molcula o un slido es alcanzar
la configuracin electrnica de un gas noble. Los gases nobles son elementos no reactivos, es decir,
no se combinan con ningn otro elemento, debido a que su ltima capa est cerrada. Por capa
cerrada entendemos la existencia de ocho electrones, y su configuracin electrnica es ns 2 p 6 ,
donde n es el nmero cuntico principal. Un ejemplo muy ilustrativo es el enlace inico de la sal
comn o cloruro sdico NaCl. El Na tiene en su ltima capa slo un electrn y el Cl le falta uno
para completar la capa 3sp. Por tanto, el Na ([Ne]3s1) entrega su electrn de valencia al Cl
([Ne]3s23p5) y ambos tomos se quedan con la configuracin electrnica del Ar y Ne,
respectivamente. Como consecuencia de ello, el tomo de Na queda ionizado positivamente y l de
Cl negativamente, formndose el slido por atraccin electrosttica.
Sin embargo, las sustancias semiconductoras se unen mediante el enlace covalente.
Recordamos que el silicio ( [Ne]3s 2 p 2 ) tiene en su capa de valencia cuatro electrones. Cuando este

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elemento se combina para formar el slido, el tomo comparte sus cuatro electrones de valencia
con los cuatro electrones situados a su alrededor. A su vez estos comparten con el tomo uno de sus
electrones. Como se observa en la Figura 7, el tomo A1 comparte sus electrones con los tomos
vecinos, de tal modo que los dos electrones de un enlace covalente pertenecen por igual a los dos
tomos unidos por ese enlace. De esta manera, cada tomo tiene ocho electrones en su ltima capa
formando un sistema estable.
A la temperatura del cero absoluto (0K), sin presencia de ninguna excitacin externa, todos
los electrones de la red estn localizados en sus respectivos enlaces covalentes. Por tanto, el
semiconductor se comporta como un aislante. Por ejemplo, ninguno de los dos electrones del
enlace A6-A7 (enlace entre el tomo A6 y el A7) puede ubicarse en los estados del enlace A6-A1
porque, al estar estos ltimos ocupados, lo impide el principio de exclusin de Pauli. Esta situacin
se correspondera con la banda de valencia completa y la banda de conduccin vaca. Sin
embargo, como se observa en el tomo A2 de la figura, cuando la temperatura del material es
superior al cero absoluto, algunos electrones adquieren suficiente energa trmica para liberarse del
enlace. Este caso se correspondera con la generacin trmica de un par electrn-hueco, que
visto en la estructura de bandas de energa, supondra una transicin de un electrn desde la banda
de valencia a la banda de conduccin (Figura 8). Al enlace roto en A2 se le llama hueco. Si ahora
se aplica un campo elctrico externo, el electrn de la banda de conduccin se movera en el
sentido contrario al campo, generndose corriente elctrica. En la banda de valencia tambin se
generara corriente, puesto que ahora s hay estados electrnicos desocupados. Este proceso se
ilustra en la Figura 7 donde por accin trmica se gener un par e-h en el tomo A5. El electrn es
desplazado hacia la izquierda (proceso en la banda de conduccin) mientras que un electrn de un
enlace vecino pasa a ocupar el hueco generado. El proceso de transferencia de un electrn de un
enlace completo a un enlace roto contina hasta que finalmente el hueco acaba en el tomo A3.
Ntese que la ausencia de un electrn en un enlace supone que el tomo se queda ionizado
positivamente y con el desplazamiento del hueco desde A5 hasta A3 se ha producido un
desplazamiento neto de una carga positiva hacia la derecha. Por tanto, podemos concluir que a
efectos prcticos un enlace roto se comporta como una partcula de carga positiva, libre (se

puede desplazar por la red cristalina) y de valor igual a la carga del electrn.

18

Tanto los electrones como los huecos en el interior de la red cristalina no son partculas
libres ni clsicas. Sin embargo, se puede demostrar que en los extremos de las bandas9 ambas
partculas obedecen las leyes de Newton ante la excitacin de un campo elctrico o magntico
externo con tal que redefinamos el valor de sus masas inerciales. A los nuevos valores los
llamaremos masas efectivas. A lo largo de esta asignatura utilizaremos la siguiente notacin:

me masa efectiva del electrn

mh la masa efectiva del hueco

Una justificacin rigurosa de este hecho no se dar en esta asignatura por la complejidad de

la misma, pero si podemos justificarlo diciendo que el electrn (o el hueco) no slo se ve sometido
a la fuerza del campo aplicado externamente, sino tambin a las fuerzas internas del cristal (ncleos
atmicos, impurezas ionizadas, otros electrones de la red, ...). Para no incluir las fuerzas internas en
nuestros anlisis y considerar slo las fuerzas externas, debemos modificar el valor de la masa.

Figura 7. Representacin bidimensional del enlace covalente en el silicio. Generacin trmica de un par e-h en el
tomo A2. Desplazamiento por un campo elctrico del par e-h generados trmicamente en el tomo A5 (Flechas
de trazo continuo: Movimiento de portadores. Flechas de trazo discontinuo: Generacin de pares de e-h

Electrn en el mnimo de la BC y el hueco en el mximo de la BV

19

Por ltimo aclaramos que cuando se genera un par e-h, el electrn tiende a ocupar los
estados de menor energa, es decir, aquellos que estn entorno al mnimo de la banda de
conduccin (BC). Sin embargo, con los huecos ocurre lo contrario. El hueco es un estado
electrnico vaco, por lo que tiende a estar en los valores ms altos de energa, como una burbuja de
aire en una botella de agua tiende a estar siempre arriba.

Figura 8. Generacin de un par e-h. Por accin trmica, un electrn de la banda de valencia es transferido a la
banda de conduccin.

20

CAPTULO 2

CONCENTRACIONES DE
PORTADORES EN EQUILIBRIO
TRMICO

A la temperatura de 0K el slido cristalino posee una energa mnima. A medida que

aumenta la temperatura la energa del slido crece, de forma que los elementos que lo componen,
ncleos de la red cristalina y electrones de la banda de conduccin, adquieren energas cada vez
mayores. Los ncleos de la red comienzan a vibrar alrededor de sus posiciones de equilibrio. Por
otro lado, los electrones, que a 0K ocupaban todos los estados energticos de la banda de valencia y
ninguno en la banda de conduccin, empiezan a ocupar estados cunticos de la banda de
conduccin (que son ms energticos).
Se observa, pues, que las propiedades elctricas de los semiconductores dependen de la
temperatura, ya que la concentracin de portadores de carga, electrones y huecos, es funcin de la
temperatura. La dependencia de los estados vibratorios de los ncleos de la red con la temperatura
tambin hace que las propiedades elctricas de los semiconductores cambien con ella ya que, segn
se ver en otro tema, uno de los mecanismos de dispersin de los portadores de carga es la
interaccin de stos con los ncleos de la red cristalina; esta interaccin es tanto ms probable
cuanto mayor sea la energa de vibracin de los ncleos de la red.
En esta leccin se pretende determinar la concentracin de portadores de carga (electrones y
huecos) que, a una temperatura dada, existe en un semiconductor. En primer lugar se centrar el
estudio sobre los semiconductores intrnsecos, es decir, aquellos en los que electrones y huecos se
crean exclusivamente mediante excitacin trmica. Los portadores de carga creados de esta manera

21

reciben el nombre de portadores intrnsecos y la conductividad debida a estos portadores (la nica
que existe en los semiconductores intrnsecos), conductividad intrnseca. En un semiconductor

intrnseco el nmero total de electrones en la banda de conduccin es igual al nmero total de

huecos en la banda de valencia ya que, al pasar un electrn de la banda de valencia a la de
conduccin, ste deja un hueco en la banda de valencia. Para hallar la conductividad de un
semiconductor hay que determinar previamente dos cosas: La densidad de estados energticos en
las bandas de conduccin y valencia y la probabilidad de ocupacin, a una temperatura dada, de
los niveles energticos.
A partir del anlisis hecho para los semiconductores intrnsecos, se estudiarn los
semiconductores extrnsecos, es decir, aquellos cuyas propiedades elctricas dependen de unas
impurezas que se aaden al semiconductor.

2.1

DENSIDAD

DE

ESTADOS

EN

LAS

BANDAS

DE

VALENCIA

CONDUCCIN.

Figura 9. Discretizacin de estados energticos dentro de las bandas de valencia y conduccin

Los niveles de energa permitidos en un slido cristalino son discretos, aunque estn
separados entre s por saltos de energa extremadamente pequeos (Figura 9). Por esta razn, en
general, se supone que los niveles energticos forman una banda continua. Para definir el concepto
de densidad de estados se considerarn niveles discretos, ya que la definicin resulta ms intuitiva.

22

Considrese un nivel de energa situado en la banda prohibida. Segn se dijo en apartados

anteriores, un electrn de un semiconductor ideal no puede tener ese valor de energa y, por tanto,
si consideramos un intervalo de energas alrededor de ese valor, resulta que el nmero de estados
energticos accesibles para un electrn en dicho intervalo es 0 y, por consiguiente, la densidad de
estados, es decir el nmero de estados accesibles dividido por la anchura del intervalo considerado,
es 0 en la banda prohibida. Si se considera una energa superior al mnimo de la banda de
conduccin, resulta que ese estado s es accesible para un electrn y, por consiguiente, la densidad
es mayor que 0.
La separacin entre estos niveles no es constante, sino que es menor para niveles ms
separados de la banda prohibida. Es decir, la densidad de niveles energticos aumenta cuanto
mayor es la energa en la banda de conduccin o menor en la banda de valencia. Las expresiones de
las densidades de estados de los electrones en la banda de conduccin y de los huecos en la banda
de valencia son:
Ecuacin 1

Ne (E) =
N h (E) =

8 2
h

8 2

me 3 / 2 E Ec

E > Ec

mh 3 / 2 Ev E

E < Ev

donde Ec es la energa del mnimo de la banda de conduccin y Ev es la energa del mximo

de la banda de valencia. Por tanto, a medida que nos adentramos en la banda de conduccin, el
nmero de estados accesibles para los electrones crece con la raz cuadrada de la energa. La
afirmacin anloga es cierta para los huecos en la banda de valencia. El coeficiente de
proporcionalidad no es en ambos casos el mismo ya que, en general, las masas efectivas de
electrones y huecos no son iguales.

2.2

PROBABILIDAD DE OCUPACIN DE ESTADOS

Para determinar el nmero de portadores de carga en la banda de conduccin y en la banda

de valencia se necesita conocer, adems de la densidad de estados energticos N(E), la probabilidad
de que el estado de energa E est ocupado. Esta caracterstica viene definida por una funcin f(E,T)

23

de distribucin donde E vara de - a +. El sentido de esta funcin es claro. Supngase un estado

de energa E*; supuesto que este valor de energa pertenece a la banda de conduccin (estado
accesible de energa) la probabilidad de que est ocupado por un electrn es f(E*,T).
La expresin de f(E,T) es la siguiente:
Ecuacin 2

f ( E,T ) =

1
1+ e

( E E f ) / kT

donde la constante k=1.38x10-23 J/K es la constante de Boltzmann. Esta funcin recibe el

nombre de funcin de distribucin de Fermi-Dirac y describe el comportamiento estadstico de
cualquier poblacin de fermiones y, en particular, de los electrones y huecos en un slido cristalino.
Ef es una constante en el sentido de que no es funcin de E, pero depende, aunque sea
dbilmente, de la temperatura. Ef recibe los nombres de potencial qumico, nivel de Fermi o
energa de Fermi.

Figura 10. Funcin de distribucin de Fermi-Dirac a 0K y a T > 0k

En la Figura 10 se ha representado la funcin de distribucin de Fermi-Dirac para distintas

temperaturas. En ella se observa que a 0K los estados de energa E > Ef tienen una probabilidad
nula de estar ocupados, mientras que si la energa es inferior a Ef la probabilidad es 1. A
temperaturas superiores a 0K un estado de energa igual al nivel de Fermi tiene una probabilidad

24

0.5 de estar ocupado. A temperatura ambiente de funcionamiento en los materiales

semiconductores, la funcin de Fermi tiene una apariencia no excesivamente distinta de la que tiene
a 0K, ya que tiene un comportamiento exponencialmente decreciente para energas superiores al
nivel de Fermi. En una seccin posterior se ver cmo se determina Ef y cmo depende de la
temperatura.
2.3

CONCENTRACIN DE ELECTRONES Y HUECOS EN EQUILIBRIO

TRMICO

La concentracin de electrones en la banda de conduccin, es decir, el nmero de electrones

que hay por unidad de volumen en un intervalo infinitesimal de energa (E,E+dE), se obtiene
multiplicando la funcin de densidad de estados en la banda de conduccin por la probabilidad de
que dichos estados estn ocupados, es decir, por la funcin de distribucin de Fermi-Dirac f(E,T).
Integrando este producto para energas superiores al mnimo de la banda de conduccin se obtiene
la concentracin total de electrones libres en la banda de conduccin (no). El subndice o refiere la
condicin de equilibrio trmico. La concentracin de huecos en la banda de valencia se obtiene
multiplicando la funcin de densidad de estados en la banda de valencia por la probabilidad de que
dichos estados no estn ocupados (sta es la probabilidad de que exista un hueco), es decir 1-f(E,T).
Integrando este producto para energas inferiores al mximo de la banda de valencia se obtiene la
concentracin total de huecos libres en la banda de valencia (po). Esto es:
Ecuacin 3.
+

no =

Ec
Ev

po =

N e ( E ) f ( E , T ) dE =

Ec
Ev

N h ( E ) [1 f ( E ,T )] dE =

8 2
h

8 2
h3

me3 / 2 E Ec

1
1+ e

mh 3 / 2 Ev E (1

( E E f ) / kT

dE

1
1+ e

( E E f ) / kT

) dE

25

Figura 11. Concentracin de electrones y huecos en las bandas de un semiconductor intrnseco.

La interpretacin grfica de las integrales de la Ecuacin 3 se ilustra en la Figura 11 donde se

representan las funciones de densidad de estados en ambas bandas y la funcin de Fermi-Dirac. La
concentracin de electrones no en la banda de conduccin se corresponde con el rea de la regin
rayada de la figura en el intervalo energtico E > Ec. Esta regin est delimitada por el eje vertical
de la energa y el producto de funciones N e ( E ) f ( E , T ) . De igual manera la concentracin de
huecos se corresponde con el rea de la regin delimitada por el eje y el producto de funciones
N h ( E ) [1 f ( E , T )] .

Las integrales de la Ecuacin 3 no tienen solucin analtica y su solucin requiere

de tcnicas numricas. Sin embargo, en la mayora de los casos prcticos el nivel de Fermi se
encuentra en la banda prohibida y alejado de Ec y Ev varias veces la cantidad kT (a temperatura
ambiente, T=298K, kT=0.026eV )10. En tal caso se puede hacer la aproximacin de MaxwellBoltzmann:

10

Por definicin 1 eV es la energa que libera o se comunica a un electrn en un desplazamiento entre dos puntos con
una caida de potencia de 1V. Id. 1 eV=1.609x10-19J

26

Ecuacin 4. Aproximacin Maxwell-Boltzmann

f (E,T ) =

1
1+ e

1 f (E,T ) =

( E E f ) / kT

1
1+ e

( E E f ) / kT

( E E f ) / kT

E E f >> kT

si

+ ( E E f ) / kT

E f E >> kT

si

Si sustituimos la Ecuacin 4 en la Ecuacin 3 las integrales se resuelven analticamente y las

concentraciones de portadores toman el valor
Ecuacin 5. Concentraciones de un SC en equilibrio trmico

no = U c e
po = U v e

( Ec E f ) / kT

( E f Ev ) / kT

; U c = 2(

; U v = 2(

2me kT
2

h
2mh kT
h

)3 / 2

)3 / 2

donde los coeficientes Uc y Uv reciben el nombre de densidades efectivas de estados en la

banda de conduccin y de valencia, respectivamente. La aproximacin de Boltzmann tiene una
interpretacin: la estadstica de electrones y huecos pasa de ser una estadstica cuntica a ser una
estadstica clsica11.

Semiconductores intrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco si en su red cristalina no hay impurezas ni
irregularidades. Como se ver en el apartado posterior, hay veces que interesa sustituir tomos

nativos del semiconductor por otro tipo de tomos, que se introducen en la red cristalina de una
manera controlada. En tal caso, se dice que el semiconductor es extrnseco. Tambin pudiera
ocurrir que en la red cristalina haya irregularidades (microfracturas, vacantes posiciones en la red
donde no hay tomo-, ...) o tomos de impurezas que se introducen en al red, de una manera no
controlada, durante el proceso de fabricacin o por el entorno en el que se encuentra el
semiconductor. En un semiconductor intrnseco todos los electrones de la banda de conduccin

11

Las concentraciones de portadores en los extremos de las bandas son mucho menores las concentraciones de estados.
Por ello, un electrn (hueco) encuentra a su alrededor muchos estados libres en los que alojarse y el principio de
exclusin de Pauli no tiene efecto.

27

provienen de la banda de valencia por generacin trmica (id. Los electrones que se mueven libres
por la red cristalina provienen de la ruptura de enlaces covalentes). Por ello el nmero de electrones
es igual al de huecos (id. no = po = ni). Por definicin la concentracin intrnseca ni es el valor
de la concentracin de portadores (electrones o huecos) en un semiconductor intrnseco. Por

el contrario, en un semiconductor extrnseco las concentraciones de portadores no tienen porque ser

iguales.
Si mh y me son exactamente iguales, las curvas de densidad de estados en las dos bandas son
totalmente simtricas, por lo que la energa de Fermi queda exactamente en el centro de la
banda prohibida en un semiconductor intrnseco (ver Figura 11). Si no fuera as, la poblacin de

electrones en la banda de conduccin y la de huecos en la banda de valencia no coincidiran. Si mh

y me no son iguales (y esto suele ocurrir en la realidad), el nivel de Fermi debe desplazarse
ligeramente hacia arriba o hacia abajo de forma que al efectuar las integrales se obtengan valores
iguales de las concentraciones. En este caso, el nivel de Fermi se desplaza ligeramente desde el
centro de la banda prohibida a la banda de portadores con menor masa efectiva. Este hecho se
muestra en la Figura 11 para el caso mh > mn , donde Ef se desplaza hacia el mnimo de la banda de
conduccin Ec.
Si en la Ecuacin 5 se igualan las expresiones de las concentraciones puede obtenerse la
dependencia del nivel de Fermi, para un semiconductor intrnseco, con la temperatura. Se aconseja
al alumno que demuestre la siguiente expresin:
Ecuacin 6. Nivel intrnseco de un semiconductor

E i = E f , SC int =

Ec + Ev 3
m
+ k T ln h
2
4
mn

Ei recibe el nombre de nivel intrnseco y por definicin es el nivel de Fermi en un

semiconductor intrnseco.
A continuacin se demuestra que el producto no po es una funcin de la anchura de la banda
prohibida, las masas efectivas y la temperatura, siendo independiente del nivel de Fermi. Los
semiconductores extrnsecos pueden describirse (ver el prximo apartado) considerando que su
nivel de Fermi est desplazado con respecto del nivel intrnseco Ei. Por no depender nopo del nivel

28

de Fermi, la expresin que sigue, calculada tomando no= ni y po= ni, es vlida tambin para los
semiconductores extrnsecos.
Ecuacin 7. Ley de accin de masas

no po = ni = 4(
2

2kT
h

) ( me m h )

3/ 2

Eg
kT

El hecho de que el producto de la concentracin total de electrones y huecos sea

independiente de la cantidad de impurezas en un semiconductor extrnseco, va a ser utilizado con
profusin por lo que debe tenerse siempre en mente. La relacin dada por la Ecuacin 7 recibe el
nombre de Ley de Accin de Masas y se cumple en semiconductores que verifican la
aproximacin Maxwell-Boltzmann en ambas bandas bajo las condiciones de equilibrio trmico.
Tambin de la Ecuacin 7 se obtiene la dependencia de la concentracin intrnseca con la
temperatura ( ni T

3/ 2

Eg
2 kT

).

Figura 12. Concentracin intrnseca en funcin de la temperatura.

29

En la Figura 12 se representa la concentracin intrnseca en funcin de la temperatura para

distintos materiales semiconductores. Se observa que si aumenta la temperatura aumenta la
concentracin (hay mayor energa trmica para la generacin de pares e-h). Tambin destacamos
que los semiconductores con menor anchura de banda prohibida (Eg) tienen mayor concentracin
de portadores (la energa mnima para romperse un enlace covalente es menor).

2.4

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS EN EQUILIBRIO TRMICO.

Se puede introducir cantidades muy pequeas de sustancias como arsnico, antimonio u

otros elementos pertenecientes al grupo V de la tabla peridica, en cristales puros de silicio o
germanio, como impurezas de sustitucin, es decir, como tomos de impurezas que ocupan
posiciones de la red cristalina que normalmente estaran ocupados por tomos del semiconductor.
Los tomos del grupo V tienen cinco electrones de valencia. Cuatro de ellos se usan para formar
enlaces covalentes con tomos vecinos del semiconductor y el quinto se enlaza al tomo de
impureza con fuerzas electrostticas muy dbiles. El enlace es tan dbil que, incluso a
temperaturas muy bajas (entorno a 20K), la energa de agitacin trmica de la red es suficiente
para ionizar el tomo de impureza, liberndose el quinto electrn del ncleo de la impureza. Este
electrn ya puede circular libremente por la red cristalina y por tanto se encuentra en la banda de
conduccin. Ntese que en este proceso no se ha generado un hueco en la banda de valencia. Esto
puede interpretarse como la existencia de estados energticos accesibles para los electrones por
debajo, pero muy prximos al mnimo de la banda de conduccin (Figura 13).
Si en lugar de los tomos del grupo V se introducen en la red tomos del grupo III
(Al,Ga,In,etc.), se observar un fenmeno muy distinto. Estos tomos tienen slo tres electrones de
valencia que se usan para formar enlaces covalentes con tres tomos vecinos, pero el cuarto posible
enlace carece de electrn. Esto puede interpretarse como que existen estados energticos accesibles
para los electrones por encima, pero muy prximos al mximo de la banda de valencia (Figura 14).
La proximidad es tan grande que el aporte de una cantidad mnima de energa hace que los
electrones de la banda de valencia pasen a estos estados energticos, producindose un hueco en la
banda de valencia. En este caso no se generan electrones en la banda de conduccin.

30

Figura 13. Estados energticos donadores

Figura 14. Estados energticos aceptores

En el primer caso, el tomo de impureza que queda se convierte en un in positivo y fijo.

