Universidad Politcnica de Victoria

Ingeniera Mecatrnica
Electrnica Analgica
Dr. Carlos Adrin Calles Arriaga
Practicas con transistores
Carolina Elizabeth Trejo Garca
Enrique Alvarado Ahumada
Abel de los Santos Mrquez de Len

Cd. Victoria, Tamaulipas, Junio 2016.

Resumen

Resumen
Esta prctica se desarroll con el fin de demostrar las diferentes aplicaciones de
los transistores BJT. En los circuitos se utiliz potencimetros de 10k , 100 k y 500k
, resistencias de 1k , 28k , 21k , 13k y 2k , transistores 2N2222A, BC547B
y BC338, as tambin como un relevador de 12 Vcd de un polo con dos tiros y un motor
de 3 Vcd.

I Introduccin

I.- Introduccin
A continuacin, se podr observar el comportamiento de algunos tipos de
transistores, su comportamiento, tanto terico como prctico y en varios simuladores, su
aplicacin en distintos tipos de polarizacin. Veremos como ayuda la utilizacin de los
mismos en los distintos circuitos, como utilizarlos y en donde y en que situaciones
dependiendo del momento en el que sean tiles.

Transistores
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal
de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer
resistor (resistor de transferencia).
Actualmente se
encuentran prcticamente
en
todos los aparatos electrnicos de
uso
diario:
radios,
televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes,
tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.

Fig. Simbologa de transistores NPN y PNP.

Transistor 2N2222

El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja

potencia de uso general. Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de
conmutacin. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo
tanto, slo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). Puede trabajar a
frecuencias medianamente altas.

Fig. Transistor 2N2222

MULTISIM
Potente programa para simular circuitos electrnicos tanto analgicos como digitales.
Multisim tiene un amigable entorno que permite el desarrollo de proyectos tanto
sencillos
como complejos. Una de sus mayores versatilidades es el poder simular en tiempo real
microcontroladores, de esta forma se puede perfeccionar todo lo referido a software sin
necesidad de un hardware
real.

II Desarrollo

II.- Desarrollo
Prctica 2 Curva caracterstica de transistores BJT
Materiales
Potencimetro de 500K (En este caso
se us uno de 220K )
Potencimetro de 10K
Transistor BJT 2N2222
Protoboard
Fusibles para Ampermetro

Equipo
Fuente de 12Vcd
Multmetro

Con el propsito de demostrar la utilizacin de los transistores de unin bipolar

(BJT) mediante la determinacin experimental de su curva caracterstica, as tambin
implementando las formulas aprendidas en clase pudimos observar la variacin de los
resultados mediante la variacin de la corriente de base de 10 A a 40A.
Primeramente, variamos el potencimetro de 500k para que nos diera la corriente de
base establecida, despus variamos el potencimetro de 10k para que nos diera el
VCE establecido en la tabla 1, con el multmetro obtuvimos el valor de RC, VRC y Ic y
finalmente determinamos la con la frmula de Ic/Ib.

Prctica 3 Circuito de polarizacin por divisor de voltaje

Materiales
Resistencia de 28K
Resistencia de 21 K
Resistencia de 13 K
Resistencia de 2 K
Transistor BJT BC547-B
Transistor BJT 2N2222A
Protoboard
Fusibles para Ampermetro
Transistor BJT BC547-B

Equipo
Fuente de 18Vcd
Multmetro

Con el propsito de demostrar la estabilidad de los valores de voltaje y

corriente en circuitos de polarizacin por divisor de voltaje para BJT con distintos

valores de ganancia de corriente (). Primeramente, armamos el circuito utilizando

en transistor 2N2222A, con el multmetro medimos la Ib, Ic y Vce utilizando las
resistencias establecidas en la lista de material, obtuvimos los datos tericos
utilizando la Teorema de Thevenin, as tambin como las frmulas de polarizacin
de BJT por divisor de voltaje utilizando el valor de la mnima del 2N2222A el
cual es 35. Finalmente hicimos el mismo procedimiento utilizando el transistor
BC547-B.

