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TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un
dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese
amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la
union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de
deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del
igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento

QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar
transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta
tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de
entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms
comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el
MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura
secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo
electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un
BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del
BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de
hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G)


o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde
al dibujo de la figura siguiente.

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello


que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

nterruptor bilateral de silicio

Smbolo esquemtico de un SBS.

Un Interruptor bilateral de silicio o SBS por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral Switch)
es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristores unidireccionales o
SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es
utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el control de disparo de dispositivos
que entregan potencia elctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia
consiste en que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de

una fuente de voltaje decorriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e
inversamente.

SIDAC
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SIDAC
Tipo

Semiconductor

Principio de

Tiristor bi-direccional de conmutacin

funcionamiento

por voltaje

Smbolo electrnico

Smbolo del SIDAC

Configuracin

MT1 y MT2

[editar datos en Wikidata]

El SIDAC o Diodo de silicio para corriente alterna (English:Silicon Diode for Alternating
Current) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente
un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se
utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensin de disparo tpicamente
comprendida entre 104 y 280 V1 Forma parte de la familia de los Tiristores, comnmente
llamados diodos tiristores bi-direccionales, es tcnicamente especificado como un
interruptor conmutado de tensin bilateral.2El SIDAC es un dispositivo de conmutacin
activado por voltaje y utilizado en circutos de encendido de lmparas compuestas

por halogenuros metlicos as como en la iluminacin de calles y exteriores en circuitos de


encendido de lmparas de vapor de sodio de alta presin.3
Los SIDAC se distinguen de los DIACs por el hecho de que estn diseados para manejar
mayor potencia que los segundos, es decir, que generalmente presentan un mayor voltaje
de disrupcin y puede transportar una mayor cantidad de corriente que los DIACs. 4

Curva caracterstica[editar]

Relacin de Corriente y voltaje de ruptura idealizada. Una vez que la tensin supera el umbral de
encendido, el dispositivo se enciende y el voltaje cae rpidamente, mientras que la corriente
aumenta

La curva caracterstica de un SIDAC es similar a la curva de un diodo Shockley de cuatro


capas. La relacin de corriente y voltaje de ruptura muestra que se requiere un voltaje
capaz de llevar al SIDAC a un estado de conduccin del SIDAC con un voltaje alrededor
de 1.1 V. Una vez que la tensin de la fuente supera este umbral de encendido, el
dispositivo se enciende y el voltaje cae rpidamente al valor de conduccin, mientras que
la corriente aumenta. Entre las principales regiones de un SIDAC estn la regin de corte,
regin de resistencia negativa y la regin de saturacin o conduccin.

Tiristor tetrodo de conduccin inversa

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