Esta situacin se ilustra en la Figura 15. Estos semiconductores se denominan de tipo n, designados
as porque la

mayora de los portadores de carga son, a temperaturas normales de

funcionamiento, electrones libres. La componente de conductividad elctrica que se produce por

los tomos de impureza se llama conductividad de impureza. Los tomos de sustitucin del grupo
V se llaman tomos donadores, ya que cada uno de ellos dona un electrn libre adicional al cristal.

31

Figura 15. Electrones y huecos libres procedentes de tomos de impurezas

En el segundo caso, el tomo de impureza que queda se convierte en un in negativo y fijo.

Esta situacin se ilustra tambin en la Figura 15. Estos semiconductores se denominan de tipo p,
designados as porque la mayora de los portadores de carga son, a temperaturas normales de

funcionamiento, huecos libres. Los tomos de sustitucin del grupo III se llaman tomos
aceptores, ya que cada uno de ellos acepta un electrn de la banda de valencia producindose un
hueco adicional en el cristal.
En un semiconductor en equilibrio trmico por cada electrn libre (en la banda de
conduccin) hay un hueco si se ha generado trmicamente (transicin del electrn desde la BV a la
BC) o una impureza donadora ionizada positivamente si el electrn proviene de la impureza.
Recprocamente, por cada hueco libre hay un electrn (generacin trmica) o una impureza
aceptora ionizada negativamente. Por tanto, todo el cristal debe ser elctricamente neutro. Esta
condicin de neutralidad de cargas puede expresarse igualando la suma algebraica de cargas
positivas y negativas:
Ecuacin 8. Ley de neutralidad de cargas
T >T

ui
po + N d + = no + N a
p o + N d = no + N a

donde po, no, Nd+ y Na- son las concentraciones de huecos, electrones, impurezas donadoras
ionizadas e impurezas aceptoras ionizadas, respectivamente. Como se dijo en un prrafo anterior,

32

para temperaturas superiores a un umbral Tui relativamente bajo (T > Tui , valiendo el umbral en
torno a 60-100K) casi todas la impurezas estn ionizadas pudindose aproximar Nd+ = Nd y Na- =

Na. Donde Nd y Na son las concentraciones totales de impurezas donadoras y aceptoras,

respectivamente.
La concentracin de portadores en las bandas de conduccin y valencia se puede encontrar a
partir de las ecuaciones de neutralidad de cargas y accin de masas. Por ejemplo, si despejamos po
o no de la Ecuacin 7 y sustituimos en la Ecuacin 8 se obtiene:
Ecuacin 9. Concentraciones de un SC extrnseco

Nd Na
(N d N a )2
+
+ ni 2 ; N d N a
2
4
N Nd
(N a N d )2
po = a
+
+ ni 2 ; N d N a
2
4

no =

Si no hay impurezas ( N d = N a = 0 ) el semiconductor es intrnseco y las concentraciones de

portadores son iguales a la concentracin intrnseca ( no = po = ni ). En caso de que el SC est dopado
y las concentraciones de impurezas sean iguales ( N d = N a > 0 ), las concentraciones de portadores
continan siendo iguales a la concentracin intrnseca ( no = po = ni ), pero la movilidad12 de los
portadores ser menor que la de un semiconductor intrnseco. Si N d > N a hay ms electrones que
huecos (SC extrnseco tipo n) y si N d < N a , hay ms huecos que electrones (SC extrnseco tipo p).
Para semiconductores fuertemente extrnsecos ( | N d N a |>> ni ), estas frmulas se
simplifican considerablemente.
Ecuacin 10. Concentraciones de un SC. Fuertemente extrnseco

ni 2
; si
Nd Na
ni 2
; si
po N a N d ; no
Na Nd

no N d N a ;

po

Nd > Na

N d N a >> ni

Na > Nd

N a N d >> ni

33

Las expresiones anteriores parecen indicar que, mientras la concentracin de portadores

minoritarios depende fuertemente de la temperatura ( ni T

3/ 2

Eg
2 kT

), la de los portadores

mayoritarios no depende de sta. Esta afirmacin es relativamente cierta en un amplio intervalo de

temperaturas. En la Ecuacin 10 se ha despreciado la contribucin de los portadores intrnsecos
frente a los extrnsecos a la hora de determinar la concentracin de portadores mayoritarios. Sin
embargo, tal como se muestra en la Figura 12, esta contribucin crece rpidamente con la
temperatura, por lo que cuando sta es muy elevada, la contribucin de portadores intrnsecos se
hace comparable a la de los extrnsecos. Se sugiere al alumno que estime a qu temperatura un
semiconductor, que en principio era extrnseco, pasa a comportarse como uno intrnseco. A
temperaturas muy bajas no todas las impurezas estn ionizadas y habra que sustituir Nd por Nd+ y

Na por Na-. Las expresiones de la Ecuacin 10 van a utilizarse sistemticamente a lo largo de los
temas siguientes, por lo que es muy importante ser consciente de las simplificaciones que se han
hecho para llegar a ellas y conocer las condiciones en las que son aproximadamente ciertas.
Las concentraciones de portadores se pueden expresar tambin en funcin de la
concentracin intrnseca y del valor del nivel intrnseco. Se deja como ejercicio que el alumno
demuestre las siguientes expresiones
Ecuacin 11. Concentraciones de portadores
E f Ei

no = ni e
po = ni e

kT
Ei E f
kT

Las expresiones de la Ecuacin 11 ponen de manifiesto que en un semiconductor tipo n el

nivel de Fermi es mayor que el nivel intrnseco, y que cuanto ms fuertemente extrnseco sea, ms
se aproximar al mnimo de la BC. Recprocamente, en un semiconductor tipo p, el nivel de Fermi
ser menor que el nivel intrnseco y a mayor dopado ms se aproximar a la BV.

12

Parmetro elctrico que se definir en el prximo captulo.

34

Figura 16. Concentracin de electrones en silicio con una concentracin de impurezas donadores Nd=1016 cm-3.
En lnea discontinua la concentracin intrnseca.

En la Figura 16 se representa la variacin de la concentracin de electrones en un

semiconductor de silicio fuertemente dopado con una concentracin de impurezas donadoras

Nd=1016cm-3. En la grfica se pueden distinguir tres regiones de comportamiento diferente. A

temperatura de 0K no hay ninguna energa trmica para excitar los electrones de las impurezas ni
para romper enlaces covalentes, por tanto el valor de la concentracin es cero. Conforme la
temperatura aumenta se van ionizando las impurezas y va aumentando la concentracin. A la
regin de temperaturas desde 0K a 100K se denomina de ionizacin. Sin embargo, cuando se
alcanzan una temperatura entorno a 100K casi todas las impurezas ya estn ionizadas y la
concentracin de mayoritarios permanece constante e igual a no = Nd an si sigue subiendo la
temperatura. Al intervalo de temperaturas donde la concentracin permanece constante se
denomina regin extrnseca. En la regin extrnseca la concentracin de minoritarios crece
proporcionalmente al cuadrado de la intrnseca (ver Ecuacin 10).
En la misma figura se ha representado tambin la concentracin intrnseca como referencia
del peso que en el proceso tiene la generacin trmica (electrones provenientes de la BV). Cuando
la temperatura es suficientemente alta la contribucin de electrones procedentes de la BV no es

35

despreciable, la aproximacin no = N d + po N d no se puede hacer, y ya no permanece constante

no. A muy altas temperaturas, la concentracin intrnseca es mucho mayor que la cantidad de
electrones procedentes de las impurezas y el semiconductor adopta el carcter de intrnseco. Nos
encontramos en la regin intrnseca y se verifica no = N d + po po ni .

36

CAPTULO 3

PROCESOS DE TRANSPORTE DE
CARGA

En un semiconductor en equilibrio trmico los portadores de carga, electrones y huecos, se

encuentran en constante movimiento, es decir, an en ausencia de gradientes de temperatura y en
ausencia de campos externos, se mueven13. En captulos anteriores se dijo que electrones y huecos
pueden considerarse como partculas libres con una cierta energa cintica. Esta energa es, en
ausencia de perturbaciones exteriores, de origen trmico y hace que se desplacen en el seno del
cristal. La direccin en la que se mueven estos portadores no est, en principio, determinada.
Adems, los portadores de carga estn intercambiando continuamente cantidad de movimiento
(chocando) con la red cristalina14. Tras pocas colisiones la trayectoria que sigue el portador no
guarda correlacin alguna con la trayectoria que segua en un principio.
A una temperatura dada, el movimiento trmico de los portadores de carga puede verse
como un proceso aleatorio de dispersin de stos en los nodos de la red cristalina, en los tomos de
impureza y en las imperfecciones del cristal. Dado que la dispersin es un proceso aleatorio, no

existe un movimiento neto de un grupo grande de portadores en ninguna direccin en particular.

Esto no es, evidentemente, cierto para portadores individuales, tal como se observa en la Figura 17.

13

A temperatura ambiente, la velocidad media de los portadores es de unos 100Km/s.

El tiempo medio entre choques, a temperatura ambiente, toma valores comprendidos entre 10-10s y 10-12s,
dependiendo del semiconductor.
14

37

Figura 17. Trayectoria aleatoria de un electrn de la banda de conduccin en una red cristalina.

La probabilidad de que un portador vuelva a su punto de partida al cabo de un tiempo t es

infinitesimal. Sin embargo, si se considera un grupo grande de portadores, no existir ninguna
direccin de desplazamiento preferente para el conjunto y, por tanto, no existir flujo de corriente.
Si se aplica un campo elctrico en el semiconductor, cada portador de carga experimenta
una fuerza que tiende a desplazarlo segn la direccin y el sentido del campo (huecos) o segn la
direccin y sentido contrario al del campo (electrn). La perturbacin que sufre en su trayectoria un
portador es pequea debido a que las velocidades de agitacin trmica son muy grandes. Sin
embargo el comportamiento conjunto de los portadores de carga es radicalmente distinto ya que
ahora se produce un desplazamiento medio del colectivo que no es nulo.
La componente de la velocidad de un portador de carga debida a la presencia del campo
elctrico se denomina velocidad de arrastre y, a menos que el campo elctrico sea muy intenso, su
mdulo es pequeo en comparacin con el mdulo de la velocidad (media) de agitacin trmica.
Sin embargo, esta velocidad tiene la misma direccin y valor medio para todos los portadores

de carga. De ah que aparezca una corriente dentro del semiconductor.

El movimiento neto de los portadores de carga no es un movimiento acelerado (una
partcula sometida a una fuerza constante adquiere un movimiento uniformemente acelerado) sino
constante. Esto es debido a la dispersin por interacciones con la red cristalina, que tiende a
aleatorizar la velocidad del portador tras el choque con la red. Por tanto, tras el choque de un
portador se ha perdido, en promedio, la componente de arrastre de la velocidad total. Puesto
que la velocidad de agitacin trmica suele ser mucho mayor que la velocidad de arrastre, los

mecanismos de dispersin no dependen de esta ltima.

38

La velocidad media de arrastre (velocidad que, en promedio, alcanza la componente de

arrastre entre dos colisiones sucesivas con la red cristalina) es, en principio, proporcional a la
intensidad del campo elctrico aplicado. El coeficiente de proporcionalidad recibe el nombre de

movilidad y toma, en general, valores distintos para los electrones y los huecos. Esta relacin de
proporcionalidad es vlida siempre que la velocidad de arrastre sea pequea frente a la velocidad de
agitacin trmica. Si el campo elctrico aplicado es suficientemente intenso, el arrastre puede
hacerse comparable a la agitacin trmica y la movilidad comienza a decrecer con el campo

elctrico aplicado.
3.1

MECANISMOS DE DISPERSIN DE PORTADORES.

La energa potencial de un electrn en una red cristalina es una funcin peridica en el

espacio. La justificacin de esta afirmacin se entiende bien atendiendo a la Figura 18.

Figura 18. Potencial peridico de un electrn en una red cristalina unidimensional. Con lnea discontinua el
potencial de un tomo aislado. Con lnea continua el potencial total

En esta figura se representa la ubicacin espacial de los ncleos atmicos en una red
cristalina unidimensional. Con lnea de trazo discontinuo se representa la energa potencial de un
electrn para cada uno de los ncleos, supuestos stos aislados. Ahora bien, por el principio de
superposicin, la energa potencial del electrn en la red cristalina es la suma de la contribucin de
todos los ncleos atmicos. Como resultado de la suma (lnea de trazo grueso y continuo)
observamos que el potencial resultante es peridico. En la discusin anterior no se ha considerado
la contribucin que el resto de electrones de la red tiene sobre el potencial total. No obstante,
considerando que stos van a estar distribuidos uniformemente en la red cristalina, su efecto no
afectar sobre la periodicidad del potencial.

39

Cualquier irregularidad del cristal que distorsione la periodicidad del potencial de la red,
es un centro de dispersin. Los factores que ms alteran esta periodicidad son las vibraciones de los
ncleos de la red alrededor de sus posiciones de equilibrio y la presencia de tomos de impureza.
La amplitud de las vibraciones crece con la temperatura. Una temperatura de 0K significa que todas
las partculas que forman el slido cristalino ocupan los estados de mnima energa. A medida que
aumenta la temperatura, estas partculas empiezan a ocupar estados energticos superiores. Los
ncleos de la red cristalina dejan de estar parados y comienzan a vibrar alrededor de sus posiciones
de equilibrio y los electrones de valencia empiezan a ocupar estados energticos en la banda de
conduccin. En cristales relativamente puros y poco dopados la dispersin en iones de impureza es
slo dominante a temperaturas muy bajas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los

portadores se dispersan como consecuencia de las vibraciones de los ncleos de la red. En

semiconductores muy dopados, la dispersin trmica (producida por vibraciones de los ncleos) de
la red slo es dominante a temperaturas altas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los

portadores se dispersan en los iones formados por los tomos de las sustancias dopantes.
La descripcin de los procesos de dispersin se simplifica mucho si se emplea el concepto
de tiempo de relajacin que es igual al tiempo que tiene que transcurrir para que un portador de
carga tenga una velocidad totalmente incorrelada con la velocidad que inicialmente tena15. Para
poder emplear este concepto hay que admitir que la energa cintica de los portadores cambia poco
(el mdulo de la velocidad permanece constante) durante la interaccin con el centro de dispersin.
Adems, los procesos de dispersin deben producir una distribucin aleatoria de velocidades tras la
interaccin del portador de carga con el centro de dispersin.
El tiempo medio entre choques depende, en ambos mecanismos dispersivos, de la energa
cintica del portador de carga. Para describir el comportamiento dispersivo del conjunto de
portadores de carga se promedian estos valores, ponderando los tiempos de cada intervalo de
energa por la cantidad de electrones cuya energa est dentro del intervalo considerado. Ambos
mecanismos dependen fuertemente de la temperatura, de ah que la movilidad dependa tambin de
sta.

15

En esta asignatura consideraremos que el tiempo de relajacin es igual al tiempo medio entre colisiones

40

Figura 19. Mecanismo de dispersin de portadores por impurezas

En un semiconductor extrnseco cada in de impureza origina a su alrededor un campo

elctrico. Bajo la accin de este campo el portador se desva de su direccin inicial, tal como se
muestra en la Figura 19. El portador se desva ms cuanto menor es su velocidad y ms cerca pase
del in de impureza. Por esta razn el tiempo de relajacin asociado a la presencia de impurezas
decrece a medida que disminuye la temperatura, puesto que la velocidad media de agitacin
trmica crece con la temperatura. La dispersin de los portadores ser tambin ms probable cuanto
mayor sea la concentracin de impurezas, por lo que el tiempo de relajacin debido a impurezas
ser menor cuanto mayor sea el dopado del semiconductor.
Los tomos de la red cristalina experimentan oscilaciones caticas con respecto a su
posicin de equilibrio debido al movimiento trmico. Esto perturba la periodicidad del campo de la
red, lo que da lugar a la dispersin de los portadores de carga. La teora de las oscilaciones trmicas
de los tomos de un cristal tridimensional es lo suficientemente compleja como para que no se
aborde aqu. Sin embargo resulta evidente que el tiempo medio de relajacin debido a este efecto
decrece a medida que aumenta la temperatura, ya que la amplitud de las oscilaciones crece.

3.2

CORRIENTE DE ARRASTRE

En apartados anteriores dijimos que la velocidad media de arrastre va de un portador de

carga era proporcional al campo elctrico y que al factor de proporcionalidad lo llambamos

movilidad elctrica . En general, la movilidad de los electrones de un semiconductor no tiene que

ser igual a la movilidad de los huecos, por ello, tendremos que distinguir ambos parmetros

41

aadiendo un subndice. As pues, n y p sern los valores de movilidad de los electrones y los
huecos, respectivamente. Matemticamente, esta discusin se puede escribir como
Ecuacin 12. Velocidades de arrastre del electrn y del hueco

van = n
vap = p
Puede demostrarse que el valor de la movilidad viene dado por16
Ecuacin 13. Expresiones de la movilidad del electrn y del hueco

n =

q trp
q trn
; p =
;
me
mh

donde trn, trp, me y mh son los tiempos de relajacin y las masas efectivas de los portadores.
Las expresiones de la Ecuacin 13 ponen de manifiesto que al disminuir el tiempo de relajacin, es
decir, al ser ms frecuentes los procesos de dispersin, disminuye la movilidad y que las partculas
ms pesadas (mayor masa) tienen menor valor de movilidad.
El flujo de portares se define como el nmero de stos que atraviesa la unidad de

superficie perpendicular al movimiento por unidad de tiempo. Para calcular el flujo de huecos
cuyo movimiento es producido por la presencia de un campo elctrico externo consideramos un
volumen infinitesimal como el de la Figura 20.

Figura 20. Volumen de control para el clculo de la densidad de corriente

16

La movilidad se define como un parmetro positivo, de hay que en la Ecuacin 12 para el electrn aparezca el signo
menos. Debido a la carga negativa del mismo, ste se mueve en direccin contraria al campo.

42

El nmero total de huecos contenido en el volumen es N p = p A x . Si la velocidad de

arrastre es vap, en el intervalo temporal t = x / v ap el nmero N p de huecos habr atravesado por
la superficie A. Por tanto
Ecuacin 14. Flujo de arrastre de huecos de un semiconductor

ap =

N p
A t

= p vap = p p

Procediendo de igual manera se puede concluir que el flujo de arrastre para los electrones
es dado por
Ecuacin 15. Flujo de arrastre de electrones de un semiconductor

an =

N n
= n van = n n
A t

donde el signo menos aparece por el valor negativo de la carga del electrn (el electrn se mueve
por arrastre en sentido contrario al campo).
Desde el punto de vista elctrico es ms interesante conocer la cantidad de carga, en vez
del nmero de portadores, que atraviesa la unidad de superficie perpendicular al movimiento

por unidad de tiempo. Esta magnitud elctrica recibe el nombre de densidad de corriente J y est
relacionada con el flujo por J=q, donde q es la carga de cualquiera de los portadores. En este
caso:
Ecuacin 16. Densidades de corriente por arrastre en un semiconductor.

J an

Q p

= q p vap = q p p = p
A t
Qn
=
= (q ) n van = q n n = n
A t

J ap =

donde los parmetros p = q p p y n = q n n son las conductividades elctricas de los

huecos y electrones, respectivamente. Ntese que para ambos tipos de portadores, la conductividad
se define como un parmetro positivo.

43

Si consideramos un material semiconductor por el que circulan portadores positivos y

negativos, la conductividad total y la densidad de corriente por arrastre se obtendr mediante las
sumas respectivas
Ecuacin 17. Densidad de corriente y conductividad de un SC.

J = ; = p + n;
Supongamos un paraleleppedo de seccin transversal A y de longitud L, formado con
material homogneo17 de conductividad y al que se le aplica una tensin V entre sus extremos
(Figura 21). Debido a que el material es homogneo el campo elctrico es constante y de valor V/L.
Por tanto, la corriente elctrica que circula por el dispositivo es
Ecuacin 18. Demostracin de la ley de Ohm

I = J A = A =

A
L

R=

A V

= RI

De la Ecuacin 18 se comprueba que el valor de la resistencia, como cabra esperar, es

proporcional a la longitud e inversamente proporcional a la conductividad y a la seccin transversal
del dispositivo.

Figura 21. Resistencia.

17

La conductividad elctrica es constante en todo el volumen

44

3.3

EFECTO DE LA TEMPERATURA Y EL DOPADO SOBRE LA MOVILIDAD.

EFECTO DE SATURACIN EN LA VELOCIDAD DE ARRASTRE.

El otro parmetro que tiene influencia sobre la movilidad de los portadores es el tiempo de
relajacin o tiempo medio entre colisiones; ste depende fuertemente de la temperatura y del
dopado del semiconductor (Figura 22).

Figura 22. Representacin de la movilidad en funcin de la temperatura donde se aprecia los comportamientos
asintticos a bajas y altas temperaturas.

Como se dijo en apartados anteriores, los dos mecanismos principales de dispersin de

portadores de carga son la dispersin por impurezas y la dispersin por vibraciones de la red
cristalina. El mecanismo de dispersin por impurezas es siempre dominante a bajas temperaturas,
debido a que las vibraciones de los tomos de la red decrecen con la temperatura. Por ello, an
cuando el semiconductor sea muy puro (tenga pocas impurezas que intervengan en los procesos de
dispersin), si se reduce suficientemente la temperatura la dispersin por impurezas llega a hacerse
dominante. La temperatura a partir de la cual la dispersin por vibraciones empieza a ser
importante y, eventualmente, llega a ser dominante, depende de la pureza del semiconductor.
Cuanto ms puro sea, ms baja ser esta temperatura. En cualquier semiconductor existir un rango
de temperaturas en el que la dispersin por impurezas ser dominante (desde 0K hasta una

45

temperatura crtica) y otro (por encima de esta temperatura crtica) en el que la dispersin por
vibraciones dominar.
El tiempo medio entre colisiones por dispersin en impurezas crece con la temperatura
debido a que la velocidad trmica de los portadores de carga tambin crece. Cuanto ms
rpidamente se desplace un portador de carga, menor es la probabilidad de que se vea afectado por
el campo electrosttico creado por un in y, por consiguiente, aumenta el tiempo medio entre
colisiones, aumentando la movilidad. La movilidad, cuando est determinada por las impurezas,

crece proporcionalmente a T 3 / 2 . El tiempo medio entre colisiones debido a la dispersin en los

ncleos de la red disminuye a medida que aumenta la temperatura, disminuyendo la movilidad. La
movilidad, cuando est determinada por la dispersin en los ncleos de la red, decrece

proporcionalmente a T 3 / 2 .
Hasta ahora se ha supuesto que la movilidad no depende del mdulo del campo elctrico.
Sin embargo, si el campo elctrico es muy intenso (del orden de 103 V/cm), la velocidad de arrastre
(y por consiguiente la densidad de corriente) ya no muestra una dependencia lineal con respecto al
campo elctrico aplicado, tal como se muestra en la Figura 23.

