ECA - 306 Eletrnica de Potncia

2a Srie de Exerccios
1a)a- Identifique os diversos semicondutores de potncia mostrados na tabela abaixo, indicando a
respectiva sigla e o nome por extenso, assim como fazendo a cronologia em que foram lanados
no mercado assim como das principais caractersticas.
SIMBOLOGIA

OU

G2

G1

G1

G2

b- comente sobre os nveis do state-art de corrente/tenso para cada semipot.

c- Comente sobre as principais aplicaes dos semipot, relacionando potncia com a faixa de
frequncia.

2a) Comentar sobre os principais tipos de encapsulamentos dos semipot.

3a) Comentar sobre o Driver abaixo.

4a) Comentar sobre os principais parmetros de especificao para SCRs, citando ao principais
parmetros:

5a) Explicar a operao do diodo de potncia, fazendo a analogia com chave aberta ou fechada,
baseando-se na caracterstica v-i.
A

C
(a)
Conduo

IA

Tenso de
Ruptura
Reversa

i
+

VAC

Corrente
de Fuga
Reversa
Avalanche

(b)

vAC

6a)a- Explicar a operao do SCR, fazendo a analogia com chave aberta ou fechada, baseandose na caracterstica v-i.
b- Explicar as caractersticas de chaveamento do SCR, isto , como disparar e como bloquear
o SCR.
IA
A

Tenso de
Ruptura Reversa

Conduo

Corrente de
Manuteno
(Holding)

IG3

IG3>IG2>IG1
IG = 0

IG1

IG2

+ VAC

Corrente de
Fuga Direta

Corrente de
Fuga Reversa

Vac
Vac

Avalanche

Tenso de
Ruptura Direta

(a)

IG

tT

IA
td
tON

IT

0,9IT
0,1IT

di
dt

In

di
dt

QR
IRM
Iq
Recombinao

VAC
Recuperao

VRRM

toff
dv
dt

dv
dt

VR
VRRM
(b)

7a) Explicar o funcionamento do drive abaixo para disparo do SCR.

1
+ 36V
50

50F

2N6303

0.47F
680

Gate

42
R1

Catodo

42
0.047F

ON
OFF

50

2N3879

8a)a- Explicar a operao do GTO, fazendo a analogia com chave aberta ou fechada, baseandose na caracterstica v-i. relacionar os parmetros do Exerccio 4.b com esta caracterstica.
b- Explicar as caractersticas de chaveamento do

GTO, isto , como disparar e como

bloquear o GTO.
IA

Curva de conduo

IRRM

IH

+ Ig
- Ig
VAC
IDRM

Curva de
Bloqueio Reversa

GTO
Simtrico

GTO
Assimtrico

Vac

(a)

vAC

ia
0.9VD
0.91T
VS

VDM

IT (ITGQ)

0.1IT

tr

td

ts

ton

IH
t

tt

tgq

tTd

ig

toff
tw2

0.1 IGM

IGM

tw1

dIG/dt > 5A/s

IGQ > ITGQ /5

diGQ dt > 20A s

IG > 1.7A

VGQ = 12~18V

tw1 > 10s

VGR = 2~18V

VGR

0.1IGQ

Vgr Avalanche Voltage

of G-K
tw2 < 5s

tw3

IG

IGQ

IGM > 8.5A

VD

VGQ

Vgr

0,5IGQ

dIGQ/dt

vg

tw3 < 25s

tw2 + tw3 > 30s
(b)

9a) Explicar o funcionamento do drive abaixo para disparo/bloqueio do GTO/IGCT.

10a)a- Explicar a operao do IGBT, fazendo a analogia com chave aberta ou fechada, baseandose na caracterstica v-i..
b- Explicar as caractersticas de chaveamento do

IGBT, isto , como disparar e como

bloquear o IGBT.
IC
60

VGE=16 [V]
VGE=14 [V]

[A]

50

VGE=12 [V]

40

C
i

VGE=10 [V]

30
E

20

VGE=8 [V]

10
VGE=6 [V]
0

1.0

2.0

3.0

4.0

VCE[V]

(a)
C
VCE

C
IC

Lkc

Rg

Cgc
Lg

Cc

Cge
Ex

Cies=Cge+Cgc
Cres=Cgc
Coes=Cce+Cgc

Lke

VCE
E
(b)

vCE
(t)
td (on)

iC (t)
td (off)

90%
tf

tf1
queda na conduo

10%
v
GE
(t)

ton

1[

2[

s]

TIME

f2

toff

s]

(c)
VGC[V]

IG[A]

t [

S]

IGBT- 150[A]/1600[V]
(d)

11 ) Explicar o funcionamento do drive abaixo para disparo/bloqueio do IGBT.

Entrada 1
superior

Entrada 2
inferior

GND/0V
GND/0V

6k8/100

Sobrecorrente

P12

3k2

RVCE

S20

- buffer
- pulsos off
- conformador

RCE

S15

CCE

6k8/100
VS
=

P8

3k2

P7

Ron

S14
Driver

S13
5

Roff

S12

P14

P9

TDT2

P5

TDT1
Seleo

Intertravamento
tempo morto

P6

Sobrecorrente

S1

RVCE

RCE

S6

VS
P10

erro

Saida 1
superior

Carga
Saida 2
inferior

CCE

VS
=
- monitor de Vs
- monitor de erro

Ron

S7
Driver

S8
S9

VS

Roff

7
2

VS
P13

Entrada

Primrio

Secundrio

Saida

IGBT - Mdulo

12a) Comentar sobre os principais parmetros de especificao para IGBT.

13a) Comentar sobre o PIM ( Power Intelligent Module )