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UNIVERSIDAD DE SEVILLA
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIEROS
DPTO. TEORA DE LA SEAL Y COMUNICACIN
DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN
VCO Y ACOPLADOR EN TECNOLOGA
HMIC PARA UN SINTETIZADOR DE
FRECUENCIAS
Autor: Cristina ngela Gonzlez Garrido

Tutor: D. Luis Javier Reina Tosina
Contenido
I.
INTRODUCCIN.............................................................................................................. 5
1.1.
CONSERACIONES GENERALES............................................................................... 5
1.2.
OBJETIVOS ................................................................................................................ 9
1.3.
ESTRUCTURA DE LA MEMORIA ........................................................................... 10
II. TECNOLOGAS PARA OSCILADORES Y ACOPLADORES ...................................... 11

2.1.
INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA HMIC ......................................................... 11
2.1.1.
Comparativa de HMIC y MMIC......................................................................... 14
2.1.2.
Proceso de fabricacin de HMIC .......................................................................... 16
2.2.
LNEAS PLANARES MICROSTRIP .......................................................................... 17
2.2.1.
Stub de /4 ........................................................................................................ 19
2.2.2.
Stub radial .......................................................................................................... 22
2.3.
LNEAS PLANARES MICROSTRIP .......................................................................... 22
2.3.1.
Transistor bipolar ................................................................................................ 22
2.3.2.
Diodo varactor .................................................................................................... 29
III. INTRODUCCIN TERICA.......................................................................................... 32

3.1.
INTRODUCCIN AL DISEO DE OSCILADORES.................................................. 32
3.1.1.
Osciladores sinusoidales. Condiciones de oscilacin .............................................. 33
3.1.2.
Parmetros caractersticos de los circuitos osciladores ........................................... 43
3.1.3.
Ejemplos de osciladores....................................................................................... 45
3.2.
OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIN .......................................................... 51
3.2.1.
Introduccin........................................................................................................ 51
3.2.2.
Elemento activo o amplificador de reflexin ......................................................... 51
3.2.3.
Resonador........................................................................................................... 56
3.2.4.
Amplificador de aislamiento ................................................................................ 58
3.2.5.
Ejemplo de oscilador ........................................................................................... 58
3.3.
ACOPLADORES DIRECCIONALES......................................................................... 59
3.3.1.
Acopladores de lnea acoplada.............................................................................. 61
IV. DISEO DEL VCO Y EL ACOPLADOR........................................................................ 66

4.1.
HERRAMIENTAS DE SIMULACION ....................................................................... 66
4.1.1.
Microwave office ................................................................................................ 66
4.1.2.
Eagle .................................................................................................................. 66
4.2.
PROCESO DE DISEO............................................................................................. 67
4.2.1.
Calibracin ......................................................................................................... 67
4.2.2.
Diseo de esquemticos ....................................................................................... 75
4.3.
V.
RESULTADOS DE SIMULACIN ............................................................................ 93
4.3.1.
Amplificador de aislamiento ................................................................................ 94
4.3.2.
Oscilador controlado por tensin .......................................................................... 95
4.3.3.
Acoplador direccional.......................................................................................... 98
RESULTADOS .............................................................................................................. 100

5.1.
INTRODUCCIN.................................................................................................... 100
5.2.
DISEO DEL LAYOUT .......................................................................................... 100
5.2.1.
Layout del amplificador de aislamiento............................................................... 104
5.2.2.
Layout del VCO ................................................................................................ 105
5.2.3.
Layout del acoplador ......................................................................................... 107
5.2.4.
Montaje de la placa............................................................................................ 108
5.3.
RESULTADOS Y COMPARACIONES CON LA SIMULACIN ............................. 108
5.3.1.
Resultados del amplificador de aislamiento ......................................................... 109
5.3.2.
Respuesta del acoplador..................................................................................... 113
5.3.3.
Resultado del VCO............................................................................................ 117
5.4.
DISCUSIN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS................................................ 122
VI. CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS DE INVESTIGACIN ................................ 123

6.1.
RESUMEN .............................................................................................................. 123
6.2.
CONCLUSIONES.................................................................................................... 123
6.3.
ASPECTOS DE MEJORA ........................................................................................ 124
APNDICES ......................................................................................................................... 126

Apndice 1..127
Apndice 2..131
Apndice 3..135
Apndice 4..142
BIBLIOGRAFA...148
Captulo I:
I.
I ntroduccin
INTRODUCCIN
1.1.
CONSERACIONES GENERALES
El presente Proyecto Fin de Carrera de carrera fue realizado en calidad de prcticas en la

empresa Krohne Messtechnik GbmH. Se trata de una multinacional fundada en 1921 en
Duisburg, (Alemania) lder en el diseo, fabricacin y desarrollo de instrumentos de medida de
mxima precisin, fiabilidad y seguridad. Concretamente, todo el trabajo fue desarrollado en el
grupo de trabajo de Hochfrequenzmesstechnik (Tcnicas de medida en alta frecuencia) en la
Ruhr-Universitt Bochum (Universidad de Bochum, Alemania), donde la empresa posee su
departamento de investigacin y desarrollo.
La tarea a desarrollar durante el periodo de prcticas viene representada en la figura 1.1.
Se trata bsicamente del diseo y realizacin de un sintetizador de frecuencias para la
generacin de una seal estable en un rango de frecuencia determinado.
Figura 1.1: diagrama de bloques del sintetizador de frecuencia
Como se observa, el proyecto consta de tres bloques fundamentales: el primero de ellos

consiste en el diseo de un oscilador controlado por tensin que trabaje en un rango de
frecuencias que vara desde 7 a 9 GHz.; el segundo bloque consiste en la realizacin de un
acoplador que servir como seal de entrada al sintetizador PLL ADF4108 de Analog Devices,
ya que ofrece el nivel mnimo requerido por el PLL respecto a la frecuencia de salida del VCO,
sin degradar el nivel de potencia de salida, y la programacin del mismo; por ltimo el diseo
Captulo I:
I ntroduccin
de un multiplicador de frecuencias y un filtro paso bajo para obtener una seal cuya frecuencia
vare entre 21 GHz. y 27 GHz.
Este sintetizador presenta uno de los bloques principales en el diseo y elaboracin de un
radar. Concretamente su utilidad estar dirigida a la medida de la capacidad a la que se
encuentran en cada momento unos contenedores industriales. El funcionamiento de un radar se
basa en emitir un impulso de radio, que se refleja en el objetivo y se recibe tpicamente en la
misma posicin del emisor. A partir de este "eco" se puede extraer informacin de la distancia a
la que se encuentra el objetivo. Si adaptamos esta definicin a nuestra aplicacin, la seal de
barrido generada es transmitida y posteriormente mezclada con la seal reflejada en el
contenido de dichos contenedores (objetivo), el resultado de dicha mezcla nos dar informacin
de a qu distancia se encuentra el contenido, es decir, informacin sobre el estado de los
contenedores. Por motivos de confidencialidad, la empresa no nos ha facilitado ms detalles
sobre el desarrollo del resto de los bloques que componen el dispositivo radar.
La sntesis en frecuencia es el proceso por el que se pueden generar un amplio rango de
frecuencias de seales estables y con un bajo ruido de fase, todas ellas derivadas de una
frecuencia de referencia de gran pureza espectral y estabilidad. Generalmente se usan
osciladores de cristal para generar dicha frecuencia [13]. La tcnica de sntesis empleada en este
proyecto ha sido el mtodo de sntesis indirecta, la cual es muy utilizada en equipos
transceptores, y se basa en sincronizar la frecuencia de un oscilador controlado por tensin a la
de referencia. El mtodo ms utilizado para la sincronizacin, es decir, el seguimiento y control
de la frecuencia de un oscilador, es el uso de un bucle de seguimeinto de fase PLL (Loop Phase
Locked), que acta como un multiplicador de frecuencia, mediante un mecanismo de
realimentacin negativa, para generar una frecuencia a su salida. El diagrama de bloques del
sintetizador PLL se muestra en la figura 1.2.
Figura 1.2: diagrama de bloques de un sistema sintetizador PLL
Captulo I:
I ntroduccin
Como se observa en dicha figura, la salida del VCO se lleva a un detector de fase donde
se compara con la seal de referencia, la cual ha sido previamente dividida por un factor R. La
seal de error, o de diferencia, generada una vez filtrada en el filtro de lazo paso-bajo acta
sobre la tensin de control del oscilador, corrigiendo su frecuencia (incrementndola o
disminuyndola) hasta anular la seal de error, momento en el que se dice que el PLL est
enganchado, es decir, las fluctuaciones de fase del VCO son idnticas a las de la referencia.
Cuando se produce el enganche se da la siguiente relacin:
(1.1)
La nica restriccin que tiene esta frecuencia es que la mnima frecuencia de resolucin,
o mnimo espacio entre canales, viene dado por:
(1.2)
El bloque PFD (Phase Frequency Detector) es un generador una seal proporcional a la
diferencia entre la fase y la frecuencia de la seal de referencia y la de salida del VCO. F(s) es
un filtro paso de baja y se usa para filtrar el ruido de la seal de entrada o del propio sistema. La
figura 1.3 muestra una de las posibles topologas que ste puede presentar.
Figura 1.3: esquema filtro de lazo
En el mercado existe gran variedad de integrados PLL para la sntesis de frecuencias.

Entre los que ofrecen las mejores prestaciones, se encuentran los fabricados por Analog
Devices. El sintetizador PLL usado para este proyecto fue el ADF4108, cuyo diagrama de
bloques funcional es el presentado en la figura 1.4. Este sintetizador tan slo incluye el PFD y
los divisores programables de frecuencia N y R, es decir, para poder implementar un PLL
completo es necesario aadirle un filtro de bucle y un VCO externo. El diseo de dicho VCO
que sera conectado al integrado PLL constituye una de las tareas propuestas en este proyecto.
7
Captulo I:
I ntroduccin
Al tratarse de divisores programables, la frecuencia de salida que el sintetizador genera, puede

cambiarse con slo variar el valor de N, a cuyo bloque se le ha aadido un preescalador y dos
contadores para poder abarcar valores mayores. Sin embargo, a medida que aumenta dicho
valor lo hace a su vez el ruido de fase de la seal.
Figura 1.4: diagrama de bloque del sintetizador PLL ADF 4108
. Este tipo de sintetizadores operan con una seal de referencia de bajo valor, para poder
generar una separacin muy pequea entre saltos de frecuencia, recordemos la ecuacin (1.2), lo
que implica que el tiempo de establecimiento entre canales suele ser elevado. Muchos de los
sistemas de comunicaciones inalmbricos actuales requieren de un mayor tiempo de
establecimiento y menor ruido de fase. Para resolver estos problemas se ha desarrollado el
sintetizador fraccional, en los que la frecuencia de salida es un mltiplo fraccional de la de
referencia, por lo que el valor del divisor N puede reducirse considerablemente, y con ello el
ruido de fase. Al utilizarse frecuencias de referencia elevadas, el tiempo de establecimiento se
reduce. La figura 1.4 muestra el esquema de estos sintetizadores.
Figura 1.5: diagrama de bloque de un sintetizador fraccional
Captulo I:
I ntroduccin
1.2.
OBJETIVOS
Debido a la dificultad que el diseo del VCO presenta, casi la totalidad del periodo de
prcticas se utiliz para el diseo e implementacin de del VCO y del acoplador utilizando
tecnologa HMIC y lneas microstrip. Es por ello que en este documento tan slo se tratarn los
aspectos que ambos circuitos implican.
En la figura 1.5 se muestra un diagrama de bloques del desarrollo de este proyecto:
Figura 1.5: diagrama de bloques del desarrollo del proyecto
Las especificaciones de partida que deban cumplir los circuitos finales se detallan a
continuacin:
Amplificador de aislamiento: se debe garantizar una ganancia estable en todo el
rango de frecuencias
Banda de amplificacin: de 7 a 9 GHz.
Polarizacin de los transistores: Vce = 2.5V y Ic = 20mA
Ganancia en la banda de amplificacin:
= 13 dB
Prdidas por retorno a la entrada y a la salida del amplificador:
Captulo I:
I ntroduccin
Oscilador controlado por tensin:

Rango de frecuencias: de 7 a 9 GHz
Potencia de salida: 10 dBm
Voltaje de control: de 0 a 5V
Polarizacin del transistor: Vce = 2.5V y Ic = 20mA
Acoplador:
Prdidas de insercin:
Acoplamiento:
Impedancia del puerto aislado: 50 Ohm
1.3.
ESTRUCTURA DE LA MEMORIA
Este proyecto se va a dividir en 4 bloques. El primero de ellos agrupa el segundo y

tercer captulo, y en ellos se presenta una introduccin sobre los aspectos tericos necesarios
para la comprensin del desarrollo de este proyecto. En primer lugar se vern los aspectos ms
importantes de las tecnologas usadas en la implementacin de los circuitos, es decir, se
abordar la tecnologa HMIC y se describirn algunos de las caractersticas ms destacadas de
las lneas de transmisin planares y de los elementos activos, como los transistores npn de unin
y los diodos varicap; y en segundo lugar se describirn los aspectos tericos de los circuitos
implementados.
El segundo bloque se centrar en el proceso de diseo que se ha seguido para la
elaboracin de los circuitos. Se comenzar con una breve introduccin a las herramientas
software utilizadas (Microwave Office y Eagle). A continuacin se expondr el proceso de
calibracin del analizador de redes para finalizar mostrando los esquemticos obtenidos, a partir
de un diseo inicial, para cada uno de los circuitos y sus respectivas respuestas en simulacin.
En el tercer bloque se mostrarn los distintos layouts diseados y los circuitos una vez
montados. Se finalizar mostrando los resultados experimentales obtenidos en los distintos
equipos de medida y se compararn con los resultados esperados.
En el ltimo captulo se realizar una discusin de los resultados obtenidos y se
comentarn posibles aspectos que podran mejorar dichos resultados.
10
Captulo II:
II.
Tecnologas para osciladores y acopladores
TECNOLOGAS PARA OSCILADORES Y ACOPLADORES
Este captulo estar estructurado en dos secciones principalmente. En la primera de ellas

se tratar de dar una visin general de la tecnologa HMIC y se har una introduccin a las
lneas de transmisin microstrip. En la segunda seccin se expondrn las caractersticas de los
transistores npn y del diodo variap, elementos principales para la implementacin de los
circuitos.
2.1.
INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA HMIC
MIC (circuitos integrados de microondas) es una tcnica de implementacin de circuitos

por la que los elementos discretos y componentes activos que lo forman se incorporan a un
substrato planar. Los objetivos con los que se desarroll esta tcnica iban dir igidos a obtener
una mayor complejidad de los circuitos con menor tamao, peso y coste. Actualmente la
tecnologa MIC es una de las ms populares y extendidas entre los diseadores a la hora de
implementar circuitos en frecuencias microondas. A continuacin se analizarn algunos
parmetros que deben ser considerados cuando se utiliza la tecnologa MIC.
Substrato
Una eleccin del material del substrato adecuada es un factor imprescindible a la hora de
disear un circuito integrado. Los siguientes parmetros debern tenerse en cuenta en la
eleccin:
-
Espesor: es inversamente proporcional a la frecuencia de trabajo. A mayores

frecuencias ste debe disminuirse para prevenir prdidas por radiacin y otros efectos
indeseados.
Constante dielctrica, r : es aconsejable que el substrato tenga una r elevada cuando se

va a trabajar con circuitos en baja frecuencia ya que el tamao del circuito es menor.
Baja tangente de prdidas, tan .
Estabilidad dielctrica [kV /cm]: toma importancia cuando se trata de aplicaciones de

alta potencia.
Coste y conductividad trmica.
11
Captulo II:
El substrato sobre el que montaron tanto el VCO como el acoplador en el desarrollo de

este proyctro fue el de la serie RO4003C de Rogers. Existen varios parmetros que diferencian
los substratos de esta misma serie como el grosor del dielctrico y del conductor y su constante
dielctrica. En particular se tomaron:
-
grosor del conductor oz
Material conductor
Las caractersticas que debe cumplir un buen conductor son:
-
Alta conductividad
Alto coeficiente de expansin trmica
Escasa dependencia de la resistencia superficial con la temperatura
Baja resistencia a frecuencias RF y microondas
Buena adhesin al substrato.
Un circuito integrado de microondas hbrido (HMIC) es un circuito en el que existe una

capa de metalizacin para los conductores y lneas de transmisin, en que los componentes
discretos (resistencias, capacidades, transistores, diodos, etc.) son soldados superficialmente al
substrato.
Como se mencion en el apartado anterior, el punto ms importante a la hora de
implementar un circuito utilizando esta tecnologa es la eleccin del substrato. Deben tenerse en
cuenta factores mecnicos, trmicos, elctricos y econmicos. Los siguientes aspectos deben ser
considerados:
-
Coste
Rango de frecuencias y tecnologas de capa fina o gruesa
Aspereza superficial (tendr influencias sobre las prdidas del conductor y la capacidad
de adhesin conductor-substrato)
Estabilidad mecnica, flexibilidad y conductividad trmica
rea de superficie
Los materiales ms comunes usados en HMIC son: almina, cuarzo y tefln. La almina
al poseer un alto valor de r reduce el tamao del circuito; el cuarzo es adecuado para circuitos
que trabajen a altas frecuencias (>20 GHz) puesto que tiene un valor de constante dielctrica
12
Captulo II:
bajo, r 4; por ltimo el tefln, cuya r vara entre 2-10, es adecuado para aquellos diseos en
los que no se requiera una fuerte rigidez y una buena transferencia trmica, adicionalmente este
material provee de una gran superficie de substrato a bajo coste. Respecto al material de los
conductores, los ms comunes son el cobre y el oro.
Se pueden considerar dos clases de tecnologas hMIC:
-
Standard hybrid MICs: en el que tan slo existe un nivel de metalizacin para los
conductores y lneas de transmisin con los elementos discretos adheridos al substrato.
Miniature hybrid MICs: usa procesos multinivel en los que los elementos pasivos son
fabricados sobre el mismo substrato, mientras que los activos (transistores, diodos, etc.)
se colocan en la superficie.
Presentan menores prdidas, tamao y peso que los Standard HMIC, pero a medida que
aumenta la frecuencia de trabajo el espesor del substrato disminuye y ello provoca
limitaciones de fabricacin.
Desde principios de los aos 70, se viene desarrollando la tecnologa MMIC (circuito
monoltico integrado de microondas), en la que tanto los elementos pasivos como activos se
depositan sobre el mismo substrato semiconductor.
En la figura 2.1 se muestra el layout de un circuito monoltico integrado.
Figura 2.1: Ejemplo de un circuito MMIC
Hoy en da la tecnologa MMIC se utiliza en multitud de aplicaciones y en muchos casos

presenta mejores caractersticas que la HMIC, esto es debido a la gran evolucin que ha tenido
desde que se empez a trabajar con ella y tambin al uso de potentes herramientas de software
13
Captulo II:
de diseo de circuitos, entre ellas se ha conseguido que se aumente la frecuencia de trabajo y se

disminuya el tamao de los circuitos considerablemente.
Una vez mencionadas ambas tecnologas sera conveniente estudiar las ventajas y
desventajas que presentan respecto a la otra.
2.1.1. Comparativa de HMIC y MMIC
Las principales caractersticas que diferencian a estas tecnologas se pueden resumir en

los siguientes puntos:
Coste
Debemos distinguir entre el coste de inicio, que en un circuito MMIC resulta bastante
caro, puesto que requiere una gran inversin, y por otro el coste de produccin, que en los
MMIC resulta muy bajo en comparacin con los HMIC.
El coste de un circuito de microondas se puede relacionar con cinco factores:
o
Rendimiento
Tamao
Material
Volumen de produccin
Automatizacin
Para relacionar los costes entre ambas tecnologas se usa la siguiente ecuacin:
fiabilidad
Los MMIC son ms seguros que los circuitos hbridos, puesto que el proceso de
fabricacin es controlado y calificado cuidadosamente.
Repetitividad
Es una de las principales ventajas de los circuitos MMIC. Generalmente los resultados
obtenidos en estos circuitos son muy reproducibles, especialmente si vienen de la misma oblea.
14
Captulo II:
Esto es debido a que los componentes activos y pasivos son producidos en los pasos de
fabricacin usando las mismas mscaras fotolitogrficas.
Por otra parte, una vez que tengamos un circuito prototipo con un comportamiento
ptimo, es sencillo obtener todos los circuitos idnticos que se deseen. No obstante, existen
teoras que argumentan que se pueden producir pequeas variaciones en los elementos activos
que pueden provocar que se modifiquen sensiblemente los valores de la ganancia, ruido e
intermodulacin del montaje original.
Flexibilidad
Una ventaja que presentan los circuitos HMIC es su facilidad de ajuste y reparacin una
vez que el circuito ha sido fabricado, esto es debido a que los componentes se han aadido
superficialmente sobre el substrato, y por lo tanto sus valores pueden ser ajustados mediante
pruebas.
Por otra parte, la flexibilidad de los MMIC puede acrecentarse, con un bajo coste, por la
facilidad que supone la fabricacin de FETs adicionales en el diseo de estos circuitos.
Ancho de banda y funcionamiento

