INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un
dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese
amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la
union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de
deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del
igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento
QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar
transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta
tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de
entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms
comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el
MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura
secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo
electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un
BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del
BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de
hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones
SIMBOLOGIA:
Un Interruptor bilateral de silicio o SBS por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral Switch)
es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristores unidireccionales o
SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es
utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el control de disparo de dispositivos
que entregan potencia elctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia
consiste en que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de
una fuente de voltaje decorriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e
inversamente.
SIDAC
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SIDAC
Tipo
Semiconductor
Principio de
funcionamiento
por voltaje
Smbolo electrnico
Configuracin
MT1 y MT2
El SIDAC o Diodo de silicio para corriente alterna (English:Silicon Diode for Alternating
Current) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente
un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se
utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensin de disparo tpicamente
comprendida entre 104 y 280 V1 Forma parte de la familia de los Tiristores, comnmente
llamados diodos tiristores bi-direccionales, es tcnicamente especificado como un
interruptor conmutado de tensin bilateral.2El SIDAC es un dispositivo de conmutacin
activado por voltaje y utilizado en circutos de encendido de lmparas compuestas
Curva caracterstica[editar]
Relacin de Corriente y voltaje de ruptura idealizada. Una vez que la tensin supera el umbral de
encendido, el dispositivo se enciende y el voltaje cae rpidamente, mientras que la corriente
aumenta