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Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

AUTOR: Oscar Fernndez - Pacheco Gmez .


DIRECTOR: Roberto Giral Castilln .

FECHA: Agosto 2002.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

ndice

NDICE

1. MEMORIA DESCRIPTIVA..............................................................1
2. MEMORIA DE CLCULO.............................................................26
3. MEDIDAS EN EL LABORATORIO...............................................67
4. PLANOS.........................................................................................103
5. PRESUPUESTO.............................................................................114
6. PLIEGO DE CONDICIONES........................................................125
7. ANEXOS........................................................................................137

1. MEMORIA DESCRIPTIVA

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

NDICE MEMORIA DESCRIPTIVA

1.

MEMORIA DESCRIPTIVA........................................................................3

1.1.
INTRODUCCIN ......................................................................................... 3
1.2.
OBJETIVO DEL PROYECTO ...................................................................... 7
1.3.
ANTECEDENTES......................................................................................... 8
1.4
DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO ........................ 9
1.4.1.
Planta .................................................................................................... 9
1.4.2.
Circuito de retardo generador de dead time ..................................... 10
1.4.3.
Regulador de tensin .......................................................................... 12
1.4.4.
Sensado de corriente ........................................................................... 14
1.4.5.
Regulador de tensin usando el CI723 ............................................... 16
1.4.6.
Driver IR2110 ..................................................................................... 17
1.4.7.
Regulador PWM ................................................................................. 18
1.4.8.
Control ................................................................................................ 19
1.5.
ESPECIFICACIONES ................................................................................. 20
1.6.
CONCLUSIONES ....................................................................................... 21
1.7.
COMPARATIVA CON CONVERTIDORES ACTUALES ....................... 23
1.8.
PRESUPUESTO TOTAL DEL PROYECTO.............................................. 24
1.9.
BIBLIOGRAFA.......................................................................................... 25

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

1 Memoria Descriptiva
1.1.

INTRODUCCIN

El campo de la electrnica de potencia tiene que ver con el procesado de


potencia elctrica usando dispositivos elctricos. El elemento clave es el convertidor
conmutado, ilustrado en la figura 1.1.1. En general, un convertidor conmutado
contiene puertos de entrada de potencia y de control, y un puerto de salida de
potencia. La potencia bruta de entrada es procesada y especificada por la entrada de
control, produciendo una potencia acotada en la salida.
En un convertidor DC/DC, la tensin de entrada DC es convertida a tensin
de salida con una mayor o menor magnitud, posiblemente con polaridad opuesta, o
bien aislando las referencias de entrada y masa de salida. Usualmente, el control es
requerido, y casi siempre es diseado para producir una tensin de salida bien
regulada, con la presencia de variaciones en la tensin de entrada y en la corriente en
la carga.
El bloque de control es una parte integral de cualquier sistema de procesado
de potencia. Una eficiencia alta es esencial en cualquier aplicacin cuya razn
principal es la de conservacin de la energa. La eficiencia de un convertidor,
teniendo potencia de salida Pout y potencia de entrada Pin , es:

Pout
Pin

(1.1.1)

Por consiguiente, la prdida de potencia en el convertidor es:

1
Ploss = Pout 1

(1.1.2)

y se debe a elementos resistivos, elementos capacitivos, dispositivos magnticos


incluyendo inductores y transformadores, dispositivos semiconductores operando en
modo lineal (amplificadores) y dispositivos semiconductores operando en modo
conmutado (MOSFET, diodos, etc.).

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

iOUT

iIN
entrada de
potencia

+
vIN
-

Memoria Descriptiva

convertidor
conmutado

+
vOUT
-

salida de
potencia

entrada de
control
Figura 1.1.1. Esquema general de un convertidor conmutado
Los convertidores DC/DC son fuentes conmutadas aisladas o no, que respecto a
las fuentes de alimentacin lineales, tienen las siguientes ventajas:
a)

rendimientos entre el 60% y 90%; frente a las lineales que tienen un


rendimiento alrededor del 40%.
b) Pequeas dimensiones; tanto menor cuanto mayor sea la frecuencia de
conmutacin, en la actualidad 100 kHz - 1 MHz
Podemos no obstante, apuntar los siguientes inconvenientes:
a)

generacin de EMI (emisin electromagntica) tanto conducida como


radiada.
b) Aumento de las prdidas de conmutacin y prdidas en los ncleos cuando la
frecuencia crece.
En la mayora de los casos el convertidor trabaja a frecuencia constante y la
regulacin se hace mediante PWM (modulacin de anchura de pulsos) de la manera
que se indica en la figura 1.1.2.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

Donde:
-Vc es la tensin de error
-VR es la tensin de referencia
-Vr es la funcin rampa
Convertidor
DC/DC

Vs

Vo

Vg
Vr

Comparador

Vc
Ve

VR

PWM
Figura 1.1.2. Diagrama general del convertidor y generacin PWM

El convertidor a estudiar en este proyecto es un convertidor reductor Buck


(figura 1.1.3), es decir, la tensin de salida es menor que la tensin de entrada.

Figura 1.1.3. Configuracin Buck tpica

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

De lo que trata este proyecto es de estudiar la posibilidad de introducir un


interruptor manteniendo o no el diodo original en esta estructura reductora, tal y como
se indica en la figura 1.1.4, adems de disear sus circuitos de sincronizacin y otros
para evitar su conduccin simultnea, evitar cortocircuitos y la posible destruccin de
los MOSFETs.

Figura 1.1.4. Configuracin Buck con rectificacin sncrona


Tradicionalmente estos convertidores, se utilizan con baja tensin de salida.
En este caso la Vo deseada corresponde a 1/3 de la tensin de entrada Vin,
por lo que el ciclo de trabajo del MOSFET superior es igual a un 33 % y el diodo o
MOSFET inferior conducen un 66 % del periodo. Parece lgico mejorar las prdidas
de conduccin en el elemento del interruptor que est ms tiempo conduciendo.
La ventaja de este cambio es que se reduce la cada de tensin del diodo,
tpica entre 0,5 y 1 V a unos 0,3 V o menor (corriente que circula por el MOSFET
multiplicado por su baja resistencia de conduccin), incrementando la eficiencia del
sistema.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.2.

Memoria Descriptiva

OBJETIVO DEL PROYECTO

El objetivo principal de este proyecto es el de disear y construir fsicamente


un convertidor tipo Buck con Rectificacin Sncrona con la finalidad de asegurar que
proporciona mayor rendimiento que un convertidor Buck tpico. Para ello se ha
previsto que pueda funcionar de tres modos diferentes: configuracin tpica de un
Buck (fig.1.2.1a), modo sncrono mediante dos MOSFETs sincronizados (fig.1.2.1b),
y como el anterior con la adicin del diodo en antiparalelo con el MOSFET de lado
bajo (fig.1.2.1c).
Aunque no se indique en las grficas, por construccin, el MOSFET lleva un
diodo interno en antiparalelo. Las caractersticas de este diodo no son buenas ya que
es un diodo de conmutacin lenta, por lo que no interesa que entre en conduccin. Es
necesario ajustar la temporizacin de b) o aadir un diodo rpido c)

a)

b)
c)
Figura 1.2.1. Tres tipos de configuraciones Buck.

El estudio del prototipo proporcionar una serie de resultados de


rendimientos, rizados, arranque y dems conclusiones que pueden ser de gran ayuda
para el diseo y construccin de futuros prototipos.
Otro objetivo es el de mejorar un prototipo ya existente en cuanto a
innovaciones electrnicas con nuevos componentes y de esta manera aumentar el
rendimiento.
Como innovacin, tambin, se ha introducido una circuitera generadora de
dead-time, un tiempo muerto en el que ninguno de los MOSFETs conmuta. Se ha
diseado como elemento de seguridad a la hora de la conmutacin, con el objetivo de
asegurar un tiempo en el que ninguno de los MOSFETs est en conduccin.
Como objetivo secundario, el sistema ha de soportar variaciones de tensin
en la entrada desde 33 hasta 58 voltios sin variar su tensin de salida de 14 V. Para
ello se ha diseado un control de doble lazo: de tensin y de corriente.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.3.

Memoria Descriptiva

ANTECEDENTES

Hasta el presente, los convertidores de este tipo, se han dedicado hacia el


campo de alimentacin de microprocesadores cada vez ms rpidos, con ms ancho
de banda y con ms necesidades debido al explosivo crecimiento de Internet. La
nueva clase de procesadores GHz, requieren corrientes ms altas y tensiones ms
bajas que la generacin anterior.
Por ejemplo las agendas-computadora de hoy en da consumen 20 A,
consiguindose mediante MOSFET en paralelo. Los servidores y ordenadores de
escritorio del presente oscilan entre 60 y 90 A. Y las CPU de prxima generacin
consumen unos 120 A, aproximadamente un 10% superior a las CPU de hace tan solo
dos aos.
En las industrias de telecomunicaciones que usan convertidores aislados, la
tensin de salida de stos no debe superar los 1,5 V. Bajo estas condiciones, la
rectificacin sncrona es necesaria para reducir disipacin de potencia y mantener los
niveles de eficiencia requeridos.
Existe en el Laboratorio de la Universidad el denominado Tri-Buck, que es
un conjunto de tres convertidores sincronizados de caractersticas parecidas al
prototipo del presente proyecto. Uno de los objetivos de este proyecto, como se ha
comentado anteriormente, ha sido el de estudiar ese Tri-Buck y adaptar a un solo
convertidor esas caractersticas, as como el de mejorar el valor del rendimiento
gracias a las innovaciones tecnolgicas que separan temporalmente el diseo de los
dos prototipos.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4

Memoria Descriptiva

DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO

Este apartado pretende dar una explicacin general de una manera intuitiva
de qu partes se compone el prototipo. Una explicacin ms detallada con el diseo y
la eleccin de los componentes se encuentra ms adelante en la Memoria de Clculo.

1.4.1.

Planta

La planta del prototipo no es mas que una configuracin de convertidor


Buck de potencia con la adicin de un transistor MOSFET en paralelo con el diodo
Schottky tpico en un convertidor de estas caractersticas.
Consta de un filtro en la entrada y otro en la salida comentados en la
Memoria de Clculo del presente proyecto. Adems se ha introducido un diodo en la
salida para alimentar el resto del circuito en cuanto a su salida se disponga de una
tensin superior a la del regulador de tensin principal comentado en el apartado
1.4.3. del presente documento. De esta manera se evita que funcione y consuma dicho
regulador, incrementando el rendimiento del sistema.
Q5
MOSFET N

42V_Side

L1 40u

14V_Side

J5
C5

C4

C3

C7

C6

C17

C1

1200uF

1200uF

1200uF

1200uF

1200uF

1200uF

1
2
Q4
MOSFET
D2 N CON2

C2
22uF

22uF

C18 C20 C21 C22 C23 C24


+

2200uF 3300uF

PBYR20100

Figura 1.4.1. Planta del prototipo.

3.3uF

3.3uF

3.3uF

3.3uF

D15
3.3uF

1N4148

VCC

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4.2.

Memoria Descriptiva

Circuito de retardo generador de dead time

En muchos convertidores de altas prestaciones, es necesaria la sincronizacin


entre mltiples interruptores. Con esto bastara si fuesen elementos de conmutacin
ideales, pero a menudo se necesita un dead time (tiempo muerto) para asegurar
absolutamente que no exista la posibilidad de que los dispositivos interruptores no
conduzcan simultneamente durante las transiciones de la conmutacin.
Tanto en inversores como convertidores dc-dc rectificadores sncronos, el
tiempo muerto es generado con dos seales de control complementarias, una para
cada interruptor. Muy recientemente, algunos fabricantes de integrados han empezado
a producir controladores PWM rectificadores sncronos con seales complementarias
y tiempo muerto. Pero la mayora de diseadores que trabajan en inversores, usan sus
propias estrategias para la generacin del tiempo muerto [3].
La generacin de tiempo muerto en este proyecto ha sido diseada con el
objetivo de ser ajustable y se ha hecho mediante 4 puertas CMOS de tipo NOR
integradas en un mismo chip mas dos etapas de retardo RC, como se observa en la fig.
1.4.2.
La puerta NOR es un grupo completo, es decir, se pueden sumar, multiplicar
e invertir diferentes seales nicamente utilizando NORs.

a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

NOR
1
0
0
0

Tabla 1.4.1. Funcin NOR para dos entradas

NOT
AND
OR

x = x+x
x1 x 2 = x1 + x2

x1 + x 2 = x1 + x 2

10

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

Funcionamiento del circuito:


La entrada es una onda de pulsos generada por el regulador PWM. La
funcin de la NOR U10A es invertir la seal PWM y a sta se le hace pasar por la
NOR U13A con la seal original pero retardada consiguiendo a su salida una seal
PWM similar a la original pero con un retardo, que puede ser ajustable.
La funcin de U12A es invertir la seal retardada para poder ser comparada
con la original en U11A, pero esta vez en el estado de nivel bajo. La salida del U11A
es la seal PWM invertida (complementaria a la salida de U13A) con un retardo
tambin ajustable.

R15

1
PWM

3
R16

U10A

10K

U11A
3

2
4001

3
R17

4001

C32
0.1nF

U12A

R14

4001

100

10K

C33
0.1nF

100

LIN
1

U13A
3

HIN

4001

Figura 1.4.2. Circuito generador de dead time


Las puertas NOR se han elegido de tipo CMOS por su buena compatibilidad
de niveles lgicos con el regulador PWM y el driver IR2110 para el disparo de los
MOSFET. Exactamente se ha elegido un 4001B, que es un integrado que contiene 4
puertas NOR.
Los valores de las etapas de retardo, se han elegido pensando en que el
retardo no sobrepase los 500 ns. Para ello los potencimetros sern de 10 k, y se
ajustarn a unos 5 k. Y los condensadores debern ser de 0,1 nF. Las resistencias de
100 aseguran un retardo mnimo de 10 ns entre el PWM original y la seal
generada evitando un solapamiento excesivo entre stas, evitando, por consiguiente,
la conmutacin simultnea de los dos MOSFETs.

11

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

Como resultado de simular el circuito generador de dead-time se ha obtenido


la grfica de la fig.1.4.3, donde se aprecia el retardo generado entre la seal PWM
original y las seales de activacin de los MOSFETs Q1 y Q2.

Canal 3
Canal 2

Canal 1

Figura 1.4.3. Canal 1 PWM original


Canal 2: Seal de activacin de Q1
Canal 3: Seal de activacin de Q2

1.4.3.

Regulador de tensin

El siguiente regulador de tensin ha sido diseado para poder alimentar


inicialmente al regulador de precisin formado por el integrado CI723, para
posteriormente poder alimentar a la circuitera interna del convertidor.
Lo que hace que este regulador sea imprescindible en este prototipo es la
robustez en cuanto a tensin de entrada ya que permite su arranque hasta 58 V. Otra
caracterstica importante es su facilidad de montaje y economa. Su nico
inconveniente es que para grandes cambios en su tensin de entrada (caso de 33 hasta
58 voltios) presenta variaciones considerables de tensin a su salida, por eso se ha
tenido que disear un regulador de precisin en serie a ste para poder alimentar
fiablemente el resto de circuitera a tensin constante.

12

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

El diseo es bastante simple. La resistencia R28 hace posible la polarizacin


del Zener, el cual va a mantener una tensin de 15 voltios. La resistencia R31 y el
condensador C41 forman un filtro para eliminar el ruido aportado por el Zener. A su
vez, R31 limita la corriente de base para el Darlington (ver Anexos). Idealmente, en
Vcc se consigue 15 voltios menos la cada de tensin provocada por el Darlington y
por el diodo 1N4148 (ver Anexos), unos 11,2 voltios.
El regulador se ha hecho mediante elementos discretos tal y como se muestra
en la figura 1.4.4.

42V_Side

U9
BDX33C

D14

VCC

1N4148

1800 1W
R28
R31

D12 3k3
Dz

C41
10uF

C12
1uF

Figura 1.4.4. Regulador de tensin


La resistencia de polarizacin (R28) se ha diseado tal que para Vin mnima
(33 V) circule una corriente capaz de polarizar el diodo Zener (10 mA):

Rpol =

Vinmin Vz 33V 15V


= 1800
=
Ipol
10mA

(1.4.1.)

Hay que comprobar que para los diferentes valores de Vin se mantiene un
margen aceptable de valores de Ipol.
Veamos para Vin = 42 V:

Ipol =

42V 15V
= 15 mA
1800

13

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

y para Vin = 58 V:

Ipol =

58V 15V
= 23,89 mA
1800

margen aceptable y soportable por un diodo Zener de Vz = 15 V.

1.4.4.

Sensado de corriente

Para realizar un control de tipo corriente media [4] en un convertidor es


necesario un sensado de corriente cerca del transistor. Existen varios mtodos que se
utilizan para ste propsito as como el de sensar esa corriente mediante un resistor de
muy baja impedancia. Pero en muchas aplicaciones esto no resulta muy prctico ya
que se incrementa la disipacin de potencia provocando que disminuya el rendimiento
del convertidor.
Para este proyecto, por sus especificaciones rigurosas de rendimiento, se ha
optado por hacer uso de un sensado mediante transformador de corriente. Esta tcnica
elimina la necesidad de usar un valor extremadamente bajo de resistor. Muchos
diseadores prefieren usar un transformador de corriente para minimizar la prdida de
potencia y permitir el uso de un valor mucho ms elevado del resistor, todo esto a
bajo coste.
El diseo del sensado se observa en la fig. 1.4.5. Como resistor para el filtro
se ha elegido un potencimetro de 1 k para su posterior ajuste, y como condensador,
uno de polister de 10 nF. La relacin de transformacin es de 1:50 ya que en el
primario tendr 2 espiras y en el secundario, 100. Esto es para reducir la corriente en
50 veces e incrementar la tensin tambin en 50, adaptando de esta manera los niveles
para el posterior control.
Como impedancia de sensado se han elegido dos resistores de 10 de W
para conseguir 5 , esta impedancia se ve reflejada en el primario como:

Impedancia efectiva en el primario =

Rsensado
n2

Impedancia efectiva en el primario =

5
= 2 m
50 2

14

(1.4.2)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

Estos 2 m equivalen a un 10 % de la impedancia generada por el MOSFET


en conduccin, por tanto este valor es ms que aceptable ya que se introducen muy
pocas prdidas en el sistema debido al sensado de corriente.
En condiciones de 100 % de carga y a tensiones nominales de entrada y de
salida, 42 y 14 V respectivamente, Iin ser igual a unos 6 A. Por tanto en el
secundario tendremos 120 mA, que multiplicados por los 5 , tendremos que la
amplitud de tensin en Isense (ver fig. 1.4.5), ser de unos 0,6 V. Valor aceptable para
un posterior control.
Los tipos de cables usados para bobinar el ncleo toroidal han sido, para el
primario, cable para bobinar PIRESOLD de 0,8 mm de dimetro y para el secundario,
cable para bobinar soldable PIRESOLD de 0,28 mm de dimetro.

1k
D13

1
R29

MBR360
R8
10

Isense

C8
10nF

R9
10

NTH 12
T3

TRANSFORMER

Figura 1.4.5. Sensado de corriente


Lo que hace el circuito de sensado es, tal y como se muestra en la
fig.1.4.5.bis, es rectificar y filtrar la onda de corriente que circula por la bobina,
manteniendo la onda en su pendiente positiva.

Figura 1.4.5.bis Rectificacin y filtro de la onda de corriente

15

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4.5.

Memoria Descriptiva

Regulador de tensin usando el CI723

Se ha diseado un regulador de tensin usando un CI723 en su configuracin


compensado por temperatura (ver Anexos) con el objetivo de mantener a tensin
constante la alimentacin para la circuitera interna, debido a las variaciones antes
comentadas del regulador de tensin principal presentes en Vcc. La alimentacin de
la circuitera restante es Vcc1, y ha sido diseada para obtener 11 voltios.
Adems, en la patilla n 6 del integrado se obtienen 7,1 V constantes que se
puede aprovechar para utilizarla como tensin de referencia para el control.

VCC

U6
BDX53

0.5 1W

U5

C36
1uF

1
2
3
4
5
6
7
R23

nc1
nc3
ILIM
FREQ
ISENSE +Vs
INV
Vc
NINV
Vo
Vref
Vz
-Vs
nc2

R20

14
13
12
11
10
9
8

VCC1

C38

100pF

R21
8k2

R22
12k

LM723

10k
Vref(7.1V)

Figura 1.4.6. Regulador de tensin de precisin.

16

C37

1uF

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4.6.

Memoria Descriptiva

Driver IR2110

El driver IR2110 es un integrado bastante usado comercialmente para


conmutacin de MOSFETs gracias a sus buenos resultados. Es robusto y en la
siguiente configuracin es capaz de sincronizar la conmutacin de dos interruptores
en un sistema sncrono. Necesita de una pequea circuitera bootstrap exterior para
abastecer de suficiente corriente la puerta del MOSFET para su conmutacin. En la
Memoria de Clculo est presente el clculo para el diseo del valor del condensador
bootstrap C11.
circuitera bootstrap
VCC1
D8
C9

C10

1uF

1uF

C11

1N4148

200nF

U18 IR 2110

12
14

nc2 VB
Vdd HO
HIN VS
SD nc1
Vcc
LIN
LO
nc3 COM

6
7
5
4
3
1
2

Ho
LOAD
Lo

13

Lin

8
9
10
11

Vss

Hin

D10
MBR360

diodo de proteccin
del driver

DRIVER
Figura 1.4.7. Driver de sincronizacin y conmutacin de los MOSFETs.

17

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4.7.

Memoria Descriptiva

Regulador PWM

El regulador de PWM es el integrado que va a permitir configurar la


frecuencia y el ciclo de trabajo del tren de pulsos, as como el arranque del sistema y
su posible control. Uno de los integrados que renen stas caractersticas es el
UC3524 y su familia. Este integrado es muy utilizado para convertidores, los cuales
necesitan un tren de pulsos para su funcionamiento. Concretamente se ha usado el
UC3526, familia del UC3524. Es muy similar al este ltimo, pero el usado aade la
posibilidad de sincronizarse con otros dispositivos iguales a l.
Se ha previsto en su diseo, que pueda funcionar en lazo abierto y en lazo
cerrado. Es decir, en lazo abierto para acabar de mejorar el sistema, hacer un estudio
de rendimiento, etc., variando manualmente la tensin de comparacin con la rampa
generada por el integrado con el objetivo de poder variar el ciclo de trabajo de la seal
que hace posible la conmutacin. Y en lazo cerrado para un control de doble lazo,
corriente y tensin.

Lazo abierto
R54
1k

R55
1k

3
5k

C28
454pF

+e

R51
47k
2

R18
1K

15

PWM

14
12

C29
113pF

R58
4k7

R56

R57
1

VCC

VCC1
VCC1

1k

1K

VCC1

U19
1
2
3
7
6

+E
Vin
-E
COMP Css
+CS
RST
-CS OUTB
OUTA
GND
SD
RT
VC
CT
RD
Sync Vref

17
4
5
16
13
8
9
10
11
18

UC3526

C34

1uF

C26 10nF

1
R50

47k
R53

C25
2nF

C27
100nF

Isense

CONTROL DE CORRIENTE

Lazo abierto

Figura 1.4.8. Regulador de PWM (Modulador de Anchura de pulsos).