Prctica 4 Implementacin de transistor en un relevador

Materiales
1 Relevador de 12 Vcd de 1 polo 2 tiros
Potencimetro de 10K
1 Led
Resistencia de 1K
Resistencia de 10K
Transistor BJT BC337
Protoboard
Fusible de 800mA
2 Diodo 1N4004

Equipo
Fuente de 12Vcd
Fuente de 5Vcd
1 Multmetro

Esta prctica se elabor con el propsito de disear e implementar un circuito

basado en un BJT para activar un relevador. Para disear este tipo de circuitos se debe de

conocer la Ic y el voltaje de operacin del relevador. Primeramente, tenemos que calcular la

Rb para poder disear el circuito mediante la frmula Rb= Vcontrol-Vbe/Ib, a partir de la
Ic se calcula la Ib por medio de la ecuacin Ic= (Ib), teniendo en cuanta que no
conocamos la del transistor para obtener la corriente Ic optamos a buscar el datasheet del
BJT BC337 por medio de este le asignamos un valor de 100 dado que es el valor
caracterstico de este, conociendo este dato y despejando la formula obtuvimos la Ib.
Posteriormente, ya conociendo todos los datos obtuvimos la Rb. Finalmente, diseamos el
circuito con los datos obtenidos tericamente y los establecidos.

Prctica 5 Control de un motor de c.d. mediante BJT

Materiales
Equipo
Motor de 3Vcd (este caso de 5Vcd)
Fuente de 5Vcd
Potencimetro de 10K
1 Multmetro
Diodo Zener de 2.7V (este caso uno de 5.1)
Resistencia de 1K
Transistor BJT 2N2222A
Protoboard
Fusible de 800mA
Esta prctica se elabor con el propsito de disear e implementar un circuito
basado en un BJT para activar un motor. Para disear este tipo de circuitos se debe de
conocer la R2. Primeramente, tenemos que calcular la R2 con la formula Vr2=
Vcc(R2)/R1+R2 as que obtuvimos Vr2 con la formula Vr2 = Vzener + Vbe, le asignamos

un valor a R1 y despejamos de la primer formula R2. Finalmente, diseamos el circuito con

los datos obtenidos.

III Resultados

III.- Resultados
Prctica 2 Curva caracterstica de transistores BJT
Vce (V)
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0

VRC
1.99V
2.38V
2.84V
3.19V
3.61V
4.03V

RC
7.20k
10.06k
10.07k
10.07k
10.07k
10.07k

Ic
946A
937A
930A
930A
930A
937A

94.6
93.7
93
93
93
93.7

Tabla de resultados con Ib= 10 A

Vce (V)
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0

VRC
2.04V
2.51V
2.83V
3.29V
3.63V
4.11V

RC
10.08k
10.07k
10.07k
10.07k
10.08k
10.08k

Ic
1978A
1977A
1987A
1976A
1956A
1963A

98.9
98.85
99.35
98.8
97.8
98.15

Tabla de resultados con Ib= 20 A

Vce (V)
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0

VRC
2.17V
2.62V
2.81V
3.34V
3.72V
4.13V

RC
9.62k
9.87k
9.94k
10.13k
10.22k
10.28k

Ic
3100A
3098A
3102A
3100A
3098A
3100A

103.33
103.26
103.4
103.33
103.26
103.33

Tabla de resultados con Ib= 30 A

Vce (V)
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0

Simulacin

VRC
1.95V
2.54V
2.89V
3.07V
3.81V
4.13V

RC
Ic
10.46k
4170A
10.44k
4850A
10.48k
4730A
10.40k
3893A
10.39k
4153A
10.36k
3710A
Tabla de resultados con Ib= 40 A

104.25
121.25
118.25
97.32
103.82
92.75

Prctica 3 Circuito de polarizacin por divisor de voltaje

0.75

Experimental
Ib
Ic
529A 398A

Vce
12.89V

35

Terico
Ib
Ic
83.45 3mA

Vce
-27 V

35

Simulacin
Ib
Ic
340 A 1.15 mA

Vce
32.95 mV

Tabla
de
comparaci

6.58

Experimental
Ib
Ic
170A 1.12 mA

Vce
5.5mV

200

Terico
Ib
Ic
16.9A 3.3mA

Vce
-32.85V

200

Tabla de comparacin de datos con el transistor BC547B

Simulacin
Ib
Ic
341
1.15
A
mA

Vce
19.8
mV

Simulacin

Datos con el transistor 2N2222A

Datos con el transistor BC547B

Prctica 4 Implementacin de transistor en un relevador

El relevador opera con 60 mA
Transistor BC338 con = 100
Ib=Ic/
Ib= 60 mA/100
Ib= 500A
Rb= Vcc-Vbe/Ib
Rb= 5-0.7/500A
Rb= 8.6 K

Simulacin

Prctica 5 Control de un motor de c.d. mediante BJT

Utilizamos un diodo zener de 3.9 V y un motor de 3 Vcd
Vr2=Vzener+Vbe
Vr2=3.9+0.7
Vr2= 4.6 V
Vr1= Vcc-Vr2
Vr1=5-4.6
Vr1=0.4 V
Vr2= Vcc(R2)/R1+R2 (Le asignamos valor de 1K a R1)
4.6=5(R2)/1K+R2
4.6(1K+R2)=5R2

4600+4.6R2/5=R2
920+0.92R2=R2
0.92R2-R2=-920
-0.08R2=-920
R2= -920/-0.08
R2= 11.5 k

Simulacin

IV Discusin de resultados

IV.- Discusin de resultados

Prctica 2 Curva caracterstica de transistores BJT

Los resultados obtenidos experimentalmente y en la simulacin variaron un 20%, las 4
tablas con diferente Ib variaron un 8% en la Vrc y Rc, y la Ic y fue lo que ms vario.

Prctica 3 Circuito de polarizacin por divisor de voltaje

Los resultados obtenidos en lo experimental, terico y simulacin variaron mucho ya
que Re y Rc no cumplen con los criterios y no se cumple lo de Re debe ser 10R2.

Prctica 4 Implementacin de transistor en un relevador

Los resultados tericos y experimentales coincidieron un 98%.

Prctica 5 Control de un motor de c.d. mediante BJT

Los resultados tericos y experimentales coincidieron un 98%.

V Conclusin

VI.- Conclusin
Para concluir, el quipo determin que las aplicaciones de los distintos transistores
utilizados para las practicas, o inclusive los que no se han utilizado en el laboratorio, (que
si se conocen, ya sea por medio otro tipo de aparato), tienen distintas aplicaciones, como el
caso de los 2N2222A que al ser el ms usado de manera comercial, tiene muchas
aplicaciones, desde lo que es la construccin de un puente H para l control e inversor de
giro de los motores de DC, hasta amplificadores de audio de poca ganancia.
Se desconoca del uso de los otros 2 transistores, los cuales son el BC547-B (que se utiliz
para la prctica del divisor de voltaje) y el transistor BC337 (que se utiliz para la
activacin del relevador, que en nuestro caso utilizamos un BC338). Por el momento solo

se conocen estas aplicaciones, aunque obviamente que existen muchas ms para estos 2
tipos de transistores.
Como era de esperarse, surgen complicaciones en el desarrollo de las prcticas que se
vieron anteriormente, debido a (como en el caso de la prctica 2) que no existen valores
comerciales de algunas resistencias, este problema se pudo solucionar, como ya se
mencion, haciendo unin en serie de resistencias para conseguir los valores que se
indicaban.

VI Referencias

VI.- Referencias
http://www.farnell.com/datasheets/296640.pdf - Fecha de Consulta: 22 de junio de 2016
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N2222A-D.PDF
http://www.farnell.com/datasheets/410427.pdf - Fecha de Consulta: 22 de junio de 2016
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/BC/BC337.pdf - Fecha de Consulta: 22 de junio
de 2016

Robert L. Boylestad. Electrnica: Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos.10ma

Edicion.