Como resultado de implementar todos los componentes sobre el mismo substrato
semiconductor la frecuencia de operacin de los circuitos MMIC se puede situar en el rango
entre 1GHz.-100GHz., siendo muy superior al que se obtiene en los circuitos hbridos (no muy
superior a los 20GHz.).
Generalmente, los MMIC ofrecen un mejor comportamiento en banda ancha, esto se debe
a que los componentes monolticos integrados tienen mucha menor reactancia parsita que los
componentes discretos.
Tamao y masa
La principal ventaja de los MMIC respecto a los HMIC es sin duda, que aqullos tienen
un menor tamao y masa, lo que conduce a que esta sea la tecnologa utilizada cuando se
requiera un circuito de muy pocas dimensiones. Para poder equilibrar esta clara desventaja se
estn llevando a cabo tcnicas de miniaturizacin de los circuitos hbridos.
Un resumen de las ventajas y desventajas que presentan ambas tecnologas puede verse
claramente en la tabla 2.1 [6].
15
Captulo II:
Propiedad
HMIC
MMIC
Tamao y masa
Grande
Pequeo
Coste inicial
Bajo
Muy grande
Coste produccin
Alto
Bajo
Coste de equipamiento
Bajo
alto
Ancho de banda
Limitado
Bueno
Repetitividad
Pobre
Buena
Fiabilidad
Buena
Excelente
Frecuencia de operacin
< 20 GHz.
< 100 GHz.
Ajustes y reparabilidad
Posible
Imposible
Control de parsitos
No
Produccin en masa
Imposible
Posible
Tabla 2.1: Comparativa entre tecnologas HMIC y MMIC
Tras esta comparativa entre ambas tecnologas se exponen dos de las razones por las
cuales se opt la tecnologa HMIC para los diseos de los dispositivos de este proyecto.
En primer lugar no resulta recomendable realizar resonadores en tecnologa MMIC que
requieran un alto factor de calidad, lo que presenta un requisito en el diseo de los resonadores
en osciladores, debido a las inherentes prdidas resistivas presentes en los materiales MMIC.
Adems es preferible usar circuitos hbridos cuando se trata de aplicaciones de bajo ruido; y en
segundo lugar, y quiz ms importante, el hecho de la capacidad de sintonizacin y de poder
trabajar con los valores de los elementos discretos aadidos al substrato supone una
caracterstica indispensable a la hora de disear un oscilador controlado por tensin.
Adicionalmente, el rango de frecuencias de trabajo permite el uso de dicha tecnologa.
2.1.2. Proceso de fabricacin de HMIC
Una vez que el circuito ha sido diseado, mediante herramientas CAD para el diseo de
layouts, comienza el proceso de fabricacin de los HMIC.
16
Captulo II:
El primer paso consiste en realizar una mscara sobre una fina lmina de cristal o
cuarzo para metalizar la capa. El substrato metalizador se recubre con fotoresistencia, cubierto
con una mscara, y expuestos a una fuente de luz. A continuacin se ataca al substrato para
eliminar reas de metal indeseadas. Para crear los via-hole se taladra el substrato. Por ltimo se
sueldan los elementos a los conductores. Esta es la parte de la tarea ms intensa en la
fabricacin de los MIC hbridos.
2.2.
LNEAS PLANARES MICROSTRIP
Las lneas microstrip constituyen una de las lneas de transmisin planar ms populares
utilizadas para el diseo de circuitos integrados de microondas, debido a su extenso ancho de
banda y a que es capaz de proporcionar circuitos compactos y ligeros, econmicos y adaptables
a las tecnologas estudiadas anteriormente.
La geometra de las lneas microstrip se muestra en la figura 2.2, como puede verse se
trata de una lnea conductora de anchura W, colocada sobre un material dielctrico de espesor h,
el cual se sita a su vez sobre un plano de masa. Las dimensiones tambin pueden tratarse en
unidades de mil, como ser el caso en este proyecto, donde 20 mil = 0.508mm. En cuanto a la
microtira, la cantidad de material se expresa normalmente en oz (cantidad de material por pie
cuadrado, 1 oz = 35.6 m), y los valores tpicos son , 1 2 oz.
Figura 2.2: Lnea microstrip sobre substrato dielctrico
Algunas de las caractersticas que ofrece esta tecnologa es:

-
Impedancia caracterstica: 20-110
Alta Capacidad de potencia
17
Captulo II:
Bajas prdidas por radiacin
Alto factor de calidad Q
Baja dispersin
Si observamos las lneas de campo de la lnea microstrip ( vase figura 2.3), se puede ver
que la mayora de ellas se concentran en la zona del dielctrico, mientras que una pequea parte
se encuentra en la regin de aire que est sobre el substrato, por este motivo puede decirse que
las lneas microstrip no pueden soportar un modo TEM puro de propagacin.
Figura 2.3: Lneas de campo en la microtira
En la mayora de las aplicaciones se utiliza un substrato dielctrico elctricamente muy

delgado (h<< ), por lo que los campos pueden considerarse cuasi-TEM, y el anlisis de las
ondas se realizar mediante un anlisis cuasi-esttico [9], de las que se obtienen unas buenas
aproximaciones en el clculo de los siguientes parmetros:
-
Velocidad de fase:
(2.1)
Siendo
la constante dielctrica efectiva de la lnea microstrip (1< < ). Este trmino se
interpreta como la constante dielctrica de un medio homogneo que reemplaza al aire y a la

regin dielctrica del microstrip y cuyo valor viene dado por:
(2.2)
-
Impedancia caracterstica para unas dimensiones dadas:
(2.3)
18
Captulo II:
Relacin W/h conocida la impedancia de la lnea y su constante dielctrica:
(2.4)
Constante de propagacin:
(2.5)
donde
es el nmero de onda en el vaco y se define como:
Atenuacin debida a las prdidas en el dielctrico y en conductor:

(2.6)
(2.7)
donde
es la resistividad superficial del conductor y
su conductividad
elctrica.
Las prdidas en el conductor son dominantes respecto a las prdidas en el
dielctrico o por radiacin se usa en diseo con un valor elevado de
Una vez que se han expuesto los principios tericos de las lneas de transmisin
utilizadas, es conveniente destacar algunas de las propiedades que poseen y que han sido tiles
en el diseo de los circuitos de este proyecto.
2.2.1. Stub de /4
La figura 2.4 muestra una lnea de transmisin sin prdidas terminada en una impedancia
de carga aleatoria.
19
Captulo II:
Figura 2.4: Lnea de transmisin de longitud terminada en carga ZL
La impedancia de entrada de una lnea de transmisin sin prdidas se representan como:

(2.8)
Si se considera una impedancia de carga en cortocircuito,
se tiene que
, sustituyendo en (2.8)
Si ahora se consideras una lnea de transmisin terminada en circuito abierto,
,y
seguimos los mismos pasos que en el caso anterior, se obtendra una impedancia de entrada
.
Estas lneas de transmisin terminadas en circuito abierto o cortocircuito se las conoce
como stubs. Los stubs son elementos imprescindibles en los circuitos microondas, su usan
principalmente en las redes de adaptacin de impedancias y en las redes de polarizacin. Su
anchura, que es inversamente proporcional a la impedancia caracterstica de la lnea, su longitud
y el efecto de su terminacin son parmetros a considerar en cualquier diseo. Como puede
observarse la impedancia que el stub presenta cuando la carga representa un cortocircuito o un
circuito abierto es puramente imaginaria, lo que indica que se comportan como inductancias o
capacidades (dependiendo de la longitud y la terminacin de la lnea).
Si se supone una longitud elctrica de la lnea
, o lo que es lo mismo una longitud
de /4, las expresiones de impedancia de entrada seran:

-
, en el caso de tratarse de un stub terminado en cortocircuito.
, si se trata de un stub terminado en circuito abierto.

De estos valores obtenidos se puede deducir que una propiedad que los stubs de longitud
/4 tienen es la capacidad de convertir un circuito abierto (
en un cortocircuito (
en trminos de la impedancia vista desde la entrada y viceversa. Si se supone una longitud de

o cualquier mltiplo suyo se tiene que
, esto implica que una lnea con
no
altera la impedancia de carga. Esta propiedad es usada principalmente para el diseo de las
20
Captulo II:
redes de polarizacin. La figura 2.5 muestra un ejemplo simple del uso de esta propiedad para
dicho uso. Se trata de dos stubs conectados en serie, de igual longitud elctrica y diferente
impedancia caracterstica [6].
Figura 2.5: Conexin de dos stubs en serie
El stub terminado en circuito abierto es usado para crear un choque en alta frecuencia en
la rama DC, es decir, permite el paso de la seal DC al mismo tiempo que asla la seal RF de
la red de polarizacin. La lnea de transmisin con impedancia Zc2 se usa para transformar un
cortocircuito en RF (que equivale a un circuito abierto en DC) en un circuito abierto en RF.
El uso de dos lneas con distinta impedancia caracterstica tiene la finalidad de disminuir
su longitud y por lo tanto el tamao del diseo. Usando la expresin de impedancia de entrada
(2.8) y aplicndola a Zin2 se tiene:
(2.9)
Si se desea tener una impedancia en cortocircuito en el puerto de entrada, esto es,
, tras hacer algunos clculos y sustituir en la ecuacin anterior se obtiene:
(2.10)
Si ambas impedancias fuesen iguales, entonces
longitud de un cuarto de lambda. Sin embargo si tomamos
, es decir, las lneas tendran una

se tendra que
, de
lo que se deduce que mientras mayor sea la diferencia entre ambas impedancias, menor ser la
longitud de las lneas. En tecnologa microstrip el valor de la impedancia de las lneas se
encuentra limitado entre 20-100 . En la prctica la lnea con impedancia
debe tener una
impedancia muy alta, por lo que una regla de diseo es que su ancho sea lo ms pequeo
posible.
21
Captulo II:
2.2.2. Stub radial
El stub radial es comnmente usado en las redes de polarizacin de elementos activos en

alta frecuencia. Este tipo de stub se presenta como alternativa a la capacidad de bypass (stub
simple /4 terminado en circuito abierto). La mayor ventaja que presenta si se compara respecto
al stub simple es que posee una mejor respuesta en una banda ms ancha de frecuencias.
Figura 2.6: Modelo de un stub radial
Como se observa en la figura 2.6 los parmetros de diseo de un stub radial son el ancho
de la lnea de entrada (Wi ), la longitud (L) y el ngulo. Como es de esperar, mientras menor se
haga el ngulo el comportamiento en la banda de frecuencias se degrada y la geometra es
similar a la del stub simple. Otra de las ventajas es el stub radial presenta una longitud menor
que la de una lnea de transmisin de un cuarto de longitud de onda, ello puede explicarse
teniendo en cuenta teniendo que su impedancia caracterstica disminuye (el stub se hace ms
ancho) y relacin comentada en el apartado (2.10). Un inconveniente que tienen es que pueden
llegar a ocupar una gran superficie del substrato.
2.3.
LNEAS PLANARES MICROSTRIP
2.3.1. Transistor bipolar
Los transistores bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) es uno de los elementos
activos ms utilizado en los dispositivos de microondas y de RF, generalmente en el diseo e
implementacin de amplificadores. Fue inventado en 1947 por W. H. Brattain y J. Bardeen de
los Bell Laboratories, y sustituy a las vlvulas de vaco, que hasta entonces haban
proporcionado soporte fsico a los circuitos electrnicos, debido a su menor tamao y consumo
22
Captulo II:
de potencia. Poco despus del descubrimiento del BJT se patent el HBT (Heterojunction
Bipolar Transistor), que se diferencia del anterior por tener al menos una de sus dos regiones de
unin formada por semiconductores de materiales diferentes ( algunos ejemplos son GaAs, SiGe
o InP). Este tipo de transistores funciona como un BJT pero tiene mejor respuesta a mayores
frecuencias.
Los transistores BJT se fabrican fundamentalmente en Silicio y estn formados por tres
zonas semiconductoras entre las que se forman uniones PN, denominadas base (B), colector (C)
y emisor (E), que deben estar dopadas tipo N y P alternativamente, tal y como se muestra en la
figura 2.7. Existen por lo tanto dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP . Debido a la
mayor movilidad electrnica de los electrones frente a los huecos y su mejor respuesta en alta
frecuencia, los primeros son preferidos cuando se trabaja en frecuencias microondas.
Como se observa en la figura 2.7 un transistor se construye con una estructura no
simtrica de forma que el emisor est fuertemente dopado respecto a la base y sta a su vez est
ms dopada que el colector. Se puede considerar por lo tanto una unin de tipo n +-p-n-. Adems
las dimensiones del dispositivo son muy importantes para su correcto funcionamiento.
(a)
(b)
Figura 2.7: (a) Estructura transistor bipolar NPN adecuada para el anlisis (b) Estructura real
Para usar el transistor como amplificador se polariza en directa la unin base-emisor

(VBE >VT) y en inversa la unin base-colector, a esta polarizacin se le conoce como activa.
Cuando esto ocurre un gran flujo de e - del emisor es inyectado por difusin en la base P. Como
sta se encuentra poco dopada, slo algunos portadores se recombinan con los portadores de
carga contraria de sta, por lo que la corriente de la base es muy pequea. Adicionalmente, el
grosor de la base se fabrica muy pequeo por lo que muchos portadores no se recombinan en
ella y son capaces de atravesar a la regin del colector donde sern arrastrados al contacto
elctrico debido a la polarizacin inversa, y por lo tanto contribuyendo a la corriente. La figura
23
Captulo II:
2.8 muestra el flujo de corrientes que aparece cuando el transistor trabaja en activa. La corriente
que circula por la base ser la encargada del control de la corriente de salida. Existen tres
configuraciones posibles: colector comn, base comn y emisor comn. Las dos ltimas son las
ms utilizadas, en ellas la seal entra por el emisor y la base respectivamente y se ve
amplificada en el colector segn las relaciones:
donde
, en base comn
(2.11)
, en emisor comn
(2.12)
representan las ganancias en base y emisor comn. El valor de
(0,90,99) y el valor de
est en el rango
es generalmente muy elevado (>100). La correspondencia entre
ambas ganancias es:

(2.13)
(a)
(b)
Figura 2.8. (a) Flujo de corrientes en el transistor NPN (b) Direccin de las corrientes sobre el smbolo del
transistor NPN cuando opera en activa
Por lo general se considera la corriente inversa de saturacin,
, circula entre el colector
y la base despreciable, sin embargo si se trabaja con pequeas corrientes de polarizacin es

posible que no pueda tomarse esta aproximacin, la ecuacin anterior por lo tanto quedara
como sigue:
(2.14)
24
Captulo II:
A parte de la regin de funcionamiento de activa, explicada en las lneas anteriores, e l

transistor puede trabajar en otras tres dependiendo de las tensiones aplicadas:
Corte
En este caso no circula corriente por el transistor (IB = IE = 0). Para trabajar en esta regin
basta con que VBE = 0.
Saturacin
En esta regin las uniones base-emisor y base-colector se encuentran en directa. La
polarizacin BC provoca que la tensin VCE sea prcticamente nula (VCEsat 0,2V).
Tanto en saturacin como en inversa el transistor opera como si fuese una resistencia
entre los terminales de colector y emisor. En corte con un valor muy alto (circuito
abierto) y en saturacin con uno muy bajo, es decir,
(cortocircuito).
Inversa
En esta regin las polaridades estn invertidas con respecto a la regin de activa, sin
embargo, la ganancia del transistor trabajando en esta zona es mucho menor puesto que
se desplazan los portadores minoritarios.
CURVA CARACTERSTICA
A la hora de disear un circuito y elegir un transistor u otro es conveniente conocer las
relaciones entre las corrientes y tensiones de entrada y salida de los mismos. Las figuras 2.9
representan las curvas caractersticas de un transistor en emisor comn y se indican las distintas
zonas de funcionamiento. Asimismo se ha aadido la hiprbola de la potencia mxima que un
transistor puede soportar, viene definido por la relacin P=VCE IC , y su grfica vara en funcin
del tipo de transistor (fabricacin, caractersticas y encapsulado), as como de las condiciones
ambientales.
25
Captulo II:
(a)
(b)
Figura 2.9: Curvas caractersticas del transistor en emisor comn. (a) Curva V-I de entrada. (b) Curva V-I de
salida
En general, la curva en la zona lineal de la salida no es plana, sino que presenta una ligera
pendiente. Estos incrementos de la corriente IC a medida que aumenta la tensin V CE , es
conocido como Efecto Early o efecto de modulacin de anchura de la base. Al aumentar la
tensin de inversa se provoca una disminucin de la anchura efectiva de la base, por lo que el
camino de recombinacin de portadores es menor y aumenta la corriente en el colector. Este
efecto es menos pronunciado cuando se tiene una configuracin en base comn, pero tambin
ocurre cuando se aumenta la tensin colector-base. Si la tensin colector-emisor aumenta tanto
que en el que desaparece completamente la anchura de la base se produce lo que se conoce
como perforacin de la base, y el transistor se destruye al circular una corriente demasiado
elevada entre ambos terminales. Otra causa por la que se puede producir la destruccin del
dispositivo puede ser por efecto avalancha.
El punto de tensin donde todas las curvas de salida conf luyen es conocida como tensin
de Early, - VA , y suele tener un valor entre los 150 y 200V.
MODELO DE PEQUEA SEAL DEL TRANSISTOR