18

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.4.8.

Memoria Descriptiva

Control

Cerrar el lazo de control del convertidor fue objetivo secundario desde el


principio de la realizacin de este proyecto. De hecho, el sistema est previsto de los
elementos necesarios para un control multivariable, exactamente de un control de
doble lazo: de corriente y de tensin. El sensado de corriente mediante el
transformador, el control de corriente (visto en la fig.1.4.8.), y el de tensin (ver
fig.1.4.9.)estn completamente diseados (ver Memoria de Clculo) y previstos en la
placa para ser montados.

14V_Side

R52

1
R11

90.9k

1000k

VCC1 220nF
C32

R12

2
C30
1nF

VDD+
2OUT
2IN2IN+

8
7
6
5

C31
22nF

TLC2272

+e
Vref(7.1V)

1k

1OUT
1IN1IN+
GND

C33
220nF

Figura 1.4.9. Control de tensin.

19

U20
1
2
3
4

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.5.

Memoria Descriptiva

ESPECIFICACIONES

Siguiendo los criterios y los objetivos del proyecto se han redactado las
siguientes especificaciones que deber cumplir el convertidor.
El sistema debe ser capaz de funcionar a una tensin de entrada variable
desde 33 hasta 58 V. Su tensin de salida debe ser ajustable a 14 V. El 100 % del
valor de carga ser de 1,1 y ser resistiva, lo que provocar a su salida una potencia
cercana a 200 W.
La frecuencia de conmutacin ser de 50 kHz, y el rizado de tensin en la
salida no debe superar los 140 mV (un 1 % de la tensin de salida).

20

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.6.

Memoria Descriptiva

CONCLUSIONES

Despus de haber estudiado y realizado ensayos sobre el comportamiento del


convertidor en cada una de sus tres configuraciones durante el tiempo invertido en el
Laboratorio, se ha llegado a una serie de resultados y conclusiones, las cuales se van a
resumir en el presente apartado. Las tablas comentadas a continuacin son extractos
del documento 3. Medidas en el Laboratorio.
En cuanto al rizado de tensin en la salida, coinciden las configuraciones
sncrona y tpica al 50 % de la carga, aunque la configuracin sncrona supera en
prestaciones a la tpica al 100 %. En el modo sncrono con la adicin del Shottky el
rizado es bastante mayor que en los otros dos modos (ver tabla 1.6.1).

Vin (V)
33
43
58

RIZADOS EN Vo PICO A PICO (V)


MOSFET-MOSFET
MOSFETMOSFET-MOSFETSCHOTTKY
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
0,6
1,2
0,6
2,2
1,2
2,9
0,8
1,2
0,8
1,8
1,8
4,0
0,8
1,4
0,8
3,6
3,6
6,8

Tabla 1.6.1. Extracto de la tabla 3.6 de rizados en la salida al 50 y 100 % de


carga.
En cuanto al arranque del sistema, segn las grficas de las figs. 3.5.3,
3.5.5, y 3.5.7, se puede afirmar que el modo tpico es ms rpido en alcanzar el valor
de la tensin de salida a 14 V, unos 130 ms, mientras que las dos configuraciones
sncronas son ms lentas, unos 250 ms. El pico de corriente en la entrada, la primera,
llega a unos 12 A, mientras que las configuraciones sncrona y sncrona mas diodo
reducen ese pico a 11 y 8 A respectivamente. Por tanto, el arranque en modo sncrono
con la adicin del diodo en antiparalelo es ms suave.

21

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria Descriptiva

El rendimiento es otro de los aspectos que se mejoran con la rectificacin


sncrona del convertidor. En esta configuracin mejoramos el rendimiento hasta un 2
% comparndolo con el mismo convertidor en su configuracin tradicional, es decir,
con un MOSFET y el diodo. Pero cuando el rendimiento realmente mejora es cuando
se aade a la rectificacin sncrona el diodo en antiparalelo con el MOSFET de lado
bajo, consiguindose un valor de rendimiento ligeramente superior al 90 %.

CARGA
MAX

RENDIMIENTOS MXIMOS CONSEGUIDOS (%)


MOSFET-MOSFET
MOSFETMOSFET-MOSFETSCHOTTKY
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
89,67
85,72
88,52
84,72
90,59
86,57

Tabla 1.6.2. Rendimientos mximos (extracto de las tablas 3.3, 3.4, 3.5)
La sincronizacin de un convertidor reductor tpico requiere bajo coste. Se
necesita aadir otro interruptor, un driver que permita la conmutacin en este modo y
la integracin de una circuitera digital generadora de un tiempo muerto entre la
activacin de cada MOSFET.
Se puede afirmar que el hecho de usar una configuracin sncrona en un
convertidor tipo Buck es ventajosa en todos los aspectos.

22

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.7.

Memoria Descriptiva

COMPARATIVA CON CONVERTIDORES ACTUALES

En la actualidad, como se ha comentado en el apartado Antecedentes del


presente documento, existen convertidores buck sncronos pero que no se ajustan a los
valores elctricos de el prototipo de este proyecto, sino que son menores en cuanto a
corriente y tensin, como se observa a continuacin.
Este es el caso del FAN5234 de Fairchild Semiconductor. Sus caractersticas
principales son:
Tensin de entrada: de 2 a 24 voltios.
Tensin ajustable a la salida de 0,9 a 5,5 voltios de alta eficiencia.
Corriente de salida de 0 a 5 amperios.
Sensado de corriente mediante resistencia
Y sus aplicaciones son destinadas a reguladores para PCs porttiles, PDAs y
aplicaciones de Internet. La rectificacin es sncrona y adems incluye un modo de
operacin mediante histresis para la carga de luz, que permite prolongar el tiempo de
funcionamiento de la batera.
El modo de operacin sncrono incluye adems de los dos MOSFETs, un
diodo Schottky en paralelo con el MOSFET de lado bajo, mejorando de esta manera
la eficiencia total del sistema.

Haciendo un recordatorio del prototipo del presente proyecto:


Tensin de entrada: de 33 a 58 voltios.
Tensin a la salida de 14 voltios (puede ajustarse a valores
inferiores)
Corriente de entrada de 1 a 8 amperios.
Corriente de salida de 0 a 15 amperios.
Sensado de corriente mediante transformador
Su aplicacin puede ser destinada como fuente de alimentacin para
vehculos los cuales vayan alimentados con bateras de 42 voltios.

23

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.8.

Memoria Descriptiva

PRESUPUESTO TOTAL DEL PROYECTO

El presupuesto total de este proyecto asciende a CIENTO OCHENTA Y


SIETE EUROS CON CUARENTA Y CUATRO CNTIMOS.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

24

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

1.9.

Memoria Descriptiva

BIBLIOGRAFA

[1]
Libro: Robert W. Erickson, Fundamentals of power electronics, Kluwer
Academic Publishers, 2001.
[2]

Apuntes: Javier Maix, Electrnica de Potencia, ETSE, URV.

[3]
Artculo de revista: Phil Krein, Using Logic for Dead Time and
Synchronous-Rectifier Control, IEEE Power Electronics Society NEWSLETTER,
July 2000, 7.
[4]
Nota de aplicacin: Lloyd Dixon, Average Current Mode Control of
Switching Power Supplies, UNITRODE CORPORATION U-140.
[5]
Artculo de revista: R.D. Middlebrook, Modeling Current-Programmed Buck
and Boost Regulators, IEEE Transactions on Power Electronics, January 1989, vol. 4.
[6]
Nota de aplicacin: George E. Danz, HIP4081A, 80V High Frequency HBridge Driver, INTERSIL AN9405.3
[7]
Informacin fabricante de circuitos integrados: HEXFET Chip-Set for DCDC converters, IRF7805, INTERNATIONAL RECTIFIER, PD91746C

25

2 MEMORIA DE CLCULO

26

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

NDICE MEMORIA DE CLCULO

2.

MEMORIA DE CLCULO...................................................28

2.1.
ESTUDIO DEL CONVERTIDOR BUCK CON RECTIFICACIN
SNCRONA................................................................................................................ 28
2.1.1.
ANLISIS DEL CIRCUITO MEDIANTE LA TCNICA DE LA
PROMEDIACIN EN EL ESPACIO DE ESTADO ............................................ 28
2.1.2.
INFLUENCIA DE LAS PRDIDAS. RENDIMIENTO.................... 35
2.1.2.1. Descripcin de las prdidas en cada elemento ..................................... 35
2.1.2.1.1.
Prdidas en los inductores .................................................... 35
2.1.2.1.2.
Prdidas en los condensadores.............................................. 36
2.1.2.1.3.
Prdidas en los diodos .......................................................... 36
2.1.2.1.4.
Prdidas en los transistores MOSFET .................................. 37
2.1.2.1.5.
Prdidas durante la conmutacin .......................................... 37
2.2.
DISEO DEL PROTOTIPO EXPERIMENTAL ........................................ 38
2.2.1.
PWM................................................................................................... 38
2.2.2.
Diseo del filtro de salida ................................................................... 38
2.2.3.
Diseo y fabricacin del inductor ....................................................... 43
2.2.4.
Eleccin de los MOSFET. .................................................................. 48
2.2.5.
Eleccin del diodo de potencia. .......................................................... 48
2.2.6.
Eleccin de los disipadores................................................................. 49
2.2.6.1.
Clculo del disipador del BDX33C........................................... 49
2.2.6.2.
Clculo del disipador de los MOSFET...................................... 50
2.2.6.3.
Clculo del disipador del diodo PBYR20100............................ 54
2.2.6.4.
Resumen .................................................................................... 55
2.2.7.
Eleccin de condensadores. ................................................................ 56
2.2.7.1.
Condensador de entrada ............................................................ 56
2.2.7.2.
Condensador de salida............................................................... 56
2.2.7.3.
Condensador bootstrap .............................................................. 58
2.2.7.4.
Condensador softstart ................................................................ 59
2.2.8.
Control ................................................................................................ 60
2.2.8.1.
Lazo de Corriente ...................................................................... 60
2.2.8.2.
Lazo de Tensin ........................................................................ 62

27

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

2 Memoria de Clculo

2.1. ESTUDIO DEL CONVERTIDOR BUCK CON


RECTIFICACIN SNCRONA

2.1.1.

ANLISIS DEL CIRCUITO MEDIANTE LA TCNICA DE LA


PROMEDIACIN EN EL ESPACIO DE ESTADO

En este apartado se har un estudio del sistema en pequea seal mediante la


tcnica de la promediacin en el espacio de estado. En el anlisis se ha eliminado la
componente RC del condensador ya que es despreciable para este clculo.
La frmula general del sistema con los parmetros de corriente y tensin de salida en
cada caso, topologa ON y OFF.

x& = x& ON d + x& OFF d '

(2.1.1)

d = D + d

(2.1.2)

y el ciclo de trabajo es:

que a su vez puede ser escrito como:

1 d (t ) = (1 D ) d

(2.1.3)

D' = 1 D

(2.1.4)

La tensin de entrada es igual a la componente contnua mas una componente en


pequea seal:

Vg (t ) = Vg + v g

(2.1.5)

dx(t ) dXss dx&


=
+
dt
dt
dt

(2.1.6)

0, ya que es derivada de constante

28

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Topologa ON
A continuacin se plantean las ecuaciones de la topologa ON:

Vg Vo di
=
L
dt
dv
=
dt

i=

Vo
R
C

(2.1.7)

Vg Vo
d
L

(2.1.8)

(2.1.9)

En el dominio transformado, la Transformada de Laplace es:

sI (s ) i (0 ) =

Vg (s ) Vo(s )
(D + d (s ))
L

Topologa OFF

29

(2.1.10)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Y ahora las de la topologa OFF:

Vo di
=
L
dt
dv
=
dt

i=

(2.1.11)

Vo
R
C

(2.1.12)

Vo
d'
L

sI (s ) i (0) =

(2.1.13)

Vo(s )
(D'+ d ' (s ))
L

(2.1.14)

En los dos casos, tenemos que:

sV (s ) v(0) =

I (s ) Vo(s )

C
RC

(2.1.15)

Planteando las ecuaciones matriciales para tON:

di
dt 0
x& = =
dv 1
dt C

1
1
L i L + L Vg
1 vo

0
RC
A1
B1

di
dt 0
x& = =
dv 1
dt C

1
L i L + 0Vg
1 vo 0

RC

(2.1.16)

y para tOFF:

A2

(2.1.17)

B2

La ecuacin a resolver es:

x& = A x(t ) + BVg (t )

30

(2.1.18)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Sustituyendo las constantes por las matrices:

x& = ( A1x + B1Vg )d (t ) + ( A2x + B 2Vg )(1 d (t ))

(2.1.19)

x& = (A1( X + x ) + B1(Vg + v g )) D + d + (A2( X + x ) + B 2(Vg + v g )) D'+ d

(2.1.20)

x& = (A1 X + A1x + B1Vg + B1v g ) D + d + (A2 X + A2x + B 2Vg + B 2v g ) D'+ d


(2.1.21)
resolviendo:

x& = ( A1 X + B1Vg )D + ( A2 X + B 2Vg )D'+( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d +


+ ( A1 A2)xd + ( A1D + A2D')x + (B1 B 2)v g d + (B1D + B 2D')v g
(2.1.22)

x& = ( A1D + A2D')x + ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d + trminos despreciables


(2.1.23)

x& ( A1D + A2D')x = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d

(2.1.24)

Haciendo la Transformada de Laplace:

sX (s ) ( A1D + A2D')X (s ) = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )


(2.1.25)

[s ( A1D + A2D')]X (s ) = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )


(2.1.26)

X (s ) = [s ( A1D + A2D')] ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )


1

(2.1.27)

31

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Entonces como:

0
A1 = A2 =
1

s 0
s=
;
0 s

0
A1D =
D

1
L ;
1

RC

1
B1 = L ;
0

0
B2 = ;
0

D
L ;
D

RC
D'

0 L
;
A2D' =
D'
D'

RC
C

(2.1.28)

(2.1.29)

D + D'

0
L ;
A1D + A2D' =
D + D' D + D'
C
RC

(2.1.30)

D + D'
s

L ;
s ( A1D + A2D )' =
D + D' s + D + D'
C
RC
Hay

que

hacer

la

matriz

inversa
( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s ) :

para

poderla

(2.1.31)

multiplicar

con

Para ello hay que hacer primero el determinante para saber si esa matriz tiene inversa:

D + D'
2
D + D ' ( D + D ')
1 1
L
= s 2 + s
+
= s 2 + s
0

+
D + D'
D + D'
RC
LC
RC
LC

s+
RC
C
s

D+D=1

32

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Como el resultado del determinante es distinto de 0, es posible hacer la matriz


inversa.
A continuacin se calculan los menores adjuntos:

A11 = s +

1
1
; A12 = ;
RC
C

A21 =

1
; A22 = s
L

La matriz inversa es por tanto:

1
s+

1
A 1 =
RC
1 1 1
s 2 + s
+
RC LC C

1

L ;
s

(2.1.32)

Se calcular ahora el trmino ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s ) :

I (s )
X =
; B 2Vg = 0 ;
V (s )

0
A1 X = A2 X =
1


V (s )
1

1
0I (s ) + L V (s )

(
)
I
s

L

L
=
=

1
V (s )
1 V (s ) 1
1

(
)

I
s

(
)
V
s
I (s ) +

C
C
R
RC
RC

(2.1.33)
Los trminos A1X y A2X se cancelan ya que son iguales, por tanto slo queda
B1Vg, que es igual a:

Vg
B1Vg = L ;
0

33

(2.1.34)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Finalmente la funcin de transferencia del convertidor queda como sigue:

1
s+

1
X (s ) =
RC
1
1

1
s 2 + s
+
RC LC C

34

1
Vg
L d (s ) ;
L

s 0

(2.1.35)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.1.2.

Memoria de Clculo

INFLUENCIA DE LAS PRDIDAS. RENDIMIENTO

Hasta ahora se ha considerado el convertidor con todos sus elementos


ideales, sin ningn tipo de prdidas o no linealidades. A continuacin se ha hecho un
anlisis del convertidor incluyendo las prdidas de cada elemento para poder
determinar la influencia que stas ejercen en la respuesta del convertidor, en el
rendimiento, etc. Tambin se puede determinar un margen de trabajo donde los
efectos de las prdidas tienen una influencia despreciable. Cabe destacar que las
prdidas tienen una influencia directa en el rendimiento y la dinmica del convertidor.

2.1.2.1. Descripcin de las prdidas en cada elemento

La planta del convertidor est formada tanto por elementos pasivos


(inductores, condensadores), como por elementos activos (diodos y transistores
MOSFET). En los siguientes apartados se expone el modelo utilizado para cada uno
de estos elementos. Cabe remarcar que para hacer el estudio del convertidor con
prdidas slo se han considerado los elementos implicados directamente en la planta.
Tambin existen las prdidas debidas a las transiciones durante la conmutacin, que
aumentan con la frecuencia.

2.1.2.1.1.

Prdidas en los inductores

El modelo de un inductor con prdidas puede ser representado mediante un


elemento resistivo RL en serie con el elemento inductor, este circuito equivalente
queda representado en la figura 2.1.1. Bsicamente las prdidas producidas en un
elemento magntico dependen de la frecuencia. En el caso de trabajar a altas
frecuencias se debera de tener en cuenta tambin efectos capacitivos, en este caso no
hace falta.

RL

Figura 2.1.1. Circuito equivalente de un inductor con prdidas.

35

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.1.2.1.2.

Memoria de Clculo

Prdidas en los condensadores

El modelo de un condensador con prdidas puede ser representado mediante


un elemento resistivo RC en serie con la capacidad. El circuito equivalente de un
condensador depende de factores como la frecuencia de trabajo, tipo de condensador,
etc.
Si se tienen en cuenta las prdidas, el circuito equivalente podra ser el
representado en la figura 2.1.2, donde la resistencia en serie limita su utilizacin por
encima de unas determinadas frecuencias (corrientes de fuga importantes).

RC

Figura 2.1.2. Circuito equivalente de un condensador con prdidas.

2.1.2.1.3.

Prdidas en los diodos

El diodo es un interruptor de conmutacin natural que presenta dos estados


en rgimen estacionario: estado de conduccin y estado de corte. En el estado de
conduccin el diodo se puede modelar como una cada de tensin VD y una resistencia
en serie RD. En el estado de corte se considerar que no hay corrientes de fuga. (ver
figura 2.1.3).

ON

OFF

Figura 2.1.3. Modelos de las prdidas en los diodos.

36

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.1.2.1.4.

Memoria de Clculo

Prdidas en los transistores MOSFET

El transistor MOSFET se utiliza como un elemento de conmutacin


controlada. En funcin de una seal que se introduce en la puerta del transistor habr
dos estados: uno de saturacin o conduccin y otro de corte. Se considerarn prdidas
de tipo resistivas en el estado de conduccin mediante una resistencia RON , ver figura
2.1.4. Tambin se considera al igual que al diodo, que en corte no hay corrientes de
fuga.
Drain
ON

OFF

RON

Gate

Source

Figura 2.1.4. Prdidas en un transistor MOSFET.

2.1.2.1.5.

Prdidas durante la conmutacin

Adems de las prdidas comentadas en los apartados anteriores, se han de


aadir las prdidas que se producen durante la conmutacin. Es decir, las prdidas que
vienen determinadas por el cambio de estado de conduccin a corte y viceversa, tanto
en los diodos como en los transistores. Cabe decir que estas prdidas, como es lgico,
aumentan con la frecuencia y por tanto hacen disminuir el rendimiento a medida que
se aumenta la frecuencia de conmutacin del convertidor.
Numerosos autores [7] eligen la siguiente frmula para calcular las prdidas
en el momento de la conmutacin de un MOSFET:

Qgd
P = I
Vin

ig


Qgs 2
f + I
Vin

ig

(2.1.36)

donde I es la corriente que circula a travs del MOSFET, ig es la corriente de puerta,


Vin es la tensin de entrada, f es la frecuencia de conmutacin, Qgd es la carga
puerta-drenador del MOSFET y Qgs2 es la carga puerta-surtidor (ver fig.2.2.9).
En el apartado 2.2.6.2. Clculo del disipador de los MOSFET, se explica con
ms detalle las prdidas totales en la conmutacin.

37

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.2.

DISEO DEL PROTOTIPO EXPERIMENTAL

2.2.1.

PWM

Memoria de Clculo

La generacin del tren de pulsos necesarios para la conmutacin de los


MOSFETs, se ha hecho mediante el integrado UC3526, como se ha comentado en la
Memoria Descriptiva. Este dispositivo genera internamente una seal triangular a la
frecuencia configurada por una pequea circuitera externa (ver Anexos).
Esta rampa generada es comparada con una tensin en continua para formar
el tren de pulsos con el ciclo programable segn el nivel de esa tensin.
Segn las hojas de caractersticas del integrado, se ha elegido un valor de
condensador de 2n2 F (C25) y mediante un potencimetro (R53) de 47 k se ha
ajustado hasta conseguir un tren de pulsos a 50 kHz.
El ciclo de trabajo de los pulsos, en lazo abierto, se ha diseado mediante un
divisor ajustable de la tensin de la alimentacin interna Vcc1. El ajuste se hace
mediante el potencimetro R57. En lazo cerrado, el control se encargar de
incrementar o disminuir el nivel de esa tensin de comparacin.
El dispositivo viene previsto de una patilla en la que es posible, segn el
valor de un condensador conectado a sta, de programar un tiempo para un arranque
suave. Se ha hecho una pequea simulacin para el diseo de este condensador en el
apartado 2.2.6.4. de este documento.

2.2.2.

Diseo del filtro de salida

El filtro de salida en un buck consiste en un paso-bajo con dos polos, esto es


debido a la presencia del inductor y el condensador.
Es imposible construir un filtro paso-bajo perfecto que permita pasar la
componente DC y que elimine completamente los componentes del rizado causado
por los interruptores y sus armnicos. En la prctica, la tensin de salida v(t) aparece
ilustrada en la figura 2.1.1, y puede ser expresada como:
v(t) = V + vrizado(t)

38

(2.2.1)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Por tanto la tensin de salida v(t) consiste en la componente deseada dc V,


mas una pequea componente indeseada ac vrizado(t) procedente de la incompleta
atenuacin de los armnicos de los interruptores por el filtro paso-bajo. La magnitud
de vrizado(t) ha sido exagerada en la figura 2.1.1.

Figura 2.2.1. Forma de onda de tensin de salida de un convertidor.


