Disipadores.

BJT
DE
POTENCIA

SOA (rea
seguro).

de

funcionamiento

TEMAS:
Transistor bjt de potencia.
P
r
o
b
l
e
m

t
i
c
a

Integrantes:
LUSTRE
PERALTA
06190127
MALLQUI
14190238

CHRISTIAN

FUENTES

DAVID

NOMBERTO TRUJILLO YOSSELYN

13190180
QUISPE
ROCCA
12190196

JEAN

RETUERTO RAMOS HECTOR

13190102

TRANSISTOR BJT DE
POTENCIA

PAUL

del calor del bjt.

El funcionamiento y utilizacin de
los transistores de potencia es

idntico al de los transistores

normales,
teniendo
como
caractersticas
especiales
las
altas tensiones
e intensidades
que tienen que
soportar y, por tanto, las altas
potencias a disipar.
Existen bsicamente tres tipos de
transistores de potencia.
Bipolar
Unipolar o FET (transistor de
Efecto de Campo)
IGBT

ORIGEN DEL PROBLEMA

La sobrecarga de calor en el
dispositivo se debe a:
Por la corriente interna que pasa
por el semiconductor.
Por la temperatura ambiente que
rodea al dispositivo.
CONSECUENCIAS
Disminucin de la vida til del
dispositivo.
Destruccin del componente.
Grandes prdidas de potencia.
DISIPADORES DE POTENCIA

PROBLEMTICA DEL CALOR DEL

BJT
El problema de la temperatura en los
dispositivos semiconductores es uno
de los mayores inconvenientes que
han encontrado los fabricantes por
las fatales consecuencias tanto en
perdida de potencia como en vida til
de los dispositivos. El calor
es
generado por la potencia disipada
que ha ido aumentado con el pasar
de los aos.

En un BJT se disipa potencia como

consecuencia de un paso de

corriente existiendo una cada de

potencial.

Los puntos donde se disipa

potencia son las dos uniones (de
emisor y de colector).
Al ser la tensin base-emisor
mucho menor que la colectoremisor.
La temperatura a la que trabaja el
transistor se ve afectada por el
calor que se genera en l cuando
circula
una
determinada
intensidad.
Esto
influye
de
manera
significativa
en
los
transistores, ya que la corriente
inversa de saturacin aumenta
con la temperatura, aumentando
as la corriente de colector para la
misma
intensidad
de
base
(aumenta ).

ZONA 1: CORRIENTE
PERMISIBLE

SOA (REA DE
FUNCIONAMIENTO SEGURO)
Los valores de la corriente IC en
relacin con la tensin colectoremisor VCE, estas no son suficientes
para conocer si el transistor BJT se
encuentra trabajando de forma
segura.

MXIMA

Representa el mximo valor de

corriente que puede circular por el
colector para una tensin colector
emisor dada.
ZONA 2: LA HIPRBOLA DE
MXIMA DISIPACIN DE
POTENCIA
Este tramo indica la mxima
disipacin de potencia del dispositivo.
ZONA 3: LMITE
RUPTURA

DE

SEGUNDA

Es el lmite permitido para evitar la

destruccin del dispositivo por el
fenmeno de ruptura o avalancha
secundaria.
ZONA 4: VOLTAJE DE RUPTURA DE
LA UNIN COLECTOR EMISOR
BVCEO
El ltimo tramo es el lmite debido a
la tensin de ruptura primaria del
transistor e indica la mxima tensin
que puede soportar el dispositivo en
estado de bloqueo.