El transistor

1-.
Antes de 1950 todo equipo electrnico utilizaba vlvulas al vaco, que son bulbos con un brillo
tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una vlvula al vaco normal
consuma un par de watts, por lo que el equipo requera una fuente de alimentacin
voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba
sobremanera a los diseadores. El resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951
Shockley invent el primer transistor de unin, que fue todo un acontecimiento porque signific
un gran cambio. El impacto del transistor en la electrnica ha sido enorme, pues adems de
iniciar la industria multinllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros
inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrnicos y los
microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico utiliza dispositivos
semiconductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las computadoras.
2-.
Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales, como el silicio o el
germanio, dopados, de manera que se produce un exceso o una carencia de electrones libres.
En el primer caso, se dice que el semiconductor es del tipo n, y en el segundo, que es del tipo
p. Combinando materiales del tipo n y del tipo p se puede producir un diodo. Cuando ste se
conecta a una batera de manera tal que el material tipo p es positivo y el material tipo n es
negativo, los electrones son repelidos desde el terminal negativo de la batera y pasan, sin
ningn obstculo, a la regin p, que carece de electrones. Con la batera invertida, los
electrones que llegan al material p pueden pasar slo con muchas dificultades hacia el
material n, que ya est lleno de electrones libres, en cuyo caso la corriente es prcticamente
cero.

3-. La electricidad utiliza una pequea energa para poder pasar a travs del diodo, de forma
similar a como una persona empuja una puerta venciendo un muelle. Esto significa que hay un
pequeo voltaje a travs de un diodo conduciendo, este voltaje es llamado cada de voltaje o
tensin en directa y es de unos 0,7 V para todos los diodos normales fabricados de silicio. La
cada de voltaje en directa de un diodo es casi constante cualquiera que sea la corriente que
pase a travs de l por lo que tiene una caracterstica muy pronunciada (grfica corrientevoltaje).

Valores Mximos del Transistor

Los fabricantes de transistores proporcionan datos sobre un conjunto de valores mximos que
no se deben exceder durante su operacin. Estos forman algunas de las limitaciones sobre la
operacin del transistor, las cuales forman parte del diseo de cualquier circuito. Un conjunto
tpico para el transistor de silicio 2N2222:
Voltaje colector-base = 60 v, Voltaje colector-emisor = 30 v, Voltaje emisor-base = 5 v,
Disipacin de Potencia = 500 mW, Temperatura = 125C

4-.NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de
las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP

est en el terminal del emisor y apunta en la

direccin en la que la corriente

convencional circula cuando el dispositivo

est en funcionamiento activo.

5-.

Compuerta NAND

Referencias:

Compuerta NOR

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#NPN
http://electronicafacil-lord.blogspot.mx/2011/06/compuertas-logicas-contransistores.html
http://www.digikey.com/product-search/en?mpart=BC847BS
%2C135&vendor=568
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC847BS.pdf
http://www.digikey.com/product-search/en?mpart=MMBT3906-TP&vendor=353
http://www.mccsemi.com/up_pdf/MMBT3906(SOT-23).pdf
http://alerce.pntic.mec.es/~hmartin/electr%F3nica/componentes/transistor.htm
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_3.htm
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/solids/trans.html http://www.galeon.com/electronicaegec/a
ficiones778711.html
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/diodo.pdf