Para hacer un buen diseo el rizado ha de ser igual o menor que un 1 % de la
componente dc, V. Entonces es siempre buena la aproximacin de asumir que la
magnitud del rizado es bastante ms pequea que la componente dc:
|| vrizado || << V

(2.2.2)

Por eso, la tensin de salida v(t) se aproxima por su componente dc V, con el pequeo
trmino de rizado vrizado(t) despreciado:
v(t) V

(2.2.3)

Esta aproximacin, conocida como la aproximacin small-ripple (pequeo-rizado)


o linear-ripple (rizado-lineal), simplifica en gran parte el anlisis de las formas de
ondas de los convertidores.

Figura 2.2.2. Convertidor Buck con tensin en el inductor vL(t) y corriente de


condensador iC(t)

39

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

A continuacin se va a analizar la forma de onda de la corriente del inductor.


Se puede encontrar la corriente del inductor integrando la forma de onda de la tensin
del mismo. Con el interruptor en posicin 1, a la izquierda del inductor est conectada
la tensin de entrada Vg, y el circuito se reduce a la figura 2.1.3(a). La tensin de
inductor vL(t) es ahora:
vL = Vg v(t)

(2.2.4)

Como se describi anteriormente, la tensin de salida v(t) consiste de la


componente V mas un pequeo rizado ac vrizado(t). Ahora se puede hacer esa
aproximacin cambiando v(t) por su componente dc V:
vL Vg V

(2.2.5)

Cuando el interruptor se encuentra en posicin 1, la tensin de inductor es


esencialmente constante e igual a Vg V, como muestra la figura 2.1.4. Por la
definicin de inductor tenemos que:

v L (t ) = L

diL (t )
dt

(2.2.6)

Figura 2.2.3 Convertidor Buck: (a) cuando el interruptor est en posicin 1, (b)
cuando est en posicin 2

Figura 2.2.4. Estado estacionario de la tensin del inductor en un convertidor Buck.

40

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

De este modo, durante el primer intervalo, cuando vL(t) es aproximadamente


(Vg V), la pendiente de la corriente en el inductor es:

di L (t ) v L (t ) Vg V
=

dt
L
L

(2.2.7)

Como la tensin en el inductor vL(t) es esencialmente constante, mientras el


interruptor est en posicin 1, la pendiente de la corriente en el mismo incrementa
linealmente.
Argumentos similares se aplican durante el segundo intervalo, cuando el
interruptor est en posicin 2. A la izquierda del interruptor est conectado a masa,
quedando el circuito de la figura 2.2.3(b). Es importante considerar las polaridades de
la tensin y corriente del inductor, como se ha hecho en los circuitos anteriores.
Entonces la tensin en el inductor en el segundo intervalo es:

v L (t ) = v(t )

(2.2.8)

Usando la aproximacin del pequeo rizado, queda:

v L (t ) V

(2.2.9)

Por tanto la tensin en el inductor tambin es esencialmente constante


mientras el interruptor est en posicin 2, como puede verse en la figura 2.2.4.
Substituyendo Ec. (2.2.9) en Ec.(2.2.6) tenemos que:

di L (t )
V

dt
L

(2.2.10)

Por lo tanto, durante el segundo intervalo la corriente de inductor cambia a


pendiente negativa esencialmente constante. Se puede observar en la figura 2.2.5 la
forma de onda de la corriente en el inductor.

41

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Figura 2.2.5 Estado estacionario de la corriente en el inductor en un convertidor


Buck.
La corriente en el inductor empieza en algn valor inicial iL(0). Durante el
primer subintervalo, con el interruptor en posicin 1, la corriente de inductor
incrementa con la pendiente dada en ec. (2.2.7). Cuando t = DTs , el interruptor
cambia a posicin 2. La corriente empieza a decrementar siguiendo la Ec. (2.2.10). Al
llegar a t = Ts , el interruptor vuelve de nuevo a la posicin 1, y el proceso se repite.
Conociendo el rizado de corriente, se puede calcular el valor del inductor
inmediatamente:
(cambio en iL) = (pendiente)(longitud del subintervalo)

(2iL ) = Vg V (DTs )

Despejando L:

L=

Vg V
DTs
2i L

(2.2.11)

(2.2.12)

Esta es la ecuacin ms empleada para escoger el valor de la inductancia en


un convertidor tipo Buck.
Para el caso de este proyecto, en el diseo del inductor se ha credo oportuno
acotar el valor del rizado pico-a-pico a un valor del 30 % de la corriente que va a
circular por l en condiciones nominales, 15 A. Este valor del 30 % corresponde a 5 A
pico-a-pico. Segn la fig.2.2.5, el valor que corresponde a iL es igual a 2,5 A.
Por tanto, haciendo uso de la Ec. (2.2.12), se tiene para este caso que:

42

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

L=

Memoria de Clculo

42 14
0,3332010 6 = 37,3 H, que se aproximar a 40 H
22,5

El clculo del valor del condensador de salida est resuelto en el apartado 2.2.7.2
Condensador de salida.

2.2.3.

Diseo y fabricacin del inductor

Para el diseo del inductor se ha de tener en cuenta la corriente mxima que


circular a travs de l y la inductancia que ha de tener. Se ha elegido un ncleo de
tipo toroidal ya que presentan un bajo flujo de dispersin magntica y para evitar la
saturacin, se utilizar uno de polvo de hierro: Kool M Powder Cores de
Magnetics exactamente el MM2A 77076A7.
Se pretende asegurar que el ncleo no se sature para la mxima corriente que
circular (que son unos 17,5 A, con un valor medio de 15 A). El clculo del ncleo,
nmero de espiras y nmero de cables por espira est basado en el manual del propio
fabricante:
Paso 1.-Clculo del ncleo
LI2

Linductancia en mH para la grfica : 40 mH


I intensidad de pico en la bobina : 17,5 A
4010-3 (17,5)2 = 12,25

Con este valor, en la grfica de la figura 2.2.1, corresponde a la zona de 60 de


permeabilidad, exactamente al nmero 77324 de la izquierda.
Se observa que para el valor de 77324 se puede garantizar, apurando en la
grfica, un valor de LI2 mximo de 20 mH-amperios2, que corresponde a un valor de
corriente mxima de 22,36 A, permitidos perfectamente por este tipo de ncleo.

43

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Figura 2.2.6. Tabla del fabricante del ncleo: diferentes ncleos para distinta
permeabilidad magntica.
Hasta ahora se sabe el tipo de ncleo (77324) y la permeabilidad (60). A
continuacin se debe ir a la pgina del ncleo 77324 del manual del fabricante y
fijarse en la tabla de caractersticas que est a continuacin donde aparece el tipo de
permeabilidad. Para este caso en ncleo buscado es el 77076-A7, que es exactamente
el ncleo que se ha comentado al principio de este apartado.

44

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Figura 2.2.7. Tablas del fabricante con informacin del ncleo elegido
Paso 2.-Clculo del nmero de espiras
El rea efectiva del ncleo, dado por el fabricante es:

AL =

L
= 56
N2

(2.2.13)

106 L(mH )
AL

(2.2.14)

Entonces:

N=
Sustituyendo valores:

N=

10 6 0,04
27 vueltas
56

En este clculo del nmero de vueltas no est contemplado el punto de


trabajo en DC debido al efecto de la fuerza de magnetizacin que producir la
corriente al circular por los cables bobinados por la longitud efectiva del ncleo.

45

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Por tanto se debe hacer una correccin teniendo en cuenta este aspecto.
Segn las hojas de caractersticas del fabricante, a continuacin se calcular el valor
en DC de la fuerza de magnetizacin (ec.2.2.15) el cual permite calcular el coeficiente
de permeabilidad siguiendo la grfica de la fig. 2.2.8:
le = longitud efectiva del ncleo (path length)
IDC = corriente media

H=

H=

0,4 N I DC
le

(2.2.15)

0,4 2715
57 oersteds
8,98

Con este valor, se debe mirar en la grfica de la figura 2.2.8. Para nuestro caso
corresponde un coeficiente de permeabilidad de 0,7 a la izquierda, que es el valor que
se tiene que multiplicar el valor original de AL:
AL= AL0,7 = 56 0,7 40;

(2.2.16)

Volviendo a calcular con la ec 2.2.14 obtenemos el nuevo nmero de vueltas:

N'=

10 6 0,04
32 vueltas
40

Nota: La unidad oersted de la intensidad de campo magntico no pertenece


al Sistema Internacional de medida, pero se ha utilizado ya que el fabricante expresa
sus grficas en esta unidad para el procedimiento de diseo del inductor. La unidad
del S.I. es el A/m, y la relacin entre el oersted es la siguiente:
1 Oersted = 1000/4 A/m

46

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Memoria de Clculo

Figura 2.2.8. Curvas del ncleo: permeabilidad versus fuerza de magnetizacin.


Paso 3.-Clculo del nmero de cables por espira
En primer lugar se debe conocer la Irms:

Irms =

(I DC )2 + (I pk )2

(2.2.17)

Sustituyendo:

Irms =

(15)2 + (2,5)2

= 15,2 A

Para asegurar, se coge un valor de 16 A.


Se ha elegido por razones conservadoras una densidad de corriente (D) de 450 A/cm2
y un cable de dimetro igual a 0,28 mm, que corresponde a una seccin neta de
0,0616 mm2.
La seccin de cable (S) es igual:

S=

Irms 16
=
= 0,035cm 2 = 3,5mm 2
D
450

Entonces, para calcular el nmero de cables por espira:


3,5 mm2 / 0,0616 mm2 57 cables / espira

47

(2.2.18)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Por consiguiente, para la fabricacin del bobinado del inductor, se han


cortado y trenzado 57 cables de 2 metros de longitud. Esta trenza se ha enrollado 32
veces alrededor del ncleo, quedando una bobina como se muestra en la fotografa del
convertidor en el captulo 4 de este proyecto.

2.2.4.

Eleccin de los MOSFET.

A la hora de elegir los MOSFET se ha tenido en cuenta la tensin mxima


prevista entre drenador-surtidor y la corriente mxima que circular. Un aspecto
importante de la eleccin del MOSFET es la resistencia en conduccin, cuanto ms
baja sea menos prdidas se introducirn al sistema y ms elevado ser el rendimiento
del convertidor.
Se ha elegido el transistor STP75NE75 que tiene una VDsmax de 75 V. En el
peor de los casos tendremos una tensin en el drenador del MOSFET de 58 V, o
incluso puede subir ms durante los transitorios de carga. Por tanto se ha optado por
elegir este transistor, ya que hay un margen de 17 V hasta los 75 V capaces de
soportar. Segn las hojas del fabricante, puede conducir hasta 75 A, valor tambin
bastante superior a los 17,5 A que se espera en el peor de los casos. El principal
motivo de la eleccin de este MOSFET es su precio econmico y su reducida
resistencia en conduccin que presenta, unos 13 m como mximo. Este hecho hace
que el transistor introduzca muy pocas prdidas en el sistema.

2.2.5.

Eleccin del diodo de potencia.

El diodo que se utilizar ser de tipo Schottky ya que tienen una cada de
tensin ms baja que los bipolares. Este hecho hace que el rendimiento aumente y
adems la conmutacin es ms suave con lo que se reduce el contenido de armnicos
a la salida del convertidor.
Para escoger los diodos se ha de partir de la tensin mxima a la que estarn
sometidos, de 33 a 58 V. Finalmente se ha elegido el diodo PBYR20100 que tienen
una cada de tensin en conduccin VF=0,85 V a 20 A y soportan una tensin mxima
de 100 V y una corriente mxima de 20 A.

48

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.2.6.

Memoria de Clculo

Eleccin de los disipadores.

2.2.6.1. Clculo del disipador del BDX33C

El BDX33C es el componente activo del regulador de tensin utilizado. Es


una configuracin Darlington integrada en un nico TO-220.
Para disear su disipador, hay que hacer una previsin del consumo de todos
los elementos que van a ser alimentados por l.
stos son el DRIVER de los MOSFETS IR2110, el regulador del PWM
UC3526, el regulador de tensin LM723, la lgica para el retardo CMOS 4001B, y
los amplificadores operacionales para la realizacin del control.

Datos BDX33C:
Tj max = 150 C
Pmax = 70 W
Rthj-c = 1,78 K/W
Potencia estimada de los integrados:
PUC3526 = 3 W
PIR2110 = 1,6 W
PLM723 = 1 W
PC4001B = 0,7 W
Pamplif. control = 1 W
PMXIMA ESTIMADA 10 W
RthTOTAL = Rthj-c + Rthaislante + Rthradiador

(2.2.19)

PTOT RthTOT = TTOT

(2.2.20)

Para aislar los encapsulados TO-220 de los MOSFETs, del diodo y del
BDX33 con el disipador comn, se usaran unos Pads aislantes de resistencia
trmica 0,4 K/W.
A continuacin se harn los clculos correspondientes para el diseo de dos
disipadores de calor para dos ambientes de trabajo: uno en condiciones de
temperatura ptimas (caso de trabajo en un laboratorio) y otro en condiciones

49

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

agresivas (caso de trabajar en un coche, cerca del motor, que corresponde a unos 80
C):
CASO 1 (Temperatura ambiente mxima = 50C) :
T = 150 C 50 C = 100 K

Rth TOT =

100 K
= 10 K/W
10W

RthRAD = 10 K/W (1,78 + 0,4) = 7,82 K/W


CASO 2 (Temperatura ambiente mxima = 80C) :
T = 150 C 80 C = 70 K

Rth TOT =

70 K
= 7 K/W
10W

RthRAD = 7 K/W (1,78 + 0,4) = 4,82 K/W


La interpretacin es que para cada disipador de calor, por cada vatio de
potencia disipada se permite un aumento mximo de 8,22 y 5,22 grados
respectivamente.
Esto significa que depende de donde trabaje el convertidor se usar un disipador u
otro.
En cualquier caso ser vlido utilizar un disipador con una resistencia
trmica correspondiente a los valores calculados o inferior a stos, para las dos
situaciones.

2.2.6.2. Clculo del disipador de los MOSFET

A continuacin se muestra la grfica donde se observa las diferentes curvas


que intervienen durante el periodo de conmutacin de un transistor MOSFET [7].
Esto es, desde que empiezan a cargase las capacidades de puerta al activar la tensin
de sta, hasta que el transistor comienza a conducir entre drenador y surtidor.

50

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Memoria de Clculo

Figura 2.2.9. Curvas tpicas en la conmutacin de un MOSFET

) Clculo de potencia disipada en el MOSFET Q1:


Las prdidas de potencia en el control de Q1 vienen dadas por:
P loss = P conduction + P switching + P drive + P output

(2.2.21)

A su vez, esta frmula puede ser aproximada por:

Ploss = I rms Rds ( on )


Q
+ I gd Vin

ig

+ (Qg Vg f )

Q
f + I gs 2 Vin

ig

+ oss Vin f
2

(2.2.22)

51

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Identificando y dando valores:


Segn ec.2.2.17. tenemos que:

I rms = 15 2 + 2,5 2 =15,2 A;


2

I rms = 231,25 A2;


Vg = 14 V de tensin de puerta;
F = 50000 Hz
Vin = 58 V en el peor de los casos;
ig = 1,4 A ,corriente de puerta (de pico);
I = 17,5 A;
Y segn el fabricante del MOSFET:
Rds(on) = 0,013 ;
Coss = Cdg+Cds;
Qoss = Coss+Vin en el peor caso Qoss= 85010-12 58 = 49,310-9 C;
Qgd = 6210-9 C;
Qg = 20010-9 C;
Qgs2 = 3010-9 C;
Qrr = 0,610-6 C;
Sustituyendo en ec. 2.2.22:
Resulta que PlossQ1=5,86 W
La resistencia trmica del transistor STP75NE75 es de 0,94 K/W
multiplicado por el tanto por uno de ciclo de trabajo. Trabajando bajo las
especificaciones del proyecto (a una frecuencia de 50 kHz y a un ciclo de trabajo del
33 %) el primer transistor tendr una resistencia trmica final de:
RthQ1 = 0,33 0,94 = 0,31 K/W
CASO 1 (Temperatura ambiente mxima = 50C) :
T = 150 C 50 C = 100 K

RthTOT =

100 K
= 17,06 K/W
5,86W

RthRAD = 17,06 K/W (0,31 + 0,4) = 16,35 K/W

52

(2.2.23)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

CASO 2 (Temperatura ambiente mxima = 80C) :


T = 150 C 80 C = 70 K

RthTOT =

70 K
= 11,94 K/W
5,86W

RthRAD = 11,94 K/W (0,31 + 0,4) = 11,23 K/W

) Clculo de potencia disipada en el MOSFET Q2:


La ecuacin de prdidas de potencia para Q2 es aproximada por:
P loss = P conduction + P drive + P* output

(2.2.24)

A su vez, esta frmula puede ser aproximada por:

Ploss = I rms Rds ( on )

+ (Qg Vg f )
Q
+ oss Vin
2

f + (Qrr Vin f )

(2.2.25)

*disipado principalmente en Q1.


Dando valores y sustituyendo en ec. 2.2.25:
Resulta que PlossQ2=4,26 W
El ciclo de trabajo del segundo transistor ser del 66 %, por tanto tendr una
resistencia trmica final de:
RthQ2 = 0,667 0,94 = 0,63 K/W
CASO 1 (Temperatura ambiente mxima = 50C) :
T = 150 C 50 C = 100 K

53

(2.2.26)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

RthTOT =

Memoria de Clculo

100 K
= 23,47 K/W
4,26W

RthRAD = 23,47 K/W (0,63 + 0,4) = 22,44 K/W

CASO 2 (Temperatura ambiente mxima = 80C) :


T = 150 C 80 C = 70 K

RthTOT =

70 K
= 16,43 K/W
4,26W

RthRAD = 16,43 K/W (0,63 + 0,4) = 15,40 K/W

2.2.6.3. Clculo del disipador del diodo PBYR20100

Para el clculo del disipador del diodo se a seguido el mismo criterio que
para el clculo de los anteriores componentes, calculando en primer lugar la potencia
disipada estimada.
)Clculo de potencia disipada en el diodo Schottky:
Para el clculo de la potencia disipada en el diodo necesitamos conocer la
cada de tensin mxima que tendremos entre nodo y ctodo, la corriente que pasar
por l y su ciclo de trabajo:
PDIODO(on) = I VF (1-D) = 17,5 0,7 (1-0,33) = 8,17 W
Segn el fabricante, la potencia disipada en el diodo durante su conmutacin es:
PDIODO(sw) = 0,11 PDIODO(on) = 0,11 8,17 = 0,89 W
Entonces la potencia total disipada en el diodo:
PDIODO = 9,06 W

54

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Segn el fabricante, la resistencia trmica de este diodo es de 2 K/W multiplicado por


el ciclo de trabajo correspondiente, que es el 66 %, por tanto finalmente:
RthD = 0,667 2 = 1,33 K/W

(2.2.27)

CASO 1 (Temperatura ambiente mxima = 50C) :


T = 150 C 50 C = 100 K

RthTOT =

100 K
= 11,04 K/W
9,06W

RthRAD = 11,04 K/W (1,33 + 0,4) = 9,31 K/W


CASO 2 (Temperatura ambiente mxima = 80C) :
T = 150 C 80 C = 70 K

RthTOT =

70 K
= 7,73 K/W
9,06W

RthRAD = 7,73 K/W (0,63 + 0,4) = 6 K/W


Como aclaracin, en el modo de funcionamiento sncrono con la adicin del
diodo Schottky en antiparalelo, el MOSFET de lado bajo se encarga de disipar las
prdidas de conduccin mientras que el diodo disipa las prdidas producidas por la
conmutacin, ya que ste es ms rpido que el primero, pero acto seguido la corriente
tiende a circular por el camino donde ofrece menos resistencia, que es a travs del
MOSFET.

2.2.6.4. Resumen

Finalmente, se ha credo oportuno agrupar estos cuatro elementos en un


disipador comn que pueda disipar la suma de las potencias de cada uno de estos
componentes. Sumando la potencia disipada por los tres componentes se obtiene la
potencia total que es la que tiene que disipar el refrigerador:
PTOTAL = 5,86 W + 4,26 W + 9,06 W = 19,19 W

55

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

El disipador elegido es un disipador de alta potencia con aletas, con acabados


en negro incluyendo los extremos comercializado por RS de 1,2 K/W de resistencia
trmica, ideal para cualquiera de los dos casos calculados, condiciones normales o
agresivas.
Para el transistor BDX33 del regulador 723, un disipador de 5 K/W de
resistencia trmica ser suficiente.

2.2.7.

Eleccin de condensadores.

2.2.7.1. Condensador de entrada

Se ha construido un filtro de entrada capacitivo compuesto por 6


condensadores electrolticos PANASONIC de 1200 F 63 V, elegidos por su alta
capacidad y porque soportan 2,95 A de rizado con una temperatura de trabajo de hasta
105 C. Se colocarn en paralelo, mas dos condensadores EVOX MMK de 22 F 63
V de polister metalizado por su buen comportamiento en altas frecuencias. La suma
de ellos hace un total de 7244 F.
El diseo podra haber sido ms sencillo y elegir un condensador de un valor
elevado capaz de absorber aproximadamente 18 A de pico, pero lo que interesa es
repartir ese pico entre varios condensadores, para evitar que uno solo se encargue de
absorber todo el rizado de corriente, evitar que se caliente y se destruya con facilidad.
En el apartado 3.6.4. de Medidas en el Laboratorio se muestran las grficas
de la corriente absorbida por cada tipo de condensador de los filtros de entrada y de
salida.

2.2.7.2. Condensador de salida

Para el clculo del condensador de salida se necesita estimar el rizado de


corriente terico pico a pico (unos 5 A) y, segn las especificaciones de este proyecto,
no permitiendo un rizado de tensin superior al 1% de la tensin de salida (14 V),
resulta que el rizado de tensin debe ser 140 mV.

56

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Se ha usado la frmula siguiente para el clculo del condensador :

C>

iL Ts 2,52010 6
=
;
8v
814010 3

(2.2.28)

C > 44,64 F
Adems se ha tenido en cuenta el criterio de que el condensador debe ser
capaz de soportar y absorber los 5 A pico a pico de rizado tericos antes comentados,
por eso se ha elegido dos electrolticos JAMICON, uno de 2200 F y el otro de 3300
F, ambos de 25 V. El primero soporta un rizado de 2,5 A y el segundo 3 A, de esta
manera evitamos que toda la corriente circule por un solo condensador.
Para mejorar el rizado a la salida y el ruido a alta frecuencia se ha adoptado
la idea de usar cinco condensadores SIEMENS cermicos multicapa de 3,3 F 50 V,
haciendo un total de 5516,5 F.
Lo mismo ocurre con el filtro de salida, interesa repartir el rizado de
corriente entre varios condensadores por el motivo comentado en el apartado anterior.

Figura 2.2.10 Forma de onda de la corriente que circula por el condensador.