Cuando se emplea el transistor como amplificador de seales alternas, como es comn en
gran cantidad de ocasiones, es necesario comprobar el comportamiento de estos dispositivos
frente a este tipo de seales, para ello es muy til recurrir a los modelos lineales de pequea
seal del transistor, modelos h .
El modelo del transistor bipolar viene dado en la figura 2.10.
26
Captulo II:
Figura 2.10: Modelo hbrido de pequea seal del transistor
Las capacidades parsitas (Cbe y Ccb) y la resistencia rbb (resistencia hmica entre el
contacto elctrico del pin metlico al semiconductor y la base activa) representan el
comportamiento a alta frecuencia. El valor de la capacidad Ccb depende del punto de
polarizacin del transistor y viene dada generalmente como un dato por el fabricante, por otro
lado la capacidad Cbe tiene la siguiente expresin:
(2.15)
El parmetro
es usado como figura de mrito para caracterizar un transistor en
microondas y se define como la frecuencia a la que la ganancia de corriente con salida en

cortocircuito se hace la unidad.
La transconductancia g m determina la ganancia del transistor, puesto que relaciona la
intensidad del colector en funcin de la tensin de la base y tiene la siguiente expresin 1 :
(2.16)
donde
es el voltaje trmico (aprox. 26mV a temperatura ambiente).
Otro de los factores que debe tenerse en cuenta a la hora de escoger un transistor para
algunas aplicaciones (como en la implementacin de osciladores), es su figura de ruido, que
debe ser lo menor posible. Generalmente el ruido en los transistores es de naturaleza:
-
Trmica: generado en las resistencias de los electrodos
La expresin que relaciona la corriente del colector con la tensin de base se obtiene a partir de la
ecuacin del diodo base-emisor :

colectora cuando
.
, donde
27
es la corriente de prdidas en la un in
Captulo II:
Ruido Shot (de disparo): debido a las fluctuaciones de los portadores al cruzar las
uniones semiconductoras.
Ruido flicker
La figura 2.11 muestra los espectros del ruido presente en los transistores:
(a)
(b)
Figura 2.11: (a) Ruido trmico y de disparo. (b) Ruido flicker
Tanto el ruido de disparo como el trmico son planos en el espectro, como el ruido
blanco, y adems son proporcionales a las corrientes de polarizacin, por ello en microondas los
transistores se polarizan en una regin con pequea polarizacin DC.
CIRCUITO DE POLARIZACIN
El circuito de polarizacin se usar para poder situar el punto de polarizacin de forma
que el transistor ni se sature ni se corte, y por tanto, sin distorsionar la seal de salida, cuando
est funcionando como un amplificador. A la hora de escoger un circuito de polarizacin se
deben tener en cuenta los siguientes aspectos:
-
La sensibilidad con la temperatura y las variaciones de los parmetros.
La sensibilidad con las variaciones de la tensin de alimentacin.
Las tensiones de alimentacin requeridas (bipolar, unipolar, etc)
Las corrientes de alimentacin requeridas.
El nmero de componentes del circuito.
La resistencia de entrada del circuito para la seal de entrada.
La prdida de ganancia.
El circuito que se usar en este proyecto para la polarizacin de todos los transistores
utilizados se muestra en la figura 5.7 del quinto captulo.
28
Captulo II:
En este proyecto se van a utilizar los transistores bipolares de Si BFP420 y BFP520f,

ambos diseados por Infineon. El punto de polarizacin escogido para ambos ha sido de
VCE =2.5V e IC=20mA. Adems de presentar una baja figura de ruido, es conveniente escoger un
transistor que presente una frecuencia de transicin, f T, que sea mucho mayor a la frecuencia de
trabajo en la que se va a trabajar. Ambos transistores presentan una f T = 24 GHz, y a la
frecuencia a la que se va trabajar est en torno a los 9 GHz. Otra de las principales causas por
las que se opt por estos dispositivos se debi a su respuesta en ganancia frente a la frecuencia,
dato que puede observarse en las grficas que el fabricante ofrece en el Datasheet del
componente (ver apndices 2 y 3).
Aunque todos los detalles sobre estos dispositivos pueden encontrarse en dicho
Datasheet, aadido al final del documento, dos de las principales diferencias entre ellos estriban
por un lado en el encapsulado que presentan y por otro en que la respuesta del BFP520f es
mejor para frecuencias ms altas.
2.3.2. Diodo varactor
En la mayora de los casos ste ser el elemento escogido para representar la capacidad
variable del circuito resonador en el diseo de VCO. Se trata de un diodo semiconductor de
unin PN capaz de variar su capacidad asociada entre terminales cuando est polarizado en
inversa (el diodo no conduce). El resultado es que mientras mayor sea la magnitud de la tensin
inversa a la que se somete el diodo, menor ser su capacidad asociada.
Las figuras 2.12 presentan la estructura bsica del diodo de unin PN y su circuito elctrico
equivalente:
(a)
(b)
Figura 2.12: (a) Esquema del varicap. (b) Circuito equivalente.
29
Captulo II:
donde los valores de Rs , Rp y Ls /2 varan con la frecuencia de trabajo, Cc es fija y Cj depende de

la amplitud de la tensin. Estos valores vienen determinados generalmente por el fabricante en
la correspondiente hoja caracterstica.
La expresin de la capacidad de la unin PN inversamente polarizada es:
(2.17)
donde:
-
: potencial interno de contacto de la unin (depende del tipo de semiconductor).
: capacida de la unin a 0V.
: tensin inversa aplicada.

M: define la ley de variacin del perfin de impurezas y determina cmo varia la
capacidad con la tensin. Puede tener los siguientes valores:
o
M=1/2: Unin abrupta
M=1/3: Unin lineal
M=1: Unin hiper-abrupta
M=2: Unin super hiper-abrupta.
La grfica 2.13 presenta las respuestas en capacidad total e intensidad frente a la tensin
de ruptura aplicada en un diodo varicap.
Figura 2.13: Respuesta de la capacidad total del diodo varicap
30
Captulo II:
A la hora de escoger un diodo varicap para una aplicacin concreta deben tenerse en cuenta los
siguientes aspectos:
-
Debe escogerse el diodo ms apropiado en funcin de los mrgenes de frecuencia

requerido y de las tensiones de control que se le vayan a dar (ver tablas ofrecidas por el
fabricante).
Factor de calidad (Q): este parmetro nos da una idea de cmo se asemeja el
comportamiento del varicap a un condensador ideal. Debe ser lo mayor posible puesto
que un factor de calidad demasiado bajo perjudica el ruido de fase del oscilador.
Relacin entre capacidades o relacin de sintona (TR):
Factor de cobertura del VCO:
Para este proyecto se utiliz el diodo varactor de Si hyperabrupto de MACOM de la serie

MA4ST2000, concretamente el utilizado fue el MA4ST2200 . Este varicap est diseado para
trabajar con un bajo voltaje de operacin. Uno de los requisitos dados fue el voltaje de control
deba variar entre los 0 y 5V, si se observa su Datasheet (ver apndice 4), los valores de
capacitancia de este elemento vienen ya dados para este rango de voltaje. Adems de esto
tambin se incluyen tanto el modelo Spice, necesario para su implementacin en el Microwave
Office, como los valores tpicos de sus elementos y sus grficas caractersticas.
31
Captulo III:
III.
Introduccin a la teora de los osciladores y acopladores
INTRODUCCIN TERICA
3.1.
INTRODUCCIN AL DISEO DE OSCILADORES
Un oscilador se define como un sistema electrnico autnomo capaz de generar una seal
peridica a partir de una fuente continua de alimentacin.
Los osciladores pueden clasificarse segn distintos criterios: tipo de resonador que usen,
banda de frecuencias en la que trabajan, tipo de variacin de frecuencia o segn la forma de
onda que generen.
En el caso que nos ocupa, se considerar una clasificacin dependiendo de la forma de
onda a la salida del oscilador, puesto que el desarrollo puesto de este proyecto exige la forma de
onda sinusoidal.
Osciladores de relajacin:
Los osciladores de relajacin son aquellos que generan una seal onda no sinusoidal
(cuadrada, triangular, tren de pulsos, exponencial, etc.) y son usados mayoritariamente en
circuitos de temporizacin. La idea bsica de l funcionamiento de estos osciladores es la de
operar cargando y descargando alternativamente un elemento capaz de almacenar energa
(generalmente un condensador) entre dos valores definidos, resultando una forma de onda
peridica a la salida.
En la figura 3.1 se muestra un ejemplo de un circuito generador de onda cuadrada y su
seal de salida:
Figura 3.1: (a) Oscilador de relajacin. (b) Respuesta del oscilador
32
Captulo III:
Osciladores armnicos:
Este tipo de osciladores generan una seal de onda sinusoidal, caracterizada por la
expresin:
(3.1)
Uno de los principales usos de los osciladores armnicos es el de generar una seal
portadora en aplicaciones de radar o en sistemas de comunicacin inalmbricos (telefona
mvil, transmisiones va satlite, etc.). Asimismo, constituyen elementos clave en complejos
sistemas de procesamiento de seal, como los sintetizadores o PLL.
Como se coment al comenzar esta clasificacin, todos los apartados que siguen en este
captulo se centrarn en el estudio de los osciladores sinusoidales.
3.1.1. Osciladores sinusoidales. Condiciones de oscilacin
Los osciladores sinusoidales se pueden clasificar segn dos categoras:

a) Osciladores de dos puertos o de realimentacin
b) Osciladores de un puerto o de resistencia negativa.
Tras ambos conceptos se esconde el mismo principio: compensar las prdidas de un
circuito oscilador mediante un dispositivo amplificador.
Ambos modelos se describen con ms detalle a continuacin.
3.1.1.1.
Osciladores realimentados
De forma general podemos representar un oscilador sinusoidal como un sistema

constituidos por dos bloques de circuitos bsicos:
a) un amplificador (elemento activo)
b) una red pasiva de realimentacin que devue lve una parte de la seal de salida del
amplificador a su entrada
La estructura bsica de un oscilador sinusoidal realimentado viene representada en la
figura 3.2.
33
Captulo III:
Figura 3.2: esquema del oscilador realimentado
Para el anlisis de los osciladores se seguir el denominado mtodo de ganancia de

lazo. Una de sus principales caractersticas es que permite el acceso a las distintas fuentes de
corriente y tensin que constituyen el circuito, es decir, realiza un estudio del comportamiento
interno del transistor y de su influencia en el espectro de ruido del oscilador, para de ese modo
poder controlar de forma ms precisa su punto de funcionamiento.
A partir de este esquema se deduce fcilmente la expresin de la respuesta del sistema en
lazo cerrado como:
(3.2)
donde A(
A(
) (
) representa la ganancia en lazo abierto, (
es el factor de realimentacin y
es la ganancia de lazo.
Si para una frecuencia determinada,
, se anulase el denominador se obtendra un valor
infinito en la funcin de transferencia de la ecuacin 2.2 y por lo tanto, a dicha frecuencia el

circuito generara una salida finita para una entrada nula. Segn la Teora de Sistemas esto
ocurre cuando los polos de
, o mejor dicho, las races de 2.3 estn situados en el eje
imaginario.
(3.3)
Para que exista oscilacin la ganancia de lazo debe ser la unidad, por lo que la parte
activa del sistema debe compensar las prdidas de la red pasiva de realimentacin y sta ltima
es la encargada de la eleccin de la frecuencia de oscilacin.
Puesto que
A(
) y (
son por lo general nmeros complejos, deben darse
simultneamente unas condiciones de mdulo y fase que vienen descritas a continuacin y son
conocidas como Condiciones de Barkhausen.
34
Captulo III:
(3.4 a)
(3.4 b)
Atendiendo a la definicin de la situacin de los polos del sistema, podemos interpretar
las condiciones de Barkhausen de la forma
(3.5 a)
(3.5 b)
La ecuacin (3.4 b) indica que la frecuencia a la que operar un oscilador armnico es
aqulla en la que el desfase total introducido por el bucle de realimentacin sea 0 (o mltiplo de
2) y la magnitud de la ganancia de bucle sea la unidad.
A continuacin se describir el comportamiento del circuito cuando el valor de la
ganancia tenga valores distintos al de la unidad:
, no se mantendrn las oscilaciones. En esta situacin los ceros de
(3.5) estn situados en el semiplano negativo (vase la figura 3.3).
Figura 3.3: Respuesta cuando la ganancia es menor que la unidad
, las oscilaciones tienden a amplificarse indefinidamente hasta que

comienza la saturacin del amplificador. Puesto que la saturacin es un fenmeno no
lineal da lugar a la aparicin de armnicos en el sistema. En esta situacin los polos se
encuentran en el semiplano positivo (vase la figura 3.4).
35
Captulo III:
Figura 3.4: Respuesta cuando la ganancia es mayor que la unidad
En el diseo de osciladores prcticos la ganancia de lazo se fija ligeramente mayor que la

unidad. Esto se denomina condicin de arranque.
(3.6)
Esta condicin implica, como se dijo anteriormente, que el sistema sea inestable,
provocando una situacin mostrada en la figura 3.4. El fenmeno de arranque de la oscilacin a
falta de una seal de entrada, responde al hecho que todos los componentes utilizados en el
circuito son generadores de Ruido Blanco, el cual se extiende por todo el espectro de
frecuencias. Aquellas componentes que coinciden con la frecuencia de oscilacin se vern
amplificadas y realimentadas. A esto tambin debemos aadir el ruido inyectado en el momento
en que se polariza el circuito. Esta adicin de ruidos, que en principio es muy pequea, ser
amplificada de forma exponencial creciendo indefinidamente hasta que la saturacin de
amplificador o algn circuito externo (circuito limitador de amplitud) que consiga que para la
frecuencia de oscilacin se llegue a la condicin (3.4 a).
Si consideramos en la figura 3.2 una realimentacin negativa en lugar de positiva las
condiciones de Barkhausen , quedaran del siguiente modo:
(3.7 a)
(3.7 b)
(3.7 c)
En esta ocasin el circuito oscilara cuando el desfase introducido por el bucle de
realimentacin se de 180 y la magnitud de la ganancia sea la unidad.
36
Captulo III:
ESTABILIDAD DE LOS OSCILADORES

Uno de los objetivos ms importante cuando se disea un oscilador es obtener una
mxima estabilidad, tanto en amplitud como en frecuencia. En la prctica aparecen efectos que
dificultan que un oscilador se completamente estable. En este apartado se tratar de explicar
algunas de las posibles causas que provocan esta inestabilidad.
a) Estabilidad en frecuencia
Las desviaciones en frecuencia que aparecen en los osciladores son debidas
principalmente a los cambios en los valores de los componentes que forman el circuito (por
derivaciones trmicas, envejecimiento, etc.), puesto que de ellos dependen las caractersticas en
frecuencia del oscilador. Estas son conocidas como variaciones directas. Adicionalmente, como
resultado de reactancias parsitas que introduce el elemento amplificador, aparecen desfases
adicionales que afectarn a
, y que denominaremos
Las variaciones de frecuencia que se
dan por este motivo son conocidas como variaciones indirectas.

Recordando la condicin de Barkhausen en fase, (3.7 c), observamos que la frecuencia de
oscilacin,
, es aqulla a la que se produce que el cambio de fase en el bucle es 0 (segn
se trate de realimentacin positiva o negativa).

Para que se mantenga la oscilacin estas variaciones de fase deben compensarse, es decir,
(3.8)
Esta variacin de fase en la red de realimentacin necesaria para que se cumpla la
condicin de oscilacin producir una variacin en la frecuencia de trabajo (recordemos que
esta red fija
). Matemticamente se expresa:
,
(3.9)
sustituyendo (3.8) en (3.9):

(3.10)
A la expresin del denominador se la conoce como factor de estabilidad en frecuencia, y

vienen dada por (3.11):
(3.11)
37
Captulo III:
Cuanto mayor sea ms estable ser la frecuencia del circuito, puesto que habr que variar
menos la frecuencia, este hecho puede observarse en la figura 3.5 [3].
Figura 3.5: Variacin de la frecuencia de oscilacin (a) menor variacin de pendiente (b) mayor variacin de
pendiente
b) Estabilidad en amplitud
Como se mencion anteriormente los osciladores necesitan de un circuito externo
encargado de estabilizar la ganancia del dispositivo. Normalmente este bloque no aparece
explcitamente en el esquema de un oscilador, pero implcitamente se encuentra presente.
Existen distintos mtodos para el control de la amplitud [8]:
-
Uso de una o varias resistencias sensibles a la temperatura como atenuador. Este

elemento posee una atenuacin que se incrementa proporcionalmente con la tensin a
su entrada. Se colocan en el bucle de realimentacin, junto al elemento activo, tal y
como muestra la figura 2.6.
Figura 3.6: Uso de resistores para estabilizar la ganancia
Uso de un detector de amplitud que suministra una seal de control que acta sobre un
amplificador interno del bucle de realimentacin disminuyendo su ganancia si la
amplitud medida aumenta.
38
Captulo III:
Uso de un elemento activo no lineal que posea un efecto limitante en amplitud. Este
dispositivo ir seguido de un filtro de banda estrecha que tan solo dejar pasar la
frecuencia de oscilacin eliminando los armnicos que aqul genere.
Uso de circuitos limitadores con diodos.
3.1.1.2.
Osciladores de resistencia negativa
Esta es la tcnica de diseo ms comn a la hora de realizar estos circuitos a frecuencias

RF y microondas. Para entender este concepto haremos en primer lugar un anlisis de un
circuito RLC como el de la figura 3.7.
Figura 3.7: circuito oscilador RLC
Si aplicamos las leyes de Kirchhoff a las corrientes del circuito obtendremos una
ecuacin diferencial de segundo grado que equivale a la expresin de
en funcin del tiempo.

(3.12)
Si llamamos
y sustituimos en (3.12) obtendremos:

(3.13)
cuyas races vendrn dadas por
(3.14)
39
Captulo III:
Dependiendo del valor que tome R se obtienen distintas formas en la seal
Nosotros nos centraremos en aquellas que nos resulten de inters para obtener un circuito
oscilatorio.
Si
. Se obtendra una salida sinusoidal como
la mostrada en la figura 3.8 y la frecuencia de oscilacin vendra dada por:
Figura 3.8: Respuesta estable del

oscilador
Si
, en este caso las
oscilaciones creceran con el tiempo (vase la figura 3.9).
Figura 3.9: Respuesta inestable
Inicialmente debe darse esta condicin de resistencia negativa (condicin de arranque),

para obtener oscilaciones en amplitud creciente, pero despus hay que conseguir que la seal se
mantenga constate tanto en amplitud como en frecuencia, es decir, es necesario compensar
exactamente las prdidas introducidas por las resistencias parsitas del condensador y la bobina
para que no existan prdidas hmicas en el circuito (
). Para poder obtener este resultado
ser necesario el uso de un dispositivo activo que presente entre sus bornas un valor de
resistencia negativa y de igual en mdulo a la del tanque LC paralelo (en este ejemplo).
40
Captulo III:
La figura (RLC) y su anlisis ayudan a entender el principio de resistencia negativa para

el diseo de circuitos osciladores. Sin embargo, para el estudio de estos circuitos en RF nos
basaremos en el esquema de la figura 3.10, que muestra un oscilador con resonancia en serie.
Figura 3.10: Esquemas circuito oscilador de resistencia negativa
donde
representa la impedancia del dispositivo activo y
la del
circuito resonante.
La ecuacin que representa a la figura 3.10 (a), aplicando la ley de Kirchoff sera:
(3.15)
Asumiendo los postulados de Kurokawa [2], cuyo desarrollo no se demostrar en este
proyecto, las ecuaciones que relacionan las impedancias
y que determina la condicin
de oscilacin, asumiendo oscilaciones libres en estado estacionario son:

(3.16 a)
(3.16 b)
(3.16 c)
donde A representa la amplitud de las oscilaciones.
Teniendo en cuenta que
>0, para que pueda existir oscilacin debe darse que
<0.
Otro modo de ver la condicin de oscilacin en estado estacionario se puede obtener al

desarrollar (3.16 a) en trminos de coeficiente de reflexin, definido como:
41
Captulo III:
(3.17)
Cuyo desarrollo resultara:
(3.18)
Puesto que 0< <1, esta relacin indica que
debe ser mayor que la unidad para que se
produzcan las oscilaciones.

Como se mencion anteriormente, para que las oscilaciones comiencen es necesario que
el circuito sea inestable a cierta frecuencia, esto es
. Ser el ruido presente en los
elementos del circuito y la polarizacin, el que se encargue de causar la oscilacin, y a medida

que la corriente del circuito aumenta
debe hacerse menos negativa, hasta llegar a cumplir la
condicin (3.16 b).

El hecho de considerar un elemento con resistencia negativa en un ancho de banda finito,
hace referencia a la capacidad de ste de absorber potencia en dicho rango o entorno a un cierto
punto de trabajo. Para entender este trmino es conveniente distinguir entre resistencia esttica,
la cual nunca puede ser negativa, y resistencia dinmica o diferencial, que tiene en cuenta las
variaciones de las corrientes y tensiones en bornas del elemento respecto a un punto de trabajo.
La figura 3.11 muestra la caracterstica de salida de un elemento activo con resistencia negativa
y puede darnos una idea grfica de ambos trminos, donde Q1 y Q2 presentan dos puntos de
trabajo del componente.
Se observa que en Q 1 al aumentar la tensin en bornas se produce un incremento de la
intensidad, por lo que se da una resistencia dinmica positiva. Por el contrario en Q 2 lo que
ocurre al aumentar la tensin es que la intensidad disminuye, esto implica que la resistencia
dinmica es negativa.
De forma cuantitativa, definimos la resistencia dinmica como:
(3.19)
42
Captulo III:
Figura 3.11: S alida V-I de un elemento activo con resistencia dinmica negativa
3.1.2. Parmetros caractersticos de los circuitos osciladores
En este apartado se mencionan algunos de los parmetros ms importantes que

caracterizan el comportamiento de los osciladores.
-
Frecuencia de oscilacin (f o ) y rango de sintona (tuning) si es controlada externamente.
Pushing o deriva de alimentacin: cambio de la frecuencia del oscilador debido a

variaciones del punto de funcionamiento de los transistores. Se mide en Hz/V.
Pulling o deriva de carga: cambio de la frecuencia de oscilacin debido a variaciones

de la fase de la impedancia de carga del circuito. Se mide en Hz/ o .
Estabilidad con los cambios ambientales: la frecuencia de trabajo de un oscilador puede

verse afectada debido principalmente a cambios en las caractersticas de los elementos
por envejecimiento o cambios atmosfricos.
Seales de salida no deseadas (pureza espectral): son seales que aparecen en el

espectro de salida del oscilador a frecuencias distintas a la fundamental de la portadora.
Se clasifican en:
o
Armnicas: su frecuencia es mltiplo de la fundamental.
No armnicas: su frecuencia no est relacionada con f o.
Paramtricas: su frecuencia es la resultante de adicin o sustraccin de

otras.
Ruido: es considerado como toda aquella modificacin espontnea que aparece en la

seal de salida del oscilador. Se distinguen tres tipos de ruido:
o
Ruido AM: variacin de la amplitud de salida.
Ruido FM: variaciones en frecuencia alrededor de la fundamental.
Ruido de fase
43
Captulo III:
El ruido se mide en dBc/Hz2

-
Estabilidad de frecuencia: este parmetro se medir por la capacidad de un oscilador en

mantener su frecuencia de oscilacin lo ms constante posible. Las variaciones de
frecuencia que sufre el oscilador se debern a las variaciones de los valores de los
componentes del circuito, que son los que fijan la frecuencia de oscilacin. La
estabilidad de frecuencia viene descrita en unidades de PPM/ o C.
RUIDO DE FASE
El ruido de fase se refiere a variaciones en la frecuencia o fase en la seal de un oscilador.
Aunque represente otro tipo de ruido se estudiar por separado y ms profundamente, puesto
que constituye uno de los principales problemas en los sistemas de comunicaciones y puede
perjudicar enormemente el funcionamiento de los radares o sistemas receptores en
comunicaciones.
Si se observase el espectro en frecuencia de un oscilador ideal aparecera una funcin
delta en su frecuencia de oscilacin, sin embargo el espectro de un oscilador real presenta una
forma como la que puede verse en la figura 3.12 (b)
Figura 3.12: Espectro de ruido de fase de un oscilador. (a) ideal. (b) real.
El ruido introducido por los componentes del circuito (transistores y resto de elementos
ruidosos) en el bucle de realimentacin es el causante de las modulaciones aleatorias de fase en
la frecuencia de salida.
La medida del ruido de fase se define como la relacin entre la potencia de ruido de fase
en un ancho de banda de 1 Hz a fm hertzios lejos de la frecuencia central de operacin
2
dBc/Hz: d B relative to the carrier per Herz. Esto es, dB de la potencia del ruido, considerando un ancho
de banda de 1 Hz, con respecto a la potencia de la portadora a una frecuencia dada a part ir de la
fundamental
44
Captulo III:
considerando nicamente una de las bandas laterales alrededor de f o y la potencia de la seal

total del oscilador y se denota como (fm ). En la figura 3.13 se representa el espectro del ruido,
puede observarse que es simtrico respecto a la frecuencia de oscilacin y decrece a medida que
nos alejamos de sta.
Figura 3.13: Espectro del ruido de fase
Para minimizar el ruido de fase en un oscilador deben aplicarse los siguientes criterios de
diseo [12]:
1. Maximizar el factor Q del resonador.
2. Maximizar la energa reactiva en trminos de un alto voltaje RF a travs del
resonador y obtener un bajo valor del producto LC.
3. Escoger un dispositivo activo con baja figura de ruido, bajo ruido flicker (su efecto
puede ser reducido en la realimentacin RF) y alta impedancia (tales como los FETs)
4. Evitar la saturacin del dispositivo activo.
3.1.3. Ejemplos de osciladores
En este apartado se presentan algunos de los ejemplos ms representativos que forman

parte del grupo de osciladores sinusoidales.
3.1.3.1.
Osciladores RC
En este tipo de osciladores los elementos la red pasiva est compuesta por resistencias y
condensadores. Este tipo de osciladores suelen emplearse cuando se va trabajar en frecuencias
45
Captulo III:
menores a 100KHz, para evitar el uso de bobinas que a estas frecuencias puesto que su factor de
mrito Q ser demasiado bajo y la estabilidad en frecuencia ser pobre.
Se pueden distinguir principalmente dos estructuras bsicas de estos osciladores:
Oscilador por desplazamiento de fase

Es uno de los circuitos osciladores ms sencillos de implementar. La estructura bsica de
este oscilador se presenta en la figura 3.14.
Figura 3.14: Oscilador por desplazamiento de fase
Como puede observarse est compuesto por un amplificador y tres clulas RC en cascada
cuya funcin es la producir rotaciones de fase as cumplir el Criterio de Barkhausen. Es decir,
este circuito oscilar a la frecuencia a la que el desplazamiento de la red de realimentacin sea
de 180o (360 o de desfase en el bucle completo).
Aunque no se van a realizar los clculos necesarios, la frecuencia de oscilacin viene
dada por:
La ganancia obtenida a dicha frecuencia es y tomando la seal de V i aquella que entra en

el A.O es:
Segn las condiciones de Barkhausen, la expresin de la ganancia en un principio debe

ser mayor que 1 para que exista oscilacin. Esto nos indica que debemos tener un amplificador
inversor con ganancia mayor que 29.
46
Captulo III:
Una de las principales ventajas de este oscilador es que presentan menor distorsin que
los osciladores con puente de Wien, dado que las cascadas RC actan como filtros de distorsin.
Una de las desventajas que ofrecen es su baja estabilidad en frecuencia.
Osciladores con puente de Wien

Su estructura es muy similar a la del oscilador por desplazamiento de fase, simplemente
consiste en sustituir su red de rotacin por un circuito conocido como puente de Wien.
Su esquema bsico del oscilador se presenta en la figura 3.14.
Figura 3.14: Oscilador de puente de Wien
Como puede observarse en este esquema existen dos vas de realimentacin marcadas en
rojo, a travs de la red de realimentacin positiva se determinar la frecuencia de trabajo,
mientras que la realimentacin negativa por medio de R 1 y R2 se encargar de fijar la amplitud
de la oscilacin y la ganancia de la etapa amplificadora.
La frecuencia de oscilacin de este circuito vendr dada por:
Aunque tampoco vaya a desarrollarse, la condicin de equilibrio del puente implica que:
En la prctica, el valor de
se escoger ligeramente superior al doble del valor de
47
Captulo III:
Este oscilador presenta buenas caractersticas de estabilidad de frecuencia, sin embargo la

dificultad del ajuste de los componentes para que haya baja distorsin obliga al uso de circuitos
no lineales de realimentacin para controlar la amplitud.
3.1.3.2.
Osciladores LC
Este tipo de osciladores son usados para frecuencias mayores que 100KHz. En la figura
3.15 (a) se muestra la estructura bsica de un oscilador LC, compuesto por dos impedancias en
paralelo a la salida y entrada de la etapa amplificadora y una tercera en la cadena de
realimentacin, y su modelo de pequea seal, que se emplear para calcular las propiedades
que los elementos deben cumplir para que se den las condiciones de oscilacin.
Figura 3.15: Oscilador LC. (a) Estructura bsca. (b) Modelo de pequea seal
En este esquema se ha utilizado un amplificador operacional, sin embargo, a menudo se

hace uso de transistores (FET, BJT, etc.), puesto que presentan unas posibilidades mayores en
cuanto al rango dinmico. En caso de utilizar transistores habra que aadirle un circuito de
polarizacin del transistor.
Desarrollando las ecuaciones que definirn el criterio de Barkhausen, se llega a la
conclusin de que las impedancias
deben ser reactancias puras, es decir,
Adems para que la ganancia sea real debe darse que:
Aunque no se analizar este resultado, para que se produzca la oscilacin debe cumplirse:
donde
es la transconductancia del amplificador.

48
Captulo III:
Existen dos tipos de configuraciones, dependiendo de cmo se distribuyan las

reactancias:
-
Oscilador de Colpitts: si hay 2 condensadores (
Oscilador de Hartley: si por el contrario
y una inductancia (
y
).
son inductancias y
es un
condensador.
(a)
(b)
Figura 3.16: (a) Oscilador LC de Colpitt. (b) Oscilador LC de Hartley
3.1.3.3.
Oscilador de cristal de cuarzo
El diseo de este tipo de osciladores consiste bsicamente en el uso de un cristal,

normalmente cuarzo, que presenta un efecto piezoelctrico y que posee una frecuencia de
resonancia mecnica con un valor de Q muy alto para fijar la frecuencia de oscilacin.
Cuando a un cristal piezoelctrico se le adosan unos electrodos entre sus caras opuestas
formando una placa de electrodos paralelos, puede aparecer una resonancia electromecnica con
un alto Q cuando el sistema el excitado apropiadamente. La frecuencia de resonancia y el factor
de calidad dependern de propiedades fsicas como dimensin del cristal, orientacin de las
superficies respecto a los ejes y del montaje del circuito. Debido a la gran estabilidad del cuarzo
frente al tiempo y temperatura, y de su elevado valor de Q, estos osciladores son muy tiles
cuando se desea obtener una frecuencia fija y muy estable.
El circuito equivalente, el smbolo y la reactancia respecto a la frecuencia de los

resonadores de cristal se muestran en la figura 3.17, donde
representan las frecuencias
de resonancia paralelo y serie respectivamente. El condensador C o representa la capacidad del

cristal entre los electrodos.
49
Captulo III:
Los valores de dichas frecuencias y la funcin de la reactancia vienen dados por las
siguientes expresiones:
Teniendo en cuenta que
y que
, se de que las dos frecuencias son muy
prximas.
Figura 3.17: Oscilador de cuarzo. (a) Smbolo. (b) Modelo. (c) Reactancia
Como puede observarse en 3.17(c), entre ambas frecuencias,
el cristal tiene un
comportamiento inductivo, por lo que puede remplazarse por la inductancia en el oscilador de

Colpitts, conocido entonces como oscilador de Pierce, o por una de la inductancias en el
oscilador de Hartley.
50
Captulo III:
3.2.
3.2.1.
Un
OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIN
Introduccin
oscilador controlado por tensin (VCO=Voltage Controlled Oscillator) es un
oscilador capaz de variar su frecuencia de salida mediante un voltaje de control. En el diseo de

los VCO uno o varios de los elementos reactivos que determinan la frecuencia de oscilacin se
reemplazan por elementos de valor variable dependiente de su tensin de polarizacin, por
ejemplo, un diodo varactor o capacidades MOS. Esta ltima no es la ms empleada debida a la
incertidumbre del valor inicial de su capacidad a causa de las tolerancias en el proceso de
fabricacin, a pesar de tener un mayor rango de sintona con menor variacin del valor de la
capacidad.
Para explicar el desarrollo de diseo de estos sistemas nos centraremos en el modelo de
osciladores de resistencia negativa. El motivo es que la condicin de oscilacin debida al
desplazamiento de fase que introduce la red de realimentacin en los osciladores de dos puertos
no es realizable en banda ancha a frecuencias de microondas.
Este bloque del oscilador sigue las mismas reglas de diseo que las de los osciladores
anteriormente estudiados. En los siguientes apartados se detallarn los tres bloques bsicos que
componen un VCO y se mostrarn los pasos tericos seguidos a la hora de la implementacin
del oscilador en el desarrollo de este proyecto, a la vez que sirve como ejemplo de aplicacin y
finalmente se aadirn algunos ejemplos de osciladores controlados por tensin ya conocidos.
3.2.2.
Elemento activo o amplificador de reflexin
En el diseo de VCO se emplean normalmente transistores bipolares, FETs,

amplificadores operacionales, etc. para la etapa de amplificacin. Si se va a utilizar un
transistor, es conveniente considerar sus propiedades de ruido, frecuencia y potencia en el rango
de frecuencias en el que se desea operar.
A continuacin, y como se dijo en lneas anteriores, se mostrarn como ejemplo los
conceptos tericos utilizados en el diseo del oscilador basado en una estructura concreta [10].
51
Captulo III:
Figura 3.19: Modelos simplificado de elemento activo del oscilador
Como puede observarse se va a hacer uso de un transistor bipolar, como elemento activo
que aporta la resistencia negativa. La estructura resonante se conectar al emisor del mismo. Los
valores
representan las admitancias conectadas a la base y al colector respectivamente.
En primer lugar reescribiremos las condiciones de oscilacin por 3.16 en trminos de

admitancias, puesto que nos facilitarn los clculos. Recordemos que el subndice L se refiere al
resonador e in al elemento activo.
(3.20)
(3.21)
(3.22)
Para poder realizar los clculos en primer lugar se representar el transistor por su modelo
de pequea seal, y puesto que se trata de un anlisis para alta frecuencia se aadirn las
capacidades parsitas que aparecen. El diagrama de bloque de esta situacin se muestra en la
figura 3.20.
52
Captulo III:
Figura 3.20: Modelo de pequea seal del amplificador de reflexin
A partir de este esquema se calcula la matriz de admitancias del transistor:

(3.23)
Por simplicidad se tomar:

(3.24)
Como puede observarse esta matriz considera al transistor como un elemento de dos
puertas, sin embargo es usado en los circuitos como elemento de tres puertas. Es necesario por
lo tanto realizar una transformacin de la matriz (3.24) a una de tres componentes y de ese
modo poder aadir las entradas que sern necesarias para nuestro clculo, es decir,
Este proceso y sus ecuaciones correspondientes vienen detallados a continuacin.
Figura 3.21: Modelo de la red de 3 puertas
53
Captulo III:
(3.25 a)
(3.25 b)
(3.25 c)
(3.25 d)
(3.25 e)
A partir de las relaciones 3.25 se puede obtener la matriz de impedancias de tres puertos
describe el comportamiento del transistor.
(3.26)
Si tenemos en cuenta las relaciones

(3.27a)
(3.27b)
Podemos desarrollar la matriz 3.26 de la siguiente forma:
(3.27)
Para resolver el valor de la admitancia de, es decir, el cociente entre
, es
necesario realizar una serie de clculos sencillos llegndose a la expresin:

(3.28)
Para obtener un valor cualitativo en la eleccin de las impedancias
distinguir entre los valor real e imaginario de la impedancia de entrada
, debemos
, para de ese modo
comprobar bajo qu condiciones se da una parte real negativa. Para este propsito se va a volver
a simplificar el modelo de pequea seal del transistor (vase la figura 3.22):
54
Captulo III:
Figura 3.22: Modelo de pequea seal simplificado
Haciendo uso del esquema de la figura 3.22 y de las siguientes igualdades:

(3.29 a)
(3.29 b)
(3.29 c)
(3.29 d)
resulta la matriz simplificada de
con su respectivo determinante como:
(3.30)
(3.31)
Sustituyendo 3.29 y 3.31 en 3.28 Se obtiene el valor de la admitancia buscada:
(3.32)
Consideramos
como una reactancia con
y separamos
en su
parte real e imaginaria, y se obtiene
(3.33)
Una parte real negativa implicara de la impedancia de entrada se cumple en el caso que
, por lo tanto la base del transistor debe ir conectado a un elemento inductivo. Una vez
obtenida la ecuacin de la impedancia de entrada, el objetivo radica ahora en obtener un valor
de dicha reactancia para que exista oscilacin.
55
Captulo III:
Tras calcular el valor de la admitancia del elemento activo debe asegurarse que la
condicin de oscilacin se cumpla en todo el rango de frecuencias. Recordando la condicin de
oscilacin dada por (3.16) y la expresin de la admitancia de entrada del transistor (3.33), para
garantizar la oscilacin en un rango determinado de frecuencias se escoger un factor de
amplificacin que cumpla con la condicin (3.34), que relaciona la parte real de la admitancia
de entrada del amplificador,
, con la del resonador,

,
con
(3.34 a)
Por otra parte, este valor no debe escogerse demasiado elevado, puesto que ello puede
llevar a un empeoramiento del ruido de fase del oscilador.
La parte imaginaria de la admitancia de entrada del amplificador,
que debe ser los
ms constante posible, debe ser exactamente igual en mdulo que la parte imaginaria de la
admitancia del resonador,
, para que se cumplan las condiciones de oscilacin.

(3.34 b)
Las ecuaciones (3.34) representan las condiciones que deben darse para que exista la
oscilacin.
3.2.3. Resonador
Es ya conocido que la frecuencia de trabajo de un oscilador quedar determinada por el

circuito resonante, y particularmente, de los valores de los componentes LC. De esto cabe
esperar que una variacin de estos parmetros lleve consigo una variacin de la frecuencia de
oscilacin.
Generalmente el estudio del circuito resonador de un VCO se realiza sobre un esquema
que tiene la siguiente topologa:
Figura 3.23: Modelo del resonador
56
Captulo III:
La admitancia de entrada de este circuito tiene la forma:

(3.35)
Donde la frecuencia de resonancia es:
(3.36)
y su factor de calidad a la frecuencia de resonancia viene dado por:
(3.37)
Una vez definida la admitancia del resonador y del circuito que contiene al elemento
activo (ecuaciones slo es necesario calcular los parmetros que hacen posible que se den las
condiciones de oscilacin. Puesto que en el diseo del VCO se desea provocar la oscilacin en
un rango de frecuencias determinado se optar por sustituir la capacidad por otra de valor
variable, que en este caso puede tratarse de un diodo varicap, obligando a que dicho valor
cumpla en todo momento las condiciones de oscilacin.
Existe tambin una topologa de diseo de un circuito resonador formada por dos diodos
varicap en oposicin, conocida como configuracin en anti-paralelo.
Figura 3.24: Configuracin en antiparalelo de los diodos varicap
Una de las principales ventajas de este montaje es que acepta una mayor tensin en
radiofrecuencia, a la vez que puede mejorar la linealidad y no se pierde rango dinmico. La
linealidad de un VCO viene referida a la curva tensin-frecuencia. En la mayora de las
ocasiones interesa que sta sea lineal.
Para esta topologa los valores mximos y mnimos de capacidad se simplifican a:
y
57
Captulo III:
Si la variacin de capacidades no es suficiente para cubrir todo el rango de frecuencias es

posible utilizar resonadores conmutados o bien usar mltiples diodos varicap en
antiparalelo+paralelo.
3.2.4. Amplificador de aislamiento
Es el amplificador conectado tras el bloque del oscilador para desacoplar su seal. Se

trata generalmente de un amplificador de bajo ruido (LNA) cuyos objetivos son, por un lado
amplificar la seal que genera el VCO y por otro producir un aislamiento entre el oscilador y la
carga a fin de que las variaciones de sta no afecten a la frecuencia de oscilacin y as mantener
la estabilidad en frecuencia. Asimismo disminuyen las seales que retroceden por posibles
reflexiones hacia el oscilador, por posibles efectos de un mal acoplamiento a la salida de ste.
3.2.5. Ejemplo de oscilador
En la prctica existen numerosos diseos ya conocidos de VCO. Con el fin de dar una
idea de la topologa que presentan se va a mostrar el VCO basado en el oscilador de Colpitts
(vase la figura 2.25).
Figura 2.25: VCO basado en el oscilador de Colpitts
Se observa que se trata de una configuracin anti-paralelo de los varactores. Las

capacitancias C3 y C4 se pueden ajustar y optimizar para conseguir una respuesta en ganancia
lo ms plana posible en el rango de frecuencias. La alimentacin en corriente DC se realiza a
travs de R5 y R6.
58
Captulo III:
3.3.
ACOPLADORES DIRECCIONALES
Un acoplador direccional es un componente pasivo que se encarga de hacer un reparto de

la potencia de entrada. El modelo mostrado en la figura 3.26 representa un acoplador de 4
puertos:
Figura 3.26: Modelo genrico del acoplador direccional
Como puede deducirse de la figura, la mayor parte de la potencia de la seal se transmite al

puerto through, mientras que una parte minoritaria se transmite al puerto coupled y el puerto
isolated queda totalmente aislado.
La matriz [S] de las redes recprocas (
) con todos sus puertos adaptados tiene la
siguiente forma:
(3.38)
Si se trata adems de una red sin prdidas, la matriz de dispersin ser unitaria. Si se toma
, lo cual ocurre en los acopladores direccionales, las condiciones que deben
cumplirse para que se trate de una matriz unitaria y cuyo desarrollo viene dado por [9] son:
(3.39 a)
(3.39 b)
(3.39 c)
(3.39 d)
59
Captulo III:
Las relaciones (3.39) implican que

,
(3.40)
Para simplificar estos resultados se escogen referencias de fase en 3 de los 4 puertos.

Tomamos
. En tal caso las condiciones (3.40) se
reducen a:
(3.41)
Existen dos altertivas:
Acoplador simtrico:
Acoplador antisimtrico:
Observando la figura 3.26 y se deduce que la potencia que el puerto 1 aplica al puerto 3
viene dada por el factor de acoplamiento
sigue la relacin
, mientras que la que se aplica al puerto 2
. En un acoplador ideal no existe traspaso de potencia al
puerto 4, el cual queda aislado.

Las relaciones de potencia que describen el comportamiento de un acoplador direccional
son las siguientes:
-
Acoplamiento:
(3.42)
Directividad:
(3.43)
Aislamiento:
(3.44)
60
Captulo III:
La relacin entre ellas es:

(3.45)
El acoplador ideal tendra una directividad y aislamiento infinito (
), por lo que los
valores de y se obtendran a partir del acoplamiento.
3.3.1. Acopladores de lnea acoplada.
Cuando dos lneas de transmisin se colocan lo suficientemente juntas, puede aparecer un

acoplamiento de potencia debido a la interaccin de los campos electromagnticos de cada una
de ellas. La figura 3.27 muestra el esquema de las lneas acopladas en tecnologa microstrip y el
circuito equivalente de su seccin transversal.
(a)
(b)
Figura 3.27: (a) Lneas microstrip acopladas. (b) Modelo de capacidades
La figura 3.27 (b) determina las caractersticas elctricas de las lneas acopladas
asumiendo que las lneas operan en un modo de propagacin cuasi TEM. C11 y C22 representan
la capacidad existente entre la lnea conductora y el plano de masa del circuito microstrip. Si las
lneas son idnticas en tamao y en posicin relativa respecto a masa entonces C 11 = C22 .
La lnea microstrip presenta dos modalidades de excitacin: el modo par, en el que las
corrientes en las lneas tienen igual amplitud y direccin, y el modo impar, donde su amplitud es
tambin la misma sin embargo circula en direcciones opuestas. El comportamiento de estos dos
modos y su red de capacitancia respectiva son vienen dados en la figura 3.28 [1].
A partir de los circuitos anteriores se pueden calcular las capacitancias respectivas. En el
caso de modo par se trata de la capacidad existente entre la lnea y el plano de masa, y en el de
modo impar se calcula la capacidad existente entre ambas lneas.
61
Captulo III:
modo par
,
modo impar
Figura 3.28: (a) Excitacin par. (b) Excitacin impar
Las impedancias caractersticas de la lnea cuando opera en modo par e impar son:
Donde
modo par
modo impar
representa la velocidad de propagacin en la lnea.
Una vez se mencionadas las definiciones de las impedancias caractersticas del modo parimpar, aplicaremos este mtodo de anlisis al circuito de la figura 3.29 (a), que representa una
red de 4 puertos de lneas acopladas para calcular sus ecuaciones de diseo y relacionarlas con
las correspondientes al diseo de un acoplador Como puede observarse en la red, tres de los
cuatro puertos terminan en una impedancia de
y por el puerto 1 se inyecta la seal mediante
un generador de voltaje y una impedancia interna tambin de valor
El estudio del circuito se realizar utilizando las tcnicas de anlisis del modo par-impar
mediante la superposicin de las excitaciones ambos modos mostradas en 3.29 (b) y (c), en
conjunto con la impedancia de entrada de la lnea, que viene definida como:
62
Captulo III:
(3.46 a)
(3.46 b)
Figura 3.29: (a) Modelos del acoplador con lneas acopladas. (b) Modelo par. (c) Modelo impar
Para conseguir una adaptacin de todos los puertos se debe imponer que
lo que conllevar a la siguiente relacin:

(3.47)
Segn el anlisis realizado en [9] las tensiones obtenidas a la salida de los puertos tras
aplicar la superposicin viene dada por las siguientes relaciones:
(3.48)
(3.49)
(3.50)
(3.51)
63
Captulo III:
Donde C, o factor de acoplamiento, se define como

(3.52)
La grfica que representa las relaciones del voltaje por los puertos through y coupled
frente a
es:
Figura 3.30: Respuesta V-
Cuando
de los puertos de through y acoplado
, se cumple que la longitud del acoplador es /4, el acoplamiento en el
puerto 3 es mximo y las ecuaciones 3.50 y 3.49 se simplifican a

(3.52)
(3.53)
la matriz de dispersin resultante sera:
(3.54)
64
Captulo III:
Estos acopladores presentan un desfase de 90 entre sus dos puertos de salida adems de
una gran directividad.
Para todos estos clculos se supuso que los modos par e impar de la estructura de lneas
acopladas tienen la misma velocidad de propagacin, sin embargo esto no se cumple cuando se
trabaja con, por ejemplo, tecnologas microstrip (no TEM). La consecuencia es que el acoplador
con lneas microstrip presenta una directividad muy pobre. Para solventar este efecto y provocar
que las velocidades de fase de ambos modos se igualen se tiende a usar substratos con un alto
valor de constante dielctrica efectiva y substratos anisotrpicos.
Un inconveniente y limitacin de estos acopladores residen en realizar un acoplamiento
fuerte las lneas deben situarse muy prximas entre s, y en la prctica, debido a restricciones
tecnolgicas, puede no ser realizable.
65
Captulo IV:
IV.
Diseo del VCO y el acoplador
DISEO DEL VCO Y EL ACOPLADOR
Este captulo se comenzar dando una breve introduccin sobre los programas
Microwave Office (AWR) y Eagle, ya que han sido los software de diseo utilizados en la
implementacin de los circuitos. A continuacin se mostrarn los esquemticos obtenidos con el
AWR de cada uno de ellos.
4.1. HERRAMIENTAS DE SIMULACION

4.1.1. Microwave office
El programa utilizado para la simulacin fue AWR microwave office versin 2009. Se
trata de un software de diseo de AWR (Applied Wave Research) Corporation, fundada por el
DR. Joseph E. Pekarek y
dedicada al desarrollo de software EDA (Electronic Design
Automation) para RF, microondas y alta frecuencia.
Entre otros de sus productos
se
encuentran Visual System Simulator, Analog Office, APLAC, AXIEM y Analyst.

Microwave Office incluye todas las herramientas esenciales para el diseo de circuitos
integrados de alta frecuencia y PCB (Printed Circuit Board):
-
Simuladores de circuitos lineales y no lineales
Herramientas de anlisis EM
Esquemticos integrados y layout
Libreras de parmetros con una funcin DRC (Design Rule Check)
Manuales de uso
4.1.2. Eagle
Para el diseo del layout de los circuitos simulados previamente se va a utilizar el

programa EAGLE (Easily Aplicable Graphical Layout Editor). Se trata de una potente
aplicacin desarrollada por Cadsoft Computer, Inc. con la que se pueden delinear esquemas
electrnicos y PCBs con la opcin de un Autorouter, es decir, se automatiza el dibujo pistas en
la placa de circuitos impresos.
66
Captulo IV:
4.2. PROCESO DE DISEO

4.2.1. Calibracin
Antes de comenzar con el diseo de los circuitos fue necesario realizar una medicin de
los parmetros- S tanto de los elementos pasivos (resistencias y condensadores) como de los
transistores para conocer su comportamiento en radiofrecuencia en el substrato sobre el que se
realizar el VCO, y especialmente en el ancho de banda deseado, en este caso entre 7 y 9GHz.
Para ello se hizo uso del analizador de redes HEWLETT PACKARD 8510C .
Figura 4.1: Analizador de redes HP8510C
4.2.1.1. Analizador de redes

Un analizador de redes es un instrumento que permite una medida exhaustiva de redes o
componentes en RF y microondas, especialmente de los parmetros asociados a la reflexin y
transmisin de seales elctricas (parmetros de dispersin parmetros S), pero tambin se
pueden medir otros tales como los parmetros Z, Y H.
67
Captulo IV:
Existen dos tipos principales de analizadores de redes, los escalares (SNA) y los
vectoriales (VNA). Los primeros miden nicamente los parmetros en amplitud, mientras que
los segundos permiten su medida en amplitud y en fase.
En la figura 4.1 se muestra el diagrama de bloque bsico generalizado de un analizador de
redes vectorial:
Figura 4.2: Diagrama de bloques de un analizador de red
El motivo por el que la caracterizacin de redes a alta frecuencia se define en trminos de

parmetros S es que ofrecen una buena descripcin de aqullas a partir de sus coeficientes de
transmisin y reflexin con respecto a las ondas de tensin y corriente que sobre l inciden, y
cuyos valores totales son difciles de calcular a estas frecuencias. Adems se evitan las posibles
oscilaciones que puedan sufrir dispositivos activos, o incluso su destruccin, al conectarse a
circuitos abiertos o cortocircuitos para poder realizar las medidas que describan la red.
Los parmetros S se describen en forma de onda viajera y tienen las expresiones que se
muestran en la figura 4.3.
68
Captulo IV:
Figura 4.3: Descripcin de los parmetros de scattering medidos en el analizador
4.2.1.2. Calibracin TRL y estndares de calibracin

El objetivo de la calibracin es el de eliminar los errores sistemticos debidos a la propia
arquitectura interna del sistema para as lograr una medida ms precisa.
Para el desarrollo de este proyecto se llevo a cabo una calibracin Thru-Reflect-Line
(TRL) Full 2-Port. Este proceso de calibracin debe ser realizado siempre que se desee hacer
una serie de mediciones sobre el fixture.
El concepto Full 2-Port hace referencia al clculo y eliminacin de 12 trminos de error
sistemticos debidos a la directividad, impedancia de carga y dispersin, medidos tanto en la
transmisin como la reflexin. En la siguiente figura se ilustran estos errores:
Figura 4.4: Errores sistemticos
69
Captulo IV:
El concepto de calibracin TRL es especialmente til cuando se trata de medidas de

redes en entornos de microondas o no coaxiles, como fixtures o guas de ondas. La principal
ventaja de esta tcnica reside en que los estndares de calibracin son relativamente fciles de
realizar y definir a altas frecuencias. Estos estndares consisten en una lnea de transmisin
Through (lnea microstrip uniforme de 50 Ohm), Reflect (tpicamente una lnea microstrip en
cortocircuito o circuito abierto), y otra lnea de longitud ligeramente mayor a la de through
(Line).
En la figuran 4.5 se muestra el kit de calibracin usado para este proyecto. Se trata de
unas lneas microstrip montadas sobre el substrato RO4003C, que sern medidas entre las
frecuencias 0.5 MHz. Y 26 GHz y posteriormente optimizadas en el rango de 7-9 GHz.
Figura 4.5: Kit de calibracin sobre el substrato RO4003C de Rogers
Los tres pasos bsicos en el proceso de calibracin son los siguientes (ver figuras 4.5 y 4.6):
-
THRU: se conecta entre los dos puertos del analizador una lnea corta de
transmisin.
REFLECT: se conecta una lnea idntica a cada puerto con un alto coeficiente de
reflexin.
LINE: se inserta entre los puertos una lnea de transmisin corta. Se requiere una
longitud distinta entre THRU y LINE.
70
Captulo IV:
Figura 4.6: Conexin de Line al analizador de redes
4.2.1.3. Secuencia de calibracin

A continuacin se describe el proceso de calibracin para la medida sobre el fixture
utilizado.
1. Seleccionar el men CAL
2. Seleccionar la frecuencia de inicio y final para la medida.
3. Presionar TRL Full 2-PORT. Las calibraciones THRU, S11 RFLECT, S22 REFLECT y
LINE, pueden realizarse en cualquier orden, sin embargo es aconsejable que la de
ISOLACIN se haga una vez las anteriores hayan finalizado.
4. Conectar el fixture al analizador y presionar THRU, S11 REFLECT, S22 REFLECT,
LINE o ISOLATION, segn la calibracin que se desee realizar. El orden no es en
principio importante, sin embargo es aconsejable que la ISOLATION se haga una vez
las anteriores hayan finalizado, en nuestro caso se seleccionar OMIT ISOLATION,
ISOLATION DONE. Cuando las medidas de los parmetros sean completados
aparecer la correspondiente calibracin subrayada, y podr seguirse el proceso hasta
realizar las c inco. Es muy importante que la conexin del fixture a analizador se haga
correctamente.
En la figura 4.7 se muestra la correspondencia de nuestro kit de calibracin utilizado
con sus respectivas medidas de calibracin.
71
Captulo IV:
Figura 4.7: Men de calibracin TRL Full 2 Port
5. Presionar SAVE TRL CAL y seleccionar el canal dnde se desea guardar la calibracin,
CAL SET.
4.2.1.4. Parmetros S de los elementos discretos con el analizador de redes

Una vez realizada la calibracin del test fixture, el siguiente paso es el de calcular los
parmetros S de un conjunto de resistencias
y condensadores comerciales de valores
comprendidos entre 10 y 150 Ohm y 1pF y 15pF respectivamente, as como de varios

transistores BFPxxx de Infineon, para caracterizar su comportamiento sobre el substrato y de
ese modo poder simularlos en el diseo y comprobar cul de ellos es el que mejor se adapta a
las especificaciones de ste.
Como se puede observar en la figura 4.8 sobre el substrato de calibracin se han aadido
una serie de lneas microstrip adicionales a las que se soldarn los DUT (Device Under Test)
correspondientes. Para realizar las medidas se conecta cada extremo de la lnea al analizador, de
igual modo que en la calibracin y a continuacin se selecciona el parmetro de medida
deseado, es decir, los parmetros S en magnitud.
72
Captulo IV:
Figura 4.8: Resistencias colocadas sobre el fixture de calibracin
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR
En el caso de los transistores, se debe primeramente ajustar el punto de polarizacin, que

para este proyecto ser de Ic=20mA y Vc=2.5V. En las siguientes grficas representadas en 4.9
se muestran los resultados obtenidos en el analizador de redes de las respuestas de los
transistores BFP420 y BFP520f una vez fijado el punto de polarizacin de los mismos.
Figura 4.9: Parmetros S de los transistores una vez polarizados medidos en el analizador de redes.
(a)BFP420. (b)BFP520f.
73
Captulo IV:
La lnea rosa de las grficas presenta la ganancia de los transistores una vez polarizados.
Se puede observar que la ganancia del transistor BFP520f, es claramente mayor en el rango de
frecuencia de nuestro inters.
4.2.1.5. De-embedding
Para corregir los efectos del fixture y de los pads y ajustar los datos medidos a unos
planos de referencia ms tiles se van a aadir a los esquemticos que posteriormente se
realizarn de los modelos de la resistencia y del condensador unas lneas de transmisin
adicionales de anchura y longitud fijas. Este proceso se conoce como de-embedding.
Figura 4.10: De-embedding. Posicin de los planos de referencia de inters y los de medida real
La forma resultante del esquemtico se muestra en la figura 4.11.
74
Captulo IV:
Figura 4.14: Esquemtico con lneas para la simulacin de de-embedding
4.2.2. Diseo de esquemticos

Como se dijo anteriormente, para la simulacin de los circuitos que se vayan creando
durante el desarrollo del proyecto se va a utilizar el programa Microwave Office, una
herramienta software que permite simular y optimizar la respuesta de un circuito en tecnologa
planar: stripline, microstrip, etc. Los parmetros fsicos del circuito sern descritos a priori
mediante un esquemtico (circuit schematics) donde se definir el tipo de substrato a emplear
y las dimensiones fsicas del diseo, tales como longitudes, anchuras y grosores de las lneas,
as como la forma global del circuito o la disposicin de las interconexiones entre los distintos
componentes. Una vez se accede al programa de Microwave Office aparece el entorno de
trabajo sobre el que se va a simular (ver figura 4.12) de un proyecto en blanco, el cual se puede
guardar el proyecto en cualquier momento, sea cual sea el estado en el que se encuentre su
desarrollo. Para hacerlo, basta con desplegar el men File (barra superior del interfaz) y
seleccionar Save Project.
75
Captulo IV:
Figura 4.15: Entorno de trabajo del Microwave Office3
Antes de comenzar con el diseo propio se van a describir los grupos de elementos ms
importantes del interfaz principal:
Mens: mens desplegables donde aparecen todas las opciones y comandos.
Barra de herramientas: fila iconos donde se encuentran los comandos de uso ms
frecuente.
Project Browser: columna principal a la izquierda de la interfaz. En esta columna se
encuentran todos los datos y componentes que forman el proyecto. En particular,
interesan las siguientes carpetas para comenzar:
o Project Options: para definir las frecuencias de simulacin, las unidades
globales y la impedancia de referencia, entre otras cosas.
o Circuit Schematics: Pgina de diseo en la que se realiza el esquemtico o
implementacin de los elementos que componen el circuito a simular.
o Graphs: Carpeta de la que van a colgar los grficos que se definirn cuando se
desee simular el circuito.
o Optimizer Goals: para definir los objetivos del optimizador.
o EM Structures: pgina en la que se implementan los circuitos para poder hacer
sobre stos una simulacin electromagntica.
3
Este entorno de trabajo es de una versin anterior, pero al contener los mis mos componentes en su
interfaz resulta til para la definicin de sta.
76
Captulo IV:
Workspace: rea central de la ventana, en la que se visualizan los diferentes elementos

activos sobres los que se trabaja en cada instante: esquemticos, grficas, etc.
Tabs: lengetas situadas en la parte inferior izquierda de la ventana, que permiten elegir
el tipo de browser a visualizar en el rea izquierda del interfaz. El browser que aparece
por defecto es el del proyecto, o Project Browser, denominado Proj en el tab
correspondiente. Los otros browsers, son:
o Element: Despliega los elementos definidos en el entorno de trabajo del programa
Microwave Office para implementar los circuitos, tanto en tecnologa stripline como
en microstrip. Estos elementos son, desde tramos de lneas, hasta lneas acopladas,
pasando por uniones en T, divisores Wilkinson, etc. Tambin aqu se encuentran
definidos los distintos tipos de substratos.
o
Var: Permite un acceso rpido a los valores de todos los parmetros del circuito
definidos por el usuario (dimensiones de las lneas, parmetros elctricos del
substrato,
etc). Permite activar las opciones tune, para el ajuste manual, y
optimize, para la optimizacin automtica de los valores de estos parmetros.

o Layout: Muestra las opciones para disear y representar el layout del circuito.
A continuacin se van a detallar los pasos seguidos para comenzar el proceso de

simulacin de nuestros circuitos una vez se haya abierto un nuevo proyecto:
OBTENCION DE FICHEROS
En primer lugar debemos importar los archivos con los parmetros de scattering de los
elementos discretos obtenidos con el analizador de redes, para poder aadirlos en la simulacin.
Para obtener el formato de fichero Touchstone, que es con el que trabaja el Microwave Office,
se utilizar el programa Spara (ver figura 4.17).
Para realizar la conversin se selecciona del cuadro superior izquierdo el fichero que
queremos convertir, presionamos la opcin Touchstone *.S?P erzeugen y 201 Punkte (puntos de
frecuencia discreta donde se realiza la medida) y finalmente guardamos (Ergebnis speichern).
A partir de este momento se obtiene una tabla que contiene los datos de los parmetros de
scattering comprensibles por el AWR Microwave Office.
La importacin de ficheros es una tarea sencilla pero tediosa puesto que se debe hacer
fichero a fichero. Para ello hacemos click en Data Files situado tambin en el Project Browse,
seleccionamos Import Data File, y desde all se busca el fichero que se desea aadir.
77
Captulo IV:
Figura 4.16: Entorno de trabajo del programa de conversin S para
DEFINICIN DEL PROYECTO

Para implementar un esquemtico o circuito antes que nada se debe definir tanto el barrido
de frecuencia para la posterior simulacin (definir una frecuencia Start y una Stop), el salto
entre puntos de frecuencia consecutivos (Step), y unidades globales con las que se va a trabajar
(Global Units). Todo esto se realiza dentro del cuadro de dilogo que aparece al seleccionar
Project Options (ver figura 4.14), dentro del men Project Browser.
Figura 4.17: Cuadro de dilogo para definir las opciones del proyecto
78
Captulo IV:
Para este proyecto se ha escogido un barrido entre 4GHz y 10GHz, dejando cierto margen
en las frecuencias lmites de trabajo (7GHz y 9GHz). Para la eleccin del salto hay que tener en
cuenta que un bajo nmero puede dar una idea no fiable de la simulacin y uno elevado puede
ralentizar el proceso demasiado.
Una vez realizados los dos pasos anteriores se van a ir describiendo los distintos
esquemticos necesarios para el diseo del VCO. Para crear un esquemtico basta con ir al
Project Browser
Circuit Schematics, y abrir el men correspondiente haciendo click con el
botn derecho. En el men desplegable que aparece hay que seleccionar la opcin New
Schematic.
El primer elemento que hay que definir al crear un esquemtico es el substrato. En este
proyecto se trabajara con el substrato RO4003C fabricado por Rogers y que podemos encontrar
en Element Browser
libreries
Rogers
Substrates. Al seleccionar la opcin RO4003C
aparecern varios tipos de substratos con igual constante dielctrica (r=3,38), pero con distinto
grosor, H, y distinto espesor del conductor, C n . El substrato sobre el que se basar este proyecto
es el que se corresponde con H= 8 mil y C n =1/2 oz.
La eleccin de un substrato adecuado es tambin muy importante para la respuesta en
frecuencia del circuito. En un principio el circuito se diseo sobre el substrato Rogers RO4003C
con grosor H=20 mil, mostrado en la figura 4.19. Al simular el esquemtico pudo verse como la
respuesta en frecuencia no alcanzaba a funcionar correctamente en el rango de frecuencias en el
que los diseos deban trabajar, por lo que se tom la opcin de simular el mismo circuito
utilizando en esta ocasin el mismo substrato con un grosor de 8 mil. El resultado fue un
desplazamiento de la respuesta a las frecuencias deseadas, por ese motivo la eleccin del
substrato fue el mencionado anteriormente. Esto conduce a deducir que a frecuencias mayores el
grosor del substrato debe reducirse para obtener una mejor respuesta en frecuencia, puesto que
se previenen prdidas por radiacin y otros efectos espreos.
Tras definir el substrato con los valores elctricos y geomtricos de acuerdo a las
especificaciones de diseo, ya se pueden aadir al esquemtico los diferentes elementos y
tramos de lnea que componen el circuito, e interconectarlos entre s. Al trabajar en tecnologa
microstrip, este ser el grupo que se seleccione dentro del Element Browser.
79
Captulo IV:
Figura 4.18: S ubstrato RO4003C de Rogers
4.2.2.1. Modelos en alta frecuencia de r , c y el varactor diodo

Los primeros esquemticos que se van a realizar son los circuitos equivalentes en alta
frecuencia de la resistencia y del condensador. La realizacin de estos modelos es a su vez til
para los procesos de optimizacin, puesto que facilita el ajuste de los valores adecuados sin
necesidad de ir probando cada valor por separado (opciones de optimizacin y tune).
Modelo del condensador: Un condensador real no presenta slo una capacidad sino que
tiene asociadas una resistencia e inductancia, debidas a los terminales y a la estructura
del componente. Los elementos parsitos tienen un valor fijo de C=0.2pF, L=1nH y
R=1.
Figura 4.19: Esquemtico del modelo en alta frecuencia de la capacidad
80
Captulo IV:
Modelo de la resistencia: su circuito equivalente est formado por una capacidad

distribuida y una inductancia parsita. Su valor es pequeo a bajas frecuencias, sin
embargo resultan predominantes a altas, afectando de ese modo al comportamiento de
la resistencia. Los valores de los elementos parsitos son C=0.09pF (capacidad
distribuida) y L=0.9nH.
Figura 4.110: Esquemtico del modelo en alta frecuencia de la resistencia
Modelo del diodo varactor: como se coment en el apartado 3.2.2 el diodo varactor
utilizado es el diodo fabricado por MACOM de la serie MA4SY2000. El modelo que se
va a seguir y los valores de sus componentes vienen especificados en el modelo Spice
que se incluyen en la ficha del fabricante. Como puede observarse tambin en esta
ocasin deben aadirse las lneas de simulacin de de-embedding.
Figura 4.111: Modelo S pice del diodo varactor MA4S Y2200 de MACOM
81
Captulo IV:
4.2.2.2. Diseo amplificador de aislamiento
En la figura 4.19 se muestra el diseo final del amplificador. Como puede observarse se
trata de un amplificador de dos etapas. El objetivo principal obtener a su salida una ganancia
(s21 ) aproximada de 10dB lo ms plana posible en todo el rango de frecuencias de trabajo y unas
prdidas por insercin de entrada y salida (s 11 y s22 respectivamente) menores a 20dB.
El diseo de este circuito activo se llev a cabo experimentalmente, es decir,
los
elementos que lo componen y sus respectivos valores se han ido variando en funcin de los
resultados obtenidos tras el proceso de optimizacin del mismo, hasta llegar al resultado final.
En la figura puede observarse el uso de acoples de entrada y salida de 50 Omh, para lo
que han utilizado lneas de transmisin de ancho de 18 mil., y de longitud es irrelevante. Para la
obtencin de este grosor se han utilizado la ecuacin (2.4). Conociendo los valores de h= 8 mil ,
de la constante dielctrica del substrato, r = 3.38, y de la impedancia caracterstica, Z 0 =50,
tan slo hay que sustituir valores obteniendo:
-
A = 1.3758
B = 6.4421
W/h = 2.3186 W = 18.53 mil
Tambin se han aadido un condensador de desacoplo entre las dos etapas de

amplificacin, para evitar que las corrientes de polarizacin de ambos transistores se acoplen, y
otros dos condensadores en las etapas de entrada y salida del amplificador cuya funcin es la de
provocar la barrera de aislamiento de la seal (C 1 y C2 ). Es importante no olvidar colocar el
condensador de desacoplo a la entrada, puesto que otra de sus funciones es la de hacer posible
las medidas del circuito en el analizador de redes evitando el paso DC al circuito.
La estructura y valores de las lneas que componen las redes de adaptacin tambin se
han ido variando para obtener un resultado ptimo. Las resistencias R1 , R2 y R3 se han utilizado
para obtener una salida lo ms constante posible. Aunque en la figura no pueda verse claramente
los valores obtenidos son de:
-
R1 = R3 = 82
R2 = 150
Las partes del circuito nombradas como L1, L2, L3 y L4, que formarn parte del circuito
de polarizacin del transistor estn compuestas por unas lneas microstrip y por un stub radial
82
Captulo IV:
cuyas longitudes son de aproximadamente /4 respecto a la frecuencia central de trabajo (8

GHz.). El anlisis de esta red de polarizacin viene dado en el apartado 2.2.1.
Para calcular la longitud equivalente a /4 de una frecuencia central se tiene en cuenta la
definicin de .
Recordando la relacin 20mil = 0.508 mm se obtiene:
Estas son las medidas que tericamente deberan tener estos componentes, pero puesto
que se trabaja con un ancho de banda de 2 GHz. respecto a la frecuencia central, la longitud que
se obtiene tras la optimizacin puede distar de la esperada.
83
C1
C2
Figura 4.112: Esquemtico del amplificador de aislamiento
84
Captulo IV:
En la figura 4.20 se muestra la ventana de optimizacin utilizada en el diseo del

amplificador. Como puede observarse las especificaciones que se deseen obtener del circuito se
aadirn en la opcin Optimizer Goals, situada en el Project Browser. Para poder variar los
elementos que se deseen optimizar (longitudes y grosores de las lneas, valores de resistencias,
condensadores, etc) es necesario en primer lugar seleccionar el elemento en cuestin y hacer un
doble click sobre l para que aparezca una tabla con las propiedades del elemento. En dicha
tabla deben ser seleccionadas las opciones de Opt, para que pueda tenerse en cuenta a la hora
de optimizar, y de Limit, para limitar los va lores a optimizar entre unos mximos y unos
mnimos (por ejemplo, el valor de los condensadores vara entre 1 y 15pF)
Dentro de la opciones de optimizacin es importante destacar que a cada condicin se le
puede dar un peso, es decir, un valor de la importancia que ocupan en del diseo del circuito.
Asimismo, el mtodo de optimizacin que se usar ser el de Random Local.
Un resultado ideal se obtiene cuando el valor de Cost se anula.
(a)
(b)
Figura 4.20: Opcin de optimizacin. (a) Parmetros optimizados. (b) Coste de optimizacin
85
Captulo IV:
4.2.2.3. Diseo del circuito oscilador
Para el diseo del circuito oscilador es necesario construir dos circuitos: un resonador y
un amplificador que compense las prdidas del circuito resonante.
Como se coment en el tercer captulo durante todo el rango de frecuencias de trabajo
debe cumplirse la condicin de oscilacin, es por ello que el diseo de ambos debe ir varindose
simultneamente, puesto que el cambio de algunos parmetros en un circuito puede afectar de
forma trgica al funcionamiento del oscilador si no se ajustan algunos en el otro.
Tal y como ocurri con el diseo del amplificador el resultado final de ambos circuito fue
resultado de diversas pruebas, de aadir y eliminar elementos y variar sus valores para asegurar
que su respuesta en admitancias cumpliese la condicin de oscilacin en todo el rango de
frecuencias de aplicacin.
Circuito amplificador
La figura 4.21 representa el circuito utilizado como amplificador en el diseo del oscilador
controlado por tensin. Como puede observarse, en este caso se ha utilizado en transistor
BFP420 de Infineon. Se ha aadido una lnea microstrip conectada a su emisor, con la que
variando sus valores de anchura y longitud es posible variar la parte real de la admitancia de
entrada del circuito sin alterar prcticamente el valor imaginario. Tambin se observa que se ha
aadido a su salida el esquemtico del amplificador de aislamiento diseado anteriormente
(amp_prueba).
El circuito de polarizacin del transistor sigue el mismo esquema que el utilizado
anteriormente en el diseo del amplificador de aislamiento, aunque puede observarse en este
caso a la base del transistor viene conectado directamente el stub semicircular. Fue conveniente
la eliminacin de la lnea para obtener una mejor respuesta. Este resultado fue de nuevo
consecuencia de una prueba experimental.
El subcircuito nombrado squematic 1 de la figura es una resistencia cuya funcin era la
de conseguir unos valores de la parte imaginaria de la respuesta en admitancia del circuito lo
ms constante posible.
86
Figura 4.21: Esquemtico del circuito activo del oscilador
87
Captulo IV:
Resonador
El circuito resonante estar conectado al emisor del circuito amplificador. Se trata de un
circuito extremadamente sensible puesto que cualquier mnima variacin de las caractersticas
de las lneas que lo forman afectan en gran medida a la admitancia que presenta y, por lo tanto,
a las condiciones de oscilacin.
El primer paso que debe realizarse cuando se desea simular el resonador es el de limitar
los valores de la capacidad variable de ste a los valores con los que se trabajar, en este caso
ajustamos sus valores mximos y mnimos a 0.5pF y 7.5pF respectivamente (estos valores son
obtenidos de la ficha del fabricante).
Para el diseo del circuito resonador se trabaj principalmente con dos tipos de
estructuras ya comentadas en el segundo captulo. Una basada en el uso de un solo diodo
varactor, y la otra en el uso de dos varactores.
-
Diseo con un varactor:

Dos de los esquemticos que se disearon para realizar este tipo de estructura vienen
representados en la figura 4.22.
(a)
88
Captulo IV:
(b)
Figura 4.22: Dos ejemplos de esquemticos del circuito resonador con un nico varactor
Diseo con dos varactores:

En esta ocasin tambin se disearon varios esquemticos, sin embargo tan slo se
mostrar el utilizado para el diseo final, puesto que el resto tenan prcticamente la misma
topologa y lo nico que variaba eran las propiedades de las lneas y stubs que lo formaban.
Como puede observarse los diodos estn conectados en oposicin, a esto se le denomina
configuracin en anti-paralelo o back-to-back. A efectos de tensin continua de polarizacin o
control ambos diodos quedan en paralelo y sus capacidades se suman.
Figura 4.23: Esquemtico del circuito resonador con dos diodos varicap en oposicin
89
Captulo IV:
4.2.2.4. Diseo del acoplador

El acoplador direccional se realizar mediante lneas de transmisin acopladas. Como ya
se coment se trata de un circuito de cuatro puertos, en el cual uno de ellos estar aislado. Para
disear el puerto adaptado se conectar a ste un esquemtico que represente una impedancia
de adaptacin o match. Para implementarlo simularemos un circuito que presente un valor de
. El diseo se presenta en la figura 2.24, donde cada una de las cajas
representa una resistencia de 68 Ohm.
Figura 4.24: Esquemtico de la impedancia de adaptacin o Match
El resultado de simulacin del match se puede ver en la siguiente grfica.
Figura 4.25: Respuesta del Match
90
Captulo IV:
Una vez realizado dicho paso se procede al diseo del acoplador direccional. El
diagrama general de estos acopladores ya era representado en la figura 3.26. El principal
objetivo es el de realizar una divisin de potencia de la seal de entrada (puerto 1) entre el
puerto acoplado y el de salida. El esquemtico final fue el resultado de la optimizacin de dicho
circuito a las siguientes especificaciones en todo el rango de frecuencias de trabajo:
Las dos ltimas especificaciones deben ser lo ms constantes posibles.
La siguiente figura muestra el esquemtico obtenido, al que se ha aadido en el puerto
adaptado el match anteriormente diseado.
Figura 4.26: Esquemtico del acoplador direccional
91
Captulo IV:
SIMULACIN ELECTROMAGNTICA
Adems del diseo del esquemtico, AWR ofrece una herramienta de simulacin
electromagntica, que da una idea ms aproximada del comportamiento de dicho circuito. Para
realizar la simulacin electromagntica (EM), en primer lugar hay que crear una estructura EM,
que se encuentra en el Project Browser. A continuacin hay que introducir las caractersticas del
substrato.
Figura 4.27: Cuadro de dilogo para la descripcin de las propiedades del material utilizado
Las pestaas que se utilizarn sern:

-
Enclosure: donde se detallar el tamao que ocupar el circuito a simular y el grid de

dicha estructura.
Material Defs.: aqu se detallarn las caractersticas del dielctrico usado, como puede
observarse en la figura 4.27 se ha aadido la constante dielctrica del substrato con el
que trabajamos.
Dielectric Layers: aqu se definirn las capas o Layers y su altura (h), en este caso se
trata del propio dielctrico (h=8) y el aire.
92
Captulo IV:
La estructura EM del acoplador se presenta en la figura 4.28. En principio se crea un

diseo basado en las medidas obtenidas del esquemtico. Sin embargo, es probable que deba
variarse el tamao de las lneas, puesto que al hacer una simulacin EM puede observarse que
los resultados varan respecto a los obtenidos segn el esquemtico. Puesto que la respuesta de
la simulacin EM dar una idea ms aproximada de lo que ocurre en realidad, a la hora de crear
el layout del acoplador se tendrn en cuenta las medidas obtenidas segn el anlisis EM.
Figura 4.28: Estructura del acoplador para su simulacin electromagntica
El puerto 4 representa el puerto aislado. En el layout, se aadir el match diseado

anteriormente (ver la figura 4.24), sin embargo para poder realizar la simulacin EM se
representar dicha carga por una lnea de transmisin de ancho 18 mil, es decir, una lnea que
representa una impedancia de 50 Ohm, puesto que no es posible simular elementos discretos en
este tipo de estructuras.
4.3. RESULTADOS DE SIMULACIN

Los puertos de entrada/salida, estarn situados en aquellos puntos del circuito desde los
que se desee realizar la respuesta del mismo. Para simular los circuitos lo primero que hay que
hacer es crear una nueva grfica. Para ello pinchamos el botn derecho sobre la opcin Graph
(Project Browser), y a continuacin Add Graph. Entonces aparece un cuadro de dilogo donde
se seleccionar el nombre del grfico que vamos a crear. Pinchando de nuevo el botn derecho
93
Captulo IV:
del nuevo grfico se selecciona Add Mesurement para aadir las medidas deseadas: para ello
hay que definir el esquemtico deseado en el campo Data Source Name. Por defecto, en dicho
campo aparece el valor All Sources, pero hay que cambiar esta opcin por el nombre del
esquemtico creado. A continuacin hay que definir qu parmetros se desean medir (S, Y, Z,
etc.) Para ello, se selecciona el tipo de parmetro en la columna denominada Measurement.
Tambin hay que especificar si la medida se desea en magnitud, fase, o en parte real o
imaginaria, y si de desea en dB.
A continuacin se van a presentar los resultados obtenidos con el AWR de los distintos
circuitos simulados.
4.3.1. Amplificador de aislamiento
Para esta primera simulacin nos basaremos en el esquemtico de la figura 4.29.En esta
ocasin se seleccionar una medida de los parmetros S del circuito. La respuesta se simul
entre 7 y 9 GHz, y los valores esperados eran los siguientes:
El resultado obtenido se muestra en la grfica 4.29. Como puede observarse los resultados
de simulacin son bastante satisfactorios, puesto que se obtiene una ganancia prcticamente
plana de 13 dB en el rango de frecuencias y un rechazo a reflexiones del amplificador (
) que cumple las especificaciones.
94
Captulo IV:
Figura 4.29: Respuesta del amplificador de aislamiento
4.3.2. Oscilador controlado por tensin
Para simular el VCO debemos aadir en una misma grfica las
medidas de las
admitancias (parte real e imaginaria) de entrada tanto del circuito amplificador como el del
resonador (ver figuras 4.21 y 4.23). Es importante que en todo el rango de frecuencias se
cumpla la condicin de oscilacin (3.34), por lo que es necesario seleccionar la opcin Tune en
la capacidad variable del diodo varactor, para observar los efectos que su variacin provocan en
la respuesta en todo el rango de frecuencias de trabajo del oscilador.
A continuacin se muestras los resultados obtenidos a las frecuencias de 7GHz, 8GHz y
9GHz (ver figuras 4.30). Las admitancias representadas por el puerto 2 se corresponden con las
del resonador, y las de puerto 3 con el circuito amplificador.
Puede observarse como a 7GHz, que corresponde a una capacitancia de 0.5 F, la
condicin (3.34 b) no se cumple exactamente a la frecuencia deseada, si no que se pierden
aproximadamente 100 MHz de ancho de banda (punto A en la figura 4.30 (a)). Asimismo, las
condiciones de oscilacin tampoco se consiguen exactamente a 9 GHz (punto B en la figura
4.30 (c)). Sin embargo estos fueron los resultados ms aproximados a lo esperado que lograron
obtenerse. Experimentalmente se poda comprobar que un resultado exacto en la frecuencia
inferior, debido a la fuerte sensibilidad de los circuitos a cambios en valores de sus elementos,
supona un fuerte descenso de ancho de banda del oscilador a la frecuencia lmite superior (9
95
Captulo IV:
GHz) y viceversa. Por ese motivo, se decidi el diseo de una respuesta compensada en ambos
lmites.
En la figura 4.30 (c) tambin puede observarse como a 5 GHz aparece un nuevo pico en
la respuesta de la admitancia en el resonador, para evitar que ocurra una oscilacin indeseada, es
necesario variar la respuesta del circuito amplificador a dicha frecuencia, para provocar que las
condiciones de oscilacin no se cumplan. En este ejemplo, se ha forzado que a la frecuencia
exacta donde se cumple la condicin de la parte real de la admitancia (aproximadamente 5.3
GHz.), la parte imaginaria del amplificador sea menor en mdulo que la del resonador y de esa
forma no cumplir la condicin para la oscilacin.
En la figura 4.30 (b) se han aadido unas flechas que nos muestran la variacin que sufre
la respuesta del resonador a medida que se vara la capacitancia del diodo varactor. Tambin
pueden verse los valores
numricos obtenidos a la frecuencia de 8GHz, y asimismo se
comprueba cmo stos cumplen las condiciones de oscilacin.
(a)
96
Captulo IV:
(b)
(c)
Figura 4.30: Respuestas de simulacin en admitancias de entrada de los circuitos activo y resonador en
funcin del valor del valor de la capacidad variable del diodo varicap. (a) 0.5 pF. (b) 1.06 pF. (c) 7.5 pF.
97
Captulo IV:
4.3.3. Acoplador direccional
La figura que se va a simular en esta ocasin se corresponde con el esquemtico de la

figura 4.25. Como en este caso nos interesa calcular la porcin de seal que se transmite al
puerto 2 y la que es acoplada al puerto 3, es decir, una relacin de potencia, se realizar de
nuevo una medida de los parmetros S del circuito, y que en un principio deberan ser lo ms
cercanos posible a los dados por las especificaciones del apartado 4.2.2.4.
La respuesta que presentaba el esquemtico del acoplador, tras su optimizacin se
muestra en la figura 4.31. Aunque los datos no estn explcitamente dados, puede observarse
que son muy aproximados a los que se deseaba conseguir.
Figura 4.31: Respuesta de simulacin del acoplador direccional
Como ya se mencion, para la simulacin del acoplador tambin se recurri a la

herramienta de anlisis EM, que ofrece una idea ms acertada de la respuesta de circuitos
pasivos con una geometra dada. La simulacin EM se realizar a partir de la estructura de la
figura 4.28. Aunque no pueda observarse a simple vista, las medidas de las lneas que las
componen difieren de las obtenidas en el esquemtico de la figura 4.26. Los valores del diseo
final se consiguieron de forma experimental, tras variar algunas lneas se observaba los efectos
que cada uno de ellos generaba y a partir de ah, se intentaba conseguir una respuesta lo ms
aproximada a la posible a la deseada.
98
Captulo IV:
Figura 4.32: S imulacin EM del acoplador direccional
99
Captulo V:
V.
Resultados
RESULTADOS
5.1.
INTRODUCCIN
En este captulo se pretenden mostrar principalmente los resultados finales obtenidos una
vez creados los distintos circuitos y realizar una comparativa con los obtenidos en la simulacin
con el AWR. El captulo est divido en dos bloques. En un primer bloque se presentar el layout
de los distintos diseos realizados con el programa Eagle, que ya fue presentado en el anterior
captulo, y en el segundo bloque se mostrarn los circuito ya montados y las respuestas medidas
en los equipos correspondientes.
5.2.
DISEO DEL LAYOUT
Una vez diseados y simulados los esquemticos de los distintos circuitos a realizar, el
siguiente paso consiste en diseo de los layout.
En primer lugar se debe crear un nuevo proyecto en el entorno de trabajo, donde podrn
aadirse tantos Boards o interfaces para el diseo de layouts como se deseen. La figura 5.1
muestra el panel de control del programa, desde donde se crearn los proyectos.
Figura 5.1: Panel de control de Eagle
100
Captulo V:
Resultados
El siguiente paso consiste en establecer las caractersticas de Grid a la pizarra, es decir, se

seleccionar el tamao de la cuadrcula que divide la pizarra y la unidad de medida de la misma
(mil), para facilitar el desarrollo del diseo. La ventana que permite esta opcin, incluida en el
men Draw, de la barra de herramientas es la mostrada en la figura 5.2:
Figura 5.2: Ventana de seleccin del Grid
A continuacin se procede al diseo del layout de los circuitos. La implementacin del

layout se realizar teniendo en cuenta los valores obtenidos en los esquemticos y colocando
uno a uno los distintos elementos.
La conexin de los componentes se realizar mediante lneas microstrip situadas en la
capa 0. Una vez seleccionado el icono de lnea o wire, todos los parmetros de este comando
debern establecerse en la barra de herramientas para parmetros (ver figura 5.3).
Figura 5.3: Barra de herramientas para la opcin Wire
101
Captulo V:
Resultados
Para insertar los elementos discretos como los transistores, condensadores y resistencias
se acudir a los elementos de librera, donde se escoger el tipo de encapsulado de cada uno de
ellos. Para aadirlos seleccionamos e l icono de librera (ver figura 5.4) y a continuacin el
desplegable pm_krohne. Para insertar una resistencia se seleccionar el encapsulado
R0603RF, para los condensadores C0603RF. Los encapsulados de los transistores de unin
BFP405 y BFP520f de Infineon tambin puede encontrarse en dicha librera.
Figura 5.4: Desplegable de librera
Otro aspecto que debe tenerse en cuenta cuando se disea una placa es que se cumplan
una serie de reglas de diseo. Concretamente estas reglas de diseo son aquellas que tienen que
ver con la separacin entre componentes, anchura y separacin de las lneas de transmisin y la
distancia mnima entre dos vas-holes. Para definir nuestras reglas seleccionamos el icono
DRC, y las redefinimos en el cuadro de dilogo que aparece, puesto que ya existen unos valores
dados por defecto. Para la implementacin de los layouts se fijarn las distancias mnimas segn
las indicadas en la figura 5.5.
102
Captulo V:
Resultados
Figura 5.5: Ventana para la definicin de reglas de diseo
Para las conexiones a tierra de los elementos se usarn las Via-Holes, que son los orificios
que permiten la conexin entre ambas caras de la placa, de las cuales la inferior representar el
plano de masa del circuito. El dimetro de estos elementos tambin puede ser definido de forma
que se adece al tamao de los componentes.
En el diseo de layouts es importante tener en cuenta diversos aspectos que pueden
afectar negativamente al comportamiento final del sistema, como por ejemplo:
-
Evitar colocar las lneas demasiado cercanas entre s para que no existan acoplamientos
indeseados de la seal. En este proyecto se ha intentado mantener una distancia
aproximada de 80 mil, debido a la frecuencia a la que los circuitos trabajan.
Tambin se deber evitar que las lneas conectadas en cualquier puerta del transistor no
se encuentre muy cercana a la adyacente para impedir que el transistor no se comporte
correctamente.
Aproximar las longitudes y grosores de las lneas lo mximo posible a las obtenidas
segn sus respectivos esquemticos.
Evitar trazar lneas que formen esquinas al doblarlas. Es preferible realizar giros
circulares, puesto que son ms fieles a las longitudes de la lnea y adems las
propiedades de la lnea microstrip vara en menor proporcin.
Colocar las uniones de lneas de distinto grosor o con los componentes discretos y los
cruces centrados.
Disear un circuito del menor tamao posible, teniendo en cuenta los puntos anteriores,
y a ser posible que ofrezca un contorno lo ms compacto posible para evitar que la falta
de robustez de la placa pueda provocar efectos indeseados.
103
Captulo V:
Resultados
Con todas estas consideraciones ya se puede comenzar con el diseo del Layout. Hay que
destacar que este programa no ofrece la posibilidad de simulacin del circuito, por lo que es
muy importante antes de pasar a la fabricacin del mismo asegurarse que no existe ningn tipo
de error como la falta de elementos o de lneas, comprobar que todas las medidas son correctas,
etc.
A continuacin se pasar a mostrar los layouts obtenidos de cada uno de los circuitos
simulados.
5.2.1. Layout del amplificador de aislamiento
El layout implementado para el amplificador (ver figura 5.6) se obtiene a partir del
esquemtico representado en la figura 4.19.
Figura 5.6: Layout del amplificador de aislamiento
Como puede observarse se ha aadido al layout el circuito de polarizacin de los

transistores y la toma de alimentacin necesaria para aplicar la tensin DC al circuito. Todos los
componentes que formarn parte del circuito de polarizacin se conectarn entre s mediante
lneas microstrip de ancho 5 mil. El esquema bsico de polarizacin se representa en la figura
5.7, y debe ser aadido para cada transistor existente en el circuito. Tambin se han colocado
condensadores de desacople de fuentes de valor 10nF, con el fin de evitar que la seal de alta
frecuencia interfiera con el circuito de polarizacin.
104
Captulo V:
Resultados
Figura 5.7: Circuito de polarizacin de los transistores
El clculo del valor de las resistencias se realiz manualmente, considerando que
la
intensidad que recorre las resistencias R2 y R4 es de 2mA, y prcticamente nula la que llega a
la base del transistor. De esto se deduce que la cada de voltaje en R4 debe ser aproximadamente
la misma la tensin VBE del transistor ( 0,8V). Puesto que las resistencia R3 y R5 son ya
conocidas, ya que coinciden con los valores de R 2 y R3 del esquemtico de la figura 4.19 (R 1
equivaldra a R5 del segundo transistor), a partir de esos datos podemos comenzar a desarrollar
los clculos utilizando las ecuaciones de nudos y mallas. En caso de no existir ninguna, como es
el caso de R3 en el primer transistor, se colocar una resistencia de valor muy pequeo, por
ejemplo de 10 Ohm.
5.2.2. Layout del VCO
El layout correspondiente al circuito oscilador se muestra en la figura 5.8. Esta figura

representa el circuito que finalmente dio unos resultados vlidos, sin embargo se han diseado,
fabricado y medido numerosos layouts, que por distintas razones no ofrecan una respuesta que
se ajustase a los requisitos buscados.
De esta implementacin hay que destacar los siguientes puntos:
-
Se han aadido al circuito todos los bloques necesarios: el resonador, conectado al

emisor del transistor, el amplificador del oscilador y el de aislamiento.
105
Captulo V:
Resultados
Tambin se aadi el circuito de polarizacin correspondiente al amplificador del

propio oscilador y el circuito que polariza a los diodos varactores, que consiste en una
resistencia de 33 Ohm y un condensador de desacople.
La lnea microstrip, cuyos parmetros afectan a la respuesta de la parte real de la

admitancia del amplificador (ver apartado 4.2.2.3), en el diseo del layout ofrece una
longitud variable, sin ms que realizar la conexin a tierra en cualquier par de vas
aadidas. Puesto que los resultados reales no sern exactamente los mismos que los
obtenidos en la simulacin, este procedimiento ofrecer la posibilidad de fijar la
longitud que ms convenga para un resultado lo ms ptimo posible sobre la placa ya
montada.
El diseo del resonador utilizado es el que contena dos diodos varactores. Seguramente
por las caractersticas propias del diodo varactor, al realizar las medidas del oscilador en
el analizador de espectros se observaba como la variacin del voltaje de control entre
0V y 5V era insuficiente para cubrir el rango de frecuencias que el diseo deba cubrir.
- En esta ocasin se ha reducido el tamao del amplificador para realizar una placa lo ms
compacta posible.
Figura 5.8: Layout del oscilador controlado por tensin
106
Captulo V:
Resultados
5.2.3. Layout del acoplador
A continuacin se muestran las implementaciones tanto de la carga o match como del

acoplador. Es necesario realizar un layout del match antes de aadirlo al del acoplador para
comprobar que su respuesta ser la esperada.
Figura 5.9: Layout del Match
Figura 5.13: Layout del acoplador
107
Captulo V:
Resultados
5.2.4. Montaje de la placa

Una vez realizados los diseos de layout, el siguiente paso consiste en fabricar la placa 4 .
Sobre ella se soldarn en primer lugar
los elementos discretos y finalmente se sueldan
directamente unos cables para las conexiones DC. El cable que conecta la tierra se soldar a la
parte inferior de la placa y el de alimentacin a los planos correspondientes. La figura 5.11 (a)
muestra una de las placas del oscilador ya fabricada tal y como llega de laboratorio, y la figura
5.11 (b) muestra una placa ya montada.
(a)
(b)
Figura 5.14: (a) Placa antes del montaje. (b) Placa despus del montaje
5.3.
RESULTADOS Y COMPARACIONES CON LA SIMULACIN
Finalizado el montaje de las placas se proceder a la medicin de los resultados. Las

medidas realizadas sobre el amplificador, el match y el acoplador se llevarn a cabo mediante el
analizador de redes. De estos circuitos se desea calcular sus parmetros S.
Todas las medidas fueron realizadas con los equipos disponibles en el laboratorio del
departamento de Schaltungs- und Hochfrequenztechnik de la Universidad de Bochum
(Alemania):
Analizador de redes HP 8510C ( ver figura 4.1)
Analizador de espectros Rohde & Schwarz FSEM (figura 5.12)
La fabricacin no formaba parte de este proyec to, puesto que se mandaba realizar en laboratorio.
108
Captulo V:
Resultados
Figura 5.15: Analizador de espectros Rhode & S chwarz FS EM
Fuente de alimentacin Hewlett Packard 66312 (figura 5.13):
Figura 5.16: Fuente de alimentacin Hewlett Packard 66312A
5.3.1. Resultados del amplificador de aislamiento
Para estas medidas se utiliz el analizador de redes, ya que se desea calcular los
parmetros S del circuito. En primer lugar, se muestra el circuito del amplificador ya montado y
listo para ser medido:
109
Captulo V:
Resultados
Figura 5.17: Circuito amplificador de aislamiento
Como ya se mencion en el apartado de 4.2.1, antes de realizar cualquier tipo de medida

sobre el fixture fue necesario realizar una calibracin del analizador, siguiendo los mismos
pasos que los expuestos en dicho apartado.
Una vez finalizada la calibracin el primer paso consisti en definir el barrido en
frecuencia til para las medidas a realizar, entre 6 GHz. y 10 GHz. A continuacin se procedi a
la polarizacin del circuito, conectando el plano de masa de la placa a una tensin nula y el de
alimentacin a una tensin de 5V de una fuente alimentacin.
Los resultados obtenidos de la ganancia en la banda del amplificador (S21 ) y su rechazo
de entrada (S11 ) y de salida (S22 ) se presentan a continuacin. Ntese que para poder ver ms
claros dichos los valores numricos obtenidos se ha aadido adems la respuesta de la ganancia
simulada con el Microwave Office, sin ms que importando y simulando el fichero que el
analizador gener.
110
Captulo V:
Resultados
(a)
(b)
Figura 5. 18: Ganancia del amplificador. (a) En el analizador de redes. (b) En el AWR
Cabra esperar que los resultados obtenidos de la figura 5.15 se asemejasen a los
presentados por la figura 4.29, sin embargo las diferencias son obvias:
-
La amplificacin no responde a una ganancia plana en la banda de frecuencias. De

hecho existe una variacin de algo ms de 2 dB entre la ganancia mxima y mnima.
111
Captulo V:
Resultados
Existe una disminucin de ganancia. La ganancia esperada era de 13 dB, mientras que
el mximo obtenido en el este montaje es de 11,8 dB.
El comportamiento fuera de banda, aunque en principio no es relevante, no se

corresponde con el de la simulacin del esquemtico.
El principal motivo que se baraja como posible causa de esta variacin, a parte del
comportamiento no ideal de los componentes pasivos, reside en la polarizacin del transistor.

El circuito de polarizacin y los elementos que lo componen pueden provocar un
desplazamiento del punto de polarizacin del transistor, y por lo tanto tambin un cambio en la
respuesta.
Para intentar mejorar esto se opt por cambiar algunos de los valores de las
resistencias.
A pesar de que la respuesta distaba mucho de la esperada, este fue el amplificador que se
aadi al circuito del oscilador.
Las grficas de rechazo no requieren explicacin, puesto que es fcilmente observable
que cumplen con los requisitos de diseo (en las figuras 5.16 y 5.17 se realiza la medida con
10dB/divisin).
Figura 5.16: Rechazo de entrada (S 11)
112
Captulo V:
Resultados
Figura 5.17: Rechazo a la salida (S 22)
5.3.2. Respuesta del acoplador
Las medidas del acoplador tambin se realizaron mediante el analizador de redes. El

objetivo es medir el paso de potencia de la seal de entrada a los puertos through y coupled
respectivamente.
El montaje final sobre el que se realizarn las medidas se muestra en la figura 5.18.
(a)
(b)
Figura 5.18: (a) Match. (b) Acoplador
113
Captulo V:
Resultados
Una vez calibrado el analizador y seleccionado el rango de frecuencias de barrido, se

tomarn medidas de los dos bloques que se disearon. En primer lugar del match (ver figura
5.18 (a)), y en segundo del propio acoplador.
Figura 5.19: Medida de la respuesta del Match
La respuesta ideal correspondera a un valor S22 < -20 dB, que como puede observarse no
se cumple. Sin embargo, y como podr verse a continuacin, la respuesta del acoplador cuando
contiene este diseo del match es muy aproximado al esperado, por lo tanto, y como la
respuesta que interesa para este proyecto es la que ofrece el acoplador, se mantendr este diseo
del match.
Antes de comenzar con el acoplador, para poder hacer unas medidas correctas, es
necesario adaptar el puerto sobre el que no se estn realizando medidas. Para ello necesitamos
aadir un nuevo conector que presente una carga con admitancia de 50 Ohm para adaptar dicho
puerto. La figura 5.20 presenta el aspecto cuando se calcula la potencia de transmisin (S 21 ) de
acoplador.
114
Captulo V:
Resultados
Figura 5.20: Conexin para la medida de S 21 del acoplador
A continuacin se muestran los resultados obtenidos:

-
Transmisin: se mide la potencia transmitida entre los puertos 1 y 2. La medida S 33 se

corresponde con S11 y S66 con S22 .
Figura 5.19: Medidas cuando se adapta el puerto 3. Transmisin
115
Captulo V:
Resultados
Acoplamiento: se mide la potencia acoplada entre los puertos 1 y 3. La medida S33 se

corresponde con S11 y S66 con S33 y por ltimo S21 con S31 .
Figura 5.20: Medidas cuando se adapta el puerto 2. Acoplamiento
Esta correspondencia de los parmetros S es debida a que la simulacin de los datos

obtenidos por el analizador de redes se llevo a cabo en AWR siguiendo los siguientes esquemas:
Figura 5.21: Correspondencia de puertos del analizador en el AWR
116
Captulo V:
Resultados
Si comparamos los estos resultados con los esperados (ver figura 4.31) se observa como
las seales transmitida y acoplada cumplen perfectamente las caractersticas especificadas en el
diseo. Las seales de rechazo sin embargo son mayores de lo que deberan, pero estn dentro
de un margen aceptable, por lo que se considerar el diseo del acoplador ha conseguido
cumplir sus especificaciones con un resultados muy bueno.
5.3.3. Resultado del VCO
A diferencia de en los apartados anteriores, en esta ocasin el equipo utilizado para la

medicin de oscilador controlado por tensin diseado ser el analizador de espectros FSEM de
Rohde & Schwarz.
Como primer paso se definirn los parmetros del analizador de redes como el rango de
frecuencias que de inicio y fin y el Span, que vara la anchura del espectro en frecuenc ia a
visualizar (span/div.). El siguiente paso consiste en polarizar el circuito. En esta ocasin son
necesarias tres fuentes de alimentacin: una para el amplificador de aislamiento, otra para el
amplificador del oscilador y la ltima ser el voltaje de control de los diodos varactores. Los
valores iniciales sern los siguientes:
-
Alimentacin del amplificador de aislamiento: 5V
Alimentacin del amplificador del oscilador: 5V
Alimentacin de control: 0-5V

Al alimentar el circuito, la respuesta ideal vendra dada por la aparicin de un pico de
potencia a 7 GHz, eso indicara que el circuito oscila a dicha frecuencia, y a medida que la
alimentacin de control aumenta hasta llegar a los 5V el pico se desplaza de forma continua, y
con ganancia constante, hasta la frecuencia de 9 GHz.
Experimentalmente se comprob que la realidad difiere mucho de lo esperado, y son
necesarios muchos cambios (valores de los elementos, parmetros de las lneas, punto de
polarizacin de los transistores, etc.) hasta obtener un resultado lo ms satisfactorio posible.
117
Captulo V:
Resultados
Los inconvenientes que ms se daban cuando se meda la respuesta del circuito eran:
-
Aparicin de armnicos, lo que significaba que exista oscilacin en frecuencias no

deseadas.
Saltos en la frecuencia de oscilacin a medida que se variaba la tensin de control.
Variaciones en la ganancia, que en principio debe mantenerse constante.
Dificultades para fijar el ancho de banda del oscilador a los valores requeridos
Para solventar o, por lo menos, intentar mejorar estos efectos se recurri a distintos
procedimientos.
-
Asegurarse que todos los elementos estaban correctamente conectados.
Comprobar que la polarizacin de los transistores era la correcta. Mediante el uso de un

voltmetro se medan las cadas V be y Vce, que como se sabe deben ser
aproximadamente 0,8V y 2,5V respectivamente. En caso de no ser las correctas, se
reemplazaban las resistencias que formaban parte del circuito de polarizacin por otras
con unos valores ms adecuados.
Variar las tensiones de polarizacin.
Variar las longitudes de las longitudes o grosores de las lneas microstrip o de los stubs
y observar el efecto que produca. Para ello se aplicaba una capa de plata que en caso de
no resultar efectiva poda eliminarse fcilmente.
Tras muchas pruebas y medidas sobre numerosos diseos elaborados (osciladores con
distintos estructuras resonadoras o distintos amplificadores), del circuito que finalmente ofreca
las mejores caractersticas se obtena la respuesta mostrada en la figura 5.24. La lnea amarilla
describe el contorno que el pico va formando a medida que se realiza el barrido de la
alimentacin de control. Como puede observarse en la esquina superior derecha de la figura, se
han medido los valores de frecuencia de comienzo y fin de la oscilacin. Dichos valores son:
-
Frecuencia inicial: 6,7 GHz
Frecuencia final: 8,75 GHz
Ancho de banda: 2GHz

A pesar que la ganancia obtenida, que vara entre los 3dBm y aproximadamente los
7dBm, no ha sido lo ms satisfactoria posible (lo ideal eran unos 10dBm), se considera que los
resultados finales han sido muy favorables y aproximados y los requerimientos de l diseo.
Como tambin muestra la figura 5.24 en el ltimo tramo del rango de frecuencias de aplicacin
118
Captulo V:
Resultados
aparece un descenso abrupto de la ganancia, que puede ser debida a un inesperado

comportamiento del varactor.
Figura 5.22: Respuesta de VCO medida en el analizador de espectros
RUIDO DE FASE
Aunque no se dieron requerimientos especficos respecto al ruido de fase del oscilador, es
siempre importante que sea lo menor posible. ste mide la pureza espectral de los tonos. La
unidad de medida en el analizador de espectros es dBc/Hz.
El resultado de la medida de ruido de fase de nuestro oscilador se muestra en la figura
5.25.
119
Captulo V:
Resultados
Figura 5.23: Medida del ruido de fase
En la figura se han recalcado valores como RBW (Resolution Bandwidth Filter = Ancho
de Banda de Resolucin), que debe escogerse lo ms estrecho posible para poder ver el espectro
con ms resolucin. El valor f m , se corresponde con la frecuencia de offset respecto seal de
salida (ver apartado 3.1.2). Los valores tpicos de esta frecuencia suele ser de 10kHz, sin
embargo, al reducir la frecuencia a ese valor, se dificultaba mucho la visualizacin.
Para disminuir el ruido introducido en el circuito e intentar obtener unos mejores
resultados en este aspecto, se aadieron condensadores entre las tomas de alimentacin y tierra
y asimismo entre las bornas de las fuentes de alimentacin ya que actan como filtros LP.
Aunque se observ una mejora en la medida del ruido de fase (un contorno ms claro en la
grfica del ruido), los resultados seguan sin ser los deseados.
Para finalizar con este captulo se aaden las figuras que representan los voltajes fijados
para la polarizacin de los transistores y el montaje final del circuito oscilador.
120
Captulo V:
Resultados
Figura 5.24: Valores de polarizacin de los transistores
Figura 5.25: Montaje final del VCO
121
Captulo V:
Resultados
5.4.
DISCUSIN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS
A pesar de no disearse todos los bloques de los que constaba el proyecto en un

principio, se han obtenido unos resultados satisfactorios de los subsistemas realizados:
El acoplador cumple con muy buena aproximacin los requisitos de diseo que se
pedan y no fue necesaria la implementacin de un nuevo circuito, por lo que se
considerarn unos resultados obtenidos muy satisfactorios.
Respecto a los resultados logrados del oscilador, en lneas generales han sido buenos, ya
que el objetivo inicial de obtener un ancho de banda de 2 GHz se ha conseguido,
aunque ligeramente desplazado en el rango de frecuencias. Uno de los aspectos que
afectaron con mayor fuerza al ancho de banda que cubra el oscilador vino dado por las
propiedades de las lneas que componan el circuito resonador, puesto que cualquier
mnima variacin de sus valores repercuta de forma obvia a su respuesta en admitancia
influyendo con ello al rango de frecuencias en las que se lograba la oscilacin. Si
adems se tiene en cuenta que el comportamiento de cualquier componente utilizado en
el software de diseo difiere ligeramente del que en la realidad tiene, este
desplazamiento en el ancho de banda del circuito resulta un hecho bastante probable.
Para ajustar esta especificacin a un valor ms adecuado resultaba complicado variar los
elementos que componan el resonador debido a su tamao y sensibilidad, por lo tanto
fue necesario trabajar con el punto de polarizacin de los transistores y con los valores
del resto de los elementos discretos.
La ganancia del VCO tena una magnitud algo por debajo de la esperada y ha sido
complicado lograr que se mantuviera constante en el rango de frecuencias, un posible
motivo de esta consecuencia viene dado por las caractersticas del amplificador de
aislamiento, cuya ganancia era menor y menos plana a la esperada como ya se observ
en el apartado 5.3.1.
Por ltimo hay que aadir que la presencia del ruido. Como ya es conocido los
propios componentes del circuito y las fuentes de alimentacin son generadores de
ruido, sin embargo otra posible causa del empeoramiento del ruido de fase puede darse
si no se hizo una eleccin acertada del factor , presente en la relacin de diseo
, como ya se coment en el apartado 3.2.2.
122
Captulo Vi:
VI.
Conclusiones y lneas futuras de investigacin
CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS DE INVESTIGACIN

6.1.
RESUMEN
El desarrollo de este proyecto se ha realizado en tres etapas:
El diseo: esta etapa consista en realizar todos los esquemticos y layouts de los
circuitos que el proyecto requera. Para dicho fin fue necesario familiarizarse con
los softwares de diseo que se iban a emplear. Asimismo esta etapa requera un
estudio de los fundamentos de la teora de osciladores y acopladores,
concretamente para circuitos implementados con tecnologa microstrip. Otro
propsito de esta etapa fue la familiarizacin con el analizador de redes para
realizar las calibraciones necesarias.
Montaje: una vez fabricadas las placas se fueron montando sobre ella todos los
elementos que la componan.
Evaluacin: esta tercera etapa consisti en la realizacin de todas las medidas de

las distintas placas fabricadas. Para ello se utilizaron distintos equipos del
laboratorio como el analizador de redes y analizador de espectros. Asimismo esta
etapa incluye
la obtencin del circuito final, ya que antes de lograrse dicho
montaje con los valores adecuados fueron necesarias muchas medidas y cambios
respecto a los de partida.
6.2.
CONCLUSIONES
El objetivo principal, que era el de disear un VCO y un acoplador que trabajasen

correctamente en el rango de frecuencias especificado se ha logrado de forma bastante
satisfactoria. En el caso del montaje de un oscilador controlado por tensin, la mayor dificultad
que se presenta, una vez diseada su estructura, reside en logar el equilibrio necesario para su
correcto funcionamiento, y este proceso suele requerir tiempo y experiencia en el diseo de
estos circuitos.
123
Captulo Vi:
Una vez hecha esta aclaracin, de la realizacin de este proyecto hay varias conclusiones
que deben ser mencionadas:
Se ha aprendido a utilizar una herramienta muy potente en el diseo y anlisis de

circuitos en alta frecuencia como es el Microwave Office y otra para el diseo de
layouts (Eagle).
Se ha comprobado experimentalmente que un buen calibrado de los componentes
es indispensable para obtener unos resultados acertados o prximos a la realidad.
A pesar de conocer a priori que el comportamiento durante las simulaciones
difiere del que en realidad tienen sobre el circuito una vez montado, unos datos
errneos de los parmetros S de los elementos discretos y de las lneas sobre el
substrato utilizado puede provocar efectos irreparables sobre el circuito obligando
a realizar un nuevo diseo del mismo.
Se ha profundizado en los conocimientos tericos de los c ircuitos implementados
en tecnologa microstrip y principalmente en teora de osciladores.
Familiarizacin y manejo de los instrumentos de medida en frecuencias
microondas ms utilizados en la prctica para estos fines.
El montaje de los componentes sobre placa se ha realizado manualmente, por lo
que ha sido necesario aprender a trabajar con elementos de tamao muy reducido
que requieren de gran precisin cuando se sueldan a la placa, ya que cualquier
imperfeccin en la soldadura puede influir negativamente en los resultados.
6.3.
ASPECTOS DE MEJORA
A continuacin se expondrn algunos de los aspectos que hubiesen podido resultar tiles
para la creacin de un circuito con mejores resultados. La mayora de ellos se ofrecen como una
posibilidad, ya que debido a las exigencias de la propia empresa con la que se desarrollo este
proyecto, el uso de los componentes estaba limitado a aqullos de los que dispona o con los que
trabajaba normalmente.
Se podran haber implementado otro tipo de estructura para el diseo del oscilador,
como el uso de un oscilador de Colpitts, una estructura balanceada, etc.
El uso de mquinas que facilitasen la soldadura y posicionamiento de los elementos
sobre la placa, podra haber evitado los efectos adversos que se hayan podido producir
si el montaje no ha sido lo limpio que debiese.
124
Captulo Vi:
El estudio y posible uso de otro tipo de transistores que pudiesen ofrecer un mejor
comportamiento en el rango de frecuencias de aplicacin del diseo. Para este proyecto
se han usado transistores npn de Si-Ge, sin embargo sera interesante comprobar cmo
afectara el uso de transistores HEMT o de efecto de campo, muy utilizados en
aplicaciones en alta frecuencia, en esta implementacin.
Se podra haber optado por la utilizacin de otro diodo varactor o incluso el diseo y
fabricacin de uno que cumpliese las especificaciones dadas. Asimismo existe gran
variedad de estructuras posibles para el diseo del resonador, como por ejemplo, el uso
de mltiples diodos varicap en anti-paralelo + paralelo o el uso de resonadores
conmutados, etc. y observar y valorar si su comportamiento mejora el logrado por el
circuito inicial.
125
Apndice 1
Datasheet del susbtrato RO4003C
Apndices
126
Apndice 1
APNDICE 1: Datasheet del substrato RO4003C
127
Apndice 1
128
Apndice 1
129
Apndice 1
130
Apndice 2
Datasheet BFP520f
APNDICE 2: Datasheet BFP520f
131
Apndice 2
Datasheet BFP520f
132
Apndice 2
Datasheet BFP520f
133
Apndice 2
Datasheet BFP520f
134
Apndice 3
Datasheet BFP420
APNDICE 3: Datasheet BFP420
135
Apndice 3
Datasheet BFP420
136
Apndice 3
Datasheet BFP420
137
Apndice 3
Datasheet BFP420
138
Apndice 3
Datasheet BFP420
139
Apndice 3
Datasheet BFP420
140
Apndice 3
Datasheet BFP420
141
Apndice 4
Datasheet del diodo varactor MA4ST2200
APNDICE 4: Datasheet del diodo varactor MA4ST2200
142
Apndice 4
143
Apndice 4
144
Apndice 4
145
Apndice 4
146
Apndice 4
147
Bibliografa
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148

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UNIVERSIDAD DE SEVILLA

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIEROS

DPTO. TEORA DE LA SEAL Y COMUNICACIN

Autor: Cristina ngela Gonzlez Garrido

ESTRUCTURA DE LA MEMORIA ........................................................................... 10

II. TECNOLOGAS PARA OSCILADORES Y ACOPLADORES ...................................... 11

INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA HMIC ......................................................... 11

Comparativa de HMIC y MMIC......................................................................... 14

Proceso de fabricacin de HMIC .......................................................................... 16

LNEAS PLANARES MICROSTRIP .......................................................................... 17

Stub radial .......................................................................................................... 22

LNEAS PLANARES MICROSTRIP .......................................................................... 22

Transistor bipolar ................................................................................................ 22

Diodo varactor .................................................................................................... 29

III. INTRODUCCIN TERICA.......................................................................................... 32

INTRODUCCIN AL DISEO DE OSCILADORES.................................................. 32

Osciladores sinusoidales. Condiciones de oscilacin .............................................. 33

Parmetros caractersticos de los circuitos osciladores ........................................... 43

OSCILADOR CONTROLADO POR TENSIN .......................................................... 51

Elemento activo o amplificador de reflexin ......................................................... 51

Amplificador de aislamiento ................................................................................ 58

Ejemplo de oscilador ........................................................................................... 58

Acopladores de lnea acoplada.............................................................................. 61

IV. DISEO DEL VCO Y EL ACOPLADOR........................................................................ 66

HERRAMIENTAS DE SIMULACION ....................................................................... 66

Microwave office ................................................................................................ 66

Diseo de esquemticos ....................................................................................... 75

RESULTADOS DE SIMULACIN ............................................................................ 93

Amplificador de aislamiento ................................................................................ 94

Oscilador controlado por tensin .......................................................................... 95

RESULTADOS .............................................................................................................. 100

DISEO DEL LAYOUT .......................................................................................... 100

Layout del amplificador de aislamiento............................................................... 104

Layout del VCO ................................................................................................ 105

Layout del acoplador ......................................................................................... 107

Montaje de la placa............................................................................................ 108

RESULTADOS Y COMPARACIONES CON LA SIMULACIN ............................. 108

Resultados del amplificador de aislamiento ......................................................... 109

Respuesta del acoplador..................................................................................... 113

Resultado del VCO............................................................................................ 117

DISCUSIN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS................................................ 122

VI. CONCLUSIONES Y LNEAS FUTURAS DE INVESTIGACIN ................................ 123

RESUMEN .............................................................................................................. 123

ASPECTOS DE MEJORA ........................................................................................ 124

APNDICES ......................................................................................................................... 126

El presente Proyecto Fin de Carrera de carrera fue realizado en calidad de prcticas en la

Figura 1.1: diagrama de bloques del sintetizador de frecuencia

Como se observa, el proyecto consta de tres bloques fundamentales: el primero de ellos

Figura 1.2: diagrama de bloques de un sistema sintetizador PLL

Figura 1.3: esquema filtro de lazo

En el mercado existe gran variedad de integrados PLL para la sntesis de frecuencias.

Al tratarse de divisores programables, la frecuencia de salida que el sintetizador genera, puede

Figura 1.4: diagrama de bloque del sintetizador PLL ADF 4108

Figura 1.5: diagrama de bloque de un sintetizador fraccional

Figura 1.5: diagrama de bloques del desarrollo del proyecto

Prdidas por retorno a la entrada y a la salida del amplificador:

Oscilador controlado por tensin:

Este proyecto se va a dividir en 4 bloques. El primero de ellos agrupa el segundo y

Tecnologas para osciladores y acopladores

TECNOLOGAS PARA OSCILADORES Y ACOPLADORES

Este captulo estar estructurado en dos secciones principalmente. En la primera de ellas

INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA HMIC

MIC (circuitos integrados de microondas) es una tcnica de implementacin de circuitos