Ideal
Real
Va (cm/s)

GaAs

107

Si (electrones)

106

Si (huecos)

105

102

103

104

105

(V/cm)

Figura 23. Dependencia de la velocidad de arrastre con el campo elctrico aplicado.

Esta figura muestra cualitativamente esta dependencia para el Si y el GaAs. Por ser el
campo elctrico muy intenso, la velocidad de arrastre llega a hacerse comparable a la velocidad de
agitacin trmica, con lo que crece la velocidad media de los portadores de carga de una forma

46

significativa. Al crecer la velocidad media de los portadores de carga, el tiempo medio entre
colisiones disminuye, al menos a temperaturas de funcionamiento normales, en las que el
mecanismo dispersivo que predomina es debido a las vibraciones de la red cristalina. Ntese que
un tramo de la curva Va- del GaAs tiene pendiente negativa18. Este hecho permite disear
dispositivos con resistencia diferencial negativa ( Rdif =

dV
< 0 ) que se pueden utilizar como
dI

osciladores y amplificadores de microondas (diodo Gunn).

3.4

DIFUSIN DE PORTADORES.

Considrese un gas contenido en una caja cerrada. Esta caja est dividida en dos zonas por
una pared que no permite el paso de molculas de una zona a la otra. En la mitad izquierda la
concentracin de molculas es mayor que en la mitad derecha. En un determinado momento se
suprime la pared que separa las dos cavidades de la caja. Experimentalmente se comprueba que
existe un flujo neto de partculas desde la parte izquierda a la derecha que tiende a equilibrar la
concentracin de molculas en todo el volumen. Las molculas se difunden desde las zonas de

alta concentracin hasta las zonas de baja concentracin.

El proceso de difusin es el resultado natural del movimiento aleatorio de las molculas
individuales. Todas las molculas sufren movimientos aleatorios de agitacin trmica y chocan
unas con otras, de forma que cada molcula se mueve en una direccin aleatoria hasta que choca
con otra, momento en el que comienza a desplazarse en una nueva direccin. Considrese ahora lo
que ocurre en el plano donde estaba situada la pared de separacin. Si el movimiento es realmente
aleatorio, una molcula que pertenezca a la zona izquierda tiene la misma probabilidad de
desplazarse hacia la derecha que hacia la izquierda. Por ello, la mitad de las molculas de la parte
izquierda que estn en la zona de separacin se desplazarn hacia la derecha y la otra mitad hacia la
izquierda. Existe, pues, un flujo neto de molculas de izquierda a derecha, debido a que la
concentracin de molculas a la izquierda es mayor que a la derecha. Este proceso contina hasta

18

El GaAs tiene ms de un mnimo en la banda de conduccin (BC) y en cada uno de estos los electrones tienen
diferente valor de movilidad. Para valores pequeos de campo todos los electrones se encuentran en el mnimo de la
BC que tiene mayor movilidad. Sin embargo, para campos intensos, parte de los electrones se transfieren al otro
mnimo de menor movilidad producindose la pendiente negativa.

47

que las molculas se distribuyen uniformemente en todo el volumen. En otras palabras, la difusin
existe mientras haya gradientes de concentraciones de molculas.
En los semiconductores la situacin es anloga. Los portadores de carga tienden a
difundirse por la presencia de gradientes de concentracin y los mecanismos de choque son la
dispersin en los ncleos de la red y en las impurezas. As, por ejemplo, un exceso de electrones
inyectados en x=0 y t=0 se ir extendiendo a lo largo del tiempo tal como se muestra en la Figura
24. Inicialmente el exceso de electrones se concentra en x=0. A medida que transcurre el tiempo los

electrones se difunden hacia regiones de baja concentracin hasta que la distribucin de electrones
se hace constante. Puede probarse que las expresiones de las densidades de corriente de electrones
y de huecos debidas a la difusin son las siguientes:
Ecuacin 19. Componentes difusivas de la densidad de corriente en un SC

n( x)
x
p( x)
J dp ( x) = qD p
x
J dn ( x) = qDn

Figura 24. Evolucin del exceso de portadores en funcin del tiempo.

48

Es importante destacar el que tanto electrones como huecos se desplazan en la misma

direccin, es decir, se mueven desde regiones de alta concentracin a regiones de baja
concentracin. Como electrones y huecos tienen cargas de signo contrario, dan lugar a corrientes
que tienen sentidos distintos.
Los parmetros Dn y Dp reciben el nombre de coeficientes de difusin y puede demostrarse
que estn relacionados con las movilidades por medio de las siguientes ecuaciones:
Ecuacin 20. Relaciones de Einstein.

Dn

Dp

kT
q

De las relaciones de Einstein se puede deducir que si un semiconductor conduce bien por
arrastre (tiene una movilidad alta) tambin lo har por difusin (coeficiente de difusin grande).
3.5

COMPONENTES DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR.

Si en un semiconductor, adems de existir un gradiente de portadores, se aplica un campo

elctrico, las densidades de corriente debidas a electrones y huecos tendrn una componente de
difusin y otra de arrastre:
Ecuacin 21. Densidad de corriente de electrones y huecos

n( x)
x
p( x)
J p ( x) = q p p qD p
x
J n ( x) = q n n + qDn

y la densidad de corriente total es la suma de las densidades de corriente provocadas por el

flujo de electrones y huecos:
Ecuacin 22. Densidad de corriente en un SC

J ( x) = J n ( x) + J p ( x)

49

En la Figura 25 se representan las distintas componentes de la corriente, suponiendo unos

perfiles de las concentraciones de portadores y un campo elctrico aplicado como los que se
muestran en dicha figura. El sentido creciente del eje x coincide con el sentido en que se aplica el
campo elctrico. Las derivadas que aparecen en Ecuacin 21 son negativas y la difusin de
portadores se hace en el sentido del eje x. Las densidades de corriente asociadas a la difusin de
electrones y huecos (Jn(dif) y Jp(dif)) tienen sentidos distintos ya que los flujos tienen la misma
direccin y sentido pero la carga de los electrones es negativa y la de los huecos es positiva.

Figura 25. Componentes de corriente de un SC.

Los huecos se arrastran en la direccin del campo elctrico dado que su carga es positiva,
mientras que los electrones son arrastrados en sentido contrario. En ambos casos se produce una
densidad de corriente debida al arrastre que va hacia la derecha. Ntese que las componentes de
difusin y arrastre de la densidad de corriente debidas a los huecos son aditivas cuando el campo
elctrico se aplica en la direccin y sentido de la disminucin de concentracin de huecos. Para las
componentes de la densidad de corriente debidas a los electrones ocurre lo contrario.
Un resultado importante que se deriva de la Ecuacin 21 es que los portadores minoritarios
pueden contribuir significativamente en la corriente total a travs del trmino difusivo. Las
densidades de corriente debidas al arrastre son proporcionales a la concentracin de los portadores
por lo que los portadores minoritarios casi nunca generan una densidad de corriente de arrastre

50

importante. Por el contrario, la difusin es proporcional a la derivada de las concentraciones y por

tanto el trmino difusivo de los portadores minoritarios puede ser muy importante.
3.6

EFECTOS DEL CAMPO ELCTRICO EN LAS BANDAS DE ENERGA

Hasta ahora hemos explicado los procesos de transporte usando la imagen de los
portadores como partculas clsicas. En este apartado slo se estudiar como se ve afectadas las
bandas de energa de un semiconductor por presencia de un campo elctrico. Intentar explicar estos
procesos considerando que los portadores son partculas cunticas requerira utilizar conceptos de
mecnica ondulatoria que el alumno desconoce.
Consideremos un electrn en la banda de conduccin. Obviamente, cuanto mayor sea la
velocidad del mismo, mayor ser su energa cintica, y por tanto mayor su energa total. Como la
energa mnima que puede tener el electrn es Ec (mnimo de la banda de conduccin), sta puede
ser considerada como la energa potencial.

Figura 26. Curvatura experimentada en los extremos de las bandas por la presencia de un campo elctrico.

La energa potencial Ep, por definicin, est relacionada con la fuerza Fx que se ejerce
sobre la partcula mediante la relacin diferencial, Fx =

E p
x

. Teniendo en cuenta que por la

presencia de un campo elctrico sobre el electrn se ejerce la fuerza Fx = q , podemos

relacionar el mnimo de la banda de conduccin con el campo
Ecuacin 23. Relacin entre los extremos de las bandas en un SC. y el campo elctrico

1 Ec 1 Ev
=
q x
q x

51

La segunda igualdad de la Ecuacin 23 se justifica atendiendo a que la anchura Eg de la

banda prohibida es constante y que el mximo Ev de la banda de valencia es Ev=Ec-Eg. Las
expresiones de la Ecuacin 23 ponen de manifiesto que los extremos de las bandas de un
semiconductor se curvan por presencia de un campo elctrico, aumentando en la direccin del

campo. Este hecho se representa en la Figura 26. En la misma figura se ilustra tambin el arrastre de
portadores. El electrn, que se mueve en la direccin contraria al campo, intercambia energa
potencial por cintica hasta que por un proceso de dispersin libera la energa cintica ganada
retornando de nuevo al mnimo de la banda. La energa perdida la gana la red cristalina en forma de
calor (efecto Joule).

52

CAPTULO 4

GENERACIN Y
RECOMBINACIN DE
PORTADORES DE CARGA EN
DESEQUILIBRIO

Examinemos un semiconductor de tipo n que se encuentra en equilibrio trmico. Debido a

la excitacin trmica los electrones que ocupaban los estados energticos donadores pasan a la
banda de conduccin. Tambin se tiene que los electrones que ocupan la banda de valencia tienen,
por agitacin trmica, una cierta probabilidad (muy pequea) de pasar a la banda de conduccin,
producindose un par electrn-hueco. Simultneamente al proceso de generacin tiene lugar el

proceso de recombinacin: electrones de la banda de conduccin vuelven a estados libres de la

banda de valencia, con lo que desaparece un par electrn-hueco. En condiciones de equilibrio
trmico estos procesos se equilibran totalmente, de forma que el nmero de pares electrn-hueco
generados es igual al nmero que desaparece por recombinacin. Designaremos por g el nmero de
pares electrn-hueco generados, y por r, el nmero de ellos recombinados por unidad de tiempo y
volumen. La tasa de recombinacin es proporcional al producto de los portadores libres de carga19:
Ecuacin 24. Tasa de recombinacin

r = r n p

19

La tasa de recombinacin definida en la Ecuacin 24 es vlida tanto en equilibrio trmico como en desequilibrio.

53

donde r es un coeficiente de proporcionalidad llamado coeficiente de recombinacin. Para

el estado de equilibrio del semiconductor se cumple la igualdad:
Ecuacin 25. Balance de generacin y recombinacin en eq. trmico

g | Eq.Trmico = g o = ro = r | Eq.Trmico
Adems de la generacin trmica, existen otros mecanismos que dan lugar a la formacin
de portadores de cargas libres. Por ejemplo, pueden formarse al exponer el semiconductor a la luz,
por la rotura de enlaces de valencia en campos elctricos intensos o a causa de la inyeccin
mediante la unin p-n. En todos estos casos se crea una concentracin de electrones n = no + n y
de huecos p = po + p libres de desequilibrio. A n y p se les llama exceso20 de portadores
libres en desequilibrio.
4.1

CUASINIVELES DE FERMI.

Cuando existe algn proceso distinto del trmico que tiende a formar portadores de carga,
el semiconductor se encuentra fuera del equilibrio trmico. Supngase, por ejemplo, que a partir de
un instante determinado se ilumina un semiconductor con una luz de frecuencia apropiada (f >Eg/h)
de forma que sta sea absorbida, provocando que electrones que estaban en la banda de valencia
pasen a la banda de conduccin (Figura 27). En esta situacin se tiene que el trmino de generacin
es g=go+gop es superior al trmino de recombinacin por lo que la concentracin de portadores
tiende a aumentar (gop es la tasa de pares e-h generados pticamente o tasa de generacin ptica) .
A medida que crece la concentracin de portadores crece tambin la tasa de recombinacin (a
mayor cantidad de portadores mayor recombinacin ver Ecuacin 24-), por lo que acaba llegndose
a una situacin estacionaria, es decir, independiente del tiempo, en la que se alcanzan unas
concentraciones estacionarias de portadores n = no + n y

p = po + p para las que se cumple

go + gop = (no + n) ( po + p ) donde, de nuevo, la generacin de pares electrn-hueco est

totalmente compensada por la recombinacin.

20

Si son positivas hay un exceso de portadores respecto de la concentracin en equilibrio trmico. Si son negativas hay
un defecto.

54

E1
Ev

h f
Eg

f
Ec

E2

Figura 27. Absorcin de un fotn de frecuencia f absorbido en la generacin de un par e-h. La energa del fotn
se distribuye en superar la banda prohibida (Eg) y en calentamiento de la red cristalina (E1+E2).

Sin embargo esta situacin estacionaria no es una situacin de equilibrio trmico, donde
ya no es vlida la distribucin de Fermi-Dirac para determinar la probabilidad de ocupacin de los
estados energticos accesibles.
Los portadores de carga que aparecen en las bandas de valencia y conduccin como
consecuencia de la absorcin de luz, pueden tener energas muy superiores a la energa media de
los portadores generados trmicamente (que a temperaturas no muy altas, incluyendo la
temperatura ambiente, estn prximos al mnimo de la BC electrones- o al mximo de la BV
huecos-). Sin embargo estos portadores ceden rpidamente por colisiones este exceso de energa a
la red cristalina (el tiempo caracterstico de este proceso de relajacin es inferior a 100ps), por lo
que rpidamente los electrones por un lado (en la banda de conduccin) y los huecos por otro (en la
banda de valencia) llegan a una situacin de "equilibrio", es decir, los portadores generados
pticamente se hacen indistinguibles de los generados trmicamente (en un principio eran distintos
puesto que tenan una energa muy superior). Se tienen, pues, dos poblaciones de portadores de
carga que tiene cada una de ellas una situacin de equilibrio. Las dos poblaciones de portadores no
estn en equilibrio entre s puesto que la fuente de luz lo impide. Esta situacin puede describirse
utilizando dos funciones de distribucin distintas para describir la probabilidad de ocupacin de
estados energticos en las bandas de conduccin y valencia. Por tanto, se definen dos cuasiniveles

de Fermi, uno para la banda de conduccin y otro para la banda de valencia. La probabilidad de
que un electrn ocupe un nivel de energa E y la concentracin en la banda de conduccin vienen
dadas por las expresiones:

55

Ecuacin 26. Probabilidad de ocupacin y concentracin de electrones en desequilibrio.

f ( E,T ) =

1
1 + e ( E Fc ) / kT

; n = no + n = U c e

Ec Fc
k T

donde Fc es el cuasinivel de Fermi de la banda de conduccin. Para llegar a esta expresin

se han hecho las mismas suposiciones que para determinar el nmero de electrones en condiciones
de equilibrio trmico. La probabilidad de que un hueco ocupe un nivel de energa E

y la

concentracin de huecos en la banda de valencia vienen dadas por:

Ecuacin 27. Probabilidad de ocupacin y concentracin de huecos en desequilibrio

fh (E,T ) = 1 f (E,T ) = 1

1
1 + e ( E Fv ) / kT

p = po + p = U v e

Fv Ev
k T

Para llegar a esta expresin se han hecho las mismas suposiciones que para determinar el
nmero de huecos en condiciones de equilibrio trmico.
Lo expuesto hasta ahora puede hacer pensar que la posicin que ocupe el cuasinivel de
Fermi de la banda de conduccin es independiente de la posicin que ocupe el de la banda de
valencia. Esto en realidad no es as. Considrese el caso de la generacin ptica de portadores en
exceso. Por cada electrn en exceso que pase a la banda de conduccin, se produce un hueco

en la banda de valencia. De ah que se verifique la igualdad p = n , que junto con

go + gop = (no + n) ( po + p ) nos permite calcular los portadores en exceso ( p y n ).
Conocidas las concentraciones de portadores y las expresiones dadas por Ecuacin 26 y la Ecuacin 27
se puede determinar la posicin de los cuasiniveles de Fermi. Ntese que los cuasiniveles de Fermi
se han desplazado en sentidos contrarios con respecto al nivel de Fermi, el de la banda de
conduccin ha subido, indicando que hay ms electrones que en equilibrio trmico, y el de la banda
de valencia ha bajado, indicando que hay ms huecos.
En la Figura 28 se pueden comparar una situacin de equilibrio con otra en la que se ha
iluminado el semiconductor. En el primer caso existe un nico nivel de Fermi porque ambas bandas
estn en equilibrio. En el segundo caso, la luz no permite el equilibrio entre ambas bandas y es
necesario considerar dos cuasiniveles de Fermi.

56

Fc
Ef

Equilibrio trmico: n p=ni2

Fv

Iluminado: n p>ni2

Figura 28. Semiconductor en equilibrio trmico e iluminado.

4.2

TIEMPO MEDIO DE EXISTENCIA DE PORTADORES EN DESEQUILIBRIO.

Para definir el trmino tiempo medio de recombinacin de portadores, va a considerarse de

nuevo el caso de un semiconductor iluminado en el que se genera una cierta concentracin de
portadores en exceso. Se va a suponer que, repentinamente, se interrumpe el flujo luminoso.
Despus de interrumpir la luz excitadora, las concentraciones de huecos y electrones disminuyen a
causa de la recombinacin. En este caso, la velocidad de decrecimiento del nmero de portadores
se determina por la diferencia de las velocidades de recombinacin y de generacin trmica:
Ecuacin 28.

dn dp
=
= g o r n p = r (no p + po n + n p)
dt dt
Para llegar a la ltima igualdad se ha tenido en cuenta que la generacin trmica es igual a
la recombinacin en equilibrio trmico ( g o = r no po ) y que la concentracin de portadores es la
suma de la concentracin de equilibrio ms el exceso (n=no+n y p=po+p).
La concentracin en exceso de electrones es igual a la concentracin en exceso de huecos
(n=p). Suponiendo ahora baja inyeccin, es decir, que las concentraciones de los portadores en
exceso son pequeas con respecto a la suma de las concentraciones de equilibrio (n,p<<(no+po))
resulta:

57

Ecuacin 29. Dinmica de recuperacin del equilibrio en inyeccin dbil

dn dn
n
1
=
=
; =

r (no + p o )
dt
dt

n(t ) = n(t o ) e (t to ) /

si t t o

La constante , que tiene dimensiones de tiempo, recibe el nombre de tiempo medio de

vida (o recombinacin) de los portadores de carga en desequilibrio. De la Ecuacin 29 tambin se
puede definir la constante media de vida como el tiempo que debe transcurrir para que la
cantidad de portadores recombinados sea igual al

63% del valor inicial, es decir,

n(t o + ) = n(t o ) e 1 (1 0.63) n(t o ) . Otra interpretacin que se puede hacer de es el

tiempo medio que transcurre desde que se genera un electrn hasta que se recombina.
El valor de este tiempo es funcin del tipo de material semiconductor y del grado de
pureza. Puede variar en un amplio rango (desde 0.01s hasta 10ns) pero, en cualquier caso, es muy
grande en comparacin con el tiempo de relajacin de los portadores, es decir, un portador sufre
muchas colisiones con la red cristalina antes de recombinarse. Por ello, un portador generado
pticamente pasa rpidamente (en un intervalo del orden del tiempo de relajacin 100ps-) a estar
en equilibrio con el resto de portadores de la banda, situacin en la que permanece durante
mucho tiempo () antes de recombinarse.
La expresin que se ha obtenido para el tiempo medio de existencia de portadores es, en
principio, slo vlida si el mecanismo dominante de recombinacin es entre bandas. Los tipos de
mecanismos de recombinacin van a exponerse en la prxima seccin.
4.3

TIPOS DE RECOMBINACIN.

Segn el mecanismo se distinguen tres tipos de recombinacin:

1. Recombinacin entre bandas.
2. Recombinacin en centros de captura (o trampas).
3. Recombinacin superficial.

58

4.3.1 Recombinacin entre Bandas.

La recombinacin entre bandas se produce cuando el electrn libre transita directamente

de la banda de conduccin a la banda de valencia, lo que produce la eliminacin de un electrn
libre y de un hueco libre. En este proceso tienen que conservarse constantes la energa total y la
cantidad de movimiento total. El diagrama de bandas de un semiconductor relaciona la energa de

los electrones con su cantidad de movimiento. Al pasar un electrn de la banda de conduccin a la

banda de valencia, ste pierde una energa igual a la energa de la banda prohibida. Esta energa
perdida por el electrn se traduce en la creacin de un quanto de energa electromagntica, es decir,
de un fotn. La energa del fotn es, evidentemente, igual a la energa de la banda prohibida.
Va a analizarse ahora la segunda condicin que debe cumplirse para que se produzca una
recombinacin entre bandas: la conservacin de la cantidad de movimiento. Los fotones poseen una
cantidad de movimiento (o impulso) que es despreciable en comparacin con la cantidad de
movimiento del electrn. Por tanto, a menos que intervenga alguna otra partcula en el proceso de
recombinacin, ha de cumplirse que la cantidad de movimiento del electrn en la banda de
conduccin ha de ser igual a la cantidad de movimiento en la banda de valencia. Esto quiere decir
que el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia deben darse para un
r

mismo valor del vector k , es decir, el semiconductor debe ser de transicin directa. Si el
semiconductor no es de transicin directa, es necesario que intervenga la red cristalina, de forma
que sta ceda o absorba la diferencia de cantidades de movimiento. En este caso, dado que para que
se produzca una recombinacin entre bandas es necesario que intervenga la red cristalina, resulta
que la probabilidad de que sta se produzca es muy baja. De hecho la recombinacin entre bandas
es el proceso dominante en semiconductores de transicin directa, mientras que la recombinacin
por centro locales de impurezas es dominante en los de transicin indirecta.
Existe otro tipo de recombinacin entre bandas, la recombinacin por choque o
recombinacin Auger, en la que la energa liberada se cede a un portador libre de carga. Este
mecanismo de recombinacin no va a ser estudiado.

59

4.3.2 Recombinacin en Centros de Captura.

La recombinacin de pares electrn-hueco puede estar inducida por la presencia de

imperfecciones en la red cristalina, principalmente impurezas que provocan la presencia de estados
energticos accesibles dentro de la banda prohibida, lejos de las bandas de valencia y conduccin.
Este mecanismo de recombinacin es dominante en los semiconductores de transicin indirecta. La
teora de Shockley-Read predice unos valores de tiempos medios de recombinacin que se ajustan
bastante bien con los medidos experimentalmente. La exposicin de esta teora no va a hacerse en
estos apuntes.
4.3.3 Recombinacin superficial

En la superficie del cristal se produce una ruptura abrupta de la red cristalina. Un tomo
prximo a la superficie tiene un entorno completamente diferente que un tomo que se encuentra en
el interior (en el volumen). Esta irregularidad se traduce en la aparicin de altas densidades de
estados electrnicos situados en la banda prohibida del semiconductor. Estos estados pueden
atrapar y liberar tanto electrones como huecos. El proceso de recombinacin se produce porque el
electrn pasa a uno de estos estados, y de estos a la banda de valencia.

60

CAPTULO 5

ECUACIONES DE CONTINUIDAD

En esta leccin se va a estudiar el comportamiento de un semiconductor que, por causa de

algn factor externo, se aparta de las condiciones de equilibrio trmico. En este caso las
concentraciones de electrones y huecos libres son funciones de las coordenadas espaciales y del
tiempo, n(x,y,z,t) y p(x,y,z,t). Las ecuaciones de continuidad permiten determinar las expresiones de
estas dos funciones.
Las ecuaciones de continuidad se van a deducir para una muestra homognea
unidimensional, en la que las concentraciones de electrones y huecos libres dependen,
espacialmente, slo de la coordenada x, tal como se muestra en la Figura 29. Supngase que en el
instante t la concentracin de electrones es n(x,t); entonces el nmero de electrones en este volumen
es n(x,t)Adx, donde A es el rea de la seccin transversal del semiconductor. En el instante t+dt este
nmero es n(x,t+dt)Adx, y el la variacin del nmero de electrones en el tiempo dt en el volumen
Adx es:
Ecuacin 30

[n( x, t + dt ) n( x, t )] A dx = dn A dx dt
dt

Esta variacin del nmero de electrones (o de huecos) puede ocurrir debido a distintas
causas. En la Figura 29 se indican los distintos fenmenos fsicos que pueden hacer que vare el
nmero de portadores que hay dentro del volumen rayado: la generacin, la recombinacin y la
existencia de un flujo de portadores no constante. En lecciones anteriores se vio que los

mecanismos de arrastre y difusin eran los responsables de la existencia de flujos de portadores de

carga.

61

Figura 29. Trminos que intervienen en la ecuacin de continuidad.

5.1

ECUACIONES DE CONTINUIDAD.

La variacin del nmero de electrones dada por la Ecuacin 30 puede ocurrir debido a los
procesos de generacin, recombinacin, as como a la difusin y arrastre de estos portadores de
carga. Se va a examinar uno a uno cada uno de estos procesos:
1. Generacin. Por procesos de generacin se sobreentienden todos los mecanismos mediante
los cuales los electrones pueden ser excitados y transferidos a la banda de conduccin. Hay
que tener en cuenta tanto la generacin de portadores libres por efectos trmicos como por
causas externas (por ejemplo una fuente de luz). Se van a designar las tasas de generacin
de estos dos tipos de generacin por go y g. Entonces la velocidad de generacin ser igual a
go+g. Por tanto, el nmero de portadores generados en el volumen Adx y durante el
intervalo dt es:
Ecuacin 31. Nmero de electrones generados.

( g + g o ) Adxdt
2. Recombinacin. El nmero de portadores de carga en el volumen Adx vara tambin a
causa de la recombinacin. El nmero de portadores generados en el volumen Adx y
durante el intervalo dt es:

62

Ecuacin 32. Nmero de electrones recombinados.

r n p A dx dt
3. Procesos de difusin y deriva. La variacin de la cantidad de portadores de carga en el
volumen dx puede deberse, adems, a los procesos de difusin y deriva. Recordamos que

n ( x, t ) es el flujo de electrones (nmero de electrones que atraviesa una unidad de

superficie transversal a la direccin x y por unidad de tiempo). Si n ( x, t ) es diferente que

n ( x + dx, t ) , por la cara lateral derecha del volumen de control de la

Figura 29

salen una

cantidad de electrones diferente a los que entran por la cara izquierda, por tanto vara la
cantidad de electrones interior al volumen. La variacin de esta cantidad se puede calcular
restando a los que entran lo que salen:
Ecuacin 33. Variacin de los electrones debida a los flujos de corriente.

[ n ( x, t ) n ( x + dx, t )] A dt = n A dx dt
x

La variacin del nmero total de portadores que en el tiempo dt se ha producido en el

volumen Adx viene dada por la Ecuacin 30. Esta variacin es igual a la suma de trminos que
ocurren por diferentes fenmenos fsicos, a saber, generacin, que se evala por medio de la
Ecuacin 31,
Ecuacin 33.

recombinacin, evaluada por la Ecuacin 32 y difusin y deriva, representada por la

Esto lo expresamos as:

dn
A dx dt = ( g + g o ) A dx dt r n p A dx dt n A dx dt
dt
x
de donde:
Ecuacin 34. Ecuacin de continuidad de los electrones.

dn
= (g + go ) r n p n
dt
x
Procediendo de una manera similar podemos obtener la expresin recproca a la Ecuacin 34
para los huecos:

63

Ecuacin 35. Ecuacin de continuidad de los huecos.

p
dp
= (g + go ) r n p
dt
x
Si dividimos por la carga elctrica del portador las expresiones de la densidad de corriente
dadas en la Ecuacin 21
Ecuacin 36. Flujo de los portadores.

Jn
n
= n n Dn
x
(q)
J
p
p = p = p p Dp
q
x

n =

Por ltimo, si sustituimos las expresiones de la Ecuacin 36 en Ecuacin 34 y Ecuacin 35

llegamos a las ecuaciones de continuidad
Ecuacin 37: Ecuaciones de continuidad de los portadores de un SC.

dn
(n )
2n
= (g + go ) r n p + n
+ Dn 2
x
dt
x
dp
( p )
2 p
= (g + go ) r n p p
+ Dp 2
x
dt
x
Estas dos expresiones son las ecuaciones de continuidad de electrones y huecos. Vemos que
en ambas interviene el campo elctrico. Este campo puede expresarse como la suma del campo
aplicado sobre el semiconductor y un campo interno que se origina por la aparicin de regiones del
semiconductor cargadas elctricamente bajo determinas circunstancias, es decir:

= in + ap

64

Figura 30. Efecto del campo elctrico interno.

El campo interno se produce porque los coeficientes de difusin de electrones y huecos

pueden ser, y generalmente los son, diferentes. Si los electrones y huecos pudieran moverse de un
modo independiente, las especies de difusin ms rpida tenderan a adelantarse a las ms lentas,
dejando a stas atrs. Esto conlleva una separacin de cargas positivas y negativas con lo que,
segn la ecuacin de Gauss, se establece un campo elctrico interno que tiende a retardar a las
partculas de difusin rpida y a acelerar a las de difusin lenta. Este es el campo in de la relacin
anterior. Finalmente este campo se hace lo suficientemente fuerte como para contrarrestar cualquier
tendencia de las cargas positivas y negativas a separarse ms todava y, consiguientemente, las
partculas positivas y negativas se difunden juntas. El coeficiente de difusin efectivo es mayor que
el de las especies lentas, pero menor que el de las rpidas. Este fenmeno, denominado difusin
ambipolar, se ilustra en la Figura 30. Por tanto es evidente que las ecuaciones de continuidad
(Ecuacin 37) contienen tres variables desconocidas, n, p y , ya que la componente interna del
campo no se conoce. El conjunto de ecuaciones se puede completar escribiendo la ecuacin de
Gauss que relaciona el campo elctrico y la densidad neta de carga:
Ecuacin 38. Ecuacin de Gauss en un semiconductor

q ( p n + N d N a )
=
=
s
x s
donde s es la permitividad elctrica del semiconductor. Debe hacerse notar que el campo
elctrico aplicado es constante (sus fuentes y sumideros estn fuera del semiconductor) y se verifica
que

in
para el caso unidimensional. Se ha llegado, pues, a un sistema de tres ecuaciones
=
x
x

diferenciales con tres incgnitas que, en principio, puede resolverse. Desafortunadamente no parece

65

existir un medio para llegar a una solucin analtica directa. Por tanto es necesario hacer
aproximaciones fsicas razonables que permitan llegar a una solucin que, aunque no sea exacta,
sea adecuada para la mayora de los casos de importancia prctica.

5.2

HIPTESIS SIMPLIFICADORAS.

Las hiptesis simplificadoras que vamos a emplear son las siguientes:

1. Neutralidad de cargas. Es decir, que p n .
2. Inyeccin dbil. Esto quiere decir que p n << Max{no , po } .
3. Dopado uniforme. Las concentraciones de impurezas son constantes en las regiones del
semiconductor donde aplicamos las hiptesis simplificadoras.
4. Dopado fuerte. Es decir, se cumple que no >> po o que po >> no .
Como se ha explicado en el apartado 5.1 por el proceso de difusin ambipolar los
portadores de carga se difunden a la misma velocidad, an teniendo diferentes coeficientes de
difusin. Por ello, en las situaciones prcticas de inters en este curso los excesos de portadores
sern siempre iguales (primera hiptesis simplificadora). Por tanto, si somos capaces de determinar
el perfil de concentracin de una de las especies de portadores (por ejemplo los minoritarios), el
perfil de concentracin de la otra especie (los mayoritarios) es aproximadamente igual al primero.
Como se vio en el apartado 4.2, la hiptesis de inyeccin dbil nos permitir sustituir
( g + g o ) r n p por g p / , donde era la constante de vida de los portadores.
Dopado uniforme quiere decir que las concentraciones de portadores en equilibrio trmico
son constantes en la regin del semiconductor bajo estudio. Ello nos permitir sustituir en las
ecuaciones de continuidad

p
n
p n
o
por
o
, respectivamente.
x
x
x
x

La hiptesis de dopado fuerte tiene unas implicaciones ms difciles de explicar. Hemos

visto que el campo elctrico interno es el responsable de que se verifique la aproximacin de

66

neutralidad de carga. Este campo crea un flujo de arrastre que tiene tendencia a frenar a los
portadores que tienen coeficientes de transporte mayores y a acelerar a los portadores que tienen
coeficientes de transporte ms pequeos. Imaginemos una regin del semiconductor fuertemente
extrnseca y neutra elctricamente. Por algn procedimiento separamos instantneamente los
portadores de manera que aparezca carga neta y campo interno y dejamos que es sistema
evolucione libremente. Por la presencia del campo interno se producen corrientes de arrastre que
tienden a recuperar la neutralidad de carga, acabando el proceso cuando desaparezca de nuevo el
campo. Estas corrientes son debidas principalmente a portadores mayoritarios, apenas a
minoritarios21. Por tanto, podemos concluir diciendo que los portadores minoritarios no son

afectados por el campo interno y que en su ecuacin de continuidad podemos anular los
trminos donde aparezca ste.
Atendiendo a estas hiptesis, las ecuaciones de continuidad de los portadores minoritarios
quedan:
Ecuacin 39. Ecuaciones de continuidad de los portadores minoritarios

dn
n
=g
+ n ap

dt
dp
p
=g
p ap

dt

5.3

n
2 n
+ Dn
x
x 2
p
2 p
+ Dp
x
x 2

si

po >> no

si no >> po

ECUACIN DE DIFUSIN DE LOS PORTADORES.

Un caso de gran importancia es la solucin en estado estacionario (

dp
= 0 ) de una
dt

muestra semiconductora que se extiende desde x=0 hasta x=+. Los portadores en exceso se crean
a travs de una fuente uniforme y plana de generacin que, para mayor facilidad, se supondr que
coincide con el plano x=0. En este caso no se tiene campo aplicado alguno ( = 0 ) y slo
generacin trmica (g=0) de portadores en exceso en la muestra. En estas condiciones la densidad
de portadores en exceso variar slo a lo largo de la direccin x. Se supondr que la muestra es de

21

Si la concentracin de mayoritarios es 1015 y de minoritarios 105, simplificando el razonamiento, por cada portador
minoritario que se mueva para recuperar la neutralidad, se mueven 1010 portadores mayoritarios.

67

tipo n fuertemente extrnseca en la que la densidad de portadores en exceso es en todas partes muy
inferior a la densidad de portadores mayoritarios (baja inyeccin). En estas condiciones, tal como
se vio en la leccin anterior, la ecuacin de continuidad se reduce a:

Dp

2 p
x 2

=0

Reordenando las constantes esta ecuacin queda22:

Ecuacin 40. Ecuacin de continuidad de los portadores minoritarios
d 2 p
dx

p
Lp

= 0; L p 2 = D p

El trmino Lp recibe el nombre de longitud de difusin de huecos. Tngase en cuenta que

los portadores que se generan en exceso en x=0 empiezan a alejarse por difusin. A medida que
nos alejemos de x=0 la probabilidad de que el hueco no se haya recombinado decrece, ya que ha
trascurrido un tiempo mayor desde que se gener en x=0. Por consiguiente la concentracin de
huecos en exceso decrece a medida que x crece.
Las soluciones de Ecuacin 40 se pueden expresar de forma general:

Ecuacin 41. Solucin de la ecuacin de minoritarios

p ( x) = p ( x) po = A e

x / Lp

+ Be

x / Lp

donde A y B son constantes arbitrarias. Puesto que se tiene una fuente plana de portadores
en x=0, se crea en esta superficie una concentracin de portadores mayor que la de equilibrio
trmico, p(0), que supondremos conocida.
Puesto que existe una tasa de recombinacin volumtrica diferente de cero, la densidad de
los portadores en exceso deben tender a cero al alejarnos de x=0 (p(+)=0). Estas condiciones de
contorno requieren que A=0. Adems, resulta evidente que B= p(0).

68

Por tanto la solucin es

Ecuacin 42. Solucin particular de minoritarios en exceso.

p( x) = p (0) e

x / Lp

La concentracin de electrones en exceso, de acuerdo con la hiptesis de neutralidad de

cargas, es aproximadamente igual a la concentracin de huecos en exceso. En la Figura 31 se
muestran los perfiles de concentracin resultantes. La concentracin de portadores en exceso se
pierde exponencialmente en ambos lados de la fuente plana, con una distancia caracterstica de
decaimiento de Lp. Por tanto podemos definir la longitud de difusin Lp como la distancia que hay

que recorrer para que la concentracin en exceso de minoritarios se recombine en un 63% de

su valor inicial (1-e-1=0.63). Tambin se puede interpretar como la distancia media que recorre
por difusin un portador minoritario sin recombinarse.

n(x)= no+n(x)
n(x)

no

p(x)= po+p(x)
p(x)

po
x

Figura 31. Perfiles de concentracin de portadores provocados por un proceso de difusin.

22

Por ser la concentracin slo funcin de de la variable x hemos sustituido las derivadas parciales por derivadas
totales

69

CAPTULO 6

EL DIODO DE UNIN PN

6.1

LA UNIN P-N EN EQUILIBRIO TRMICO

El diodo de unin est constituido por un material semiconductor en el que existe una
regin extrnseca tipo n y una regin extrnseca tipo p separadas por una zona de transicin
estrecha. Esta regin de transicin se denomina unin p-n y su estudio es muy importante, puesto
que los fenmenos fsicos que ocurren en ella constituyen la base del funcionamiento de la mayora
de los dispositivos electrnicos semiconductores. La transicin entre las regiones p y n puede ser
abrupta o graduada, tal como se muestra en la Figura 32. Se va a dar mayor nfasis a las uniones
abruptas, puesto que es una buena aproximacin de las uniones p-n de la mayora de los
dispositivos importantes y se simplifica el estudio.

Figura 32: Tipos de uniones p-n.

70

Supngase que de alguna manera se forma instantneamente una unin abrupta p-n
poniendo en contacto una muestra uniforme de tipo p con otra de tipo n para formar un nico
cristal. En el instante de formacin existe una concentracin nn0 de electrones y pn0 de huecos en el
lado n, y una concentracin uniforme pp0 de huecos y np0 de electrones en el lado p. Puesto que la
concentracin de electrones del lado n es mucho mayor que la del lado p, en el instante de
formacin existe un gradiente enorme de concentracin de electrones en la zona de la unin. Lo
mismo ocurre con respecto a la concentracin de huecos. Los gradientes iniciales de concentracin
establecen corrientes de difusin que hacen que los electrones de la regin n y los huecos de la
regin p se desplacen hasta la regin opuesta, dejando la zona prxima a la unin vaca de

portadores mayoritarios. No obstante, este flujo de difusin inicial no puede continuar

indefinidamente, ya que las cargas de los iones fijos donadores y aceptores cercanos a la unin ya
no estn balanceadas por las cargas de los portadores, de modo que se establece un campo elctrico.
La direccin de este campo se opone al flujo de los electrones que salen de la regin n y al flujo de
los huecos que salen de la regin p, contrarrestando la tendencia de los portadores mayoritarios a
difundirse. Entonces se establece una condicin de equilibrio dinmico (las corrientes de difusin
cancelan a las de arrastre) en la que la regin cercana a la unin queda vaca de portadores
mayoritarios, existiendo un campo elctrico intenso (Figura 33.).
La presencia de la regin de carga espacial hace que se establezca una diferencia de
potencial entre las regiones n y p que denotaremos V0. Por tanto la energa potencial de un electrn
en reposo situado dentro de la regin p es superior a la de un electrn en reposo situado dentro de la
regin n en una cantidad igual a qV0. Lo mismo puede afirmarse de un hueco en reposo en la zona n
respecto a la zona p. Sin embargo, puesto que el estado del sistema es de equilibrio trmico, el nivel
de Fermi Ef debe ser el mismo en todo el semiconductor. Estas consideraciones permiten describir
las bandas de energa del semiconductor tal como se muestra en la Figura 34. La curvatura del
diagrama de bandas est provocada, precisamente, por la regin de carga espacial que hace que la
energa de un electrn situado en el mnimo de la banda de conduccin o la de un hueco situado en
el mximo de la banda de valencia, vayan cambiando a medida que se atraviesa esta zona. El salto
energtico que hay desde la zona difusiva n hasta la zona difusiva p es qV (x).

71

Figura 33: Regin de carga espacial.

RN,p
-

A
-

metal

RCE
-

n
K
-

V(x)

V0

-xp

Ef
Evp

qV0
Ef

Evn

mn

+
+

qV(x)

Ecn

+ +
+ +
+ +

mp

Ecp

RN,n

-xp

xn

xn

Figura 34: (Izquierda) Regiones neutras p y n (R.N. p y R.N. n) y regin de carga espacial (RCE), y las
diferentes cadas de tensin en la RCE. (Derecha) Bandas de energa, curvadas en la RCE por efecto del campo
en la misma, y diferencias de energa potencial en las diferentes regiones.

72

El valor del potencial de contacto interno en equilibrio trmico, V0, se determina

fcilmente a partir de las concentraciones de los portadores (electrones o huecos) en equilibrio a
ambos lados de la unin, lejos de la regin de carga espacial:
Ecuacin 43. Concentraciones de electrones a ambos lados de la unin

nn 0 = U c e

n p0 = U c e

Ec E f
n
kT
Ec p E f
kT

Operando con estas dos expresiones se llega fcilmente a:

Ecuacin 44

V0 =

Ec p Ecn
q

kT nn 0
ln
q
np0

Si ahora se tiene en cuenta que np0 pp0 = ni2 y si suponemos que el semiconductor est
fuertemente dopado (nn0 Nd y pp0 Na) se deduce:
Ecuacin 45. Potencial de contacto de una unin pn abrupta.

V0 = VT ln

Nd Na
kT
; VT =
2
q
ni

siendo VT el potencial equivalente de temperatura y Nd y Na las concentraciones de

impurezas en el lado n y p, respectivamente. Para el silicio, temperatura ambiente y valores
prcticos de las concentraciones (VT = 0.025V, Nd = Na = 1016cm-3 y ni = 1.5x1010cm-3), el
potencial de contacto toma el valor V0 = 0.67V.
Si la unin pn se conecta al exterior mediante dos terminales metlicos se obtiene un
dispositivo electrnico que recibe el nombre de diodo (Figura 34). El terminal conectado al
semiconductor p recibe el nombre de nodo (A en la figura) y el terminal en el lado n se llama
ctodo (K en la figura). La unin de un metal y un semiconductor recibe el nombre de contacto

73

hmico, por su presencia aparecen las cadas de potencial mp y mn mostradas en la figura y desde
el punto de vista elctrico se comportan como dos fuentes de tensin constantes con el tiempo23.
Las caractersticas elctricas del diodo dependen de los fenmenos fsicos que ocurren en la RCE y
las regiones adyacentes a sta. Por ello, en este captulo estudiaremos exclusivamente estos
fenmenos. Por ltimo, hay que decir que por la ley de las tensiones de Kirchoff se verifica que
mn + V0 + mp = 0 .

6.2

LA UNIN P-N POLARIZADA

A continuacin se va a examinar lo que ocurre cuando se aplica una diferencia de

potencial entre los extremos de la unin (Figura 35). Las regiones de carga espacial, puesto que estn
vacas de portadores de carga, tienen una resistividad mucho ms alta que el resto del
semiconductor (regiones neutras). Como consecuencia, la tensin aplicada desde el nodo al ctodo
(VD en la Figura 35) cae, principalmente, en esta regin. Si VD es positiva se dice que el diodo est

polarizado en directa. Por efecto de esta tensin la energa potencial de los electrones del lado n
aumenta respecto de los del lado p y la barrera de potencial que separa ambos lados se reduce al
nuevo valor de q (V0 -VD). Si la tensin VD es negativa se dice que el diodo est polarizado en

inversa. En este caso la energa potencial de los electrones del lado n disminuye respecto de la
energa potencial de los electrones del lado p y la barrera potencial aumenta al valor q (V0 +VR).
En la Figura 35 se muestran tambin los flujos de portadores que atraviesan la RCE. Por
difusin los portadores se mueven desde las regiones donde son mayoritarios a las regiones donde
son minoritarios, esto es, electrones desde n a p y los huecos desde p a n. Por el contrario, el campo
elctrico de la RCE genera flujos de portadores desde las regiones donde son minoritarios a las
regiones donde son mayoritarios. En equilibrio trmico (VD = 0) el flujo de arrastre de uno de los
portadores se cancela con el flujo de difusin del mismo portador, siendo la corriente neta igual a
cero. En el caso de la polarizacin directa disminuye la barrera de potencial que retiene a los

23

En un tema posterior se estudiarn las uniones metal-semiconductor y se ver como tambin pueden presentar
comportamientos elctricos diferentes a los descritos aqu.

74

portadores mayoritarios en sus respectivas regiones y se produce un aumento muy grande24 de las
corrientes de difusin. En polarizacin directa la corriente desde el nodo al ctodo puede ser

muy grande. Por el contrario, en polarizacin inversa se produce un aumento de la barrera de

potencial y las corrientes de difusin se pueden hacer tan pequeas que a efectos prcticos pueden
considerarse nulas. Si adems consideramos que los flujos son pequeos en equilibrio trmico y
que los flujos de arrastre no dependen25 del valor la tensin VD, en polarizacin inversa la

corriente neta desde el ctodo al nodo es producida slo por los flujos de arrastre, siendo
casi constante y muy pequea.
En resumen, el comportamiento de la unin es muy distinto dependiendo de que sta se
polarice en directa o en inversa. Si se polariza directamente, el dispositivo es un excelente
conductor de la electricidad, mientras que si se polariza inversamente su resistencia es muy
elevada.
En la Figura 35 se han representado tambin los niveles de Fermi. Para el caso de equilibrio
trmico existe un nico nivel de Fermi en todo el sistema. Sin embargo, cuando la unin pn se
polariza (VD distinto de cero) hay que distinguir entre los cuasiniveles de Fermi de huecos y
electrones. A lo largo de este captulo consideraremos las hiptesis de neutralidad de carga
(np(x)=pp(x) y pn(x)=nn(x) ) y de inyeccin dbil. Esta ltima nos dice que los excesos de
portadores minoritarios son muy pequeos respecto de las concentraciones de portadores
mayoritarios en equilibrio trmico. Por ejemplo, en las regiones neutras se pueden hacer las
siguientes aproximaciones:
De la Ecuacin 46 podemos concluir que las concentraciones de mayoritarios son iguales a
las que habra en equilibrio trmico y que los respectivos cuasiniveles de Fermi permanecen a la
misma distancia de los extremos de las bandas, es decir, el cuasinivel de Fermi de los electrones Fn

24

Se comprobar en este captulo que los flujos difusivos crecen exponencialmente con la tensin aplicada
( d eVD / VT )
25
Aunque el campo elctrico puede hacerse muy grande en la RCE cuando el dispositivo est en polarizacin inversa,
el nmero de portadores por unidad de tiempo que cruza esta regin es constante e igual a la tasa de generacin de los
portadores minoritarios que se generan trmicamente en la en las regiones adyacentes a la RCE (es decir, en la
regiones neutras ms prximas a la RCE que una longitud de difusin). Sin embargo, como se ver posteriormente, la
longitud de la RCE aumenta cuanto ms polarizado en inversa est el dispositivo y el nmero de portadores generados

75

est a la misma distancia de EC en la regin neutra n y el cuasinivel de Fermi de los huecos Fp est
a la misma distancia de EV en la regin neutra p. Este hecho se ilustra en la Figura 35. Por el
contrario las concentraciones de los portadores minoritarios y sus respectivos cuasiniveles de Fermi
pueden variar respecto de sus valores de equilibrio trmico. Los cuasiniveles de Fermi de los
portadores minoritarios no se representan en la Figura 35.
Ecuacin 46. Concentraciones de mayoritarios en las regiones neutras.

p p ( x) = p p 0 + n p ( x) p p 0
nn ( x) = nn 0 + pn ( x) nn 0
VD=0V

VD>0V

VD= -VR<0V

Ecp
q (V0-VD)

q V0
Fp

q VD

Fn

q (V0+VR)

Fp

Ef
Fn
-xp xn
dp

dp

dp

ap

ap

ap

dn

dn

dn

an

an

an

(a)

(b)

(a)

Figura 35: Bandas de energa y flujos de portadores a travs de la RCE en a) equilibrio trmico, b) polarizacin
directa y c) polarizacin inversa. Los subndices de los flujos indican: d difusin, a arrastre, p flujo de
huecos y n flujo de electrones.

trmicamente por unidad de tiempo en la RCE aumentar ligeramente. La consecuencia es que la corriente en inversa
aumenta ligeramente con la polarizacin inversa.

76

En la mayor parte de las ocasiones se puede suponer que la posicin de los cuasiniveles de
Fermi vara poco dentro de la regin de carga espacial. Esta suposicin es razonable puesto que la
regin de carga espacial es muy estrecha, por lo que la distribucin de energa de los portadores
(definida por la posicin de los cuasiniveles de Fermi) no se altera apreciablemente durante su paso
por dicha zona. Esta hiptesis lleva a una condicin de contorno en las concentraciones de
portadores que ser de gran utilidad ms adelante. Remitindonos de nuevo a la Figura 35 (en
particular a los niveles de energa en las figuras (a) y (b)) se observa que Fn=qVD+Ef y podemos
desarrollar
Ecuacin 47. Concentracin de electrones en la interfaz RCE-RN,p

n p ( x p ) = U c e

Ecp Fn
kT

Ecp E f

= U c e kT

V /V
e D T = n eVD / VT
p0

Siguiendo un razonamiento similar, las concentraciones de huecos a ambos lados estn

relacionadas por:
Ecuacin 48. Concentracin de huecos en la interfaz RCE-RN,n

pn ( xn ) = pn 0 eVD / VT
Si bien la Ecuacin 47 y la Ecuacin 48 han sido calculadas mediante la comparacin de los
niveles energticos de la unin en equilibrio trmico y polarizada en directa, ambos resultados se
pueden aplicar para cualquier estado de polarizacin del dispositivo.

6.3

CARACTERSTICA ESTTICA DEL DIODO DE UNIN

6.3.1 Procedimiento de clculo

Como se ha discutido en el apartado anterior, los portadores se mueven tanto por arrastre
como por difusin en la RCE. Sin embargo, el transporte de portadores minoritarios en las regiones
neutras es slo difusivo, tal y como se explic en el Captulo 5. Sin prdida de generalidad
centraremos nuestra discusin en la regin neutra tipo n (RNn) para el caso de polarizacin directa.
Debido al aumento de los flujos difusivos en la RCE se produce una inyeccin de huecos en la

77

RNn. Estos portadores se difunden desde la superficie de inyeccin (interfaz RCE-RNn) hacia el
interior de la RNn. Por tanto, la corriente total producida por la inyeccin de huecos se puede
calcular evaluando slo la componente de difusin en la superficie de inyeccin de huecos de la
RNn (ver Figura 36).
Ecuacin 49. Corriente total de huecos que circula por un diodo.

I p ( xn ) = q A (dp ( xn ) + ap ( xn )) = q A dp ( xn )
donde A es la seccin transversal de la unin pn.
Superficie de inyeccin de electrones

Superficie de inyeccin de huecos

dp(xn )

-dn(-xp )
RN tipo p

-dn(-x p-)

-n(-x p+)

RCE

+
-ap(x n-)

an(x p+)

p(x n-)

dp(x n+)

RN tipo n

x=xn

x=-xp

Figura 36. Inyeccin de huecos en la regin neutra tipo p.

Siguiendo el mismo procedimiento en la superficie de inyeccin de electrones, esto es, en

la superficie de separacin entre la RCE y la regin neutra tipo p (RNp) situada en x = -xp, se
obtiene que la corriente total producida por los electrones toma el valor
Ecuacin 50. Corriente total de electrones que circula por el diodo.
+

I n ( x p ) = ( q) A ( dn ( x p ) + an ( x p )) = (q ) A dn ( x p )
La corriente total que circula por el diodo puede ahora evaluarse sumando ambas
expresiones26

26

En rigor esta expresin es slo aproximada pues las corrientes totales de electrones y huecos deberan evaluarse en la
misma posicin y no en dos puntos xp y xn diferentes. La aproximacin es buena debido a que los procesos de
generacin trmica y recombinacin en la RCE tienen poca importancia. Dicho de otra manera, todo hueco inyectado
en la RNn a travs de la superficie RCE-RNn a atravesado tambin la superficia RNp-RCE si no hay generacin y
recombinacin en la RCE.

78

Ecuacin 51. Corriente total por el diodo en funcin de los flujos de minoritarios.

I D = I p ( xn ) + I n ( x p ) = q A dp ( xn ) dn ( x p )

Esta frmula expresa la densidad de corriente total que atraviesa el dispositivo como suma
de dos densidades de corriente asociadas a dos flujos de portadores minoritarios. Ntese que los
electrones son minoritarios en la regin correspondiente a valores de x negativos y que los huecos
son portadores minoritarios en la zona donde x toma valores positivos. El motivo por el que se ha
expresado la densidad de corriente total de esta manera es sencillo: El flujo de los portadores
minoritarios es muy fcil de evaluar siempre que se cumplan las hiptesis de inyeccin dbil y
fuerte dopado. Si se verifican ambas hiptesis el campo interno prcticamente no afecta al flujo de
minoritarios. Adems, puesto que prcticamente toda la diferencia de potencial aplicada
externamente cae en la regin de carga espacial, se puede suponer que para x > xn+ y para x < -xp
el campo elctrico aplicado es prcticamente nulo, por lo que el flujo de los portadores minoritarios
es casi exclusivamente un flujo difusivo. En cambio, el flujo de portadores mayoritarios es muy
difcil de calcular ya que previamente habra que calcular el campo elctrico interno, puesto que
ste influye de un modo importante sobre ellos.

6.3.2 Caracterstica esttica I-V

En la leccin anterior se prob que un flujo puramente difusivo de portadores provocaba
un perfil exponencial de portadores en desequilibrio. En la Figura 37 se muestran los perfiles tpicos
de los portadores minoritarios y mayoritarios de una unin p-n. Los perfiles de portadores
mayoritarios se obtienen, sencillamente, aplicando la hiptesis de neutralidad de carga. Ntese que
existe una discontinuidad en la concentracin de ambos tipos de portadores, es decir, que n(-xp-) y
p(-xp-) no son iguales a n(xn+) y p(xn+), respectivamente. Esto no debe extraar, puesto que entre los
puntos en los que se evalan las concentraciones est la regin de carga espacial. La dependencia
de la concentracin de portadores frente a la coordenada longitudinal dentro de la regin de carga
espacial no va a evaluarse puesto que no es necesario para determinar la corriente que atraviesa el
dispositivo.

79

RNp

p(x)=ppo+p(x)
n(x)=nno+n(x)

ppo=Na

RNn
ppo=Na

p(x)=ppo+p(x)

nno=Nd
RNp

nno=Nd
n(x)=nno+n(x)

RNn
p(x)=pno+p(x)

n(x)=npo+n(x)
pno=ni2/Nd

pno=ni2/Nd

npo=ni /Na
-xp

npo=ni /Na

n(x)=npo+n(x)
xn

-xp

p(x)=pno+p(x)
xn

a) polarizacin inversa

a) polarizacin directa

Figura 37: Perfiles de las concentraciones de portadores.

Las expresiones analticas de los portadores minoritarios de carga que se evaluaron en el

Captulo 5 son:
Ecuacin 52. Concentraciones de los excesos de portadores minoritarios

( )
p( x ) = p (x )e

n( x ) = n x p e

x+ x p
Ln

si

x xp

si

x xn

x xn
Lp

Por lo que resulta inmediato evaluar los flujos dp (xn+) y dn (-xp-):

Ecuacin 53. Flujos de portadores que atraviesan la unin

( )

( )

dp D p p xn
= Dp
=
dx
Lp

p xn

n x p

D n x p
dn
= Dn
= n
dx
Ln

La corriente total que atraviesa el dispositivo es:

80

Ecuacin 54

( )

D p xn + Dn n x p
ID = q A p
+
Lp
Ln

Se observa que para evaluar esta corriente basta con calcular el exceso de la concentracin
de portadores minoritarios en desequilibrio en ambas orillas de la regin de carga espacial. Esto es
fcil de hacer si se recuerda que los excesos de portadores se definieron como p(xn+)=p(xn+)-pn0 y

n(-xp-)=n(-xp-)-np0, donde np0 y pn0 son las concentraciones de portadores minoritarios en

equilibrio, que son perfectamente conocidas ya que dependen slo de la concentracin intrnseca,
de los dopados de las regiones n y p y de la temperatura. Los valores de las concentraciones p(xn+)
y n(-xp-) ya fueron calculados en la Ecuacin 47 y la Ecuacin 48. La expresin final de la corriente
total que atraviesa el dispositivo es:
Ecuacin 55. Caracterstica esttica I/V de un diodo.

qVD
Dp
D p ni 2 D n ni 2

D
I D = I 0 e kT 1; I 0 = q A
p n0 + n n p 0 = q A
+

Ln
Ln N a
L p
L p N d

I0 recibe el nombre de corriente inversa de saturacin y no depende de la tensin de

polarizacin VD, sino que es una funcin exclusiva de los dopados, del tipo de semiconductor y de
la temperatura.

Figura 38: Curva caracterstica esttica del diodo.

81

En la Figura 38 se ha representado la caracterstica esttica de un diodo de unin. Se

observa en ella que, cuando el dispositivo se polariza directamente, la corriente que lo atraviesa
crece exponencialmente a medida que sube la tensin de polarizacin. Si el dispositivo se polariza
inversamente circula una corriente negativa que toma un valor muy pequeo. De la Ecuacin 55 se
deduce que con tensiones de polarizacin negativas pequeas (del orden de 3 o 4 veces kT), la
corriente es constante y prxima a -I0.
Ntese que la corriente total del diodo puede descomponerse como suma de dos trminos.
La corriente generada por la difusin de huecos en la RNn
Ecuacin 56. Trmino de corriente por difusin de huecos en la RNn.

I D( p) = q A

qVD
pn 0 e kT 1

Lp

Dp

y la corriente generada por difusin de electrones en la RNp

Ecuacin 57. Trmino de corriente por difusin de huecos en la RNp.

I D (n)

D
= q A n n p0
Ln

qVD
e kT 1

6.3.3 Corrientes de generacin y recombinacin en la RCE

En la obtencin de la caracterstica esttica I-V del diodo se han ignorado las corrientes de
generacin y recombinacin en la RCE. Si se genera un par electrn-hueco en la RCE, el campo
elctrico rpidamente arrastra al electrn hacia la RNn y al hueco hacia la RNp. Por tanto se genera
una corriente equivalente a una carga positiva que atravesara la RCE desde el lado n al lado p. Por
el contrario, si se recombinan en la RCE un electrn inyectado desde n con un hueco inyectado
desde p se generara una corriente equivalente a una carga positiva que atravesara la RCE desde el
lado p al lado n.
Sabemos que bajo las condiciones de equilibrio trmico la generacin trmica de
portadores es igual a la recombinacin, es decir, go = rnopo. Por tanto, las corrientes de
generacin se cancelan con las de recombinacin. Sin embargo, si la unin est polarizada en

82

directa a travs de la RCE estn fluyendo ms portadores por difusin que lo haran en equilibrio
trmico. Por ello, el producto de las concentraciones es mayor que en el caso de equilibrio (np >
nopo) y las corrientes de recombinacin son mayores que las de generacin. Puede demostrarse que
la corriente de recombinacin en la RCE es proporcional al trmino n i e VD /( 2VT ) a diferencia de las
corrientes por difusin de minoritarios en las regiones neutras, calculadas anteriormente, que son
2

proporcionales al trmino n i e VD / VT . Por el contrario, las corrientes de generacin en la RCE son

mayores que las de recombinacin en polarizacin inversa.
Para tener en cuenta estas corrientes, la caracterstica esttica dada de la Ecuacin 55 se
modifica por la expresin
Ecuacin 58. Caracterstica I-V modificada

VVD
I D = I 0 e T 1

donde recibe el nombre de coeficiente de emisin. Para diodos de silicio toma el valor
de 2 si la corriente es pequea (domina la corriente de recombinacin de la RCE respecto de las
corrientes de difusin en las regiones neutras) y de 1 si la corriente es grande. Para el germanio
siempre toma el valor de la unidad.

6.3.4 Dependencia de la caracterstica con la temperatura

La corriente inversa de saturacin de un diodo depende fuertemente de la temperatura a
travs de la concentracin intrnseca ( I o ni T 3 e EG / kT donde representa proporcionalidad).
2

De la Ecuacin 55 es inmediato comprobar que

1 dI o 3 E g 1
. En la prctica se comprueba que
= +
I o dT T kT T

tanto para el silicio como el germanio la expresin anterior toma el valor de 0.07 K-1 a temperatura
ambiente. Es decir, la corriente inversa de saturacin aumenta un 7%

por cada grado de

incremento en la temperatura. Esta ltima afirmacin es equivalente a decir que la corriente inversa
de saturacin se duplica si la temperatura aumenta 10 C

83

Ecuacin 59. Dependencia de Io con T.

I o (T ) = I o (T1 ) 2(T T1 ) / 10
donde T1 es el valor de temperatura escogido de referencia. La corriente de un diodo
tambin depende de la temperatura por el argumento de la exponencial de la Ecuacin 55.
En muchos casos prcticos la corriente del diodo es constante e impuesta por un circuito
externo. Un incremento de la temperatura causa que Io aumente y como la corriente del diodo es
constante se produce una disminucin de la tensin que lo polariza. A temperatura ambiente y en
polarizacin directa el cambio de VD es aproximadamente 2.5mV/ C.

6.3.5 Corrientes de portadores en las regiones neutras

La corriente total que circula a travs del dispositivo es, en cualquier seccin transversal y
en particular en las regiones neutras, la suma de dos componentes distintas: la corriente debida a los
portadores mayoritarios de carga y la debida a los portadores minoritarios. Es decir, ID =Idp(x)+In(x)
en la RNn y ID =Idn(x)+Ip(x) en la RNp, donde In(x) y Ip(x) son las corrientes de portadores
mayoritarios en sus respectivas regiones. Las corrientes de arrastre de minoritarios se pueden
despreciar en las RNs y las corrientes de minoritarios se determinan fcilmente a partir de las
expresiones calculadas en apartados anteriores.
Ecuacin 60. Perfiles de las corrientes de minoritarios en las RNs.

D p( x )
D
dp
+
I dp ( x) = q A Dp
= q A p
= q A p p xn e
dx
Lp
Lp

( )

I dn = q A Dn

dn
D n( x )
D

= q A n
= q A n n x p e
dx
Ln
Ln

x xn
Lp

si

x xn

si

x xp

x+ x p
Ln

Tanto las corrientes de mayoritarios como las de minoritarios dependen de la coordenada

longitudinal mientras que su suma es independiente de sta, siendo el valor de esta suma la
cantidad dada por la Ecuacin 55. Las componentes debidas al flujo de mayoritarios se pueden
calcular restndole a la corriente total las cantidades de minoritarios dadas en la Ecuacin 60. Se deja
como ejercicio al alumno que determine las expresiones analticas de estas corrientes tanto en la
zona n como en la zona p.

84

ID

ID

ID

Ip(x)= Idp(x)+ Iap(x)

In(x)= Idn(x)+ Ian(x)

Mayoritarios

RNp

RCE

RNn
Minoritarios

Idp(x)

Idn(x)
-xp

xn

Figura 39: Componentes de corriente del diodo. Las corrientes de minoritarios estn dadas en la Ecuacin 60.

La representacin grfica de ellas se muestra en la Figura 39 para el caso de una

polarizacin directa. Ntese que conocidos los perfiles de los portadores minoritarios en las
regiones neutras (n(x) = p(x)) es inmediato calcular las corrientes de difusin de los portadores
mayoritarios. Conocidas stas y la corriente total de mayoritarios, se pueden calcular tambin las
corrientes de arrastre y el campo elctrico interno en las regiones neutras. De esta manera el
anlisis de las regiones neutras es completo.
Remitindonos a la Figura 37 observamos que si nos alejamos varias longitudes de difusin
de la RCE la derivada de los perfiles de los portadores se hace cero. Por tanto, tambin se anulan
las corrientes de difusin. Por ello, en las regiones neutras, a varias longitudes de difusin de la
RCE, las nicas corrientes existentes son debidas al arrastre de mayoritarios.
6.3.6 Breve ejemplo de polarizacin

Supongamos que tenemos el circuito de la Figura 40, donde aparece una unin pn
conectada en serie con una resistencia R y una fuente V(t) que, con la referencia que se indica en el
dibujo, tiene un valor de tensin E positivo, constante, y mucho mayor que el potencial de contacto
de la unin V0. En ese caso la fuente de tensin estar elevando el potencial de la zona p de la
unin, de manera que sta se encontrar polarizada en directa (ver Figura 35). Gracias al elevado
valor de la fuente, la cada de tensin que aparecer en la unin ser despreciable frente a E. Por

85

tanto, se puede afirmar que, de forma aproximada, toda la tensin E de la fuente cae en la
resistencia R. La corriente ID que recorrer la unin ser aproximadamente I D =

E
, positiva tal y
R

como corresponde con una polarizacin directa.

p+

V(t)
ID

n
E/R
E

ID

V(t)

Figura 40: Unin pn polarizada en directa.

En el caso de que la fuente V(t) adopte el valor E (con E > 0), la zona p de la unin estar
disminuyendo su potencial respecto a la n. Tal y como se recoge en la Figura 35, esta situacin se
corresponde con una polarizacin inversa, y en este caso la corriente del diodo ID se puede
aproximar por cero. Toda la tensin de la fuente, -E, la soportar la unin pn mientras que en la
resistencia la cada ser cero. La

p+

V(t)
ID

ID

0
t
-E

V(t)

Figura 41: Unin pn polarizada en inversa.

86

6.4

POTENCIALES Y CAMPOS EN LAS CERCANAS DE UNA UNIN P-N

En la Figura 42 se muestran las distribuciones de densidad de carga elctrica, campo y

potenciales elctricos en una unin pn polarizada en directa.

(x)
V0 -VD
-

V(x)
-

+
+ + +

+ + +

q Nd
-xp
xn

-q Na
-xp

xn
x

(x) =

s x

(u) d
p

- o
V(x)
V0 -VD

-xp

xn

V ( x) =

xp

(u ) du

Figura 42: Carga, campo y tensin en la RCE en una unin pn directamente polarizada.

La densidad de carga elctrica en un SC fuertemente extrnseco, tipo n y con todas las

impurezas ionizadas, puede representarse como (x)=q(Nd+p(x)-n(x)). Si en la regin del
semiconductor considerada existe un campo elctrico muy intenso los portadores de carga son
barridos (desalojados), quedando slo la carga asociada a las impurezas donadoras ionizadas. Por

87

ello (x) q Nd. Esta

aproximacin recibe el nombre de aproximacin de desercin. Esta

aproximacin se puede enunciar en un diodo como: en la RCE las concentraciones de portadores

son tan pequeas comparadas con las concentraciones de impurezas que se pueden considerar
despreciables. La densidad de carga neta en la RCE del lado n es dada por la expresin anterior.
Procediendo de forma similar para la RCE del lado p concluimos que (x) -q Na.
Conocida (x), mediante la aplicacin de las leyes de la electrosttica es posible calcular
los perfiles del campo y el potencial elctrico, (x) y V(x), respectivamente, a lo largo de la regin
de carga espacial de la unin. Como el campo se obtiene por integracin de la densidad de carga
que es constante, su perfil es triangular, con pendiente negativa en el lado p (carga negativa) y
pendiente positiva en el lado n (carga positiva). Debemos notar que en las regiones neutras el
campo es cero. Para determinar el perfil de la tensin integramos el negado del campo que vara
linealmente con la longitud. Este perfil tiene forma parablica con las ramas hacia arriba en el lado
p y con las ramas hacia abajo en el lado n.
Para caracterizar completamente la RCE debemos conocer las variables xn, xp y o, donde

o es el valor mximo del campo elctrico en la RCE. El valor mximo del campo puede
relacionarse con las otras dos variables teniendo en cuenta que es proporcional al rea encerrada
entre (x) y el eje horizontal.
Ecuacin 61. Campo elctrico mximo en la RCE.

o =

q N d xn

q Na xp

donde s es la permitividad elctrica del semiconductor. Tambin se puede relacionar la

tensin y el campo teniendo en cuenta que la cada de tensin V0 VD es igual al rea encerrada
entre (x) y el eje horizontal.
Ecuacin 62. Potencial y campo en la RCE.

V0 VD =

1
( x p + xn ) o
2

88

Resolviendo las tres igualdades de la Ecuacin 61 y la Ecuacin 62 obtenemos la anchura de la RCE a

ambos lados,
Ecuacin 63. Anchura de la RCE a ambos lados.

2 s
Na
(V0 V D )
q
N d (N a + N d )
2 s
Nd
(V0 V D )
xp =
q
N a (N a + N d )
xn =

la anchura total de la RCE,

Ecuacin 64. Anchura total de la RCE.

x0 = xn + x p =

2 s
(V0 VD ) 1 + 1
q
Nd Na

y el valor mximo del campo elctrico

Ecuacin 65. Valor mximo del campo elctrico en el RCE.

o =

2(V0 VD )
x0

Ntese que xn, xp y o dependen de los niveles de dopado Na y Nd de modo directo y

tambin a travs de V0 tal y como se ve en las ecuaciones anteriores, aunque la dependencia
logartmica de V0 es mucho ms dbil que la directa. De las expresiones anteriores se pueden sacar
las siguientes conclusiones:

La capa de carga espacial tiene mayor extensin en las regiones de tipo p o tipo n poco dopadas
que en las que estn fuertemente dopadas. Para una unin dada, la regin de carga espacial se
extiende ms dentro de la regin de dopado ms dbil.

El valor mximo del campo elctrico o es muy alto en las uniones donde las regiones n y p
estn fuertemente dopadas, y mucho ms pequeo si una o ambas regiones estn dbilmente
dopadas.

89

A mayor polarizacin inversa, la anchura de la RCE se hace ms grande. La regin de carga

espacial puede hacerse muy grande en el lado (p o n) poco dopado de la unin.

Para -VD >> V0 ( una gran polarizacin inversa), la extensin de las regiones de carga espacial
es proporcional a (-VD)1/2.

En condiciones de polarizacin inversa, el campo mximo 0 se hace muy grande; a tensiones

altas de polarizacin inversa, es proporcional a (-VD)1/2.
Las relaciones que se han obtenido en este apartado son bastante aproximadas para las

condiciones de polarizacin inversa y a tensiones pequeas de polarizacin directa. Sin embargo,

no debe esperarse que describan bien lo que ocurre en el dispositivo a tensiones grandes de
polarizacin directa. En este ltimo caso, se tienen grandes flujos de corriente (la aproximacin de
desercin deja de ser vlida) y existen cadas de tensin apreciables en las regiones del
semiconductor situadas fuera de la regin de carga espacial.

6.5

MECANISMOS FSICOS DE RUPTURA EN LAS UNIONES P-N

Si el voltaje de polarizacin inversa se incrementa suficientemente, se llega a un punto en

el que la corriente de circulacin empieza a crecer de un modo repentino y abrupto, tal como se
muestra en la Figura 43.
Este fenmeno se conoce como ruptura y la tensin a la que se produce se denomina
tensin de ruptura del dispositivo. Si ste funciona mucho ms all del punto de ruptura se generar
internamente una gran cantidad de calor, ya que tanto la tensin como la corriente son grandes, por
lo que puede quemarse en un intervalo de tiempo muy corto. Existen dos mecanismos importantes
que producen la ruptura del cristal: la ruptura por efecto tnel (o Zner) y la ruptura por avalancha.

90

Figura 43: Zona de ruptura (Zener) en caracterstica esttica del diodo.

Figura 44: Mecanismo de ruptura en el diodo.

La ruptura Zener se produce en uniones con concentraciones dopantes muy altas. La RCE
es muy angosta, el campo elctrico de la unin es muy intenso y la magnitud del mismo puede
incrementarse an ms por la aplicacin de un voltaje de polarizacin inversa, como se muestra en

91

la Figura 44. Si el campo elctrico aplicado, o lo que es lo mismo, la pendiente del diagrama, es lo
suficientemente grande, se consigue que los electrones de la parte superior de la banda de valencia
de la zona p tengan enfrentados a muy poca distancia una gran cantidad de estados libres en la
banda de conduccin de la zona n. Como la RCE es muy estrecha, por efecto tnel se produce el
trasvase de electrones desde la banda de valencia de la RNp a la banda de conduccin de la RNn.
La corriente as producida es bastante grande. La ruptura Zener se provoca para tensiones inversas
de polarizacin pequeas. A mayor dopado de impurezas, menor ser la tensin de ruptura.
En el mecanismo de avalancha, los portadores de carga que atraviesan la regin de carga
espacial, debido a que son fuertemente acelerados por el intenso campo elctrico interno, adquieren
suficiente energa cintica entre dos colisiones sucesivas como para generar un par electrn-hueco
tras el choque con la red cristalina. Los electrones y huecos que se generan de esta manera pueden,
a su vez, adquirir la suficiente energa cintica como para crear otros pares, iniciando un proceso
que lleva a intensidades de circulacin inversa que pueden ser muy elevadas. Recordamos que el
campo elctrico en uniones con dopados ligeros es relativamente pequeo. Para provocar la ruptura
por avalancha es necesario, en tal caso, tensiones inversas de polarizacin muy altas.
En conclusin, si los dopados son altos el mecanismo dominante es la ruptura Zener y

la tensin de ruptura es baja. Por el contrario, para dopados ligeros, la ruptura se produce por
avalancha para tensiones altas.
6.6

EFECTOS CAPACITIVOS DE LA UNIN P-N.

6.6.1 Dinmica de la unin

En secciones anteriores se determin la curva caracterstica esttica del diodo (Ecuacin 55),
que relaciona la tensin de polarizacin con la corriente que circula por el dispositivo. Cuando se
integraron las ecuaciones de difusin de los portadores minoritarios en las regiones n y p, se
supusieron condiciones estacionarias (apartado 5.3) de forma que las derivadas parciales con
respecto al tiempo se anulaban (en la Ecuacin 39 se anul el trmino

dp
dt

). Evidentemente, si se

cambia bruscamente la tensin de polarizacin del diodo, los perfiles de concentracin de los
portadores cambian con el tiempo, ya que han de evolucionar de la forma que tenan inicialmente a

92

la que corresponde a la nueva tensin de polarizacin (capacidad de difusin). Tambin cambia con
el tiempo la anchura de la regin de carga espacial (capacidad de transicin). Estos procesos tienen
una cierta dinmica, es decir, transcurre un cierto intervalo de tiempo hasta que se llega a la nueva
situacin estacionaria. Mientras tanto, al trmino de corriente estacionaria hay que sumar otros
trminos de corriente de carcter capacitivo. Por tanto, si se modifica la tensin de polarizacin del
diodo con el tiempo, la caracterstica esttica puede no describir las variaciones de la corriente de
circulacin con el tiempo. La describir de una forma bastante aproximada slo si el tiempo
caracterstico de variacin de la tensin de polarizacin es muy grande comparado con el tiempo
asociado a la dinmica del diodo.

6.6.2 Capacidad de Transicin

Los resultados del apartado 6.4 sugieren claramente que la unin p-n se comporta de modo
anlogo a un condensador de placas paralelas. Se tienen dos capas de carga espacial que contienen
cantidades iguales y opuestas de carga, y la cantidad de carga aumente conforme se incrementa la
tensin de polarizacin inversa. La carga almacenada es la siguiente:
Ecuacin 66. Carga total neta en cualquiera de los lados de la RCE.

QT = qN d Axn = qN a Ax p = A 2q s (V0 VD )

Na Nd
(N a + N d )

Un pequeo incremento del voltaje aplicado VD se ve acompaado por un cambio Q de

la carga almacenada que genera una corriente que se le suma a la calculada para el caso esttico
(Ecuacin 55). El incremento de corriente toma el valor
Ecuacin 67. Corriente de un diodo debida a la capacidad de transicin.

iT =

dQT
dQ dv
dv
= ( T ) D = CT D
dt
dvD
dt
dt

93

donde CT recibe el nombre de capacidad de transicin27,

Ecuacin 68. Capacidad de transicin de una unin abrupta.

CT =

A
2

2 q s

NaNd

(V0 V D ) (N a + N d )

=s

A
xo

De acuerdo con esta expresin, se llega a la conclusin de que las uniones en las que tanto
la regin n como la p estn fuertemente dopadas, tendrn una capacidad muy alta, en tanto que si la
regin n o la p, o bien ambas, estn poco dopadas, la capacidad ser mucho menor. Si las tensiones
de polarizacin inversa sobrepasan notablemente el potencial de contacto interno, se tiene que CT
vara proporcionalmente con (-VD)-1/2. Esta variacin de la capacidad es caracterstica de las
uniones abruptas. Las uniones graduales presentan una capacidad por unidad de rea que depende
ms lentamente de la tensin inversa aplicada. Ntese que la segunda igualdad de Ecuacin 68 nos
recuerda la expresin de la capacidad de un condensador de placas planas si identificamos A con el
rea de las placas y xo con el grosor del xido.
Para rectificadores de unin abrupta, la medida de la capacidad permite medir de una
manera sencilla el potencial de contacto interno V0. Operando con la Ecuacin 68 se llega a:
q s A2 N a N d
V0 VD =
2
2CT ( N a + N d )
La capacidad CT se puede medir experimentalmente. Si se representa grficamente 1/CT2
en funcin del voltaje inverso VD los puntos medidos deben estar sobre una lnea recta. Si
extrapolamos la lnea recta a la regin de polarizacin directa, el punto de cruce con el eje de
tensiones es el potencial de contacto V0.
6.6.3 Capacidad de difusin

En presencia de polarizacin externa aparecen excesos de portadores minoritarios en las

regiones neutras. Estos podrn ser ms grandes, incluso superar en varios ordenes de magnitud, a la

27

A diferencia de un condensador ideal, la capacidad de transiscin no es constante, sino que depende del valor de la
tensin aplicada en el diodo

94

correspondiente concentracin en equilibrio trmico. Conocidas las concentraciones de los excesos

de minoritarios dadas en la Ecuacin 52 es posible calcular la suma total de carga en las regiones
neutras debidas a ellos,
Ecuacin 69. Cargas de los portadores en exceso en las RNs.
+

Q p = q A p ( x) dx = q A L p pno (eVD / VT 1) = p I D ( p )
xn
xp

Qn = q A

n( x) dx = q A Ln n po (eVD / VT 1) = n I D ( n )

donde ID(p) e ID(n) son las corrientes por difusin de minoritarios en sus respectivas RNs
segn vienen dadas en la Ecuacin 56 y la Ecuacin 57, respectivamente. La segunda igualdad de
cualquiera de las ecuaciones de Ecuacin 69 tiene un sentido fsico muy claro. Por ejemplo, en la
RNn tenemos que la corriente por inyeccin de huecos ID(p) es igual a la carga total de huecos Qp
que se recombina en promedio cada intervalo temporal de duracin p, es decir, ID(p) = Qp/p. La
corriente total que circula por el diodo podra escribirse tambin como ID = (Qp /p)+(Qn /n).
La Ecuacin 69 pone de manifiesto que los excesos de portadores almacenados en las
regiones neutras dependen de la polarizacin de la unin. Si la tensin cambia temporalmente, las
cargas Qn y Qp tambin lo hacen, y a la corriente esttica que suministra los portadores minoritarios
que se recombinan en las regiones neutras hay que sumar un trmino adicional que suministre los
portadores necesarios para los cambios Qn y Qp. Esta corriente tiene carcter capacitivo y su
valor es
Ecuacin 70. Trmino de corriente debido a la capacidad de difusin.

iDif =

dQn dQ p dQn dvD dQ p dvD

dv
+
=

= CD D
dt
dt
dvD dt
dvD dt
dt

donde CD recibe el nombre de capacidad de difusin y su valor es

Ecuacin 71. Capacidad de difusin de una unin pn abrupta.
V

qL n D
qL p
dQn dQ p
CD =
+
= A p n 0 + n p 0 e VT
dvD dvD
VT
VT

95

6.6.4 Corriente total por un diodo

Si la tensin aplicada entre los terminales de un diodo vara temporalmente, la corriente
que circula por el mismo es la suma de tres componentes: el trmino esttico dado en la Ecuacin 55,
el trmino debido a la capacidad de transicin dado en la Ecuacin 67 y el trmino debido a la
capacidad de difusin dado en la Ecuacin 70.
Ecuacin 72. Corriente no esttica del diodo.

iD (t ) = I D + CT

dv
dvD
+ CD D
dt
dt

A diferencia de un condensador ideal las capacidades del diodo dependen de la tensin

aplicada al mismo (Figura 45). La capacidad de transicin depende de la inversa de la raz cuadrada
de la tensin, vara suavemente con la tensin y es dominante en polarizacin inversa (hay muy
pocos portadores minoritarios en exceso). La capacidad de difusin depende exponencialmente de
la tensin y es mucho ms grande que CT en polarizacin directa (hay muchos portadores
minoritarios en exceso), siendo la primera de ellas dominante. En polarizacin inversa ocurre lo
contrario, siendo la capacidad de transicin mucho mayor que la de difusin.

CD

CT

VD

Figura 45: Capacidades de difusin y transicin en funcin de la tensin de

polarizacin del diodo.

96

6.7

RESPUESTA EN CONMUTACIN Y TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

A continuacin se estudia cualitativamente el comportamiento dinmico del diodo en una

conmutacin. Es decir, cuando el diodo es forzado a cambiar de forma instantnea desde un estado
de conduccin a otro de corte y viceversa. La Figura 46 muestra el caso en el que la fuente de
tensin que polariza la unin pn cambia bruscamente desde un valor positivo E a otro negativo E
en t = 0.

Figura 46: Onda cuadrada sobre una unin p-n.

Cuando el diodo funciona en conmutacin, la tensin de polarizacin cambia de un valor

positivo a uno negativo bruscamente con objeto de hacer pasar al diodo de un estado de conduccin
al de corte. Lo que se pretende saber es cmo evoluciona la corriente del diodo con el tiempo. Para
ello hay que conocer qu ocurre con los perfiles de los portadores minoritarios. Se va a suponer que
la regin p est mucho ms dopada que la n, por lo que, en primera aproximacin, slo hay que
considerar la distribucin de huecos en la zona n para determinar la evolucin de la corriente con el
tiempo.
Los cambios en la distribucin de huecos en la regin n se verifican por difusin. Para que
cambie la distribucin de huecos correspondiente a una polarizacin directa a otra en inversa
(Figura 37), el exceso de huecos en desequilibrio junto a la unin debe pasar de un valor positivo a
uno negativo, por lo que existe un paso por cero (pn = 0) . Dependiendo de que la concentracin
de minoritarios sea mayor o menor que cero el comportamiento dinmico del diodo se puede
dividir en dos fases distintas, I y II, siendo el tiempo de almacenamiento tI el que marca la
transicin de una fase a la otra (Figura 47).

97

Durante la fase I domina el trmino de la capacidad de difusin de la Ecuacin 72 y la

concentracin de huecos pn en la unin es superior a la concentracin de equilibrio trmico pn0, por
lo que la unin est todava directamente polarizada (aunque la tensin que se aplica al conjunto
resistencia-diodo sea negativa). Por estar la unin directamente polarizada, la cada de tensin en
ella es pequea, por lo que la corriente inversa que circula est limitada slo por la resistencia R, es
decir, iD=-Ir=-(E+Vf)/R-E/R. Durante la fase II domina el efecto capacitivo de transicin de la
Ecuacin 72 y la concentracin de huecos en la unin es inferior a la de equilibrio trmico, por lo
que la unin est inversamente polarizada. La cada de tensin empieza a decrecer hasta llegar a la
tensin -E, por lo que la corriente empieza a crecer del valor -Ir hasta cero.

Figura 47: Perfiles de portadores, corriente y tensin en un diodo en conmutacin.

98

CAPTULO 7

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Los transistores son dispositivos de tres terminales que se caracterizan por el hecho de que
la corriente que circula a travs de dos de esos terminales se puede controlar por medio de
pequeos cambios, bien en la corriente que circula por el tercer terminal, bien en la tensin aplicada
en dicho tercer terminal. Esta caracterstica es la que permite a los transistores amplificar seales
elctricas, ya que pequeas variaciones en la tensin o corriente de este tercer terminal se traducen
en variaciones grandes y proporcionales de la corriente que atraviesa los otros dos terminales.

7.1

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT).

En la Figura 48 se muestra la estructura de un transistor bipolar de unin. Este transistor

consta de dos uniones p-n que, en el caso de la figura, comparten una nica y estrecha regin de
tipo p. Este dispositivo est compuesto de tres capas superpuestas de semiconductor, en el que la
capa central es de tipo p y las capas laterales son de tipo n. Se trata, pues, de un transistor npn. Los
transistores que tienen dopados complementarios reciben el nombre de transistores pnp.
Tal como hemos dicho, un transistor bipolar est constituido por dos uniones p-n. La
regin que es comn a ambas uniones recibe el nombre de base, mientras que las otras dos reciben
los nombres de emisor y colector. Para que el transistor funcione correctamente, la base debe ser

99

estrecha

28

y tener un nivel de dopado pequeo en comparacin con el del emisor. ste, a su vez,

tambin es estrecho frente a la longitud de difusin de los huecos Lp. El colector es muy ancho en
comparacin con la longitud de difusin de los portadores minoritarios (huecos) y su dopado es
mucho menor que el del emisor. Resumiendo, las anchuras de la base y el emisor son pequeas en
comparacin con las longitudes de difusin de los portadores minoritarios correspondientes y el
dopado del emisor es grande comparado con el de la base y el colector.
Ms adelante justificaremos por qu estas restricciones en cuanto a dimensiones y
concentraciones de impurezas. La unin formada por el emisor y la base recibe el nombre de unin
del emisor (UE), mientras que la formada por base y colector se llama unin del colector (UC).
En un transistor bipolar se producen flujos tanto de electrones como de huecos, y de ah el
nombre de bipolar. Existen otros transistores en los que las corrientes se producen por el flujo de
un nico tipo de portadores. Estos dispositivos se conocen como transistores unipolares y se
estudiarn en temas posteriores.

7.2

DIAGRAMA DE CORRIENTES EN UN BJT

El transistor bipolar (BJT-Bipolar Junction Transistor) opera en diferentes regiones de

funcionamiento. El dispositivo se polariza en regin activa cuando el dispositivo se usa como
amplificador. Esta regin se caracteriza porque la unin de emisor (UE) est polarizada en directa y
la unin del colector (UC) en inversa. En la Figura 48 se representa el diagrama de corrientes
internas, asociadas a los procesos fsicos ms relevantes, que circulan por el BJT bajo polarizacin
de regin activa. De entre todas ellas la ms importante es la corriente por inyeccin de
minoritarios en la base (InE) debido a la polarizacin directa de esta unin. Esta corriente est
formada por portadores provenientes desde el emisor.
Los minoritarios (electrones en un BJT npn) inyectados desde el emisor cruzan la base,
movidos por difusin, hasta alcanzar la regin de carga espacial de la unin del colector. Esta unin
est polarizada en inversa y por ello existe en la regin de carga espacial un campo elctrico

28 En un transistor npn la anchura de la base, Wb, debe ser mucho menor que la longitud de difusin de los electrones
Ln

100

intenso que barre los electrones que entran en ella, envindolos al colector y generando a travs de
la regin neutra de ste la corriente InC.

Figura 48. Estructura y diagrama de corrientes de un BJT bajo polarizacin activa.

Ntese que a diferencia de una unin pn ordinaria polarizada en inversa, por la unin del colector
circula una gran corriente de electrones (InC). En un diodo en inversa la corriente a travs de la
unin es producida por portadores generados trmicamente que circulan desde las regiones donde
son minoritarios a las regiones donde son mayoritarios, siendo por tanto una corriente muy
pequea. Sin embargo, en la unin del colector la limitacin del nmero de portadores no estar
impuesta por la generacin trmica, sino por los portadores inyectados desde el emisor.
No todos los portadores inyectados desde el emisor alcanzan el colector. Una pequea
fraccin de los mismos se recombinan en la regin neutra de la base. Para seguir conservando la
neutralidad de carga es necesario que por cada electrn recombinado entre un hueco a travs del
terminal de la base, generndose la corriente InE - InC. Un transistor bien diseado debe minimizar

101

la fraccin de portadores recombinados y esto se consigue haciendo que la longitud metalrgica de

la base (Wb) sea mucho menor que la longitud de difusin Ln de los electrones29.
Puesto que la unin de emisor est polarizada en directa, tambin existe inyeccin de
huecos desde la base al emisor, generando la corriente IpE. No obstante, conviene que esta corriente
sea mucho menor que InE. Por ello el dopado en el emisor es mucho mayor que el dopado en la
base. En polarizacin directa, en la regin de carga espacial de una unin pn hay ms portadores
que en equilibrio trmico, predominando los procesos de recombinacin sobre los de generacin
trmica, producindose la corriente de recombinacin Ir.
Por ltimo, ICB0 es la corriente que circulara por el terminal del colector (IC), estando la
unin de colector polarizada en inversa y el terminal del emisor abierto (IE=0). Es decir, ICB0 es la
corriente inversa de saturacin de la unin de colector.
De la Figura 48, por aplicacin de la ley de las corrientes de Kirchhoff, se pueden
establecer las relaciones entre las corrientes que circulan por los terminales del dispositivo y las
corrientes internas.

Ecuacin 73. Corrientes internas de un BJT npn

I E = I nE + I pE + I r
I B = I r + I pE + ( I nE I nC ) I CBO
I C = I nC + I CBO
Por las leyes de Kirchhoff se puede establecer las relaciones entre las variables externas
del dispositivo,

Ecuacin 74. Relacin de variables elctricas externas del BJT

I E = IC + I B
VCE = VCB + V BE

29

Recurdese que el parmetro Ln se poda interpretar como el valor medio de longitud que deba recorrer un portador
minoritario (electrn en este caso) antes de recombinarse. Por tanto si Wb<<Ln, la probabilidad de que un electrn
inyectado desde el emisor se recombine antes de alcanzar el colector es muy pequea

102

donde VCE, VCB y VBE son las cadas de tensin entre Colector-Emisor, Colector-Base y
Base-Emisor, respectivamente.

7.3

GANANCIAS DE CORRIENTE CONTINUA DEL TRANSISTOR

La ganancia de corriente continua en base comn () se define como el cociente de la

componente de corriente de colector debida a los electrones provenientes del emisor y la corriente
de emisor. Es decir,

Ecuacin 75. Ganancia de un BJT

I nC
IE

La ganancia se puede a su vez definir por el producto de dos nuevos parmetros que son
el rendimiento de inyeccin (), que es el cociente de la componente de la corriente de emisor
producida por la inyeccin de minoritarios en la base y la corriente total de emisor, y el factor de
transporte (B), que es la relacin entre el nmero de portadores provenientes del emisor que
alcanzan el colector y el nmero de portadores minoritarios que se inyectan en la base desde el
emisor.

Ecuacin 76. Rendimiento de inyeccin y factor de transporte de un BJT

I nE
=
IE

1
1+

I pE + I r

; B=

I nC
;
I nE

I nE

Ntese que ambos parmetros son menores que la unidad y por tanto, la ganancia alfa ser
a su vez menor que la unidad. De la Ecuacin 73 y Ecuacin 75 es inmediato obtener

Ecuacin 77. Relacin ICIE en activa

I C = I E + I CBO

103

El inters de la ganancia alfa surge del hecho de que es aproximadamente constante. Por
tanto, en regin activa la corriente del colector es proporcional a la corriente de emisor y no
depende de la tensin con que se polariza la unin de colector30. Para que el dispositivo sea un buen
amplificador conviene que se aproxime a la unidad. Si el dopado del emisor es mucho mayor

que el de la base se verifica que InE>>IpE y para valores de corriente IE habituales InE es tambin
mucho mayor que Ir, tomando el rendimiento de inyeccin valores prximos a la unidad. Adems,
si la longitud de difusin de los portadores minoritarios en la base es mucho mayor que la

longitud de sta (Ln>>Wb), apenas se recombinan portadores durante el trnsito de estos desde el
emisor al colector y se verifica que InC es ligeramente menor que InE, tomando el factor de
transporte valores prximos a la unidad. En conclusin, en transistores bien diseados es posible
conseguir valores de ganancia prximos a la unidad.
En los casos extremos de corrientes de emisor muy altas (inyeccin de alto nivel) o muy
bajas, el rendimiento de inyeccin disminuye, disminuyendo consecuentemente la ganancia del

dispositivo. Bajo las condiciones de inyeccin de alto nivel, el exceso de portadores mayoritarios
en la regin neutra de la base crece considerablemente, aumentando por tanto la corriente IpE. A
corrientes muy bajas, la corriente Ir toma valores comparables a la corriente InE. Como se ver en
apartados posteriores, variar con la temperatura. Valores tpicos de la ganancia alfa en
transistores que se utilizan en amplificacin de seal pueden variar entre 0.99 y 0.997. En
transistores de potencia la ganancia podr ser menor ya que lo que interesa de estos son valores
altos de corriente y tensin en vez de valores altos de amplificacin. De la Ecuacin 74 y la
Ecuacin 77 se puede obtener la relacin entre las corrientes de colector y base

Ecuacin 78. Relacin ICIB en activa

I C = I B + I CEO

= 1
donde
I
I CEO = CBO
1

En activa la unin de colector esta polarizada en inversa (VBC<V, donde V es la tensin umbral de la unin) y por
tanto, el trmino ICB0 es una corriente inversa de saturacin que no depende de VCB.
30

104

El parmetro recibe el nombre de ganancia de corriente continua en emisor comn, o

simplemente beta, e ICE0 se puede definir como la corriente que circula por el colector cuando la
base est abierta. La Ecuacin 78 ponen de manifiesto que bajo las condiciones discutidas en
prrafos anteriores en las que permaneca aproximadamente constante, ser tambin
aproximadamente constante y la corriente de colector ser directamente proporcional a la corriente
de la base e independiente de la tensin que polariza en inversa a la unin de colector. La
dependencia de con la corriente de colector se representa en la Figura 49 para diferentes valores
de temperatura.

Figura 49. Ganancia de corriente continua en emisor comn () en funcin de la

corriente de colector y de la temperatura
En dicha figura se pone de manifiesto como es aproximadamente constante en un amplio
intervalo de valores medios de la corriente, comenzando a disminuir en los extremos. Un aumento
de la temperatura produce un aumento31 de . Cabe resaltar que como es prximo a la unidad,
ser un nmero grande. Valores tpicos en transistores de seal variarn entre 100 y 300. Pudiendo
tomar valores entorno a 50 en transistores de potencia. Ntese que una variacin pequea en
supondr una gran variacin en debido a la presencia del trmino 1- en el denominador de la
Ecuacin 78. Tan susceptible es a variaciones de los parmetros tecnolgicos del transistor y de

31

El tiempo medido de vida de los portadores en un semiconductor de transicin indirecta (por ejemplo silicio)
aumenta con la temperatura por reexcitacin de los portadores atrapados en los centros de recombinacin. Por ello
aumenta la longitud de difusin y disminuye el nmero de portadores que transitan desde el emisor al colector a travs

105

la temperatura que en dispositivos discretos del mismo tipo, tomar valores que pueden ser
considerablemente diferentes. Por ejemplo, en las hojas de caractersticas del transistor npn 2N2222
los valores mnimo y mximo de son 50 y 300, respectivamente.
En la mayora de los casos prcticos, IB>>ICE0 y se podr aproximar IC IB. Esta
relacin pone de manifiesto que en regin activa, al ser un nmero grande, pequeas variaciones
de IB provocarn grandes variaciones de IC. Dicho en otros trminos, el BJT es un dispositivo
donde la corriente pequea de base controla a una gran corriente que circula por el colector.

7.4

MODELOS ESTTICOS Y GRAN SEAL DEL BJT

7.4.1 Modelo de Ebers-Moll

Hasta ahora se ha estudiado el BJT estando el dispositivo polarizado en la regin activa.
Sin embargo, el dispositivo puede funcionar hasta en cuatro regiones diferentes, dependiendo del
estado de sus uniones y que identificamos a continuacin:
a) Si ambas uniones estn en inversa, el dispositivo estar en regin de corte.
b) Si la unin de emisor est en directa y la de colector en inversa, regin activa o
activa directa.
c) Si la unin de emisor est en inversa y la de colector en directa, regin activa

inversa
d) Si ambas uniones estn en directa, regin de saturacin
Por tanto, los resultados obtenidos en apartados anteriores no son vlidos para cualquier
tensin aplicada en los terminales del dispositivo. En este apartado se presenta un modelo elctrico,
de continua y gran seal, utilizable para cualquier regin de funcionamiento.

de la base. Una expresin emprica es dada por (T)=(TR)(T/TR)XTB, donde TR es una temperatura de referencia y XTB
un parmetro llamado exponente de temperatura (un valor tpico es 1.7)

106

Figura 50. Proceso de modelado del BJT, (a) diodos con nodos conectados, (b)
Modelo en activa directa, (c) Modelo en activa inversa y (d) Modelo Ebers-Moll
Desde un punto de vista de la estructura (Figura 48) podra pensarse que el dispositivo npn
se comporta elctricamente como dos diodo con sus nodos conectados32 como se muestra en la
Figura 50.(a), cuyas caractersticas Tensin-Corriente vendran dadas por las expresiones
I DE = I ES (eVBE / VT 1) y I DC = I CS (eVBC / VT 1) . Sin embargo, dos diodos conectados en esta
disposicin no se comportan igual que un transistor debido a que entre las regiones neutras tipo p
de los diodos existe dos contactos hmicos y una conexin metlica. Por ejemplo, si la tensin
Colector-Base es positiva, el diodo de la derecha est en inversa y la nica corriente que circula por
el colector ser la corriente inversa de saturacin ICS (esta corriente es la misma que en apartados
anteriores se denot como ICB0). Sin embargo, como muestra la Ecuacin 77, a la corriente ICB0 hay
que sumarle el trmino IE debido a los electrones que, inyectados en la base desde el emisor,
alcanzan el colector (efecto transistor). Dicho trmino se puede modelar elctricamente usando una

32

En un dispositivo pnp seran los ctodos de los diodos los terminales conectados

107

fuente de corriente dependiente de la corriente IE, tal y como se muestra en Figura 50.(b). Este
circuito modela convenientemente al transistor cuando est polarizado en activa.
En regin activa inversa es la unin de emisor la que est polarizada en inversa y la unin
de colector la que inyecta los portadores minoritarios que se difunden por la base hasta el emisor.
En tal situacin, la funcionalidad del colector y emisor es intercambiada y el modelo de la Figura
50.(c) puede utilizarse, donde ahora la fuente de corriente dependiente de corriente, que modela el
efecto transistor, se le aade al emisor. El parmetro R es la ganancia de corriente continua en
activa inversa. Si las regiones de colector y emisor fueran exactamente iguales, R=, pero como
ya hemos dicho anteriormente, el emisor est mucho ms dopado que el colector33 con la finalidad
de maximizar , y por ello R es menor que , tomando valores en el intervalo comprendido entre
0.05 y 0.5 . Debido a esta razn, los transistores nunca se utilizan como amplificadores en activa
inversa.
Estando el transistor polarizado en saturacin, ambas uniones estn en directa, inyectando
portadores minoritarios que por difusin cruzan la base hasta la unin opuesta. Por tanto, el efecto
transistor se produce en ambas uniones y es necesario aadir la fuente de corriente en ambos
lados34 como se ilustra en Figura 50.(d). Este circuito recibe el nombre de Modelo Ebers-Moll y es
vlido para cualquiera de las cuatro regiones de funcionamiento del transistor35. Puesto que en su
presentacin se ha utilizado la caracterstica esttica Tensin-Corriente del diodo, es un modelo
esttico de gran seal. Por aplicacin de las leyes de Kirchhoff es inmediato obtener las ecuaciones
IC= IDE-IDC y IE=IDE -R IDC, y si sustituimos las corrientes de los diodos por sus expresiones, el
modelo Ebers-Moll se puede expresar matemticamente como

En transistores reales, otra diferencia entre ambas uniones que contribuye a maximizar , es que el rea del emisor es
menor que la del colector
34
Desde un punto de vista ms formal, esta afirmacin se puede justificar por aplicacin del principio de superposicin
planteado en los siguientes trminos: "Las corrientes en los terminales de un transistor polarizado en saturacin se
pueden calcular sumando las corrientes de dos transistores iguales al original, estando uno de ellos polarizado en activa
y el otro en activa inversa". La validez de este principio estriba del hecho de que los perfiles de los portadores
minoritarios en la base son aproximadamente lineales.
35
Por ejemplo, si el dispositivo est en regin activa, por el diodo que modela la corriente de la unin colector apenas
circula corriente (IDC= ICB0) y la corriente de la fuente RIDC es despreciable frente a al termino IDE, siendo los circuitos
de la Figura 48.(b) y Figura 50.(d) equivalentes.
33

108

Ecuacin 79. Modelo Ebers-Moll

I C = I ES (eVBE / VT 1) I CS (eVBC / VT 1)
I E = I ES (eVBE / VT 1) R I CS (eVBC / VT 1)
I E = IC + I B
Si se realiza un estudio fsico del dispositivo se llega a una relacin entre los cuatro
parmetros IES, ICS, y R, que se conoce como relacin de reciprocidad

Ecuacin 80. Relacin de reciprocidad del modelo Ebers-Moll

I ES = R I CS
Por tanto, el modelo Ebers-Moll se define mediante tres parmetros independientes.

7.4.2 Modelo simplificado

El modelo de Ebers-Moll es interesante por su carcter genrico respecto de las tensiones
de polarizacin. Sin embargo, por la dependencia exponencial de las corrientes con las tensiones no
permite la obtencin de resultados analticos y es inviable su aplicacin a la resolucin de
problemas con lpiz y papel. En este apartado presentamos un modelo ms simplificado del
transistor cuya principal bondad es su linealidad.

Figura 51. (a) Smbolo del BJT npn, (b) Modelo simplificado del transistor en activa
(c) Modelo simplificado del transistor en saturacin

109

Ntese que estando el transistor en activa, la unin de emisor estar polarizada en directa y
por tanto VBE ser aproximadamente constante, pudindose sustituir la unin por una fuente
independiente de tensin VBE(act) (el valor tpico es 0.7V; en este apartado todos los valores que se
dan son para transistores de silicio). De la Ecuacin 78, despreciando la corriente ICE0, se observa
que la corriente de colector es directamente proporcional a la corriente de la base, pudindose
modelar esta dependencia mediante una fuente de corriente dependiente de corriente. El resultado
de esta transformacin se ilustra en la Figura 51.(b). O matemticamente

Ecuacin 81. BJT en activa. Modelo simplificado

IC = I B
VBE = VBE ( act )

si

IB 0
VCE VCE ( sat )

Como a priori no se conoce si el dispositivo est en activa, para que los resultados
obtenidos de sustituir el transistor por el circuito de la Figura 51.(b) sean consistentes con la regin
activa se ha de comprobar que VCE> VCE(sat) e IB>0. La constante VCE(sat) se define en el siguiente
prrafo. Si no se verifican estas dos condiciones el dispositivo estar funcionando en otra regin. Si
el dispositivo es pnp VCE<VCE(act) y la el sentido de la corriente de base se define saliente del
terminal. En la Figura 51.(a) se representa el smbolo que se usa para el transistor bipolar npn.
En caso de estar el dispositivo en saturacin ambas uniones estn polarizadas en directa y
las tensiones VBE y VBC se pueden considerar constantes. No obstante, como el emisor est ms
dopado que el colector, el potencial de contacto de la unin de colector es menor que el de la unin
de emisor. Por ello, la tensin que cae entre colector y emisor es aproximadamente constante,
positiva36 e igual a VCE(sat) =VBE-VBC (0.2V en un dispositivo de silicio). El circuito equivalente del
transistor en saturacin se representa en la Figura 51.(c), donde VBE(sat) es ligeramente mayor que
VBE(act), aunque es habitual utilizar el mismo valor por continuidad de las variables elctricas del
modelo. La condicin que debe verificar el transistor para que est en saturacin es IC < IB y
todas las corrientes positivas.

36

En la mayora de las aplicaciones prctica (y en todas de este curso) el dispositivo no se suele utilizar en activa
inversa y los circuitos de polarizacin que se estudiarn en temas posteriores no permitirn que VCE puede ser negativa
(positiva en un pnp).

110

Ecuacin 82. BJT en saturacin. Modelo simplificado.

VCE = VCE ( sat )
VBE = VBE ( sat )

si

I B IC
IC 0

Cuando el dispositivo est cortado, ambas uniones estn en inversa, circulando corrientes
del orden de la corriente inversa de saturacin. En tal caso, se puede suponer que las corrientes por
los terminales son nulas. Las condicin del corte es VBE<VBE\ y VBC<VBC\, donde las tensiones
umbrales VBE\ y VBC\ en un dispositivo real son aproximadamente 0.5V, si bien es prctica usual
considerar este valor igual a la tensin VBE(act) en activa, es decir, 0.7V.

7.5

CARACTERSTICA ESTTICA EN EMISOR COMN

Hasta ahora se ha supuesto que para una tensin Base-Emisor constante, la corriente de
colector sea a su vez constante e independiente de la tensin VCE si el dispositivo esta en activa.
Este hecho se refleja en la Ecuacin 79, donde la exponencial eVBC / VT es mucho menor que la
unidad y despreciable, desapareciendo la dependencia con VBC. Sin embargo, la corriente que
circula por la unin de emisor depende de la tensin en la unin de colector como justificaremos a
continuacin.
El perfil del exceso de portadores minoritarios en la base es lineal al verificarse la
condicin de que la longitud de la regin neutra de sta es mucho menor que la longitud de difusin
de los minoritarios37. Cuando est polarizado en activa, el exceso de portadores es como el
representado en la Figura 52.(a).

37

La condicin Wb<<Ln nos asegura que la probabilidad de recombinacin de un electrn en la base es muy

pequea. Por tanto, si despreciamos el trmino de recombinacin en la ecuacin de continuidad,

(

d 2 n p
dx 2

n p
Ln

=0

d 2 n p
dx 2

0 ) la solucin es n p = A x + B .

111

Figura 52. Perfiles de portadores minoritarios en la base estando el dispositivo

polarizado en regin activa: (a) Sin polarizacin en la unin de colector y (b) fuertemente
polarizada en inversa la unin del colector
El aumento de la tensin VCE produce una mayor polarizacin de inversa de la unin del
colector (Figura 52.(b)), aumentando la regin de carga espacial de colector y disminuyendo la
longitud de la regin neutra de la base (W'b). Esta disminucin tiene dos efectos:
1. El tiempo de trnsito del electrn (tiempo que tarda el electrn en recorrer la distancia W'b
que separa ambas regiones de carga espacial) disminuye. Al estar menos tiempo en la
regin neutra de la base disminuye la probabilidad de recombinacin y aumenta InC. Por
tanto, aumenta el factor de transporte.

112

2. La derivada de los portadores minoritarios, que es igual a

n pO (eVBE / VT 1)
w' b

, aumenta. Por

tanto, aumenta la corriente de difusin InE y aumenta el rendimiento de inyeccin.

El efecto global es el aumento de las ganancias de corriente, y , y de la corriente de
colector. Luego, podemos concluir que por efecto Early la corriente de colector depende
ligeramente de la tensin Colector-Base en regin activa. Es prctica comn modelar el efecto
Early en un transistor polarizado en activa mediante la ecuacin

Ecuacin 83. Modelado del efecto Early en la regin de activa.

iC = i B (1 +

v CE
)
Va

donde Va es un parmetro caracterstico del transistor conocido como tensin Early. En la

Ecuacin 83 se considera que depende slo de la temperatura. La tensin Early es especialmente
til en la definicin de la resistencia de salida en los modelos de pequea seal, tal y como se ver
en apartados posteriores.

Figura 53. Caractersticas estticas (a) de salida y (b) entrada en emisor comn

113

En la Figura 53 se representan las caractersticas estticas de salida y entrada del transistor

bipolar en emisor comn. La caracterstica de salida es la familia de curvas que representa la
corriente IC en funcin de VCE, para diferentes valores de la corriente IB (es decir, IC=f1(VCE,IB),
donde VCE es la variable independiente e IB un parmetro). En la regin activa la corriente de
colector es aproximadamente constante (IC IB). No obstante, al aumentar VCE, aumenta la
polarizacin en inversa de la unin de colector y por efecto Early aumenta ligeramente IC. Cuando
la tensin VCE<0.2 comienza a polarizarse en directa la unin de colector y el dispositivo cambia de
regin activa a regin de saturacin. Entonces el segundo trmino de la corriente IC en la Ecuacin
79 comienza a aumentar, disminuyendo la corriente de colector, hasta que en VCE=0, sta se anula.

Figura 54. Caracterstica esttica de salida en emisor comn donde se ha acentuado

el Efecto Early. La tensin Early Va se define como la interseccin con el eje de abcisas de la
extrapolacin de las curvas Corriente-Tensin en activa
La caracterstica de salida en emisor comn se vuelve a representa en la Figura 54 donde
se ha tomado deliberadamente un valor pequeo de la tensin Va para acentuar el efecto Early en la
regin activa de funcionamiento. La figura ilustra grficamente la definicin de Va como el punto
sobre el eje VCE donde se cruzan las rectas extrapoladas de la caracterstica IC -VCE en regin activa.
En la Figura 53.(b) se representa la caracterstica de entrada (VBE=f2(IB,VCE), siendo en
este caso la variable independiente IB y el parmetro VCE). Ntese que la forma de cualquier curva
de la familia es igual a la relacin Tensin-Corriente de un diodo ordinario. Este hecho se debe a

114

que las componentes IpE e InE-InC de la corriente de la base (Ecuacin 73) crecen exponencialmente
con la tensin38. Justifiquemos a continuacin por que aumenta VBE con el aumento de VCE.
Supongamos que la corriente de la base es constante, al aumentar la tensin ColectorEmisor disminuye la recombinacin en la regin neutra de la base por efecto Early. Pero como IB es
constante, debe aumentar la inyeccin de portadores a travs de la unin de emisor, es decir, un
aumento de IpE y de39 (InE-InC). Dicha inyeccin es proporcional a eVBE / VT , producindose un
aumento de VBE.

38

IpE no es ms que la componente de corriente en un diodo por inyeccin de huecos e InE-InC lo hace porque al
aumentar exponencialmente con VBE la cantidad de electrones inyectados en la base (corriente InE) aumenta la
recombinacin en la regin neutra de la base
39
El aumento de VBE produce un aumento de np(0), aumentando el rea comprendida entre el perfil de minoritarios y el
eje x, aumentando la recombinacin en la regin neutra de la base (InE-InC).

115

CAPTULO 8

DISPOSITIVOS FOTNICOS

Se entiende por dispositivo fotnico aquel dispositivo electrnico basado en un

semiconductor, capaz de emitir, recibir o transmitir seales luminosas.
A continuacin se muestra el espectro de radiacin electromagntica. El rango de
longitudes de onda ms interesante desde el punto de vista de las comunicaciones pticas es el
comprendido desde los 600 nm hasta los 1550 nm aproximadamente, es decir, la zona visible e
infrarroja.

InSb

Ge

Si

AsGa

GaP

CdS

SiC

ZnS

Eg (eV)
0

1
7

5 3 2

2
1

3
0.5

4
0.35

( m)

Figura 55. Espectro de radiacin electromagntica.