Para realizar la comprobacin de que no se supera el lmite impuesto
anteriormente del rizado < 1 % , se ha hecho uso de la frmula siguiente, segn
Figura 2.2.10:

v =

v =

1
reatringulo
C

1 bh
1
1010 6 s2,5 A
=
= 2,26 mV

C 2
5516,110 6 F
2

57

(2.2.29)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

mucho menor a los 140 mV del 1%, estos 2,26 mV corresponden a un 0,016% de
rizado respecto a los 14 V de salida. Este valor resulta ms que aceptable.

2.2.7.3. Condensador bootstrap

La tcnica bootstrap [6] suministra la corriente instantnea necesaria para


hacer conmutar los dispositivos de potencia, como transistores MOSFET. Para esta
tcnica son necesarios un diodo y un condensador como circuitera externa del driver
de conmutacin utilizado.
El diodo elegido ha sido, por su rapidez y bajo coste, un 1N4148 fast
switcing diode.
Para la eleccin del condensador se ha seguido el siguiente criterio:
Datos:
QG = 200 nC, carga de puerta transferida durante la activacin (STP75NE75).
VBS1 = 12 V, tensin del condensador bootstrap justo despus del refresco.
VBS2 = 11 V, tensin del condensador bootstrap inmediatamente despus de la subida
de la activacin.
Esta diferencia de tensin viene dada por la cada del diodo en conduccin (1 V).

QRR trr

I FSM
1A
= 4ns = 2nC
2
2

(2.2.30)

Entonces:

CBS =

QG + QRR
VBS1 VBS 2

Sustituyendo valores resulta que:


CBS = 202 nF

58

(2.2.31)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

2.2.7.4. Condensador softstart

La circuitera softstart es usada para prevenir el exceso de tensin en la


salida durante el arranque. Esto permite subir la tensin de salida del amplificador
lentamente y tambin que el duty cycle del PWM se vaya incrementando
paulatinamente.
Para el diseo del condensador, se ha simulado un simple circuito de
arranque (ver figura 2.2.11) probando diferentes valores de capacidad. Ha parecido
oportuno elegir un condensador de 10 nF ya que hay un intervalo de tiempo de unos
60 s hasta que se alcanza el rgimen permanente, basndose en la grfica obtenida
(ver figura 2.2.12).

Figura 2.2.11. Circuito de simulacin para el diseo del condensador soft-start

Figura 2.2.12. Grfica resultado de la simulacin del circuito de la figura 2.2.11.

59

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

2.2.8.

Memoria de Clculo

Control

2.2.8.1. Lazo de Corriente

Para realizar el control del prototipo se elegido realizar un control de


corriente media [4]. Este tipo de control consiste en un doble lazo, realimentacin de
corriente y de tensin. Esto simplifica el diseo del mejorando las caractersticas de
funcionamiento del convertidor, adems de incluir mejoras en la dinmica del
sistema. El objetivo es controlar la corriente media que circula por el inductor,
sensando mediante transformador de corriente justo antes del MOSFET.
El diseo del control de corriente se ha hecho siguiendo la idea del circuito
mostrado en la fig. 2.2.13. Como diferencia significativa, el sensado de corriente se ha
hecho entre Vin y el primer MOSFET, ya que la tensin en ese lugar es ms estable
que a la derecha del MOSFET debido a la presencia de los condensadores conectados
en Vin..

Figura 2.2.13. Circuito de control de doble lazo.(1)


En primer lugar se calcular la ganancia necesaria de corriente del
amplificador de error (CA):

GCA =

vCA VS f S L
=
v RS
VoRS

(2.2.32)

para nuestro caso, la mxima ganancia CA a la frecuencia de conmutacin es de:

60

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

GCA

Memoria de Clculo

vCA 5500004010 6
=
=
= 35 (31dB)
vRS
140,02

entonces el valor de la ganancia corresponde a la relacin entre los dos resistores:


RF /RI = 35
Tambin se puede afirmar que:

v RS RS VIN
=
vCA VS RS

(2.2.33)

y que:

RS VIN VS f S L
=1
VS 2 f C L VoRS

(2.2.34)

Veamos cual es la frecuencia de corte:

fC =

f S VIN
f
= S
2 Vo 2 D

(2.2.35)

Habiendo limitado la ganancia en ec.2.2.46, la frecuencia de corte nunca ser


menor que una sexta parte de la frecuencia de conmutacin.
Si el amplificador de error tuviera una caracterstica de ganancia plana, el
margen de fase en el corte sera de 90-mucho ms de lo necesario. Pero un cero RF
CFZ situado en 10 kHz, por debajo de la frecuencia de corte, reduce el margen de fase
a 63. Esto provoca una mayor velocidad y mayor finura en el control.
Se escoge RF = 35 k implicando que RI sea igual a 1 k. Y eligiendo la frecuencia
del cero a 10 kHz, el margen de fase se reduce a 63

1
= 100002
RF C FZ

(2.2.36)

CFZ = 454,7 pF
Se coloca un polo RFCFPCFZ / (CFP+CFZ) en la frecuencia de conmutacin fS
(50 kHz). Este polo tiene el propsito de eliminar los picos de ruido presentes en la
forma de onda actual.

61

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

C FP + C FZ
= 2 50000
RF C FP C FZ

Memoria de Clculo

(2.2.37)

CFP = 113,7 pF
Este par polo-cero (en 50 kHz y 10 kHz) reduce el margen de fase en la
frecuencia de cruce aproximndose aceptablemente a 45.
Para las resistencias se han elegido un potencimetro de 47 k para RF , y
otro de 5 k para RI . Los condensadores en valores comerciales son 470 pF y 100
pF. Entonces queda fijar el valor de los potencimetros a su nuevo valor para
mantener los parmetros del polo-cero:

2.2.8.2. Lazo de Tensin

En este apartado [5] se explica el procedimiento seguido para el diseo del


valor del resistor y del condensador para la realimentacin del lazo de tensin.
El diseo del control del lazo de tensin corresponde al circuito del interior
de la elipse.

Figura 2.2.14. Circuito de control de doble lazo.(2)

62

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

En primer lugar se calcula la frecuencia del polo en sus parmetros y


generalizados para un sistema buck en pequea seal:

wc =

ws
nD'

(2.2.38)

donde ws =(2)50000 rad/s


n es el factor que estabiliza la rampa de corriente en el inductor y es igual a:

n=

D max
1 D max

(2.2.39)

donde se permite un ciclo de trabajo mximo de

D max =

14
Vo
=
= 0,424
Vinmin 33

(2.2.40)

sustituyendo en (2.2.39) resulta que

n = 0,736
finalmente la frecuencia del polo es igual a:

wc =(2)32,40 kHz
La siguiente ecuacin pertenece a la funcin de transferencia control-salida:

Ac =

v
vc

(2.2.41)

que a su vez puede ser escrita como:

Ac = Acm

1 + s 1 + s
w w
p
c

63

(2.2.42)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

donde:

wL
c || RL
1 D

nD'
Acm =
Rf

(2.2.43)

sustituyendo valores:

Acm = 40,08 = 32,06 dB


y

wp =

wL

c
|| RL C
1 D

nD'

(2.2.44)

w p = (2) 36 Hz
A continuacin se calcular la ganancia de lazo T, Margen de Fase M , y factor de
realimentacin 1 + T
La ganancia de lazo T es simplemente el producto de la ganancia del
amplificador de error A1 y la funcin de transferencia control-salida Ac de la planta de
potencia:

T = A1 Ac

(2.2.45)

Si A1 es una constante A1m , la ganancia de lazo es simplemente una escala


de la funcin Ac con sus variaciones frecuenciales. Es lo mismo que decir que el valor
de A1m determina no slo la ganancia de lazo Tm a la mitad del ancho de banda como:

Tm = A1m Acm
sino que tambin la frecuencia de corte de la ganancia de lazo

(2.2.46)

f vc = vvc / 2 , la

frecuencia donde la magnitud de T corta los 0 dB .

wvc = Tm w p

64

(2.2.47)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

El valor de A1m debe ser elegido tal que el cruce ocurra antes que el polo wc ,
porque de la otra manera el margen de fase sera demasiado pequeo. Obviamente,
uno desea situar la frecuencia de cruce tan alta como sea posible para conseguir el
mayor ancho de banda.
El valor de fvc se elige sobre un tercio de la frecuencia del polo fc =32400 Hz,
es decir fvc =10800 Hz. El margen de fase resultante de la ganancia de lazo de tensin
es 180 menos la suma de las contribuciones de retraso debido a los polos en fp y fc:

10800
10800

+ tan 1
M = 180 tan 1

36
32400

(2.2.48)

M = 71.75
Es un margen de fase aceptable, por tanto se puede aceptar la frecuencia de
corte fvc = 10800 Hz y usar ec.2.2.47 para encontrar la ganancia de lazo en la mitad
del ancho de banda Tm = fvc / fp = 10800 / 36 = 300 49,54 dB. De ec.2.2.46 el valor
requerido de la ganancia del amplificador de error es A1m = Tm / Acm = 300 / 40,08 =
7,48 17,48 dB.
El amplificador de error es actualmente un amplificador operacional con
realimentacin local para situar su ganancia A1 y por lo tanto la frecuencia de corte
del lazo de tensin. Como necesitamos tan slo 17,48 dB, la mayora de
amplificadores servirn para este propsito. Sin embargo, la prdida de ganancia
puede ser recuperada, para frecuencias suficientemente debajo de la frecuencia de
corte del lazo del regulador, poniendo un cero w1 en la funcin de la ganancia del
amplificador de error:

w
A1 = A1m 1 + 1 .
s

(2.2.49)

Segn el circuito escogido para el control se puede afirmar que:

A1m = Ra / Rb
w1 =

1
C a Ra

(2.2.50)

(2.2.51)

El cero se puede elegir, en este caso se ha elegido w1 / 2 = f1 = 11 Hz, ya que con


este valor, el cero introduce un atraso de fase despreciable.

65

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Memoria de Clculo

Segn la relacin de ganancia del amplificador de error:


7,48=Ra/Rb;
Si Rb = 95,3 k, sustituyendo en ec.2.2.50 se obtiene un valor de:

Ra = A1m Rb = 7,48 95,3 k = 712,844 k


y para el condensador sustituyendo en ec.2.2.51:

Ca =

1
1
=
20 nF
w1 Ra 2 11712.844k

Para los valores de las resistencias se han elegido dos potencimetros para su
posterior ajuste de 100 k y 1000 k respectivamente. Para el condensador, el valor
comercial es de 22 nF.

TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002


EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

66

3 MEDIDAS EN EL LABORATORIO

67

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

NDICE MEDIDAS EN EL LABORATORIO

3.

MEDIDAS EN EL LABORATORIO.........................................69

3.1.
VISTA GENERAL............................................................................................. 69
3.2.
TABLAS RENDIMIENTOS (1) ....................................................................... 71
3.2.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET....................................................... 71
3.2.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY ................................................. 72
3.3.
TABLAS RENDIMIENTOS (2) ....................................................................... 73
3.3.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET....................................................... 73
3.3.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY ................................................. 74
3.3.3.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY ................................ 75
3.4.
RIZADOS........................................................................................................... 77
3.4.1.
Rizados en Vo........................................................................................... 77
3.4.2.
Rizado en la corriente de entrada.............................................................. 78
3.4.3.
Rizado en la corriente de la bobina........................................................... 80
3.4.4.
Rizados en la alimentacin de los integrados ........................................... 81
3.5.
ESTUDIO DEL ARRANQUE DEL CONVERTIDOR..................................... 83
3.5.1.
Vista general ............................................................................................. 83
3.5.2.
Modo MOSFET-SCHOTTKY.................................................................. 85
3.5.3.
Modo MOSFET-MOSFET ....................................................................... 87
3.5.4.
Modo MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY................................................. 89
3.6.
OTRAS SEALES DE INTERS..................................................................... 91
3.6.1.
Seal de salida del regulador PWM.......................................................... 91
3.6.2.
Conmutacin............................................................................................. 93
3.6.3.
Onda de corriente en el MOSFET............................................................. 96
3.6.4.
Corriente absorbida por los condensadores de entrada y de salida ........... 98
3.6.4.1. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de entrada ...... 98
3.6.4.2. Corriente absorbida por los condensadores de polister metalizado de
entrada..................................................................................................................... 99
3.6.4.3. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de salida ...... 100
3.6.4.4. Corriente absorbida por los condensadores cermicos de salida........... 101

68

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.
3.1.

Medidas en el Laboratorio

Medidas en el Laboratorio

VISTA GENERAL

Para el estudio del funcionamiento del convertidor se ha pensado hacer una


valoracin de rendimientos, rizados y arranques con las dos posibilidades de
conmutacin, MOSFET-MOSFET Vs MOSFET-SCHOTTKY con el objetivo de evaluar
en cul de las dos combinaciones se obtienen mejores resultados.
Adems, se evaluar el comportamiento del convertidor en un tercer caso, que es
el funcionamiento mediante los tres dispositivos, es decir, MOSFET-MOSFETSCHOTTKY. Tericamente este caso es el mejor en cuanto a rendimiento, ya que el
diodo SCHOTTKY es ms rpido en conmutacin que el MOSFET, por tanto el
MOSFET de lado bajo es el que se encarga de disipar las prdidas de conduccin
mientras que el diodo disipa las prdidas producidas por la conmutacin, ya que ste es
ms rpido que el primero, pero acto seguido la corriente tiende a circular por el camino
donde ofrece menos resistencia, que es a travs del MOSFET.
La explicacin a estos comentarios es la siguiente, pongamos que tenemos una
RDS en conduccin del MOSFET mxima de unos 20 m y una corriente de 15 A. La
potencia disipada en el MOSFET sera de:

P = RI 2
P = 0,0215 2 = 4,5 W

(3.1.1)

En las mismas condiciones, pero esta vez con el diodo SCHOTTKY, teniendo
ste una cada de tensin en conduccin de 0,7 V:

P = V I
P = 0,715 = 10,5 W

(3.1.2)

La diferencia pues, es notable.


Para poder realizar estos cambios de funcionamiento del convertidor se ha
previsto de pistas las cuales inicialmente estn separadas, pero basta haciendo una
pequea soldadura aadiendo estao para hacer funcionar el MOSFET de baja y/o el
SCHOTTKY.
Las medidas se han hecho en lazo abierto utilizando el diseo para este caso que
se puede observar en plano del esquemtico n6, Regulador PWM. Para ello, el ajuste del
ciclo de trabajo se har manualmente mediante el potencimetro R57, que acta variando

69

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

la tensin que se compara con la rampa generada por el regulador PWM (UC3526), con el
fin de ajustar la tensin de salida del convertidor a 14 V (tensin nominal de salida).
Se ha credo oportuno hacer los ensayos del convertidor mediante cargas
resistivas al 50 y 100 % de la carga total, esto es, utilizando dos resistencias de alta
potencia de 2,2 (200 W). Para el caso de 50 %, se ha utilizado tan slo una de ellas, y
para el caso de 100 % de la carga, las dos resistencias en paralelo, consiguiendo 1,1 .
Para hacer el estudio y los ensayos del prototipo en al laboratorio, se ha hecho
uso de una fuente de alimentacin de continua capaz de suministrar 35 A, un osciloscopio
digital de 4 canales con capturador de imgenes.
El sensado de corriente se ha llevado a cabo mediante una sonda de corriente
situada alrededor del cable de la tensin de entrada del convertidor, conectada
directamente al osciloscopio.
Los ensayos se han hecho variando la tensin de la fuente de entrada al
convertidor de 33 a 58 V en intervalos de 2 voltios, y mediante el potencimetro
anteriormente comentado, se ha ajustado la salida a tensin nominal (14 V).
Multiplicando la tensin indicada por el display de la fuente, por la corriente de
entrada indicada en el osciloscopio (sonda de corriente), se obtiene el valor de la potencia
en la entrada del convertidor bastante preciso.
La potencia a la salida del convertidor tendr dos valores diferentes, uno
trabajando al 50 % de la carga, y otro al 100 % de la carga, como se ha comentado
anteriormente.
Estos valores son:

Pout ( 50%) =

V 2 14 2
=
= 89,09 W
R 2,2

(3.1.3)

V 2 14 2
=
= 178,18 W
R
1,1

(3.1.4)

Pout (100%) =

As que se deber hacer uso de cada uno de estos dos valores para el clculo del
rendimiento dependiendo de la carga que se est usando. La frmula para calcular el
rendimiento es la comentada en la Memoria Descriptiva del presente proyecto:

Pout
Pin

70

(1.1.1)

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.2.

TABLAS RENDIMIENTOS (1)

3.2.1.

Funcionamiento MOSFET-MOSFET

Medidas en el Laboratorio

Haciendo funcionar el convertidor en modo sncrono, es decir, mediante los dos


MOSFETs, no conectando el diodo Schottky, se ha hecho un estudio de rendimientos en
todo su margen de tensin de entrada, consiguiendo a la salida 14 V.

Figura 3.2.1: Configuracin sncrona.


Se ha obtenido la siguiente tabla de rendimientos:

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)


Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,03
2,88
2,75
2,68
2,50
2,41
2,32
2,22
2,14
2,07
2,00
1,96
1,86

99,99
100,80
101,75
104,52
102,50
103,63
104,40
104,34
104,86
105,57
106,00
107,80
107,88

89,10
88,38
87,56
85,24
86,92
85,97
85,34
85,38
84,96
84,39
84,05
82,64
82,58

6,16
5,80
5,52
5,35
4,98
4,75
4,55
4,37
4,24
4,04
3,88
3,78
3,62

202,29
203,00
204,24
208,65
204,18
204,25
204,75
205,39
207,76
206,04
205,64
207,90
209,96

88,08
87,77
87,17
85,40
87,27
87,24
87,02
86,75
85,76
86,48
86,65
85,70
84,86

Tabla 3.1. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET al 50 y 100 % de carga

71

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.2.2.

Medidas en el Laboratorio

Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY

En este caso se ha hecho funcionar el convertidor en modo tradicional, es decir,


mediante el transistor (MOSFET en este caso) en el lado alto, y el diodo (Schottky) en el
lado bajo. Se ha hecho el mismo estudio de rendimientos que el caso anterior, en todo su
margen de tensin de entrada, consiguiendo a la salida 14 V.

Figura 3.2.2: Configuracin tradicional.


Se ha obtenido la siguiente tabla de rendimientos:

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)


Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,25
3,09
2,94
2,79
2,67
2,59
2,45
2,39
2,32
2,23
2,15
2,07
2,00

107,25
108,15
108,78
108,81
109,47
111,37
110,25
112,33
113,68
113,73
113,95
113,85
116,00

83,06
82,45
81,89
81,87
81,38
79,99
80,81
79,31
78,37
78,33
78,18
78,25
76,80

6,67
6,37
6,03
5,72
5,47
5,24
5,07
4,87
4,72
4,55
4,39
4,23
4,02

220,11
222,95
223,11
223,08
224,27
225,32
228,15
228,89
231,28
232,05
232,67
232,65
233,16

80,95
79,92
79,86
79,87
79,45
79,08
78,10
77,85
77,04
76,79
76,58
76,59
76,42

Tabla 3.2. Rendimientos obtenidos MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de carga


Se observa que hay un 6 % de diferencia de rendimiento respecto a la
configuracin sncrona de la tabla 3.1. al 50 % de la carga y hasta un 8 % en el caso de
trabajar al 100 % de la carga, debido a las prdidas en el diodo.

72

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.3.

Medidas en el Laboratorio

TABLAS RENDIMIENTOS (2)

Durante el trabajo en el laboratorio y, mediante ensayos realizados, se ha


mejorado notablemente el funcionamiento del convertidor en cuanto al arranque, la
dinmica y los rizados.
Los cambios que se han hecho para conseguir esto han sido:
" la adicin de condensadores de 1 F de polister en las alimentaciones de los
integrados utilizados (UC3526, CI723, CMOS4001B y IR2110).
" disminucin del valor de las resistencias de puerta de los MOSFETs a 8 .
Estas mejoras han influido tambin en el rendimiento del sistema tal y como se
observa a continuacin. Las siguientes tablas han sido construidas exactamente de la
misma forma que las dos anteriores, obteniendo los siguientes cambios:

3.3.1.

Funcionamiento MOSFET-MOSFET

Volviendo a hacer las medidas con los cambios y ajustes comentados se ha


obtenido la siguiente tabla de rendimientos funcionando en configuracin MOSFETMOSFET:

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)


Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,01
2,85
2,70
2,56
2,43
2,33
2,24
2,16
2,09
2,00
1,93
1,88
1,79

99,33
99,75
99,90
99,84
99,63
100,19
100,80
101,52
102,41
102,00
102,29
103,40
103,82

89,69
89,31
89,18
89,23
89,42
88,92
88,38
87,76
86,99
87,34
87,10
86,16
85,81

6,32
5,96
5,63
5,36
5,07
4,89
4,68
4,48
4,32
4,16
4,02
3,87
3,70

208,56
208,60
208,31
209,04
207,87
210,27
210,60
210,56
211,68
212,16
213,06
212,85
214,60

85,43
85,42
85,54
85,24
85,72
84,74
84,61
84,62
84,18
83,98
83,63
83,71
83,03

Tabla 3.3. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET al 50 y 100 % de carga

73

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.3.2.

Medidas en el Laboratorio

Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY

Seguidamente, se han hecho las medidas para la configuracin MOSFETSCHOTTKY, obtenindose los siguientes resultados:

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)


Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,05
100,65
6,39
210,87
88,52
84,50
2,88
100,80
6,06
212,10
88,38
84,01
2,72
100,64
5,70
211,64
88,52
84,19
2,59
101,01
5,41
210,99
88,20
84,45
2,46
100,86
5,13
210,33
88,33
84,72
2,37
101,91
4,97
213,71
87,42
83,38
2,29
103,05
4,72
212,40
86,45
83,89
2,18
102,46
4,56
214,32
86,95
83,14
2,10
102,90
4,39
215,11
86,58
82,83
2,02
103,02
4,25
216,75
86,48
82,21
1,94
102,82
4,07
215,71
86,65
82,60
1,89
103,95
3,92
215,60
85,71
82,64
1,81
104,98
3,74
216,92
84,86
82,14

Tabla 3.4. Rendimientos obtenidos MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de carga


Despus de haber introducido estas mejoras la diferencia de estos resultados con
los de la tabla 3.3. ha disminuido hasta un 2 % de diferencia en rendimientos.

74

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.3.3.

Medidas en el Laboratorio

Funcionamiento MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY

Como ltimo caso para el estudio del convertidor se ha configurado


sncronamente con la adicin del diodo Schottky en paralelo con el MOSFET bajo, tal y
como se muestra en la fig.3.3.1.
Esta configuracin est siendo utilizada en la actualidad por fabricantes de PCs
porttiles, PDAs, telfonos mviles y aplicaciones de Internet. Son convertidores
sncronos de baja tensin capaces de suministrar hasta 200 W de potencia a unos 5 V en
la salida.
Este caso presenta mejoras respecto a las dos configuraciones anteriores en
cuanto a rendimiento. Esto es debido a que el Schottky es ms rpido que el MOSFET en
la conmutacin y por lo tanto acta antes, pero a continuacin ste ltimo entra en
conduccin reduciendo considerablemente la cada de tensin originada por el diodo. De
esta manera, se reducen las prdidas de conduccin, se incrementa la velocidad de
conmutacin y por consiguiente, el rendimiento del sistema, como se observa en la tabla
3.5.

