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Clase 3.

Lunes 18 de enero del 2016


Comportamieno del Diodo como Resistenica.
Partimos de la ley de Ohm

RD

VD
ID

Se toma los valores de la tabla de valores del libro para hacer la grfica del diodo aplicando la ley de ohm,

Diodo de silicio, porque anda alrededor de 0,70, voltios que da 20 amperios.


Analices en corriente directa, donde los niveles del diodo dan los niveles de corriente.

Calculo para cuando el voltaje es equivalente a

R0, 05V

0,5 V
2500
0,2 mA

R0,08V

0,8 V
40
20 mA

R0, 05V

0,6 V
120
5 mA

a.

b.

c.

Un pequeo cambio en el voltaje hace un gran cambio en el diodo, de forma exponencial, eso le da el carcter de
resistencia variable al diodo, en el potenciometro se hace un ajuste mecanico.
En corriente directa el diodo puede funcionar como una resistencia variable, tambien se le pueden ubicar rangos o zonas
donde la curva es ms sensible y se acelera ms rapido.
Cuando se utiliza el diodo como resistencia variable se buscan los rangos donde la curva tiende a una lnea recta y es
ms estable con una pequea pendiente de inclinacin.
Se puede controlar la corriente por medio del dodo polarizandolo con un voltaje constante. Por ejemplo si se quiere tener
un amperaje de 10 mA continuos, se debe por medio de un diodo polarizado utilizar 0,67 V de forma constante.

Las baterias son compuestos qumicos sensibles a los qumicos, cuando se cargan puedenn sufrir daos cuando se
cargan con ms corriente de la cuenta.
A los ejemplos a,b y c se les llama resistencia variable esttica.

Analisis para corriente alterna.


Vamos a analizar que pasa con la resistencia en corriente alterna.
Se le saca una pequea muestra a una seccin del diodo, no a valores continuos sino a valores que estn cambiamdo.
Se traza una lnea tangente en un punto determinado. Haciendo una proyeccin de un parte de puntos, formando
tringulos y dando dos pares ordenados

x1 , y1 x2 ,

y2

Hacer dibujo de la curva.

rd

VD
I D

Resistencia de corriente alterna, se obtiene haciendo un analisis de deltas.


Al valor anterior se le conoce como resistencia del diodo en AC. Cuando el diodo viene en direccin inversa no conduce.
Un cambio en el voltaje en la curva, hace un cambio en la corriente en la curva.

Ejercicios de la curva caracterstica de un diodo.

1. Se hace una grfica para sacar una muestra y sacar la resistencia a partir de los deltas.

rd

VD 0,8 0,52

18,67
I D
15 0

a.

Existe una tercera frmula de calcular la resistencia del diodo, una frmula matemtica.
Evaluando la primera derivada en un punto puedo obtener la resistencia.

kVD

I D I S e TK 1

11600
, n 1, Ge y n 2 Si
n

IS
: corriente saturacin inversa.

Tk Tc 273

VD :

ID :

Corriente del diodo

Tc :
Voltaje del diodo

temperatura en grados centgrados.

Cuando la temperatura esta ms fria los diodos necesitan ms voltaje, a mayor temperatura mejor voltaje para mantener
la misma cantidad de corriente.

Existen tre formas de modelar un diodo.

1. Diodo Real. No hay perdidas,


Diodo + resistencia + tierra.

A partir de

VT

estaramos en presencia de una resistencia.

2. Diodo simplificado

Conduce hasta el voltaje de polarizacin en Vo

3. Ideal.

Prctica

Caso I.
Con un diodo Ideal. Tiene 10 V y 120 ohmios.

V
10V

0,083
R 120

Caso II. Diodo simplificado


Diodo de Ge=0,3 V, 10 V, resistencia de 120 ohmios.
Se aplica la ley de voltaje de kirchoff.

VF VDGe VR 0
I

9,7V
120

Caso III. Diodo simplificado.


Con un voltaje de Silicio Si =0,7 V.

V F V DSi VR 0
I

9,3 V
0,77 A
120

rav 0,75
Caso IV. Caso real, Ge= 0,3 V,

rav R Req
Req 120,75
I 80,33mA

Caso V.

rav 1,3
Si= 0,7 V,

rav R Req
Req 127,3
I 76,67 mA

Diodo

Diodo

Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal


semiconductor (objeto negro de la izquierda).

