Las galas extensomtricas se basan en la variacin de la resisencia de un

conductor o un semiconductor cunado es sometido a un esfuerzo mecnico

R=

l
A

Si se considera ahora una pieza que adempas de la longitud l tenga una

simension transversal t, resulta que como consecuencia de aplicar im esfuerzo
longitudinal no slo cambia l sino tambin lo hace t. La relacin entre ambos
cambios bien dada por la ley de Poisson, de la forma

dt /t
dl/l

=coeficiente de poisson

Su valor est entre 0 y 0.5, siendo 0.17 para la funcin maleable, de 0.303
para el acero y 0.33 para el alumnio y el cobre. Obsrvece que para que se
conservara contante e volumen debera ser de

=0.5 .

La variacin que experimenta la resistividad como resultado de un esfueao

mecnicpo es lo que se conoce como efecero piezorresistivo. Estos cambios se
deben a la variacin de la amplitud de as oscilaciones de los nudos de la red
cristalina del metal. Si ste se tensa, la amplitud aumenta, mentras que si se
comprime, la amplitud disminuye. Si la amplitud de las oscilaciones de los
nudos aumenta, la velocidad de los electrones disminuye, y
dicha amplitud disminuye,

aumenta. Si

tambin disminuye. Para el caso de los

metales, resulta que los cambios porcentuales de resistividad y de volumen

son proporcionales.

d
dv
=C

v
Asi pues, para pequeas variaciones la resisstencia del hilo metlico
deformado puede ponerse de la forma

R=R 0 ( 1+ x )

Donde

R0

es la resistencia en reposo y x = K . El cambio de resitencia no

excede el 2%;

= deformacin unitaria.

En el caso de un semiconductor, al someterlo a un esfuerzo predomina el

efecto piezorresistivo. Las expresiones de la relacin resitencia-deformacion
son para un caso concreto:

Para un material tipo p

Para un material tipo n

dR
2
=119,5 + 4
R0

dR
2
=110 +10
R0

Donde

R0

es la resistencia en reposo a a 25 C, y se supone una

alimentacin a corriente constante.

Vemos, pues que existe una relacin entre el cambio de resistencia de un

material y la deformacin que experimente ste. Si se conoce la relacin entre
esta deformacin y el esefierzo que le provoca, a partir de la medida de los
cambios de sistencia se podrn conocer los esfuerzo aplicados y, en su caso,
las magnitudes que provocan dichos esfuerzos en un sensor apropiado. Un
resistor dispueso de forma que sea sensible a la deformacin constitute una
gala extensomtrica.

Consideraciones

El esfuerzo aplicado no debe llevar a la galga fuera del margen elstico.

ste no excede el 4% de la longitud de la galga.
La medida de un esfuerzo slo ser correcta si es transmitido totalmente
a la galga. Ello se logra pegando sta cuidadosamente medianate un
adhesivo plstico que sea suficientemente estable con el tiempo y a la
temperatura.
La temperatura es una fuente de interferencias. Afecta ala resistivida y
mdulo de elasticidad del material, a sus dimensiones y a las
dimensiones del soporte. Como resultado de ello, ina vez la galga est
dispuesta en la superficie de medida, si hay un camabio en la
temperatua, antes de apicar ningn esfuerzo se tendr ua un cambio de

resitencia. En las galgas merlicas este cambio puede ser de hasta

50 / C .

Caractersticas normaales de las galgas extensiomtricas metlicas y

semiconductoras

Parmetro
Margen de medida,
Factor de Sensibilidad
Resistencia ,

Tolerancia en la
resistencia,%
Tamao,mm

Metlicas
1.1a 40,000
1.8 a 2.35
120,350,6005000
1.1a 0.2
0.4 a 150
Estndar: 3 a 6

Semiconductoras
1.1 a 3000
50 a 200
1000 a 5000
1a2
1 a5