Figura 3.3.1: Configuracin sncrona con diodo en paralelo.

75

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

Medidas en el Laboratorio

50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)


Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
2,98
98,34
6,28
207,24
90,59
85,98
2,84
99,40
5,90
206,50
89,63
86,29
2,68
99,16
5,61
207,57
89,85
85,84
2,54
99,06
5,32
207,48
89,94
85,88
2,42
99,22
5,02
205,82
89,79
86,57
2,34
100,62
4,84
208,12
88,54
85,61
2,23
100,35
4,63
208,35
88,78
85,52
2,15
101,05
4,44
208,68
88,17
85,39
2,07
101,43
4,25
208,25
87,83
85,56
1,98
100,98
4,12
210,12
88,23
84,80
1,92
101,76
3,99
211,47
87,55
84,26
1,87
102,85
3,85
211,75
86,62
84,15
1,78
103,24
3,66
212,28
86,29
83,94

Tabla 3.5. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de


carga
Como puede observarse, en este caso se llega hasta un valor mayor de 90 % en
rendimiento para 33 V en la entrada al 50 % de carga, y a un 86,57 % para 41 V en la
entrada, al 100 % de carga.

76

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

3.4. RIZADOS
A continuacin, y mediante la ayuda de un osciloscopio digital capaz de capturar
las imgenes de las seales mostradas, se ha hecho un estudio de los rizados en las
distintas seales de inters. stas son la tensin de salida, corriente de entrada, y la
tensin de alimentacin de los integrados que son necesarios para el funcionamiento del
convertidor, que proviene de la salida del regulador de tensin CI723. El rizado de la
tensin de entrada no se ha considerado como objetivo de estudio ya que ste depende de
la corriente de entrada, de los cables y del filtro de entrada.

3.4.1.

Rizados en Vo

Para hacer el estudio de los rizados en la tensin de salida se ha hecho una tabla
comparativa de los tres modos de funcionamiento en todo el margen de tensin de entrada
al 50 y al 100 % de la carga.
Con la opcin measure del osciloscopio se ha mostrado por pantalla el valor
entero de la tensin de salida pico-pico.
Los resultados han sido los siguientes:

Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

RIZADOS EN Vo PICO A PICO (V)


MOSFET-MOSFET
MOSFETMOSFET-MOSFETSCHOTTKY
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
0,6
1,2
0,6
2,2
1,2
2,9
0,6
1,0
0,6
2,0
1,3
2,6
0,6
1,6
0,6
2,0
1,2
3,0
0,8
1,2
0,6
1,8
1,2
3,0
0,8
1,2
0,6
1,4
1,8
3,6
0,8
1,2
0,8
1,8
1,8
4,0
0,6
1,4
0,8
2,0
2,2
4,2
0,8
1,4
0,8
2,6
2,3
4,2
0,8
1,4
0,8
2,6
2,4
4,6
0,8
1,4
0,8
2,8
2,6
6,1
0,8
1,4
0,8
2,8
3,2
6,0
0,8
1,4
0,8
3,2
3,4
5,8
0,8
1,4
0,8
3,6
3,6
6,8

Tabla 3.6. Valores obtenidos del rizado en la tensin de salida del convertidor en los tres
modos de funcionamiento al 50 y 100 % de la carga con Vo = 14 V.

77

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Se observa que el modo de funcionamiento ms aceptable en cuanto a rizados en


la salida, es el modo sncrono, es decir funcionando con los dos MOSFETs.
Trabajando al 50 % de la carga los valores de los rizados son muy similares en
los modos sncrono y tradicional, pero en cuanto se hace funcionar al 100 % de la carga,
en el modo tradicional se observa un incremento notable en el rizado de tensin.
Cabe destacar que haciendo trabajar al convertidor en modo sncrono con la
adicin del diodo en antiparalelo, aunque tenga un mayor rendimiento (comentado
anteriormente), introduce ms ruido en la conmutacin y esto conlleva a un mayor rizado
en la salida. Como se observa en la tabla, al trabajar al 100 % de la carga se alcanzan unos
valores bastante altos de rizado en esta configuracin.
Si el prototipo final de este proyecto llegase a funcionar solamente en esta
tercera configuracin deberan hacerse ensayos aadiendo condensadores cermicos
multicapa a la salida para reducir ese rizado a alta frecuencia, o bien ajustando el deadtime.
Como nota aclaratoria, los valores presentes en la tabla 3.6 son valores de
tensin de salida pico-a-pico, esos picos de tensin son los restos del ruido producido por
la propia conmutacin filtrados por el filtro de salida. Tericamente no se haban previsto
y por tanto superan los 140 mV exigido por las especificaciones de este proyecto. Este
efecto puede ser debido a :
- no se han reajustado los tiempos muertos del solapamiento entre MOSFETs
para cada una de las tres configuracin y para cada punto de trabajo en concreto (ya que
el tiempo muerto se ha ajustado siguiendo el compromiso entre mayor rendimiento y
fiabilidad del sistema),
- o bien, debido al reajuste de las resistencias de puerta de los MOSFETs.

3.4.2.

Rizado en la corriente de entrada

Debido a la propia conmutacin, el convertidor origina ruido en todo su entorno,


tanto en la tensin, corriente de entrada, tensin de salida e internamente. En el presente
prototipo se ha sobredimensionado el filtro en la entrada con el objetivo de atenuar estos
rizados. ste se ha hecho mediante condensadores electrolticos y cermicos como se ha
descrito en la Memoria de Clculo del presente proyecto. Difcilmente es conseguir
eliminar de manera total el ruido en la entrada.
A continuacin, mediante la utilizacin de una sonda de corriente, se muestra en
la fig. 3.4.1 el rizado ocasionado en la corriente de entrada cuando Vin es igual a 42
voltios al 50 % de la carga.

78

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Descartando la configuracin tradicional, que como ya se ha visto en el apartado


anterior aportaba mucho ruido en la salida (tambin lo haca en la entrada), las grficas
mostradas a continuacin pertenecen a la configuracin sncrona, es decir, trabajando con
los dos MOSFETs.

Figura 3.4.1: Vin = 42 V;Vo = 14 V al 50 % de la carga


Canal 4: Onda de corriente de entrada
Se observa en la grfica que se genera una componente alterna sinusoidal de 90
mV pico-a-pico y a 50 kHz, que es la frecuencia de conmutacin. Los condensadores del
filtro de entrada se han encargado de absorber prcticamente todo el ruido ocasionado en
la corriente de entrada, dejando esta pequea componente en alterna. En el apartado 3.6.4.
del presente documento se muestran las figuras correspondientes a las ondas de la
corriente absorbida por cada tipo de condensador.

79

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.4.3.

Medidas en el Laboratorio

Rizado en la corriente de la bobina

Para poder hacer una extrapolacin con la teora de funcionamiento de un


convertidor, ha sido conveniente hacer una captura de imagen de la corriente que circula
por la bobina (ver fig.3.4.2). Se ha configurado el convertidor para su funcionamiento en
modo tpico, es decir, MOSFET-Schottky.

Figura 3.4.2: Vin = 42 V;Vo = 14 V al 50 % de la carga


Canal 4: Onda de corriente en la bobina
Haciendo trabajar al convertidor en estas condiciones, comprobamos que el valor
medio de la corriente de salida es de 6,1 A con un valor de componente alterna triangular
de 3,72 A pico-a-pico.
Se observa que, salvo un pequeo rizado debido a la conmutacin en la parte
baja de la componente alterna, esta onda coincide de manera exacta con la teora de los
convertidores.
La parte ascendente de la onda corresponde a la corriente que circula por el
MOSFET de lado alto, y la parte descendente es la que circula por el Schottky, en este
caso.

80

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.4.4.

Medidas en el Laboratorio

Rizados en la alimentacin de los integrados

Se ha credo oportuno introducir y comentar en esta memoria de modo


anecdtico las grficas correspondientes a la tensin de salida del regulador de tensin
CI723 (alimentacin interna del convertidor para los circuitos integrados).
Alimentacin interna del sistema a Vin igual a 42 V al 50 % de carga:

Figura 3.4.7: Vin = 42 V;Vo = 14 V al 50 % de la carga


Canal 1: Alimentacin interna (salida del CI723)
Canal 2: Iin medida en sonda de corriente calibrada en voltios (la lectura sera 2,659 A)

81

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Alimentacin interna del sistema a Vin igual a 42 V al 100 % de carga:

Figura 3.4.8: Vin = 42 V;Vo = 14 V al 100 % de la carga


Canal 1: Alimentacin interna (salida del CI723)
Canal 2: Iin medida en sonda de corriente calibrada en voltios (la lectura sera 5,266 A)
Se observa una pequea diferencia de unos 0,4 V de tensin entre los casos
dependiendo de la carga, ya que la corriente de entrada aumenta en un 50 %. Este
incremento de corriente influye en ambos reguladores, causa de ese ligero aumento de
tensin.
Tambin se puede destacar que a la frecuencia de conmutacin existe un leve
pico de tensin que aumenta en cuanto se trabaja al 100 % de la carga.

82

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

3.5. ESTUDIO DEL ARRANQUE DEL CONVERTIDOR

3.5.1.

Vista general

Otro aspecto importante a tener en cuenta es el arranque del sistema. El objetivo


es suavizarlo para conseguir una estabilidad en todo su margen dinmico.
En las primeras fases del estudio del convertidor se capturaron grficas en las
que se observaban que el convertidor no arrancaba de una manera suave, con picos de
corriente y discontinuidad en la conmutacin de los MOSFETs.
Este es el caso para el funcionamiento en modo MOSFET-SCHOTTKY, y se ha
configurado el ciclo de trabajo tal que a la salida del convertidor se obtengan 14 V.

Figura 3.5.1: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (5 ms/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada

83

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Esta captura con gran escala de tiempo muestra que el sistema tarda unos 9 ms
desde el arranque hasta que llega a estabilizarse.
La siguiente grfica es igual a la anterior modificando la escala de tiempos para
poder observar los primeros momentos detallados del funcionamiento del convertidor.

Figura 3.5.2: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (200 s/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada
Se observa un pico importante de corriente en la entrada de unos 40 A (canal 4),
lo que provoca que la conmutacin se interrumpa durante el periodo de unos 200 s.

84

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.5.2.

Medidas en el Laboratorio

Modo MOSFET-SCHOTTKY

Despus de hacer las pequeas modificaciones en la planta durante el transcurso


de las medidas en el laboratorio comentadas en el apartado 3 del presente documento, se
han vuelto a medir el arranque. Este ha resultado notablemente ms suave y estable, as
como ms lento en alcanzar la tensin nominal a su salida.

Figura 3.5.3: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (10 ms/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada
Se observa que el pico de corriente se ha conseguido disminuir a un 30 % de su
valor inicial, tan solo aadiendo los condensadores de 1 F anteriormente comentados. La
explicacin consiste en que el driver IR2110 dispona de insuficiente corriente para poder
disparar el MOSFET adecuadamente, provocando esa discontinuidad en la conmutacin
vista en la fig. 3.5.2.
Cabe decir que el sistema es mas lento (unos 130 ms hasta alcanzar los 14 V a la
salida) en comparacin con el arranque inicial comentado en la Vista General de este
apartado, ya que al disponer de condensadores de valor bastante ms elevado de los
originales, la constante de tiempo del sistema tambin aumenta.

85

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

En la siguiente figura se observa el arranque en sus primeros instantes, notando


que la conmutacin es contnua y constante en todo momento, adems de haber mejorado
el pico de corriente en la entrada.

Figura 3.5.4: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (200 s/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada

86

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.5.3.

Medidas en el Laboratorio

Modo MOSFET-MOSFET

Cambiando el modo de funcionamiento a modo sncrono, se han hecho las


pertinentes capturas de imgenes para poder contrastarlas con los dems modos.

Figura 3.5.5: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (50 ms/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada
El sistema tarda unos 250 ms en estabilizar su tensin de salida a 14 V. Es mas
lento, existiendo una diferencia de 100 ms entre el modo anterior. Tambin se reduce el
sobre-pico de corriente a unos 11 A.

87

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

En la siguiente grfica se observa como en los primeros instantes del arranque,


ste es suave en corriente y tensin, y la conmutacin es continua.

Figura 3.5.6: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (250 s/div)


Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada

88

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.5.4.

Medidas en el Laboratorio

Modo MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY

Como ltimo caso de estudio de arranque, se ha configurado el prototipo en


modo sncrono con la adicin del diodo SCHOTTKY en paralelo con en MOSFET de
lado bajo.

Figura 3.5.7: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (50 ms/div)


Canal 3: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada

Principalmente, lo que llama ms la atencin en este modo es el aumento del


rizado en el sistema, comprobado en las tres seales mostradas en la captura. El canal 2
sigue correspondiendo a la tensin Vo del convertidor, el canal 4 es la corriente de
entrada, y el canal 3 es la tensin de puerta del MOSFET (VG)de lado alto.
En cuanto a rapidez, puede verse que es tan lento como el modo sncrono sin
diodo en antiparalelo. Y el sobre-pico de corriente se ha disminuido a 8 A, es decir, el

89

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

sistema configurado en este modo no necesita tanta corriente en su entrada para empezar
a funcionar.
Haciendo una captura a 5 ms/div se observan, a mayor escala, los primeros
momentos del arranque del sistema.

Figura 3.5.8: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono con diodo


Schottky en paralelo (5 ms/div)
Canal 3: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada

90

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

3.6. OTRAS SEALES DE INTERS


Para estudiar el funcionamiento del convertidor, se ha credo importante
mencionar tambin otras seales, tales como la salida del regulador PWM y las seales de
conmutacin.

3.6.1.

Seal de salida del regulador PWM

Inicialmente, antes de las mejoras del circuito, se obtuvieron grficas que se


muestran para poder compararlas con las actuales. Este es el caso de la seal de tensin de
salida del regulador PWM, la cual va conectada directamente al circuito generador de
tiempo-muerto.

Figura 3.6.1: Canal 3: Seal de tensin de salida del regulador PWM.


Canal 1: Tensin de salida Vo
Canal 2: Corriente de entrada calibrado en tensin (lectura: 2,29 A)
El ruido introducido en la seal, se compone de dos picos de tensin tanto en la
parte alta como en la baja, de unos 8 y 3 V respectivamente. Este ruido est generado por
la propia conmutacin y se observa que no esta presente en los flancos de subida ni de
bajada, sino que desplazados por un pequeo tiempo, resultado del tiempo-muerto que

91

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

existe entre la seal original del regulador PWM y la seal de disparo de los MOSFETs
generada por el driver IR2110.
Mejorando en la medida de lo posible el ruido mediante la adicin de
condensadores de valores superiores, en la configuracin actual se ha obtenido los
siguientes resultados:

Figura 3.6.2: Canal 1:Seal de tensin de salida del regulador PWM.


Canal 2: No es de inters en este apartado
Canal 4: Corriente de entrada
Observndose una mejora notable en los picos en la parte alta y baja de la seal,
obteniendo los valores de 3 y 2 V pico-pico respectivamente.

92

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.6.2.

Medidas en el Laboratorio

Conmutacin

A continuacin se muestra el detalle de las seales que intervienen en la


conmutacin de los MOSFETs.

LO

HO

Figura 3.6.3: Detalle conmutacin de los MOSFETs.(1)


Canal1: Seal de disparo del MOFET de lado bajo (LO del IR2110).
Canal2: Seal de disparo del MOFET de lado alto (HO del IR2110).
Los MOSFETs se activan cuando estas seales estn a nivel alto. Se observa que
existe un conflicto entre las dos seales, ya que cuando LO (canal 1) se est desactivando,
y HO (canal 2) se activa, mientras se est cargando el condensador de puerta del
MOSFET de lado alto (primera pendiente del canal 2), LO vuelve a subir incluso a ms
nivel que su propio valor de nivel alto. Lo que suele provocar este efecto es cortocircuitar
los dos MOSFETs siendo peligroso para su de vida, aunque se haya configurado en
tiempomuerto a 700 ns, tal y como se puede observar en la grfica (tiempo entre los dos
niveles en alto).

93

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Veamos ahora la otra parte de la conmutacin:

LO

HO

Figura 3.6.4: Detalle conmutacin de los MOSFETs.(2)


Canal1: Seal de disparo del MOFET de lado bajo (LO del IR2110).
Canal2: Seal de disparo del MOFET de lado alto (HO del IR2110).
La conmutacin es aqu menos conflictiva. No hay peligro de cortocircuito entre
los dos MOSFETs, aunque se observa que la seal LO desciende a tensiones negativas (-5
V), al mismo tiempo que desciende la seal HO pudiendo provocar el deterioro del
MOSFET.

94

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Seguidamente se muestra la grfica correspondiente al detalle de la conmutacin


despus de haber realizado los comentados cambios al prototipo:

HO

LO

Figura 3.6.5: Detalle conmutacin de los MOSFETs.(3)


Canal1: Seal de disparo del MOFET de lado alto (HO del IR2110).
Canal2: Seal de disparo del MOFET de lado bajo (LO del IR2110).
Donde se observa que la conmutacin ha mejorado en gran medida. Tanto el
pico negativo de tensin como el aumento de LO en cuanto se activa HO se han reducido
ms de un 50 % dando un margen ms amplio de seguridad en la conmutacin, menos
ruido en el sistema y, por consiguiente, una mayor proteccin para los MOSFETs.

95

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.6.3.

Medidas en el Laboratorio

Onda de corriente en el MOSFET

A modo de comprobacin, se ha medido la corriente que circula por el MOSFET


en la fig. 3.6.6 mediante una sonda de corriente. Se observa que coincide con la parte
ascendente (primer periodo) del valor de la corriente en la bobina en la fig. 3.4.2.

Figura 3.6.6: Corriente que circula a travs del MOSFET de alta.


Se ha hecho tambin la captura de imagen correspondiente al sensado de
corriente en el MOSFET mediante el circuito diseado, ver fig. 3.6.7.

96

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Figura 3.6.7: Canal 2: Sensado de corriente en el MOSFET mediante transformador.


Canal 4: Valor medio de la corriente de entrada.
Cabe decir que la medida del sensado, se ha hecho despus del filtro, por eso los
cantos de la onda estn ms atenuados que los de la onda original de la fig.3.6.6.

97

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

3.6.4.

Medidas en el Laboratorio

Corriente absorbida por los condensadores de entrada y de salida

Como estudio del prototipo se ha considerado de inters el hecho de capturar las


grficas correspondientes a la corriente absorbida por cada tipo de condensador de los
filtros de entrada y de salida. Las capturas de imgenes de las corrientes se han hecho
mediante una sonda de corriente conectada a un osciloscopio digital.
Las medidas en este apartado se han hecho en configuracin MOSFET-DIODO
en condiciones nominales, 42 V en la entrada y 14 V a la salida.

3.6.4.1.

Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de entrada

En la fig. 3.6.8. se muestra la onda de corriente absorbida por uno de los


condensadores electrolticos PANASONIC de 1200 F del filtro de entrada del
convertidor.

Figura 3.6.8: Corriente absorbida por un condensador electroltico de 1200 F del filtro
de entrada.

98

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

Se observa que este tipo de condensador absorbe una componente alterna


aproximada a una triangular a la frecuencia de conmutacin de unos 800 mA pico-a-pico.

3.6.4.2.

Corriente absorbida por los condensadores de polister metalizado de entrada

A continuacin se muestra la onda de corriente absorbida por uno de los


condensadores de polister metalizado EVOX MMK de 22 F del filtro de entrada del
convertidor.

Figura 3.6.9: Corriente absorbida por un condensador de polister metalizado de 22 F


del filtro de entrada.
Se puede afirmar que los condensadores de polister metalizado absorben
corriente que contiene ms armnicos que la absorbida por los electrolticos. Adems se
comprueba que la corriente se reparte entre todos los condensadores, tal y como se haba
previsto en el apartado 2.2.7.1 de la Memoria de Clculo.
Si por fabricacin los condensadores son exactamente iguales, se puede afirmar
que cada tipo de condensador absorbe el mismo valor de corriente.

99

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

3.6.4.3. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de salida

Seguidamente, en la fig.3.6.10 se muestra la captura de imagen de la onda de


corriente absorbida por el condensadores electroltico JAMICON de 3300 F del filtro de
salida del convertidor.

Figura 3.6.10: Corriente absorbida por el condensador electroltico de 3300 F del filtro
de salida.
Se observa que uno de los condensadores electrolticos del filtro de salida
absorbe una forma de onda de corriente aproximada a una senoide de 1 A pico-a-pico.

100

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

3.6.4.4. Corriente absorbida por los condensadores cermicos de salida

Finalmente, en la fig. 3.6.11 se muestra la onda de corriente absorbida por uno


de los condensadores cermicos multicapa SIEMENS de 3,3 F del filtro de salida del
convertidor.

Figura 3.6.11: Corriente absorbida por un condensador cermico multicapa de 3,3 F del
filtro de salida.
Se puede afirmar segn la grfica, que el rizado de corriente absorbida por cada
uno de los 5 condensadores cermicos multicapa son pulsos a la frecuencia de
conmutacin (50 kHz) que a su vez contienen rizados a frecuencias superiores, unos 300
kHz.