Tipo

Semiconductor

Principio de funcionamiento Efecto Edison

Invencin

John Ambrose
Fleming(1904)

Smbolo electrnico

Configuracin

nodo y Ctodo

[editar datos en Wikidata]

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de
l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina
como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas constituidos por
dos electrodosrodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El
invento fue desarrollado en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del cual circula la
corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse
emite electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un
muelle doble, cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo
para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.
ndice
[ocultar]

1Historia

2Diodos termoinicos y de estado gaseoso

3Diodo semiconductor
o

3.1Polarizacin directa de un diodo

3.2Polarizacin inversa de un diodo

3.3Curva caracterstica del diodo

3.4Modelos matemticos

4Tipos de diodo semiconductor

5Aplicaciones del diodo

6Referencias

7Enlaces externos
Historia[editar]

Diodo de vaco, usado comnmente hasta la invencin del diodo semiconductor, este ltimo tambin llamado diodo de
estado slido.
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo termoinico, ambos se desarrollaron al
mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie descubri que
un electroscopio cargado positivamente poda descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de
que ste lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el flujo de
corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el principio. A su vez, Edison investigaba por
qu los filamentos de carbn de las bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una bombilla
con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada del filamento.
Cuando us este dispositivo, confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaco a la lmina
metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente.
Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente
para este invento en 1884. Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado
de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el
primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir por una sola direccin de los
cristales semiconductores. Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en
1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de seales
inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente
de ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us
ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que
ms se us porque tena la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era de la radio, el detector de cristal
semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a
travs del cristal para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los
diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los
econmicos diodos de germanio en la dcada de 1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, William Henry
Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.
Diodos termoinicos y de estado gaseoso[editar]

Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el nodo, el ctodo, y el filamento.
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como tubo de vaco), que consisten
en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara
incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el
ctodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos;
se eligen estas sustancias porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo,
donde un filamento de tungsteno acta como calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de
electrones en el vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin
embargo, los electrones no eran fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba caliente cuando la
vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente en este caso es insignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de seales anlogas,
rectificadores y potencia. Actualmente, los diodos de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
rectificadores en guitarras elctricas, amplificadores de audio, as como equipo especializado de alta tensin.
Diodo semiconductor[editar]

Formacin de la regin de agotamiento, en la grfica z.c.e.


Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una
regin que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el otro
lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se
unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del
diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin
opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de
difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de
agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en
los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos
en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia
de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando
uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la
polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa de un diodo[editar]

Polarizacin directa del diodo pn.


En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el
polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del
cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno
de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el
cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p,
aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo[editar]

Polarizacin inversa del diodo pn.


En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la
zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se
explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el
orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una
carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los
tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El
caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta
de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn
pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1
A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la
p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante,
al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.
Curva caracterstica del diodo[editar]

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).


La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de
la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se
va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ).


Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).


Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.


Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de
la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).


Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir
de un determinado valor de la tensin, en el diodonormal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no
obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que
provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms
electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es unaavalancha de electrones que provoca una
corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de
carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando
el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos efectos.

Modelos matemticos[editar]
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar
el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.

IS es la corriente de saturacin (aproximadamente

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores
entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy
usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la magnitud de la carga


de un electrn (la carga elemental).
La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan
corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume
que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de
Shockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones.
Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante
negativa del valor de Is. La regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como
resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan
las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ramseal. El ms simple de todos es el diodo ideal.
Tipos de diodo semiconductor[editar]

Varios diodos semiconductores, abajo: un puente rectificador. En la mayora de los diodos, el terminalctodo se
indica pintando una franja blanca o negra.
Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que tienen
caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de
estos diodos es fundamentado por principios de lamecnica cuntica y teora de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen generalmente de silicio dopado
o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio:
su baja eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de
calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran en circuitos
integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos.

Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje
de ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto
avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de
ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para
operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual
tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del
primero excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el
camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades
opuestas.

Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal que
permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un
semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin
comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una
corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.

Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal afilado
presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El cable forma
el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena.
Los diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes.

Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona
como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten
una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico.
Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.

Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al efecto
tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta
concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas,
campos magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen
usarse en viajes espaciales.

Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce una
resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagacin a travs
del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.

Ledes de distintos colores.

Diodo emisor de luz o LED del acrnimo ingls, light-emitting diode: Es un diodo formado por un
semiconductor con huecos en su banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga
que cruzan la unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado.
Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir vara desde elinfrarrojo hasta
longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud
de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros ledes fueron rojos y
amarillos. Los ledes blancos son en realidad combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul
revestido con un centelleador amarillo. Los ledes tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia
en aplicaciones de seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar
unoptoacoplador.

Diodo lser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad resonante formada al pulir las
caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en dispositivos
de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta velocidad.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para monitorear la
temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para
la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque
ellos no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de portadores de
carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos. Generalmente es un
efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que
estn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms

sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o encomunicacin ptica.
Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos
dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados
anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de semiconductor tipo n, y se
hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el
semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca
del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio como un
detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados.

Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca
formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores.
Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los
diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes.
Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de potencia, tales
como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor. Tiene
una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en
el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en
un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su corriente de fuga
es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo
que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la
mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que
los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que
funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes
conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.

Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de diodo de
silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos dispositivos estn
diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera
mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.

Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que
aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada,
como un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta caractersticas
que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad.