6.

IGBT(Insulated Gate Bi Polar Transistor)

PENDAHULUAN

IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang

setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT) dan sebuah
transistor efek medan (MOSFET) yang tercatat untuk efisiensi tinggi.

IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifatsifat kedua-dua jenis transistor tersebut. Terminal gate dari IGBT, sebagai
terminal kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (insulator)
sebagaimana pada MOSFET

Binaan

Cara Kerja

Saat keadaan OFF nilai rintangan sangat tinggi sehingga arus bocor
sangat kecil dan saat keadaan ON nilai rintangan menghampiri
kosong sehingga arus depan yang mengalir sangat
tinggi. (BERKENDALI DALAM PINCANG HADAPAN)

Lengkuk ciri V-I bagi IGBT

RED, YELLOW,BLUE
Aplikasi IGBT pada inveter kawalan motor

Simbol

Lengkuk ciri V-I

Ciri-ciri

Kombinasi sifat +ve BJT & MOSFET.

Pensuisan laju (200-500nanosaat).

Kejatuhan voltan rendah semasa pengaliran.

Keupayaan membawa arus yg tinggi.

Litar Setara

Struktur Fizikal