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TRANSISTOR BIPOLAR NPN

Objetivos:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.


Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor
bipolar NPN.

Material y equipo utilizado:

Un multmetro (Digital)
Un miliampermetro (DC)
Un micro ampermetro(DC)
Un voltmetro de c.c.
Un transistor (2N3904)
Resistores: Re= 220 , Rc= 1K , R1 = 56K , R2= 22k
Condensadores: Cb = 0.1 F, Cc = 0.1 F, Ce = 3.3 F
Una fuente de c.c. variable
Un potencimetro de 1 M
Cables Conectores (3 coaxiales)
Tres placas con zcalo de dos terminales

Fundamento Terico:

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una
pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

Procedimiento:
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.
Llenar la tabla
Tabla 1:
Resistencia
Base Emisor
Base
Colector
Colector
Emisor

Directa ()

Inversa ()

2. Armar el siguiente circuito:


a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la
base (Ib). Obtener el (Usar P1= 0 )
b. Medir los voltajes entre el
colector emisor (Vce), entre
base- emisor (Vbe), y entre
emisor tierra (Ve)
c. Colocar los datos obtenidos en
la Tabla 2.
d. Cambiar R1 a 68 K , repetir los
pasos (a) y (b), y anotar los datos de
la Tabla 3 (Por ajuste de P1).
e. Aumentar la resistencia de P1 a
100 K , 250 k , 500 k y 1M .
Observar lo que sucede con las
corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.

3. Ajustar el generador de seales a 50 mv.pp, 1kHz., Onda senoidal.


Observar la salida Vo con el osciloscopio.
Tabla 2:

Valores(R1 = 56
k )
Tericos
Medidos

Ic (mA.)

Ib( A)

Vce (v.)

Vbe
(v.)

Ve (v.)

Vce (v.)

Vbe (v.)

Ve (v.)

Tabla 3:
Valores (R11 =
68K )
Tericos
Medidos

Ic (mA.)

Ib( A)

Tabla 5:
P1
Ic (mA.)
Ib ( A)
Vce (v.)

100k

250 k

500 k

1M

Cuestionario Final:
a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin
operativa con el Ohmmetro.
b) Representar la recta de Carga en un grfico Ic vs. Vce del circuito del
experimento. Ubicar Los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.
c) En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y
3
d) Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 150 k
. Explicar lo ocurrido e indicar sus valores tericos.
e) Exponer sus conclusiones acerca del experimento.

Conclusiones:

Debemos calibrar los instrumentos antes de usarlo.

Aprendimos a identificar la base, colector y emisor de un


transistor al mismo tiempo a ver si era NPN o PNP.

Cuando amplificamos corrientes pequeas, obtenemos una


ganancia notable en el emisor.

Las corrientes medidas en base, colector y emisor son muy


pequeas.

Bibliografa:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

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