En este tema se pretende familiarizar al alumno con algunos de los dispositivos ms

comunes utilizados en comunicaciones. Un conocimiento ms profundo se abordar en la
asignatura de Comunicaciones pticas en cursos superiores.
En primer lugar se establecern los principios bsicos de funcionamiento del LED (diodo
emisor de luz), que es el dispositivo emisor ms simple y ms usado en la actualidad.
Posteriormente, nos centraremos en estudiar el comportamiento del diodo PIN, que con su

116

particular estructura es capaz de detectar seales luminosas y convertir la potencia ptica en

potencia elctrica. En tercer lugar, se har un breve repaso de la fibra ptica, que es el medio
transmisor ms usado en comunicaciones pticas.
En la actualidad existen otros dispositivos, que siendo igual de importantes, no se vern
con tanta profundidad ya que su funcionamiento es bastante ms complicado, tales como el lser,
diodos APD, y otros.

8.1

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

Tras unir dos semiconductores fuertemente dopados, uno de tipo p y otro de tipo n, se
establece un flujo de electrones de la zona n a la p y otro de huecos de la zona p a la n. Este flujo
provoca la ionizacin de los tomos cercanos a la superficie de unin, con lo que aparece, en lo que
era un semiconductor neutro en toda su extensin, una zona cargada elctricamente, denominada
zona de carga espacial. Como consecuencia aparece un campo elctrico que crea un flujo de
arrastre en sentido opuesto al de difusin. El equilibrio se alcanza cuando ambos flujos, el de
difusin y el de arrastre se igualan.
Si aplicamos una diferencia de potencial positiva en el diodo (entre p y n), disminuir la
barrera energtica que limita el flujo de electrones de n a p y de huecos de p a n, lo que facilitar el
flujo por difusin, establecindose corrientes netas en el dispositivo que crecen rpidamente con el
potencial aplicado.
Sin embargo, al polarizarlo inversamente, el campo elctrico aumenta, pero no as las
corrientes de arrastre, ya que stas estn limitadas por la velocidad de generacin de minoritarios en
los alrededores de la zona de carga espacial.

117

Pp

Nn

Ppo

Nno

Np

Pn

Npo

Pno

Figura 56. Concentracin de portadores en polarizacin directa.

En la Figura 56 se muestra los perfiles de concentracin de portadores minoritarios de carga

(electrones en la zona p y huecos en la zona n) en una unin directamente polarizada. Se puede
observar como stas son mayores que en el caso de tener equilibrio trmico. Como consecuencia,
los mecanismos de recombinacin sern muy importantes
Si el semiconductor es de transicin directa (S.T.D.), la mayor parte de las
recombinaciones sern radiativas, es decir, emitirn un fotn de frecuencia f = Eg /h donde Eg es la
energa de la banda prohibida.
En resumen, mediante una seal elctrica (Id) se genera un flujo difusivo que incrementa la
concentracin de portadores por encima del nivel de equilibrio trmico, lo cual incrementa a su vez
la generacin de fotones por recombinacin de portadores en exceso, generando as una seal
luminosa.

8.1.1 Mecanismos de recombinacin de portadores

En captulos anteriores se ha comentado la existencia de diferentes mecanismos de
recombinacin, pudindose agrupar en dos: Entre Bandas e implicando Centros de Recombinacin.
Otra clasificacin de stas es atendiendo a la posibilidad de emisin de fotones, teniendo
recombinaciones radiativas y no radiativas. Las primeras ceden la energa sobrante en forma de
fotn de luz y las segundas en forma de calor.

118

hf

tipo 1

tipo 2

tipo 3

tipo 4

Figura 57. Varios ejemplos de mecanismos de recombinacin.

En la Figura 57 aparecen reflejadas algunas de las mltiples formas de recombinacin

existentes. Como se puede observar, la mayora supone un intercambio energtico en forma de
calor con la red. En todos los semiconductores se producen los diferentes tipos de recombinacin
sealados. De las cuatro mostradas en la figura, solo la primera genera un fotn de luz (radiativas),
siendo las dos siguientes las principales competidoras.
Cada uno de los diferentes mecanismos de recombinacin tiene asociado un tiempo
caracterstico distinto (ti). Los semiconductores donde predominen las recombinaciones radiativas
frente a las no radiativas, (tr<tnr), sern buenos candidatos para construir dispositivos emisores de
luz.

8.1.2 Semiconductores de Transicin Directa e Indirecta.

En la Figura 58 se puede observar los diagramas de energa (Energa Cuasi impulso) de
dos semiconductores diferentes40. El primero corresponde a un semiconductor de Transicin
Directa (STD) y el segundo a uno de Transicin Indirecta (STI).
El Cuasi-impulso hk se puede asociar al vector Cantidad de Movimiento del portador. De
esta manera, en la primera grfica se puede observar como los electrones situados en el mnimo de
energa de la Banda de Conduccin tienen el mismo valor de hk que los huecos situados en el

119

mximo de la Banda de Valencia. Una recombinacin directa entre bandas (proceso radiativo), en
este caso, se producira sin variar esa cantidad hk.
En un STI se pueden dar dos tipos de transicin: directa (o radiativa) e indirecta (o noradiativa). Como en todo proceso fsico se han de verificar las leyes de conservacin de la energa y
del impulso lineal. Ello supone que en la transicin directa, un electrn que pase directamente
desde el mnimo de la BC al mximo de la BV, se libere un fotn de energa prxima a Eg. Sin
embargo, tambin debe intervenir la red cristalina aportando el incremento de cuasi-impulso (hk).
Las (pseudo-)partculas de la red cristalina que intervienen en estos procesos reciben el nombre de
fonones. Debido a la necesidad de intervencin de tres agentes (electrn, fotn y fonn) estas
transiciones son muy poco probables, y por consiguiente, estn caracterizadas por un tiempo medio
de recombinacin (tr) muy grande. Por el contrario, las recombinaciones indirectas, es decir,
transiciones a travs de centros de recombinacin o trampas, son muy probables y estn
caracterizadas por tiempos medios de recombinacin (tnr) muy pequeos. Como se observa en la
figura, el electrn, tras liberar como calor la energa Q, es atrapado en uno de estos centros. Si el
electrn atrapado no vuelve a regenerarse, el centro suministra el cuasi-impulso necesario para que
tras una segunda transicin, liberando a la red cristalina el resto de energa Q, el electrn llegue al
mximo de la BV (se termina el proceso de recombinacin).
Como resumen de este apartado diremos que en trminos generales:
a) En todo semiconductor coexisten dos tipos de procesos de recombinacin:

Aquellos que se dan entre bandas del semiconductor y son pticamente

activos (procesos radiativos).

Aquellos que suceden por medio de trampas y con cesin de la energa

calorfica a la red cristalina (procesos no radiativos).

40

Una partcula libre slo tiene energa cintica y su energa es funcin parablica de la cantidad de movimiento o
impulso lineal, es decir, E=p2/mo= (hk)2/mo. Los portadores (electrn y hueco) en un semiconductor no son partculas
libres y la sus respectivas funciones E(p) son ms complejas que la relacin anterior.

120

b) En los S.T.D., el tiempo medio de recombinacin radiativa tr ser mucho menor que
el tiempo medio de recombinacin no radiativa tnr, siempre y cuando existan pocos
defectos en la red cristalina.
c) En los S.T.I., tnr<<tr ocurrir siempre. Por este motivo, la recombinacin no ser
entre bandas, sino que suele producirse en centros de captura.
d) Por ello, en la fabricacin de dispositivos emisores de luz se usan principalmente
semiconductores de transicin directa.

Ec

Ec

hf
Eg

hf

Q
Ev

Ev

hk

hk
(hk)

SC de T. directa

SC de T. indirecta

Figura 58. Recombinacin de portadores. En los SC de transicin indirecta es ms probable la recombinacin

por trampas (emisin de energa trmica Q) que la recombinacin radiativa (emisin de energa ptica hf).

8.1.3 Materiales semiconductores emisores de luz.

La mayora de los dispositivos utilizados en fotnica son compuestos ternarios o
cuaternarios formados por semiconductores de los grupos III y V de la tabla peridica.
Si se quiere trabajar en el rango de longitudes de onda comprendido entre 650 nm y 880
nm se elige el compuesto ternario Alx Ga1-x As donde x representa el tanto por uno de tomos de Ga
sustituido por tomos de Al. Variando x entre 0 y 0.45 se obtiene una variacin continua en la
energa de la banda prohibida del material, mantenindose ste como semiconductor directo.

121

Para poder trabajar en el rango que va desde los 1.000 nm hasta los 1700 nm se recurre al
In1-x Gax Asy P1-y , donde x e y representan los tantos por uno de tomos de In y P sustituidos por
tomos de Ga y As, respectivamente.

8.1.4 Caracterstica de los dispositivos semiconductores emisores de luz

Los parmetros de inters en el funcionamiento del LED (diodo emisor de luz) son los
siguientes:
Potencia luminosa-corriente inyectada. En el LED, esta dependencia es casi lineal y muy
sensible hasta llegar a intensidades muy grandes en las cuales la curva se empieza a saturar.
Caractersticas espectrales. Por un lado, la longitud de onda donde la densidad espectral
de potencia es mxima (p), y por otro el intervalo espectral de emisin (). En los LED, el
segundo de los parmetros llega a ser grande, y el cociente entre ambos del orden del 2%.
Distribucin espacial de potencia luminosa. Depende de la geometra de la regin activa
donde se genera la luz. Los LED se clasifican en dos grandes grupos: los de emisin superficial
(SLED), y los de emisin lateral (ELED). En los primeros la distribucin espacial de la intensidad
luminosa es perpendicular a la base cilndrica que los caracteriza mientras que la regin activa
paraleleppeda de los segundos da como resultado una emisin lateral.

8.2

DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.

Supongamos que tenemos un semiconductor sobre el cual incide luz de una frecuencia f
(hf>Eg) por una de sus caras. Si denotamos por P0 la potencia total incidente sobre la superficie, se
tendr que una fraccin de sta, RP0 , ser reflejada por la superficie, donde R es el coeficiente de
reflexin de la interfase aire-semiconductor. Por tanto, se tiene que solo la cantidad (1-R)P0
penetrar en el interior del volumen. A medida que los fotones de energa hf vayan penetrando en el
semiconductor irn siendo absorbidos de manera que generarn pares electrn-hueco.

122

P0
P0(1-R)

P0(1-R) e- x
x=0

Figura 59. Distribucin de fotones en el interior del semiconductor.

La Figura 59 muestra la concentracin de fotones en el volumen del semiconductor. Se

puede observar como la cada es exponencial, con una longitud caracterstica ( -1) que da idea del
orden de magnitud de la distancia recorrida por los fotones antes de desaparecer por absorcin. Al
ndice se le denomina coeficiente de absorcin y en general su valor depende del material y la
longitud de onda de la radiacin.

-1

10

10

( m)
Profundidad de penetracin

Ge

10

Si

10

10

10

10

Coeficiente de absorcin (cm-1 )

In0.53 Ga 0.47 As

AsGa

10

10
0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

Longitud de onda ( m)

Figura 60. Coeficiente de absorcin para diferentes semiconductores.

123

En la Figura 60 se muestran los coeficientes de distintos materiales semiconductores en

funcin de la longitud de onda. Se observa como este coeficiente disminuye al aumentar la longitud
de onda de la radiacin. Es decir, al disminuir la energa de los fotones, la probabilidad de que estos
sean absorbidos va disminuyendo. Al mismo tiempo, se muestra como la disminucin del
coeficiente conlleva un aumento en la profundidad de penetracin de la radiacin.
Un fotodetector tiene como objetivo convertir una seal ptica en elctrica para
posteriormente ser amplificada y procesada. Entre las propiedades que debe exigirse a un buen
fotodetector estn las siguientes:

Buena sensibilidad a la longitud de onda de trabajo. Es decir, elevada capacidad de

convertir potencia ptica en elctrica en el rango de longitudes de onda para el que ha
sido diseado.

Velocidad de respuesta elevada. Esto es necesario cuando se estn manejando grandes

cantidades de datos en tiempos pequeos, como es el caso de comunicacin digital por
fibra ptica.

Bajo nivel de ruido. Dada la escasa potencia de la luz incidente, se hace

imprescindible que el fotodetector no introduzca ruido adicional.

En lo sucesivo, se intentar justificar los diferentes tipos de fotodetectores atendiendo a

las caractersticas anteriormente mencionadas.

8.2.1 Fotoconductores
El dispositivo detector de luz ms sencillo que se puede construir consiste en un simple
trozo de semiconductor escasamente dopado. Como ya es conocido, la conductividad del
semiconductor crece directamente proporcional a la concentracin de portadores. Cuando se
ilumina este material con luz de una frecuencia tal que la energa de los fotones hf es superior a la
anchura de la banda prohibida Eg , sta es absorbida crendose pares electrn-hueco. Como
resultado de esta generacin ptica de portadores se puede conseguir un aumento significativo de
esta conductividad. A los dispositivos diseados para que se comporten de esta forma se le
denominan fotoconductores.

124

Ejemplo:
Consideremos un semiconductor intrnseco al que se le ilumina de forma que la tasa de
generacin ptica se puede considerar uniforme y de valor gop= 1021 PEH/scm3. Calcularemos la
corriente que resulta si se aplica una tensin externa de Vs = 10V antes y despus de iluminar,
siendo n = 0.15 m2/vs, p = 0.06 m2/vs, ni = 1.5 1010 cm-3, r = 10-7 cm3/s
Antes de iluminar, la conductividad ser i = q ni (n + p) = 5.04 10-6 (cm) -1 y la
resistencia, Ri = L / (i W H) = 396.8 k
La corriente de oscuridad (en ausencia de iluminacin) ser: I OSC =

VS

= 25.2A

Despus de iluminar y una vez establecido el rgimen permanente, suponiendo hiptesis

de alto nivel de inyeccin: gop = r n2 n = (gop / r)1/2 = 1014 cm-3
La nueva conductividad ser de i = q n (n + p) = 0.0336 (cm) 1 mientras que la
resistencia resulta ser Ri = L / (i W H) = 59.52
Y el valor de la corriente de iluminacin ser: I OP =

VS

= 168mA

Este tipo de dispositivo tan simple presenta un problema de incompatibilidad entre

sensibilidad y bajo tiempo de respuesta. Ya sabemos que bajo iluminacin ptica:

g OP =

n
=> n = g OP n
n

Es decir, el exceso de portadores en condiciones de iluminacin es directamente

proporcional a la intensidad luminosa y al tiempo medio de vida de portadores en desequilibrio.
Para una intensidad luminosa dada, si los portadores tienden a desaparecer rpidamente despus de
su creacin, la concentracin siempre ser baja. Si esta tendencia es a ms largo plazo la
concentracin ser alta. En el primer caso la conductividad ser ms cercana a la intrnseca que en
el segundo, por lo que la corriente obtenida ser menor (menor sensibilidad).

125

Por otro lado, sabiendo que el tiempo de respuesta del semiconductor ante una variacin
de las condiciones de equilibrio depende de n podemos decir que s:

n es grande

=> n es grande => lentitud en la respuesta y alta sensibilidad.

n es pequeo => n es pequeo => rapidez en la respuesta y baja sensibilidad.

8.2.2 El Fotodiodo PIN
Con objeto de mejorar tanto la velocidad de respuesta como la sensibilidad del
fotodetector se utilizan uniones pn polarizadas en inversa.
I=Io (e (qV/KT) 1)

Figura 61. Caracterstica esttica de la unin pn.

En la Figura 61 se muestra la caracterstica esttica de una unin pn. En ella podemos

observar como ante una tensin positiva se obtiene una corriente elevada y positiva, debido a la
dependencia exponencial de las corrientes difusivas con respecto a la tensin aplicada. Por el
contrario, si se le aplica una tensin negativa a los extremos de la unin la corriente permanece
limitada a valores muy pequeos y con sentido negativo. Esto es debido a que tras anular las
componentes difusivas, solo permanecern las corrientes de arrastres en la unin. Esta ltima est
compuesta tanto por electrones de la zona p y huecos de la zona n, que encontrndose cercanos a la

126

unin experimentan un arrastre producido por el intenso campo elctrico existente.Cualquier

mecanismo que aumente la velocidad de generacin de estos portadores traer como consecuencia
un aumento en la corriente inversa de saturacin. Si iluminamos la unin en inversa con luz tal que
(hf>Eg), se estar favoreciendo la creacin pares electrn-hueco mediante la absorcin de esta
energa. Como consecuencia aparecer una corriente de arrastre Iop adicional a la ya existente I0 .
Este hecho se observa en la Figura 62 como un descenso de toda la curva I-V del diodo en una
cantidad constante Iop.

ID=Io (e

(qV/KT)

1) - Iop

ID

VD
Iop

Figura 62. Caracterstica esttica del diodo de unin pn bajo iluminacin.

El diodo PIN resulta de optimizar el diseo con objeto de maximizar la cantidad de

portadores que, una vez generados pticamente, pasan a formar parte de la corriente de arrastre. Las
siglas corresponden a las tres zonas que se pueden diferenciar en el diodo, zona p+, zona casi
intrnseca y zona n+. En la Figura 63 se representa el esquema de un diodo PIN polarizado en
inversa. Se puede observar como la carga inica generada en la zona p+ no puede ser compensada
por el escaso dopado de la zona intrnseca, haciendo que la regin de carga espacial se extienda
hasta la zona n+. Como consecuencia se tiene que el campo elctrico actuar sobre una extensin
bastante ms ancha que en un diodo pn normal. En principio, solo aquellos portadores generados
dentro de la zona de carga espacial o en las proximidades de sta podrn ser arrastrado por el
intenso campo elctrico. Suponiendo que la luz incide por la capa p+ interesa que sta sea estrecha,

127

ya que es aqu donde se produce el mayor porcentaje de absorcin de fotones. Si la zona intrnseca
es lo suficientemente ancha se habrn recogido prcticamente todos los fotones dentro de la zona
con campo elctrico no nulo. La corriente as generada ser bastante elevada.
Por otra parte, si la iluminacin desaparece de forma brusca el campo elctrico ser el
encargado de barrer de forma rpida el exceso de portadores existente en la zona intrnseca. El
resultado es una velocidad de respuesta elevada..

V
s

hf
+
p

Figura 63. Diodo PIN (estructura P-I-N polarizada en inversa, distribucin de carga en RCE, campo elctrico en
RCE y distribucin de potencia luminosa en el interior del dispositivo).

128

8.2.3 El fotodiodo de Avalancha (APD)

Los dispositivos descritos hasta ahora no presentan ganancia interna, es decir, en ellos se
generan un solo par electrn-hueco por cada fotn absorbido. El fotodiodo de avalancha es un
dispositivo cuya estructura permite tener una cierta ganancia interna.
La diferencia con el diodo PIN estriba en la inclusin de una capa intermedia de dopado p+
entre la zona intrnseca y la zona n+. Esta modificacin da como resultado un aumento importante
del campo elctrico de forma localizada. Aplicndole una fuerte polarizacin en inversa, se
conseguir que los portadores que aparezcan en la zona intrnseca sean acelerados fuertemente
cuando se acerquen a la interfase p+- n+. Cuando estos portadores colisionan con los tomos de la
red ceden parte de su energa cintica creando nuevos pares eletrn-hueco que a su vez son
acelerados por el campo elctrico. El resultado es un efecto multiplicativo o de avalancha.
El fotodiodo de avalancha tiene un tiempo de respuesta peor que el diodo PIN y necesita
de tensiones de polarizacin mayores, pero como contrapartida posee mayor sensibilidad.

8.2.4 El fototransistor
Un fototransistor tien una estructura similar a la de un transistor BJT, pero con la base
inaccesible elctricamente. Para provocar el efecto transistor, que en un BJT se consigue
polarizando en directa la unin base-emisor, el encapsulado del fototransistor incluye una ventana
que permite la llegada de fotones a la base. La intensidad de fotones recibidos ser proporcional a
la cantidad de portadores generados en la base, y por tanto a la corriente provocada por la
recoleccin de stos por parte del colector.

8.3

LA FIBRA PTICA

Cuando se quiere transmitir una seal ptica a corta distancia se puede utilizar como
medio transmisor el aire. Sin embargo, si las distancias son significativas hay que acudir a otro
medio que presente mejores caractersticas de atenuacin: la fibra ptica.

129

n2

n1

Figura 64 : Fenmeno de refraccin de un rayo luminoso al atravesar una interfase entre dos medios.

Supongamos que tenemos un medio dielctrico sobre el que se propaga una seal
luminosa. Podemos relacionar la velocidad a la que se transmite esa seal por el medio dielctrico
(v) con la velocidad de la luz en el vaco (c) a travs del ndice de refraccin del material (ni), de
manera que:
V=

c
ni

La Figura 64 muestra el paso de un rayo de luz de un medio dielctrico de ndice de

refraccin n1 a otro medio de ndice n2. Se puede demostrar que la relacin entre los ngulos
incidentes y transmitido es la siguiente:
n1 sen1 = n2 sen2 (Ley de Snell)
Si n1 > n2 se tiene que 1 < 2. En el caso de que el rayo incida en la superficie de
separacin con un ngulo 1 > arcsen (n2/n1) se verificar que 2 > /2, con lo que el rayo no
escapar del medio 1. Al valor c = arcsen (n2/n1) se le llama ngulo crtico. Este fenmeno,
mostrado en la Figura 65, se denomina reflexin total, y es aprovechado para confinar haces de luz
dentro de la fibra ptica.

130

n2

n1

Figura 65 : Reflexin total de un rayo luminoso.

Como se observa en la Figura 66, una fibra ptica est compuesta por un ncleo y una
corteza de material dielctrico, con la particularidad de que el ndice de refraccin del ncleo es
mayor que el de la corteza (n1>n2). De esta manera se producir un efecto de guiado ptico por el
ncleo de la fibra. Para que esto ocurra, los rayos de luz deben entrar en la fibra con un ngulo
menor que un determinado valor denominado ngulo mximo de aceptacin (m). En esta misma
figura se muestra el efecto de guiado sobre varios rayos, uno de ellos con un ngulo de entrada
mayor que (m).

Ncleo
rayo no guiado

rayo guiado

Cubierta
n1
n2

Figura 66. Guiado de rayos y distribucin de ndices de refraccin dentro de una fibra ptica.

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Tabla 3. Magnitudes fsicas ms comunes.

Magnitud

Simbolo

Valor

Unidades

Carga del electrn

1,6 10-19

Constante de Planck

6,625 10-34

J s

4,14 10-15

eV s

1,38 10-23

J/K

8,62 10-5

eV / K

3 108

m/s

m0

9,11 10-31

Kg

Constante de Boltzman

Velocidad de la luz
Masa del electrn