101

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Medidas en el Laboratorio

TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002


EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

102

4 PLANOS

103

1k
D13

Isense

1
MBR360

NTH 12

R29

R8
10

Q5
MOSFET N

42V_Side

C4
+
1200uF

C3
+
1200uF

C7
+
1200uF

C6
+
1200uF

C17
+
1200uF

C1

C8
10nF

R9
10

T3

C5

L1

1
2
Q4
D2 N CON2
MOSFET

+
1200uF

22uF

14V_Side

J5

TRANSFORMER

C2

40u

22uF

C18
+
2200uF

C20
+

C21
3.3uF

C22
3.3uF

C23
3.3uF

C24
3.3uF

VCC

D15

3.3uF

3300uF

1N4148

PBYR20100

Ho

LOAD

BUCK

R5
8

100k
R16

Dz
D9

R17
5.6
J4

1
2
Lo

CON2

R6
8
100k
R7

Dz
D11

A
Title
Size
A4

Date:

PLANTA
Document Number

Rev
001

AGOSTO 2002

0
Sheet

of

PWM

VCC1
R26

R24
10k

100

C39
0.1nF

R27
1
100

R25
10k
3

U14
1
2
3
4
5
6
7

IN1A1
Vcc
IN2A1 IN1A3
OUTA1 IN2A3
OUTA2OUTA3
IN1A2 OUTA4
IN2A2 IN1A4
Vss
IN2A4

14
13
12
11
10
9
8

C43
1uF

+
Hin

4001B

C40
0.1nF

B
Lin

Generador de dead-time

A
Title
Size
A4

Date:

GENERADOR DE DEAD-TIME
Document Number

Rev
002

AGOSTO 2002

0
Sheet

of

C
U9
BDX33C

42V_Side

D14

1N4148

1800 1W
R28
R31

D12 3k3
Dz

VCC

C41
10uF

C12
1uF

Regulador de tensin

A
Title
Size
A4

Date:

REGULADOR DE TENSIN
Document Number

Rev
0

003
AGOSTO 2002

Sheet

of

U6
BDX53

VCC
1

1
2
3
4
5
6
7
R23

nc1
nc3
ILIM
FREQ
ISENSE +Vs
INV
Vc
NINV
Vo
Vref
Vz
-Vs
nc2

VCC1

C
C37

2
0.5 1W

U5

C36
1uF

R20

14
13
12
11
10
9
8

C38

100pF

R21

1uF

8k2

R22
12k

LM723

10k
Vref(7.1V)

Regulador de tensin de precisin

A
Title
Size
A4

Date:

REGULADOR DE PRECISIN
Document Number

Rev
0

004
AGOSTO 2002

Sheet

of

VCC1
D8

C9
1uF

C10

C11

1N4148

1uF

200nF

U18 IR 2110

Lin

8
9
10
11

VB
HO
VS
nc1
Vcc
LIN
LO
nc3 COM

6
7
5
4
3
1
2

Ho
LOAD
Lo

13

12
14

nc2
Vdd
HIN
SD

Vss

Hin

D10
MBR360

DRIVER

A
Title
Size
A4

Date:

DRIVER
Document Number

Rev
0

005
AGOSTO 2002

Sheet

of

Lazo abierto
R54
1k

Isense
1
R50

5k

C28
454pF

1
2
3
7
6

C29
113pF

47k
R18
1K

15

PWM

14
12

3
VCC1

R58
4k7

R56
1

R57

VCC1
VCC1

+E
Vin
-E
COMP Css
+CS
RST
-CS OUTB
OUTA
GND
SD
RT
VC
CT
RD
Vref
Sync

17

C34

1uF

C26 10nF

4
5
16
13
8
9
10
11
18

47k
R53

C25
2nF

UC3526

C27
100nF

1k

1K

VCC1

U19

+e

R51

R55
1k

CONTROL DE CORRIENTE

REGULADOR

PWM

Lazo abierto

A
Title
Size
A4

Date:

REGULADOR PWM
Document Number

Rev
0

006
AGOSTO 2002

Sheet

of

14V_Side

1000k

VCC1 220nF
C32

90.9k

2
C30
1nF

1OUT
1IN1IN+
GND

VDD+
2OUT
2IN2IN+

8
7
6
5

C31
22nF

TLC2272

+e
Vref(7.1V)

1k

1
2
3
4

U20

R12

R52

1
R11

C33

220nF

CONTROL DE TENSIN

A
Title
Size
A4

Date:

CONTROL DE TENSIN
Document Number

Rev
0

007
AGOSTO 2002

Sheet

of

Convertidor Reductor con Rectificacin

Planos

111

Convertidor Reductor con Rectificacin

Planos

112

Convertidor Reductor con Rectificacin

Planos

113

5 PRESUPUESTO

114

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

NDICE PRESUPUESTO

5.

PRESUPUESTO.......................................................................................116

5.1.
AMIDAMIENTOS..................................................................................... 116
5.2.
PRECIOS UNITARIOS ............................................................................. 118
5.3.
APLICACIN DE PRECIOS .................................................................... 120
5.4.
RESUMEN DEL PRESUPUESTO............................................................ 122
5.4.1.
PRESUPUESTO DE EJECUCIN MATERIAL ........................... 122
5.4.2.
PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA.................. 123
5.4.3.
PRESUPUESTO GLOBAL............................................................. 124

115

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

5 Presupuesto

5.1.

AMIDAMIENTOS

NMERO

DESCRIPCIN

DENOMINACIN CANTIDAD

001

Aislante trmico disipador-TO220

002

Amplificador Operacional TLC2272

003

Cable cobre dimetro 0,8 mm PIRESOLD


Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm
PIRESOLD

004

4u
U20

1u
4 cm
90 m

005

Condensador 22 Nf

C31

1u

006

Condensador 1 nF

C30

1u

007

Condensador 200 nF(bootstrap)

C11

1u

008

Condensador cermico 0,1 nF 100 V


Condensador cermico multicapa SIEMENS
3,3 uF 50 V

C39,C40
C20,C21,C22,C23,
C24

2u

C41

1u

C19

1u

014

Condensador polister 1 uF 63 V

C18
C17,C3,C4,C5,C6,
C7
C36,C37,C34,C43,
C12,C9,C10

1u

013

Condensador electroltico 10 uF 63 V
Condensador electroltico JAMICON 2200 uF
25 V
Condensador electroltico JAMICON 3300 uF
25 V
Condensador electroltico PANASONIC 1200
uF 63 V

015

Condensador polister 10 nF 100 V

C8,C26

2u

016

Condensador polister 100 nF 63 V

C27

1u

017

Condensador polister 100 pF 63 V

C38,C29

2u

018

Condensador polister 220 nF

C32,C33

2u

009
010
011
012

5u

6u
7u

019

Condensador polister 2n2 100 V

C25

1u

020

C28

1u

021

Condensador polister 470 pF


Condensador polister metalizado EVOX MMK
22 uF 63 V

022

Conector tipo banana hembra

023

Darlington BDX33C

024

Diodo bipolar 1N4148

025

Diodo Schottky MBR360

026

Diodo Schottky PBYR20100

027

Diodo Zener 15V

028

Disipador de calor 1,2 C/W

C1,C2

2u

J1+,J1-,J2+,J2-

4u

U9,U6

2u

D8,D15,D14

3u

D13,D10

2u

D2

1u

D9,D11,D12

3u
1u

116

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

029

Driver IR 2110

030

Fabricacin del circuito impreso

U18

1u

031

NOR CMOS 4001B

032

Ncleo MM2A 77076A7 Kool M


Cores MAGNETICS

033

Ncleo NTH12 ARISTON

034

Patas PCB

035

Potencimetro multivuelta 1 k

R12,R29,R57

3u

036

Potencimetro multivuelta 10 k

R24,R25

2u

037

Potencimetro multivuelta 100 k

R11

1u

038

Potencimetro multivuelta 1000 k

R52

1u

039

Potencimetro multivuelta 47 k

R51,R53

2u

040

Potencimetro multivuelta 5 k

R50

1u

041

Regulador PWM UC3526

U19

1u

042

Regulador tensin LM723

U5

1u

043

Resistencia 1800 , 2 W

R28

1u

044

Resistencia 5,6 , 1 W

R17

1u

1u

U14

1u

L1

1u

TRANSFORMER

1u

Powder

4u

045

Resistencia 8 , 1 W

046

Resistencia cable bobinado 0,5 , 1 W

R5,R6

2u

R20

1u

047

Resistencia de carbn 1 k 1/4 W

R18,R56,R54,R55

4u

048

Resistencia de carbn 10 1/4 W

R8,R9

2u

049

Resistencia de carbn 10 k 1/4 W

R23

1u

050

Resistencia de carbn 100 1/4 W

R26,R27

2u

051

Resistencia de carbn 100 k 1/4 W

R7,R16

2u

052

Resistencia de carbn 12 k 1/4 W

R22

1u

053

Resistencia de carbn 3k3 1/4 W

R31

1u

054

Resistencia de carbn 4k7 1/4 W

R58

1u

055

Resistencia de carbn 8k2 1/4 W

R21

1u

056

Tornillos

057

Transistor MOSFET STP75NE75

9u
Q4,Q5

2u

058

Tuercas

5u

059

Zcalo torneado D.I.L. 14 pines

3u

060

Zcalo torneado D.I.L. 18 pines

1u

061

Zcalo torneado D.I.L. 8 pines

1u

117

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

5.2.

Presupuesto

PRECIOS UNITARIOS

NMERO

DESCRIPCIN

P.U. ()

001

Aislante trmico disipador-TO220

002

Amplificador Operacional TLC2272

0,24
1,95

003

Cable cobre dimetro 0,8 mm PIRESOLD

0,01

004

Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm PIRESOLD

0,54

005

Condensador 22 nF

0,18

006

Condensador 1 nF

0,17

007

Condensador 200 nF(bootstrap)

0,18

008

0,15

009

Condensador cermico 0,1 nF 100 V


Condensador cermico multicapa SIEMENS 3,3 uF 50
V

010

Condensador electroltico 10 uF 63 V

0,24

011

Condensador electroltico JAMICON 2200 uF 25 V

1,21

012

Condensador electroltico JAMICON 3300 uF 25 V

1,50

013

Condensador electroltico PANASONIC 1200 uF 63 V

1,88

014

Condensador polister 1 uF 63 V

1,08

015

Condensador polister 10 nF 100 V

0,19

016

Condensador polister 100 nF 63 V

0,12

1,05

017

Condensador polister 100 pF 63 V

0,12

018

Condensador polister 220 nF

0,24

019

Condensador polister 2n2 100 V

0,18

020

0,15

021

Condensador polister 470 pF


Condensador polister metalizado EVOX MMK 22 uF
63 V

022

Conector tipo banana hembra

4,46

023

Darlington BDX33C

0,84

024

Diodo bipolar 1N4148

0,03

025

Diodo Schottky MBR360

0,39

026

Diodo Schottky PBYR20100

2,06

027

Diodo Zener 15V

0,05

028

Disipador de calor 1,2 C/W

9,05

029

Driver IR 2110

3,58

030

Fabricacin del circuito impreso

031

NOR CMOS 4001B

032

Ncleo MM2A 77076A7 Kool M


MAGNETICS

033

Ncleo NTH12 ARISTON

3,65

9
0,28

Powder Cores
2,40
0,90

118

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

034

Patas PCB

0,07

035

Potencimetro multivuelta 1 k

1,60

036

Potencimetro multivuelta 10 k

1,60

037

Potencimetro multivuelta 100 k

1,60

038

Potencimetro multivuelta 1000 k

1,80

039

Potencimetro multivuelta 47 k

1,60

040

Potencimetro multivuelta 5 k

1,60

041

Regulador PWM UC3526

10,13

042

Regulador tensin LM723

1,05

043

Resistencia 1800 , 2 W

0,13

044

Resistencia 5,6 , 1 W

0,08

045

Resistencia 8 , 1 W

0,08

046

Resistencia cable bobinado 0,5 , 1 W

0,49

047

Resistencia de carbn 1 k 1/4 W

0,04

048

Resistencia de carbn 10 1/4 W

0,04

049

Resistencia de carbn 10 k 1/4 W

0,04

050

Resistencia de carbn 100 1/4 W

0,04

051

Resistencia de carbn 100 k 1/4 W

0,04

052

Resistencia de carbn 12 k 1/4 W

0,04

053

Resistencia de carbn 3k3 1/4 W

0,04

054

Resistencia de carbn 4k7 1/4 W

0,04

055

Resistencia de carbn 8k2 1/4 W

0,04

056

Tornillos

0,03

057

Transistor MOSFET STP75NE75

2,55

058

Tuercas

0,02

059

Zcalo torneado D.I.L. 14 pines

1,36

060

Zcalo torneado D.I.L. 18 pines

1,73

061

Zcalo torneado D.I.L. 8 pines

0,81

119

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

5.3.

Presupuesto

APLICACIN DE PRECIOS

NMERO

DESCRIPCIN

CANTIDAD

P.U. ()

TOTAL

001

Aislante trmico disipador-TO220

4u

0,24

0,96

002

Amplificador Operacional TLC2272

1u

1,95

1,95

003

4 cm

0,01

0,01

004

Cable cobre dimetro 0,8 mm PIRESOLD


Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm
PIRESOLD

90 m

0,54

0,54

005

Condensador 22 nF

1u

0,18

0,18

006

Condensador 1 nF

1u

0,17

0,17

007

Condensador 200 nF(bootstrap)

1u

0,18

0,18

008

Condensador cermico 0,1 nF 100 V


Condensador cermico multicapa
SIEMENS 3,3 uF 50 V

2u

0,15

0,30

5u

1,05

5,26

1u

0,24

0,24

1u

1,21

1,21

1u

1,50

1,50

013

Condensador electroltico 10 uF 63 V
Condensador electroltico JAMICON 2200
uF 25 V
Condensador electroltico JAMICON 3300
uF 25 V
Condensador electroltico PANASONIC
1200 uF 63 V

6u

1,88

11,25

014

Condensador polister 1 uF 63 V

7u

1,08

7,57

015

Condensador polister 10 nF 100 V

2u

0,19

0,38

016

Condensador polister 100 nF 63 V

1u

0,12

0,12

017

Condensador polister 100 pF 63 V

2u

0,12

0,24

018

Condensador polister 220 nF

2u

0,24

0,48

019

Condensador polister 2n2 100 V

1u

0,18

0,18

020

1u

0,15

0,15

021

Condensador polister 470 pF


Condensador polister metalizado EVOX
MMK 22 uF 63 V

2u

3,65

7,31

022

Conector tipo banana hembra

4u

4,46

17,84

023

Darlington BDX33C

2u

0,84

1,68

024

Diodo bipolar 1N4148

3u

0,03

0,09

009
010
011
012

025

Diodo Schottky MBR360

2u

0,39

0,78

026

Diodo Schottky PBYR20100

1u

2,06

2,06

027

Diodo Zener 15V

3u

0,05

0,16

028

Disipador de calor 1,2 C/W

1u

9,05

9,05

029

Driver IR 2110

1u

3,58

3,58

030

Fabricacin del circuito impreso

1u

031

NOR CMOS 4001B

1u

0,28

0,28

032

Ncleo MM2A 77076A7 Kool M


Powder Cores MAGNETICS

1u

2,40

2,40

120

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

033

Ncleo NTH12 ARISTON

1u

0,90

0,90

034

Patas PCB

4u

0,07

0,29

035

Potencimetro multivuelta 1 k

3u

1,60

4,80

036

Potencimetro multivuelta 10 k

2u

1,60

3,21

037

Potencimetro multivuelta 100 k

1u

1,60

1,60

038

Potencimetro multivuelta 1000 k

1u

1,80

1,80

039

Potencimetro multivuelta 47 k

2u

1,60

3,21

040

Potencimetro multivuelta 5 k

1u

1,60

1,60

041

Regulador PWM UC3526

1u

10,13

10,13

042

Regulador tensin LM723

1u

1,05

1,05

043

Resistencia 1800 , 2 W

1u

0,13

0,13

044

Resistencia 5,6 , 1 W

1u

0,08

0,08

045

Resistencia 8 , 1 W

2u

0,08

0,17

046

Resistencia cable bobinado 0,5 , 1 W

1u

0,49

0,49

047

Resistencia de carbn 1 k 1/4 W

4u

0,04

0,17

048

Resistencia de carbn 10 1/4 W

2u

0,04

0,08

049

Resistencia de carbn 10 k 1/4 W

1u

0,04

0,04

050

Resistencia de carbn 100 1/4 W

2u

0,04

0,08

051

Resistencia de carbn 100 k 1/4 W

2u

0,04

0,08

052

Resistencia de carbn 12 k 1/4 W

1u

0,04

0,04

053

Resistencia de carbn 3k3 1/4 W

1u

0,04

0,04

054

Resistencia de carbn 4k7 1/4 W

1u

0,04

0,04

055

Resistencia de carbn 8k2 1/4 W

1u

0,04

0,04

056

Tornillos

9u

0,03

0,27

057

Transistor MOSFET STP75NE75

2u

2,55

5,10

058

Tuercas

5u

0,02

0,09

059

Zcalo torneado D.I.L. 14 pines

3u

1,36

4,07

060

Zcalo torneado D.I.L. 18 pines

1u

1,73

1,73

061

Zcalo torneado D.I.L. 8 pines

1u

0,81

0,81

121

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Presupuesto

5.4.

RESUMEN DEL PRESUPUESTO

5.4.1.

PRESUPUESTO DE EJECUCIN MATERIAL

DENOMINACIN

CANTIDAD

CONVERTIDOR
REDUCTOR CON
RECTIFICACIN
SNCRONA

TOTAL

PRECIO
UNITARIO ()
129,27

TOTAL ()
129,27

129,27

El presupuesto de ejecucin material asciende a CIENTO VEINTI


NUEVE EUROS CON VEINTI SIETE CNTIMOS.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

122

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

5.4.2.

Presupuesto

PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA

PRESUPUESTO DE EJECUCIN
MATERIAL
10 % BENEFICIO INDUSTRIAL
15 % GASTOS GENERALES
TOTAL

129,27
12,93
19,39
161,59

El presupuesto de ejecucin por contrata asciende a CIENTO SESENTA Y


UN EUROS CON CINCUENTA Y NUEVE CNTIMOS.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

123

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

5.4.3.

Presupuesto

PRESUPUESTO GLOBAL

PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA


16 % I.V.A.
TOTAL

161,59
25,85
187,44

El presupuesto global asciende a CIENTO OCHENTA Y SIETE EUROS


CON CUARENTA Y CUATRO CNTIMOS.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

124

6 PLIEGO DE CONDICIONES

125

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Pliego de Condiciones

NDICE PLIEGO DE CONDICIONES

6.

PLIEGO DE CONDICIONES.............................................127

6.1.
DISPOSICIONES Y ABARQUE DEL PLIEGO DE CONDICIONES .... 127
6.1.1.
Objetivo del pliego............................................................................ 127
6.1.2.
Descripcin General del Montaje ..................................................... 128
6.2.
CONDICIONES DE LOS MATERIALES. ............................................... 129
6.2.1.
Especificaciones Elctricas............................................................... 129
6.2.1.1.
Especificaciones del sistema. .................................................. 129
6.2.1.2.
Conductores Elctricos............................................................ 129
6.2.1.3.
Componentes Pasivos.............................................................. 130
6.2.1.4.
Componentes Activos.............................................................. 130
6.2.1.5.
Zcalos Torneados Tipo D.I.L. ............................................... 130
6.2.1.6.
Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin........................... 131
6.2.2.
Especificaciones Mecnicas.............................................................. 131
6.2.2.1.
Placas de circuito impreso. ...................................................... 131
6.3.
CONDICIONES DE LA EJECUCIN...................................................... 132
6.3.1.
Encargo y Compra del Material. ....................................................... 132
6.3.2.
Construccin del Inductor................................................................. 132
6.3.3.
Fabricacin del transformador. ......................................................... 132
6.3.4.
Fabricacin del Circuito Impreso...................................................... 133
6.3.5.
Soldadura de los Componentes. ........................................................ 134
6.4.
CONDICIONES FACULTATIVAS.......................................................... 135
6.5.
CONCLUSIONES...................................................................................... 136

126

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Pliego de Condiciones

6 Pliego de Condiciones
6.1. DISPOSICIONES Y ABARQUE DEL PLIEGO DE
CONDICIONES

6.1.1.

Objetivo del pliego

El objetivo de este proyecto es el estudio de un convertidor reductor con


rectificacin sncrona aplicado a altas tensiones. Este proyecto es un proyecto
profundamente de investigacin, esto implica que el prototipo se ha diseado teniendo
en cuenta la accesibilidad y la facilidad de estudio omitiendo su desarrollo industrial.
En caso de una futura aplicabilidad industrial se deberan tener en cuenta aspectos
como por ejemplo protecciones contra sobretensiones, contra cortocircuitos, etc.
Como gua para una futura aplicabilidad industrial se ha redactado este
pliego de condiciones.
El presente pliego de condiciones define, entre otros, los aspectos siguientes:
-Obras que componen el proyecto.
-Caractersticas exigibles a los materiales y componentes.
-Detalles de la ejecucin.
-Programa de obras.
Dado el amplio abanico de detalles tratados, si se presentasen dudas a la hora de
poner el proyecto en marcha lo ms recomendable es consultar al proyectista.

127

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.1.2.

Pliego de Condiciones

Descripcin General del Montaje

A continuacin se enumeran las diferentes partes que componen la obra,


poniendo especial nfasis en el orden establecido, no efectuando una actividad
concreta sin haber realizado previamente la anterior.
-Encargo y compra de los materiales y componentes necesarios.
-Construccin del inductor.
-Fabricacin de la placa de circuito impreso.
-Montaje de los componentes a la placa fabricada previamente.
-Montaje en caja (si es necesario) a cargo del director.
-Ajuste y comprobacin de los parmetros para el buen funcionamiento.
-Puesta en marcha del equipo.
-Controles de calidad. Fiabilidad.
-Mantenimiento del equipo. Informando debidamente a las personas que en un futuro
estarn a cargo del equipo.
Todas estas partes que en su conjunto forman la obra, tendrn que ser
ejecutadas por montadores que se sometern a las normas y reglas que la comunidad
autnoma, pas o bien comunidades internacionales tengan previstas para este tipo de
montajes, no hacindose responsable el proyectista de los desperfectos ocasionados
por su incumplimiento.

128

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.2.

Pliego de Condiciones

CONDICIONES DE LOS MATERIALES.

En este apartado se explican las caractersticas tcnicas exigibles a los


componentes presentes en la ejecucin de la obra.

6.2.1.

Especificaciones Elctricas.

6.2.1.1. Especificaciones del sistema.

El sistema deber cumplir las especificaciones resumidas en la Tabla 6.1


Tensin de entrada
Tensin de salida
Carga
Frecuencia de conmutacin
Rizado de tensin mximo en la salida

33 a 58 V
14 V
1,1 (resistiva)
50 kHz
140 mV

Tabla 6.1. Especificaciones del sistema.

6.2.1.2. Conductores Elctricos.

Los conductores utilizados sern internos a excepcin de los de alimentacin


y carga que reunirn condiciones especiales requeridas para los conductores
expuestos permanentemente al exterior. Cabe comentar que la utilizacin de la obra
tendr lugar en el interior de un laboratorio o una industria. El conductor de conexin
a la fuente de alimentacin primaria estar construido por una manguera de dos hilos
con una seccin de 4 mm2.

129

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Pliego de Condiciones

6.2.1.3. Componentes Pasivos.

Los componentes pasivos utilizados en el proyecto son los disponibles


tecnolgicamente en el momento de la redaccin de este proyecto. Las caractersticas
tcnicas se han incluido en el Anexo.

6.2.1.4. Componentes Activos.

Los componentes activos utilizados en el proyecto son los disponibles


tecnolgicamente en el momento de la redaccin de este proyecto. Las caractersticas
tcnicas se han incluido en el Anexo.

6.2.1.5. Zcalos Torneados Tipo D.I.L.

Todos los circuitos integrados que aparecen dispondrn de un zcalo para su


unin con la placa de circuito impreso. stos zcalos son de tipo D.I.L. (Dual in
Line) de contacto mecanizado de gran cantidad y perfil bajo; formados por contactos
internos de tipo cuatro dedos (3-5 m) de estao sobre una base de cobre-berilio
niquelado y con un recubrimiento de carbn estaado. Tambin estn amoldados
mediante un polister negro con fibra de vidrio ignfuga. Sus caractersticas se
encuentran en la Tabla 6.2.
Margen de temperaturas
Resistencia de contacto
Resistencia de aislamiento
Fuerza de insercin por contacto
Fuerza de extraccin por contacto
Fuerza de retencin por contacto

-55C a 125C
10 m (mximo)
1010
120 gr
80 gr
400 gr (mnimo)

Tabla 6.2. Caractersticas tcnicas de zcalos tipo D.I.L.

130

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Pliego de Condiciones

6.2.1.6. Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin.

Todos los aspectos tcnicos de la instalacin que, directa o indirectamente,


estn incluidos en el Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin, tendrn que cumplir
lo que se disponga en las respectivas normas.
Las instrucciones ms importantes relacionadas con la realizacin del
Proyecto son las siguientes:
M.I.B.T. 017

Instalaciones interiores o receptores.


Prescripciones de carcter general.

M.I.B.T. 029

Instalaciones a pequeas tensiones.

M.I.B.T. 030

Instalaciones a tensiones especiales.

M.I.B.T. 031

Receptores. Transformadores y autotransformadores.


Reactancias y rectificadores. Condensadores.

M.I.B.T. 044

6.2.2.

Normas U.N.E. de obligado cumplimiento.

Especificaciones Mecnicas.

6.2.2.1. Placas de circuito impreso.

El circuito de la obra se realizar sobre una placa de vidrio de doble cara con
presensibilizacin positiva.

131

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Pliego de Condiciones

6.3.

CONDICIONES DE LA EJECUCIN

6.3.1.

Encargo y Compra del Material.

La compra de los materiales, componentes y aparatos necesarios tendr que


realizarse con el tiempo necesario, de manera que estn disponibles en el momento
que comience el ensamblaje de los componentes.

6.3.2.

Construccin del Inductor.

A tal efecto se dispondr de cable de bobinar de dimetro 0,28 mm soldable.


En primer lugar se cortarn 57 hilos de unos 2 m. Despus se situarn juntos y se
enrollarn de manera que queden trenzados. Ms tarde se irn haciendo las 32 espiras,
consiguiendo que queden apretadas mximo al cuerpo del ncleo toroidal.

6.3.3.

Fabricacin del transformador.

Para la fabricacin del transformador se utilizar el mismo cable 0,28 mm


soldable mas un cable de 0,8 mm . Se cortar del primero un trozo de unos 2 m y un
trozo de unos 4 cm del segundo. Con el cable de 0,28 mm se irn haciendo las 100
espiras de manera que estn cada una al lado de la otra y bien apretadas al ncleo
toroidal. A continuacin, con el segundo cable se le dar 2 vueltas al ncleo de
manera que queden las 4 puntas de cable (2 por cada uno) ms o menos alineadas en
un punto del ncleo (para una fcil soldadura en la placa).

132

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.3.4.

Pliego de Condiciones

Fabricacin del Circuito Impreso.

A continuacin se detallan los pasos para la fabricacin del circuito impreso:


1.- Los materiales y aparatos para realizar la placa de circuito impreso son: insoladora
(o lmpara de luz actnica), revelador (o en su defecto disolucin de sosa custica y
agua, atacador rpido que se puede sustituir por una disolucin con la siguiente
composicin: 33% de HCL, 33% de agua oxigenada de 110 volmenes y 33% de
agua destilada), y por ltimo se necesitan las placas de circuito impreso de material
fotosensible positivo de doble cara y fibra de vidrio.
2.- La forma de operar ser la siguiente: en primer lugar se efectuar una copia de dos
planos de la placa (cara componentes y cara de soldadura) en papel de acetato.
Posteriormente se unirn las dos copias procurando la correspondencia entre las pistas
de las dos caras, dejando una ranura sin unir por donde se introducir la placa.
3.- El conjunto (copias en papel de acetato y placa) se expondr a la luz ultravioleta
de la insoladora. sta recubre la placa y las copias en acetato con un material plstico
al cual se le aplica el vaco evitando que se formen burbujas de aire entre el papel de
acetato y la placa. A continuacin se expone el conjunto a la luz ultravioleta durante
el tiempo que aconseje el fabricante. Este tiempo de exposicin depende de la
lmpara utilizada, de la distancia de sta respecto de la placa, del material fotosensible
y del envejecimiento del mismo. El fabricante recomendar cual es el tiempo ptimo.
4.- Una vez acabada la exposicin, se retira la placa y se coloca dentro del lquido
revelador, el tiempo de atacado de revelado depende del fabricante de la placa de
circuito impreso, quien indicar cual es el ms adecuado. De todas formas, el proceso
puede darse por finalizado cuando las pistas se vean ntidamente y el resto de la
superficie se aprecie libre de cualquier sustancia fotosensible (se observa el cobre
limpio).
Cuando la placa ya est revelada se limpia con agua, que producir una
parada del proceso de revelado y ya se puede pasar al atacado: donde se sumerge la
placa en el atacador rpido o en la disolucin y se observa como desaparece el cobre
que no conforma el trazado de las pistas.
Una vez haya desaparecido toda la superficie de cobre que no conforma las
pistas se secar la placa del atacador y se limpiar para finalizar el proceso de
atacado.
5.- Finalmente se limpia la emulsin fotosensible que recubre las pistas (y que
impedir la soldadura) con alcohol o bien con acetato.
6.- Se realizarn los agujeros para soldar los terminales y despus se sueldan.

133

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.3.5.

Pliego de Condiciones

Soldadura de los Componentes.

Existen diversos mtodos para poner en contacto permanente dos


conductores elctricos, o lo que es lo mismo, realizar entre ellos una conexin
elctrica, pero el ms til, por sus excelentes caractersticas de sencillez, seguridad y
rapidez es la soldadura realizada mediante la aportacin de la fusin de una aleacin
metlica.
El proceso de soldadura consiste por tanto, en unir dos conductores de tipo y
forma diferentes (terminales de componentes entre s o un circuito impreso hilos y
cables, chasis metlicos) de forma que mediante la adicin de un tercer material
conductor en estado lquido, por fusin a una determinada temperatura, se forme un
compuesto intermetlico entre los tres conductores de tal manera que al enfriarse a la
temperatura ambiente se obtenga una unin rgida permanente.
La realizacin de la soldadura requiere unas condiciones iniciales a las que
superficies conductoras que se vayan a unir, as como los utensilios para soldar y
conseguir una soldadura de calidad. Se ha de tener en cuenta y vigilar constantemente
el estado de limpieza de los conductores que se pretenden soldar, ya que la presencia
de xidos, grasa y cualquier tipo de suciedad impide que la soldadura realizada sea de
la calidad necesaria de forma que pueda mantenerse sin ninguna degradacin con el
tiempo.

134

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.4.

Pliego de Condiciones

CONDICIONES FACULTATIVAS

Los permisos de carcter obligatorio necesarios para realizar la obra o la


utilizacin de la misma tendrn que obtenerse por parte de la empresa contratante,
quedando la empresa contratista al margen de todas las consecuencias derivadas de la
misma.
Cualquier retardo producido en el proceso de fabricacin por causas
debidamente justificadas, siendo stas alienas a la empresa contratista, ser aceptada
por el contratante, no teniendo ste ltimo derecho a reclamacin por daos y
prejuicios.
Cualquier demora no justificada supondr el pago de una multa por valor del
6% del importe total de fabricacin, para cada fraccin del retardo temporal (acordado
en el contrato).
La empresa contratista se compromete a proporcionar las mayores
facilidades al contratista para que la obra se realice de una forma rpida y adecuada.
El aparato cumplir los requisitos mnimos respecto el Proyecto encargado,
cualquier variacin o mejora sustancial en el contenido del mismo tendr que ser
consultada con el tcnico diseador (proyectista). Durante el tiempo que se haya
estimado la instalacin, el tcnico proyectista podr anunciar la suspensin
momentnea si as lo estimase oportuno.
Las caractersticas de los elementos y componentes sern las especificadas
en la memoria y el pliego de condiciones, teniendo en cuenta su perfecta colocacin y
posterior uso.
La contratacin de este proyecto se considerar vlida una vez las dos partes
implicadas, propiedad y contratista, se comprometan a concluir las clusulas del
contrato, por el cual tendrn que ser firmados los documentos adecuados en una
reunin conjunta en haber llegado a un acuerdo.
Los servicios de la empresa contratista se consideran finalizados des del
mismo momento en que el aparato se ponga en funcionamiento, despus la previa
comprobacin de su correcto funcionamiento.
El presupuesto no incluye gastos de tipo energtico ocasionados por el
proceso de instalacin, ni las obras que fuesen necesarias, que irn a cargo de la
empresa contratante.
El cumplimiento de las elementales comprobaciones por parte de la empresa
instaladora, no ser competencia del proyectista, el cual queda fuera de toda
responsabilidad derivada del incorrecto funcionamiento del equipo como
consecuencia de esta omisin.

135

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

6.5.

Pliego de Condiciones

CONCLUSIONES.

Las partes interesadas manifiestan que conociendo los trminos de este


Pliego de Condiciones y del proyecto adjunto, y estn de acuerdo con el que en l se
manifiesta.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL

Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez

136

7 ANEXOS

137

UC1526
UC2526
UC3526

Regulating Pulse Width Modulator


FEATURES

DESCRIPTION

8 To 35V Operation

5V Reference Trimmed To 1%

1Hz To 400kHz Oscillator Range

Dual 100mA Source/Sink Outputs

Digital Current Limiting

Double Pulse Suppression

Programmable Deadtime

Under-Voltage Lockout

Single Pulse Metering

Programmable Soft-Start

Wide Current Limit Common Mode Range

TTL/CMOS Compatible Logic Ports

The UC1526 is a high performance monolithic pulse width modulator


circuit designed for fixed-frequency switching regulators and other
power control applications. Included in an 18-pin dual-in-line package are a temperature compensated voltage reference, sawtooth oscillator, error amplifier, pulse width modulator, pulse metering and
setting logic, and two low impedance power drivers. Also included
are protective features such as soft-start and under-voltage lockout,
digital current limiting, double pulse inhibit, a data latch for single
pulse metering, adjustable deadtime, and provision for symmetry correction inputs. For ease of interface, all digital control ports are TTL
and B-series CMOS compatible. Active LOW logic design allows
wired-OR connections for maximum flexibility. This versatile device
can be used to implement single-ended or push-pull switching regulators of either polarity, both transformerless and transformer coupled. The UC1526 is characterized for operation over the full military
temperature range of -55C to +125C. The UC2526 is characterized
for operation from -25C to +85C, and the UC3526 is characterized
for operation from 0 to +70C.

Symmetry Correction Capability

Guaranteed 6 Unit Synchronization

BLOCK DIAGRAM

6/93

UC1526
UC2526
UC3526
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1, 2)

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Note 3)

Input Voltage (+VIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40V


Collector Supply Voltage (+VC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40V
Logic Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +5.5V
Analog Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +VIN
Source/Sink Load Current (each output) . . . . . . . . . . . . . 200mA
Reference Load Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Logic Sink Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Power Dissipation at TA = +25C (Note 2) . . . . . . . . . . 1000mW
Power Dissipation at TC = +25C (Note 2) . . . . . . . . . . 3000mW
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . -65C to +150C
Lead Temperature (soldering, 10 seconds) . . . . . . . . . . +300C
Note 1: Values beyond which damage may occur.
Note 2: Consult packaging section of databook for thermal
limitations and considerations of package.

Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +8V to +35V


Collector Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V to +35V
Sink/Source Load Current (each output) . . . . . . . . . 0 to 100mA
Reference Load Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to 20mA
Oscillator Frequency Range . . . . . . . . . . . . . . . . 1Hz to 400kHz
Oscillator Timing Resistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2k to 150k
Oscillator Timing Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1nF to 20F
Available Deadtime Range at 40kHz . . . . . . . . . . . . . 3% to 50%
Operating Ambient Temperature Range
UC1526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55C to +125C
UC2526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25C to +85C
UC3526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0C to +70C
Note 3: Range over which the device is functional and
parameter limits are guaranteed.

CONNECTION DIAGRAMS
DIL-18, SOIC-18 (TOP VIEW)
J or N Package, DW Package

PACKAGE PIN FUNCTION


FUNCTION
PIN

PLCC-20, LCC-20
(TOP VIEW)
Q and L Packages

N/C
+Error
-Error
Comp.
CSS _
_____
Reset
- Current Sense
+ Current Sense
_________
Shutdown
RTIMING
CT
RD
Sync
Output A
VC
N/C
Ground
Output B
+VIN
VREF

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: +VIN = 15V, and over operating ambient temperature, unless otherwise
specified, TA = TJ.
PARAMETER

TEST CONDITIONS

UC1526 / UC2526

UC3526

UNITS

MIN

TYP

MAX

MIN

TYP

MAX

4.95

5.00

5.05

4.90

5.00

5.10

10

20

10

30

mV

Reference Section (Note 4)


Output Voltage

TJ = + 25C

Line Regulation

+VIN = 8 to 35V

Load Regulation

IL = 0 to 20mA

10

30

10

50

mV

Temperature Stability

Over Operating TJ

15

50

15

50

mV

Total Output
Voltage Range

Over Recommended
Operating Conditions

4.90

5.00

5.10

4.85

5.00

5.15

Short Circuit Current

VREF = 0V

25

50

100

25

50

100

mA

0.2

0.4

0.2

0.4

Under
-Voltage Lockout
_______
RESET Output Voltage

VREF = 3.8V
VREF = 4.8V

2.4

Note 4: IL = 0mA.

4.8

2.4

4.8

UC1526
UC2526
UC3526
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: +VIN = 15V, and over operating ambient temperature, unless otherwise
specified, TA = TJ.
PARAMETER

TEST CONDITIONS

UC1526 / UC2526
MIN

TYP

MAX

UC3526
MIN

UNITS

TYP

MAX

Oscillator Section (Note 5)


Initial Accuracy

TJ = + 25C

Voltage Stability

+VIN = 8 to 35V

0.5

0.5

Temperature Stability

Over Operating TJ

10

Minimum Frequency

RT = 150k
, CT = 20
F

Maximum Frequency

RT = 2k
, CT = 1.0nF

Sawtooth Peak Voltage

+VIN = 35V

Sawtooth Valley Voltage

+VIN = 8V

1
400

%
Hz

400
3.0

0.5

5
1

3.5

1.0

kHz
3.0

0.5

3.5

1.0

V
V

Error Amplifier Section (Note 6)


Input Offset Voltage

RS 2k

Input Bias Current


Input Offset Current

10

mV

-350

-1000

-350

-2000

nA

35

100

35

200

nA

DC Open Loop Gain

RL 10M

64

72

60

72

dB

HIGH Output Voltage

VPIN1-VPIN2 150mV, ISOURCE =


100
A

3.6

4.2

3.6

4.2

LOW Output Voltage

A
VPIN2-VPIN1 150mV, ISINK = 100

Common Mode Rejection

Rs 12k

70

94

70

94

dB

Supply Voltage Rejection

+VIN = 12 to 18V

66

80

66

80

dB

0.2

0.4

0.2

0.4

PWM Comparator (Note 5)


Minimum Duty Cycle

VCOMPENSATION = +0.4V

Maximum Duty Cycle

VCOMPENSATION = +3.6V

0
45

49

2.4

4.0

0
45

49

2.4

4.0

%
%

Digital Ports (SYNC, SHUTDOWN, and RESET)


HIGH Output Voltage

ISOURCE =40
A

LOW Output Voltage

ISINK = 3.6mA

HIGH Input Current

VIH = +2.4V

-125

-200

LOW Input Current

VIL = +0.4V

-225

-360

100

110

-3

-10

0.2

0.4

0.2

V
0.4

-125

-200

-225

-360

100

120

mV

-3

-10

Current LImit Comparator (Note 7)


Sense Voltage

RS 50

90

Input Bias Current

80

Soft-Start Section
Error Clamp Voltage

RESET = +0.4V

Cs Charging Current

RESET =+2.4V

0.1

0.4

50

100

150

ISOURCE = 20mA

12.5

13.5

ISOURCE = 100mA

12

0.1

0.4

50

100

150

12.5

13.5

Output Drivers (Each Output) (Note 8)


HIGH Output Voltage
LOW Output Voltage

13

ISINK = 20mA

0.2

ISINK = 100mA
VC = 40V

Rise Time
Fall Time

____________
SHUTDOWN = +0.4V

Collector Leakage

Power Consumption (Note 9)


Standby Current

12

13

0.3

0.2

1.2

2.0

1.2

2.0

50

150

50

150

CL = 1000pF

0.3

0.6

0.3

0.6

CL = 1000pF

0.1

0.2

0.1

0.2

18

30

18

30

mA

Note 4: IL = 0mA.
Note 5: FOSC = 40kHz (RT = 4.12k 1%, CT = 0.1F 1%,
RD = 0)

Note 6: VCM = 0 to +5.2V


Note 8: VC = +15V
Note 9: +VIN = +35V, RT = 4.12k

0.3

UC1526
UC2526
UC3526
APPLICATIONS INFORMATION
Voltage Reference
The reference regulator of the UC1526 is based on a temperature compensated zener diode. The circuitry is fully
active at supply voltages above +8V, and provides up to
20mA of load current to external circuitry at +5.0V. In systems where additional current is required, an external
PNP transistor can be used to boost the available current.
A rugged low frequency audio-type transistor should be
used, and lead lengths between the PWM and transistor
should be as short as possible to minimize the risk of oscillations. Even so, some types of transistors may require
collector-base capacitance for stability. Up to 1 amp of
load current can be obtained with excellent regulation if
the device selected maintains high current gain.

Figure 2. Under-Voltage Lockout Schematic


Soft-Start Circuit

The soft-start circuit protects the power transistors and


rectifier diodes from high current surges during power
supply turn-on. When supply voltage is first applied
to the
_______
UC1526, the under-voltage lockout circuit holds RESET
LOW with Q3. Q1 is turned on, which holds the soft-start
capacitor voltage at zero. The second collector of Q1
clamps the output of the error amplifier to ground, guaranteeing zero duty cycle at the driver outputs. When
the
_______
supply voltage reaches normal operating range, RESET
will go HIGH. Q1 turns off, allowing the internal 100mA
current source to charge CS. Q2 clamps the error amplifier output to 1VBE above the voltage on CS. As the softstart voltage ramps up to +5V, the duty cycle of the PWM
linearly increases to whatever value the voltage regulation loop requires for an error null.

Figure 1. Extending Reference Output Current


Under-Voltage Lockout
The under-voltage lockout circuit protects the UC1526
and the power devices it controls from inadequate supply
voltage, If +VIN is too low,
the circuit disables the output
_______
drivers and holds the RESET pin LOW. This prevents
spurious output pulses while the control circuitry is stabilizing, and holds the soft-start timing capacitor in a discharged state.
The circuit consists of a +1.2V bandgap reference and
comparator circuit which is active when the reference
voltage has risen to 3VBE or +1.8V at 25C. When the reference voltage rises to approximately +4.4V,
the circuit
_______
enables the output drivers and releases the RESET pin,
allowing a normal soft-start. The comparator has 200mV
of hysteresis to minimize oscillation at the trip point.
When +VIN to the PWM is removed and the reference
_______
drops to +4.2V, the under-voltage circuit pulls RESET
LOW again. The soft-start capacitor is immediately discharged, and the PWM is ready for another soft-start cycle.

Figure 3. Soft-Start Circuit Schematic


Digital Control Ports
The three digital control ports of the UC1526 are bi-directional. Each pin can drive TTL and 5V CMOS logic directly, up to a fan-out of 10 low-power Schottky gates.
Each pin can also be directly driven by open-collector

The UC1526 can operate from a +5V supply by connecting the VREF pin to the +VIN pin and maintaining the supply between +4.8 and +5.2V.

UC1526
UC2526
UC3526

APPLICATIONS INFORMATION (cont.)


TTL, open-drain CMOS, and open-collector voltage comparators; fan-in is equivalent to 1 low-power Schottky
gate. Each port is normally HIGH; the pin_____
is pulled
LOW
_
to activate the particular function. Driving SYNC LOW initiates
a discharge cycle in the oscillator. Pulling
____________
SHUTDOWN LOW
immediately inhibits all PWM output
_______
pulses. Holding RESET LOW discharges the soft-start
capacitor. The logic threshold is +1.1V at +25C. Noise
immunity can be gained at the expense of fan-out with an
external 2k pull-up resistor to +5V.

Multiple devices can be synchronized together by programming one master unit for the desired frequency and
then sharing its sawtooth and clock waveforms with the
slave units. All CT terminals
______ are connected to the CT pin
of the master, _____
and _all SYNC terminals are likewise connected to the SYNC pin of the master. Slave RT terminals are left open or connected to VREF. Slave RD
terminals may be either left open or grounded.
Error Amplifier
The error amplifier is a transconductance design, with an
output impedance of 2M . Since all voltage gain takes
place at the output pin, the open-loop gain/frequency
characteristics can be controlled with shunt reactance to
ground. When compensated for unity-gain stability with
100pF, the amplifier has an open-loop pole at 800Hz.
The input connections to the error amplifier are determined by the polarity of the switching supply output voltage. For positive supplies, the common-mode voltage is
+5.0V and the feedback connections in Figure 6A are
used. With negative supplies, the common-mode voltage
is ground and the feedback divider is connected between
the negative output and the +5.0V reference voltage, as
shown in Figure 6B.

Figure 4. Digital Control Port Schematic


Oscillator
The oscillator is programmed for frequency and dead time
with three components: RT, CT and RD. Two waveforms
are generated: a sawtooth waveform at pin 10 for pulse
width modulation, and a logic clock at pin 12. The following procedure is recommended for choosing timing values:

Output Drivers
The totem-pole output drivers of the UC1526 are designed to source and sink 100mA continuously and
200mA peak. Loads can be driven either from the output
pins 13 and 16, or from the +VC, as required.
Since the bottom transistor of the totem-pole is allowed to
saturate, there is a momentary conduction path from the
+VC terminal to ground during switching. To limit the resulting current spikes a small resistor in series with pin 14
is always recommended. The resistor value is determined by the driver supply voltage, and should be chosen
for 200mA peak currents.

1. With RD = 0 (pin 11 shorted to ground) select values


for RT and CT from Figure 7 to give the desired oscillator
period. Remember that the frequency at each driver output is half the oscillator frequency, and the frequency at
the +VC terminal is the same as the oscillator frequency.
2. If more dead time is required, select a large value of
RD. At 40kHz dead time increases by 400ns/ .
3. Increasing the dead time will cause the oscillator frequency to decrease slightly. Go back and decrease the
value of RT slightly to bring the frequency back to the
nominal design value.
The UC1526 can be synchronized to an external logic
clock by programming the oscillator to free-run at a frequency 10% slower than the sync frequency. A periodic
______
LOW logic pulse approximately 0.5s wide at the SYNC
pin will then lock the oscillator to the external frequency.

Figure 5. Oscillator Connections and Waveforms

UC1526
UC2526
UC3526

Figure 6. Error Amplifier Connections

Figure 8. Single-Ended Configuration

Figure 7. Push-Pull Configuration

Figure 9. Driving N-channel Power Mosfets

TYPICAL CHARACTERISTICS
Oscillator Period vs RT and CT

Oscillation Period
6

Data Sheet No. PD60147-L

IR2110/IR2113
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Features
Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +500V or +600V


Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
Separate logic supply range from 5 to 20V
Logic and power ground 5V offset
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs

Description
The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed
power MOSFET and IGBT drivers with independent
high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies
enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL
output. The output drivers feature a high pulse
current buffer stage designed for minimum driver
cross-conduction. Propagation delays are matched
to simplify use in high frequency applications. The
floating channel can be used to drive an N-channel
power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts.

Product Summary
VOFFSET (IR2110)
(IR2113)

500V max.
600V max.

IO+/-

2A / 2A

VOUT

10 - 20V

ton/off (typ.)

120 & 94 ns

Delay Matching

10 ns

Packages

14 Lead PDIP
IR2110/IR2113

16 Lead PDIP
w/o leads 4 & 5
IR2110-2/IR2113-2

14 Lead PDIP
w/o Lead 4
IR2110-1/IR2113-1

16 Lead SOIC
IR2110S/IR2113S

Typical Connection
up to 500V or 600V

HO
V DD

V DD

VB

HIN

HIN

VS

SD

SD

LIN

LIN

V CC

V SS

V SS

COM

VCC

www.irf.com

TO
LOAD

LO

IR2110/IR2113
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions. Additional information is shown in Figures 28 through 35.

Symbol
VB

Definition

Min.

Max.

High side floating supply voltage (IR2110)

-0.3

525

(IR2113)

-0.3

625

Units

High side floating supply offset voltage

VB - 25

VB + 0.3

VHO

High side floating output voltage

VS - 0.3

VB + 0.3

VCC

Low side fixed supply voltage

-0.3

25

VLO

Low side output voltage

-0.3

VCC + 0.3

VDD

Logic supply voltage

-0.3

VSS + 25

VSS

Logic supply offset voltage

VCC - 25

VCC + 0.3

VIN

Logic input voltage (HIN, LIN & SD)

VSS - 0.3

VDD + 0.3

50

VS

dVs/dt
PD

RTHJA

Allowable offset supply voltage transient (figure 2)


Package power dissipation @ TA +25C

(14 lead DIP)

1.6

(14 lead DIP w/o lead 4)

1.5

(16 lead DIP w/o leads 4 & 5)

1.6

(16 lead SOIC)

1.25

(14 lead DIP)

75

Thermal resistance, junction to ambient

(14 lead DIP w/o lead 4)

85

(16 lead DIP w/o leads 4 & 5)

75

(16lLead SOIC)

100

TJ

Junction temperature

150

TS

Storage temperature

-55

150

TL

Lead temperature (soldering, 10 seconds)

300

V/ns

C/W

Recommended Operating Conditions


The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within the
recommended conditions. The VS and VSS offset ratings are tested with all supplies biased at 15V differential. Typical
ratings at other bias conditions are shown in figures 36 and 37.

Symbol

Definition

VB

High side floating supply absolute voltage

VS

High side floating supply offset voltage

Min.

Max.

VS + 10

VS + 20

Units

(IR2110)

Note 1

500

(IR2113)

Note 1

600
VB

VHO

High side floating output voltage

VS

VCC

Low side fixed supply voltage

10

20

VLO

Low side output voltage

VCC

VDD

Logic supply voltage

VSS + 4.5

VSS + 20

VSS

Logic supply offset voltage

VIN
TA

-5

Logic input voltage (HIN, LIN & SD)

VSS

VDD

Ambient temperature

-40

125

Note 1: Logic operational for VS of -4 to +500V. Logic state held for VS of -4V to -VBS.

www.irf.com

IR2110/IR2113
Dynamic Electrical Characteristics
VBIAS (VCC , VBS , VDD) = 15V, CL = 1000 pF, TA = 25C and VSS = COM unless otherwise specified. The dynamic
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.

Symbol

Definition

Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions

ton

Turn-on propagation delay

120

150

VS = 0V

toff

Turn-off propagation delay

94

125

VS = 500V/600V

tsd

Shutdown propagation delay

110

140

VS = 500V/600V

tr

Turn-on rise time

10

25

35

tf

Turn-off fall time

11

17

25

Delay matching, HS & LS turn-on/off

10

MT

ns
Figure 5

Static Electrical Characteristics


VBIAS (VCC, VBS, VDD) = 15V, TA = 25C and VSS = COM unless otherwise specified. The VIN, VTH and IIN parameters
are referenced to VSS and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The VO and IO parameters are
referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.

Symbol

Definition

Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions

VIH

Logic 1 input voltage

12

9.5

VIL

Logic 0 input voltage

13

6.0

VOH

High level output voltage, VBIAS - VO

14

1.2

VOL

Low level output voltage, VO

15

0.1

IO = 0A

IO = 0A

ILK

Offset supply leakage current

16

50

VB=VS = 500V/600V

IQBS

Quiescent VBS supply current

17

125

230

VIN = 0V or VDD

IQCC

Quiescent VCC supply current

18

180

340

IQDD

Quiescent VDD supply current

19

15

30

VIN = 0V or VDD

IIN+

Logic 1 input bias current

20

20

40

VIN = VDD

21
22

7.5

8.6

1.0
9.7

VIN = 0V

23

7.0

8.2

9.4

24

7.4

8.5

9.6

25

7.0

8.2

9.4

IO+

Logic 0 input bias current


VBS supply undervoltage positive going
threshold
VBS supply undervoltage negative going
threshold
VCC supply undervoltage positive going
threshold
VCC supply undervoltage negative going
threshold
Output high short circuit pulsed current

26

2.0

2.5

IO-

Output low short circuit pulsed current

27

2.0

2.5

IINVBSUV+
VBSUVVCCUV+
VCCUV-

www.irf.com

VIN = 0V or VDD

VO = 0V, VIN = VDD


PW 10 s
VO = 15V, VIN = 0V
PW 10 s

IR2110/IR2113
Functional Block Diagram
VB
UV
DETECT

VDD
HV
LEVEL
SHIFT

R Q
S

VDD /VCC
LEVEL
SHIFT

HIN

PULSE
FILTER

PULSE
GEN

R
R

Q
HO

S
VS

SD

VCC
VDD /VCC
LEVEL
SHIFT

LIN
S

R Q

UV
DETECT
LO
DELAY
COM

VSS

Lead Definitions
Symbol Description
VDD

Logic supply

HIN

Logic input for high side gate driver output (HO), in phase

SD

Logic input for shutdown

LIN

Logic input for low side gate driver output (LO), in phase

VSS

Logic ground

VB

High side floating supply

HO

High side gate drive output

VS

High side floating supply return

VCC

Low side supply

LO

Low side gate drive output

COM

Low side return

Lead Assignments

14 Lead PDIP

IR2110/IR2113
4

14 Lead PDIP w/o Lead 4 16 Lead PDIP w/o Leads 4 & 5 16 Lead SOIC (Wide Body)

IR2110-1/IR2113-1
IR2110-2/IR2113-2
Part Number

IR2110S/IR2113S
www.irf.com

STP75NE75
STP75NE75FP

N - CHANNEL 75V - 0.01 - 75A TO-220/TO-220FP


STripFET POWER MOSFET
TYPE

V DSS

R DS(on)

ID

STP75NE75
STP75NE75FP

75 V
75 V

< 0.013
< 0.013

75 A
40 A

TYPICAL RDS(on) = 0.01


EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
3

DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique Single Feature
Size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

TO-220

TO-220FP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM


APPLICATIONS
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
DC MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
DC-DC CONVERTERS
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS


Symbol

Parameter

Value
STP75NE75

V DS
V DGR

Un it

STP75NE75FP

Drain-source Voltage (VGS = 0)

75

Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)

75

20

V GS
ID

Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T c = 25 o C

75

40

V
A

ID

Drain Current (continuous) at T c = 100 oC

53

28

Drain Current (pulsed)

300

160

Total Dissipation at T c = 25 oC

160

50

Derating F actor

1.06

0.37

W /o C

I DM ()
P tot
V ISO

Insulation Withstand Voltage (DC)

dv/dt

Peak Diode Recovery voltage slope

Ts tg
Tj

Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature

() Pulse width limited by safe operating area

May 1999

2000
7
-65 to 175
175

V
V/ns
o
o

C
C

( 1) ISD 75 A, di/dt 300 A/s, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX

1/9

STP75NE75/FP
THERMAL DATA

R thj -case
R thj -amb
R thc-sink
Tl

Thermal Resistance Junction-case

Max

TO-220

TO-220FP

0.94

2.7

Thermal Resistance Junction-ambient


Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead Temperature F or Soldering Purpose

62.5
0.5
300

C/W

C/W
C/W
o
C

AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbo l

Max Value

Unit

IAR

Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive


(pulse width limited by Tj max)

Parameter

75

E AS

Single Pulse Avalanche Energy


(starting Tj = 25 o C, ID = IAR , V DD = 30V)

200

mJ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)


OFF
Symbo l
V (BR)DSS

Parameter
Drain-source
Breakdown Voltage

Test Con ditions


I D = 250 A

V GS = 0

I DSS

V DS = Max Rating
Zero Gate Voltage
Drain Current (V GS = 0) V DS = Max Rating

IGSS

Gate-body Leakage
Current (VDS = 0)

Min.

Typ.

Max.

75

Unit
V

T c = 125 oC

V GS = 20 V

1
10

A
A

100

nA

ON ()
Symbo l

Parameter

Test Con ditions

V GS(th)

Gate Threshold Voltage V DS = V GS

ID = 250 A

R DS(on)

Static Drain-source On
Resistance

V GS = 10V

ID = 37.5 A

I D(o n)

On State Drain Current

V DS > ID(o n) x R DS(on )ma x


V GS = 10 V

Min.

Typ.

Max.

Unit

0.01

0.013

75

DYNAMIC
Symbo l
g f s ()
C iss
C os s
C rss

2/9

Parameter

Test Con ditions

Forward
Transconductance

V DS > ID(o n) x R DS(on )ma x

Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance

V DS = 25 V

f = 1 MHz

I D =37.5 A
V GS = 0

Min.

Typ.

Max.

Unit

40

5300
850
310

pF
pF
pF

STP75NE75/FP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbo l

Parameter

Test Con ditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

t d(on)
tr

Turn-on Delay T ime


Rise Time

V DD = 40 V
I D = 40 A
R G = 4.7
V GS = 10 V
(Resistive Load, see fig. 3)

32
130

Qg
Q gs
Q gd

Total G ate Charge


Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge

V DD = 60 V ID = 75 A V GS = 10 V

150
30
62

200

nC
nC
nC

Typ.

Max.

Unit

ns
ns

SWITCHING OFF
Symbo l

Parameter

Test Con ditions

Min.

t d(of f)
tf

Turn-off Delay T ime


Fall T ime

V DD = 40 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
R G = 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)

150
45

ns
ns

tr (Voff)
tf
tc

Off-voltage Rise T ime


Fall T ime
Cross-over Time

V clamp = 60 V
I D = 75 A
V GS = 4.5 V
R G = 4.7
(Induct ive Load, see fig. 5)

35
60
100

ns
ns
ns

SOURCE DRAIN DIODE


Symbo l

Parameter

Test Con ditions

ISD
I SDM ()

Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)

V SD ()

Forward On Voltage

I SD = 75 A

Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current

I SD = 75 A
di/dt = 100 A/s
T j = 150 o C
V DD = 30 V
(see test circuit, fig. 5)

t rr
Q rr
I RRM

Min.

Typ.

Max.

Unit

43
170

A
A

1.5

V GS = 0
130

ns

0.6

() Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %


() Pulse width limited by safe operating area

Safe Operating Area for TO-220

Safe Operating Area for TO-220FP

3/9

STP75NE75/FP
Thermal Impedance for TO-220

Thermal Impedance forTO-220FP

Output Characteristics

Transfer Characteristics

Transconductance

Static Drain-source On Resistance

4/9

LM723

HIGH PRECISION VOLTAGE REGULATOR

INPUT VOLTAGE UP TO 40V


OUTPUT VOLTAGE ADJUSTABLE FROM 2
TO 37V
POSITIVE OR NEGATIVE SUPPLY
OPERATION
SERIES, SHUNT, SWITCHING OR
FLOATING OPERATION
OUTPUT CURRENT TO 150mA WITHOUT
EXTERNAL PASS TRANSISTOR
ADJUSTABLE CURRENT LIMITING

DESCRIPTION

Plastic DIP-14

SO-14

The LM723 is a monolithic integrated


programmable voltage regulator, assembled in
14-lead dual in-line plastic and SO-14
micropackage. The circuit provides internal
current limiting. When the output current excedes
150mA an external NPN or PNP pass element
may be used. Provisions are made for adjustable
current limiting and remote shut-down.

BLOCK DIAGRAM

September 1998

1/12

LM723
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol

Parameter

Value

Unit

LM723

LM723C

Vi

DC Input Voltage

40

40

V i-o

Dropout Voltage

40

40

Io

Output Current

150

150

mA

I ref

Current from Vref

15

25

mA

To p

Operating Temperature

-55 to 125

0 to 70

T stg

Storage Temperature

-65 to 150

-65 to 150

150

125

Plastic DIP-14

SO-14

Tj

Junction Temperature

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS


Symbol

Parameter

R thj-a mb Thermal Resistance Junction-Ambient

Max

200

160

PIN CONNECTION (top views)

ORDER CODES
Type

Plastic DIP-14

SO-14

LM723
LM723C

LM723N
LM723CN

LM723CD

TEST CIRCUIT (pin configuration relative to the plastic package)

Vi = 12V
Vo = 5V
Io = 1mA
R1/R2 10K

2/12

Unit
o

C/W

LM723
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR LM723 (refer to the test circuits, Tamb = 25 oC,
unless otherwise specified)
Symbol

Parameter

V o/V i Line Regulation

Vo /V o Load Regulation

Test Conditions

Min.

Vi = 12 to 15V
Vi = 12 to 40V
Vi = 12 to 15V

-55 C Tamb 125 C

Io = 1 to 50 mA
Io = 1 to 10 mA

-55 C Tamb 125 C

V REF

Reference Voltage

Iref = 160 A

SVR

Supply Voltage Rejection

f = 100 Hz to 10 KHz
f = 100 Hz to 10 KHz

6.95

Typ.

Max.

Unit

0.01
0.02

0.1
0.2
0.3

%
%
%

0.03

0.15
0.6

%
%

7.15

7.35

74
86

Cref = 0
Cref = 5 F

V o /T Output Voltage Drift


I sc

Output Current Limit

Vi

Input Voltage Range

Vo

Output Voltage Range

150
65

Rsc = 10 Vo = 0

Id

Quiescent Current

K VH

Long Term Stability

eN

Output Noise Voltage

40

37

38

mA

Vi = 30 V Io = 0 mA

2.3

BW = 100 Hz to 10 KHz
BW = 100 Hz to 10 KHz

ppm/ oC
mA

9.5

V o -V i

V
dB
dB

Cref = 0
Cref = 5 F

0.1

%/1000
hrs

20
2.5

V
V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR LM723C (refer to the test circuits, Tamb = 25 oC,
unless otherwise specified)
Symbol

Parameter

V o/V i Line Regulation

Vo /V o Load Regulation

Test Conditions

Min.

Vi = 12 to 15V
Vi = 12 to 40V
Vi = 12 to 15V

0oC Tamb 70oC

Io = 1 to 50 mA
Io = 1 to 10 mA

0 C Tamb 70 C

V REF

Reference Voltage

Iref = 160 A

SVR

Supply Voltage Rejection

f = 100 Hz to 10 KHz
f = 100 Hz to 10 KHz

Typ.

Max.

Unit

0.01
0.1

0.1
0.5
0.3

%
%
%

0.03

0.2
0.6

%
%

7.15

7.5

6.8

74
86

Cref = 0
Cref = 5 F

V o /T Output Voltage Drift


I sc

Output Current Limit

Vi

Input Voltage Range

Vo

Output Voltage Range

150
65

Rsc = 10 Vo = 0

V o -V i
Id

Quiescent Current

K VH

Long Term Stability

eN

Output Noise Voltage

Vi = 30 V Io = 0 mA

BW = 100 Hz to 10 KHz
BW = 100 Hz to 10 KHz

ppm/ oC
mA

9.5

40

37

38

mA

2.3

Cref = 0
Cref = 5 F

V
dB
dB

0.1

%/1000
hrs

20
2.5

V
V

3/12

LM723
Figure 1 : Maximum Output Current vs. Voltage
Drop.

Figure 2 : Current Limiting Characteristics.

Figure 3 : Current Limiting Characteristics vs.


Junction Temperature.

Figure 4 : Load Regulation Characteristics


without Current Limiting.

Figure 5 : Load Regulation Characteristics with


Current Limiting.

Figure 6 : Load Regulation Characteristics with


Current Limiting

4/12

LM723
Figure 7 : Line Regulation vs. Voltage Drop.

Figure 8 : Load Regulation vs. Voltage Drop.

Figure 9 : Quiescent Drain Current vs. Input


Voltage.

Figure 10 : Line Transient Response.

Figure 11 : Load Transient Response.

Figure 12 : Output Impedance vs. Frequency.

5/12

LM723
TABLE 1: Resistor Values (K) for standard Output Voltages
Output
Voltage

Applicable Figures

+3

Fixed Output 5%

Output Adjustable 10% *

R1

R2

R1

P1

R2

13, 16, 17, 18, 21, 23

4.12

3.01

1.8

0.5

1.2

+5

13, 16, 17, 18, 21, 23

2.15

4.99

0.75

0.5

2.2

+6

13, 16, 17, 18, 21, 23

1.15

6.04

0.5

0.5

2.7

+9

14, 16, 17, 18, 21, 23

1.87

7.15

0.75

2.7

+12

14, 16, 17, 18, 21, 23

4.87

7.15

+15

14, 16, 17, 18, 21, 23

7.87

7.15

3.3

+28

14, 16, 17, 18, 21, 23

21

7.15

5.6

+45

19

3.57

48.7

2.2

10

39

+75

19

3.57

78.7

2.2

10

68

+100

19

3.57

102

2.2

10

91

+250

19

3.57

255

2.2

10

240

-6**

15

3.57

2.43

1.2

0.5

0.75

-9

15

3.48

5.36

1.2

0.5

-12

15

3.57

8.45

1.2

0.5

3.3

-15

15

3.65

11.5

1.2

0.5

4.3

-28

15

3.57

24.3

1.2

0.5

10

-45

20

3.57

21.2

2.2

10

33

-100

20

3.57

97.6

2.2

10

91

-250

20

3.57

249

2.2

10

240

Note:
* Replace R1/R2 divider with the circuit of fig24.
** V+ must be connected to a +3V or greater supply.

TABLE 2: Formulae for Intermediate Output Voltages


Outputs from +2 to +7V
Fig.13, 16, 17, 18, 21, 23
R2
V O = [ Vref x
]
R1 + R2

Outputs from +4 to +250V


Fig.19
Vr ef R2 R 1
x
; R3 = R 4
VO =
R1
2

Current Limiting

O utputs from +7 to +37V


F ig.14, 16, 17, 18, 21, 23
R1 + R2
V O = [ Vref x
]

Outputs from -6 to -250V


Fig.15, 20
Vr ef R1 + R 2
; R = R4
VO =
x
R1 3
2

Foldback Current Limiting


VO R3 VSENSE (R3 + R4)
IKNEE =
x

R sc R4

R sc R4

R2

I LIMI T =

I SHORT

6/12

CKT

VSENSE
R sc

VSENSE R 3 + R4
=
x
R4
Rsc

LM723
APPLICATION INFORMATION (pin numbers relative to the plastic package).
Figure 13 : Basic Low Voltage Regulator
(Vo = 2 to 7V).

R1 R2
for minimum temperature drift.
R1 + R2
R3 may be eliminated for minimum component count.
Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. .........5V
Line Regulation (Vi = 3V) ......................... ................. ...0.5mV
Load Regulation (IO = 50mA) ................... ................. ... 1.5mV
Note; R3 =

Figure 15 : Negative Voltage Regulator.

Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ...............15V
Line Regulation (Vi = 3V)............. ................. ................. ..1mV
Load Regulation (IO = 100mA) ..................... ................. ..2mV

Figure 14 : Basic High Voltage Regulator


(Vo = 7 to 37V).

R1 R2
for minimum temperature drift.
R1 + R2
R3 may be eliminated for minimum component count.
Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ........ 15V
Line Regulation (Vi = 3V).............. ................. .............. 1.5mV
Load Regulation (IO = 50mA).................. ................. .... 4.5mV
Note; R3 =

Figure 16 : Positive Voltage Regulator (external

Typical performance
Regulated Output Voltage............... ................. ............... + 15V
Line Regulation (Vi = 3V)........................ ................. .... 1.5mV
Load Regulation (IO = 1A)............. ................. ............... 15mV

7/12

LM723
APPLICATION INFORMATION (continued).
Figure 17 : Positive Voltage Regulator (External
PNP Pass Transistor)

Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. .........5V
Line Regulation (Vi = 3V) ......................... ................. ...0.5mV
Load Regulation (IO = 1 A) .................. ............... ..........1.5mV

Figure 19 : Positive Floating Regulator

Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ............100 V
Line Regulation (Vi = 20V)............................ ............... 15 mV
Load Regulation (IO = 50mA) ....................... ............ ... 20 mV

8/12

Figure 18 : Foldback current limiting

Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ......... 5 V
Line Regulation (Vi = 3V).............. ................. .............. 0.5mV
Load Regulation (IO = 10mA).................. ................. ....... 1mV
Current Limit Knee..................... ............... ................. ....20 mA

Figure 20 : Negative Floating Regulator

Typical performance
Regulated Output Voltage............... ................. ............ - 100 V
Line Regulation (Vi = 20V)...................... ................. .... 30 mV
Load Regulation (IO = 100 mA)............... ................. .... 20 mV

LM723
APPLICATION INFORMATION (continued).
Figure 21 : Positive Switching Regulator

Figure 22 : Remote Shutdown Regulator With


Current Limiting

Note: current limi t transistor may be used for shutdown if


current limiting is not required.
Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. ........5 V
Line Regulation (Vi = 30 V) ........................... ............... 10 mV
Load Regulation (IO = 2 A) .................. ............... ..........80 mV

Figure 23 : Shunt Regulator.

Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ......... 5 V
Line Regulation (Vi = 3 V) ....................... ................. ... 0.5 mV
Load Regulation (IO = 50 mA)............ ................. ........ 1.5 mV

Figure 24 : Output Voltage Adjust

Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ................5 V
Line Regulation (Vi = 10 V)................. ............... .............2 mV
Load Regulation (IO = 100 mA) ............... ................. ......5 mV

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