Universidade Federal do Rio Grande do Sul

Programa de Ps-Graduao em Cincia dos Materiais

MODELAMENTO ELTRICO DE CLULAS SOLARES SENSIBILIZADAS POR

CORANTE: MODELO ALGBRICO E SIMULAO COMPUTACIONAL.
ou
MTODO PARA A DETERMINAO RPIDA E FCIL DOS PARMETROS DO
CIRCUITO ELTRICO EQUIVALENTE DE CLULAS SOLARES
SENSIBILIZADAS POR CORANTE PARA IMPLEMENTAO EM SIMULADORES
DE CIRCUITOS ELTRICOS

Rocelito Lopes de Andrade

Dissertao de mestrado

Porto Alegre, agosto de 2016.

Universidade Federal do Rio Grande do Sul

Programa de Ps-Graduao em Cincia dos Materiais

MODELAMENTO ELTRICO DE CLULAS SOLARES SENSIBILIZADAS POR

CORANTE: MODELO ALGBRICO E SIMULAO COMPUTACIONAL.
ou
MTODO PARA A DETERMINAO RPIDA E FCIL DOS PARMETROS DO
CIRCUITO ELTRICO EQUIVALENTE DE CLULAS SOLARES
SENSIBILIZADAS POR CORANTE PARA IMPLEMENTAO EM SIMULADORES
DE CIRCUITOS ELTRICOS

Rocelito Lopes de Andrade

Dissertao realizada sob a orientao

do Prof. Dr. Marcos Jos Leite dos
Santos, apresentada ao Programa de
Ps-Graduao

em

Cincia

dos

Materiais da Universidade Federal do

Rio Grande do Sul em preenchimento
parcial dos requisitos para a obteno
do ttulo de Mestre em Cincia dos
Materiais.

Porto Alegre, agosto de 2016.

2

Aos meus pais,

Jos Correa de Andrade (im memoriam) e
Teresinha Lopes de Andrade

AGRADECIMENTOS

A minha esposa pela compreenso e pelo apoio.

Ao professor Marcos Jos Leite dos Santos, pela dedicao e pela excelncia obtida
em sua profisso.

A professora Clia Silva Malfati pela confiana.

Ao PGCIMAT pela oportunidade.

Ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (Processo:

477804/2011-0,

490221/2012-2

472243/2013-6)

CME/UFRGS

CNANO/UFRGS.

A todos os colegas do Laboratrio de Materiais Aplicados e Interfaces,

especialmente ao Matheus Costa de Oliveira e Emerson Kohlrausch pela pacincia
e inmeros conhecimentos prticos repassados durante a montagem das clulas
solares.

SUMRIO
1

INTRODUO......................................................................11

1.1 Objetivos da dissertao........................................................................13

1.1.1 Objetivo Geral.................................................................................................... 13
1.1.2 Objetivos Especficos......................................................................................... 13

REVISO BIBLIOGRFICA (20 PGINAS)................................14

2.1 A clula solar sensibilizada por corante..................................................14

2.2 Modelos matemticos de sistemas fsicos...............................................17
2.2.1 Simplicidade Versus Preciso De Um Modelo Matemtico.................................17
2.2.2 Modelamento Eltrico De Uma Clula Solar.......................................................18
2.3 PRINCIPAIS Parmetros eltricos de uma clula solar..............................18
2.4 O modelo de Linha de Transmisso para dsscS........................................20
2.5 Modelo de um diodo para dsscS..............................................................24
2.5.1 A Fonte De Corrente Controlada E Sua Influncia da Na Curva I-V.....................27
2.5.2 As Resistncias Srie (RS) E Paralela (RP) E Sua Influncia Na Curva I-V.............29
2.5.3 N e IO E Sua Influncia Na Curva I-V...................................................................32

PARTE EXPERIMENTAL (10 PGINAS )...................................37

3.1 SNTESE DAS NANOPARTCULAS DE TIO2 DE 20nm...................................37

3.2 SNTESE DAS NANOPARTCULAS DE TIO2 DE 400nm..................................38
3.3 Montagem do dispositivo.......................................................................39
3.3.1 Eletrodo (nodo)................................................................................................ 39
3.3.2 Contra Eletrodo (Ctodo)...................................................................................40
3.3.3 Selagem............................................................................................................ 40
3.4 Caracterizao ELTRICA do dispositivo..................................................41

RESULTADOS E DISCUSSO (50 PGINAS).............................42

4.1 EQUACIONAMENTO DO Modelamento eltrico da DSSC.............................42

4.1.1 Equacinamento Do Valor De RS..........................................................................47
4.1.2 Equacionamento Do Valor De RP:.......................................................................49
4.1.3 Equacionamento Do Valor De IPH........................................................................50
4.1.4 Equacionamento Da Corrente De Saturao Reversa E Fator De Idealidade......51
4.1.5 Passo A Passo Para A Obteno Dos Parmetros Eltricos.................................52
4.2 Caracterizao dos dispositivos montados..............................................52
4.3 DISCUSSO............................................................................................53
4.4 Simulaes com o modelamento obtido..................................................65
4.4.1 Simulao Da Variao Da Resistncia Srie.....................................................65

4.4.2
4.4.3
4.4.4
4.4.5
4.4.6
4.4.7

Simulao
Simulao
Simulao
Simulao
Simulao
Simulao

Da
Da
Da
Da
Da
Da

Variao
Variao
Variao
Variao
Variao
Variao

Da
Da
Da
Do
Da
Do

Resistncia Paralela.................................................65
Irradincia...............................................................65
Temperatura............................................................65
Fator De Idealidade.................................................65
Corrente De Saturao Reversa...............................65
GAP Do Material Semicondutor................................65

CONCLUSES (4 PGINAS)...................................................66

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS............................................74

ANEXOS.............................................................................94

7.1 Dados numricos de todas as medies..................................................94

7.2 Resultado dos difratogramas realizados..................................................94

LISTA DE ABREVIAES E SMBOLOS

ABREVISES

SM

Semicondutor

EQ

Equaao

RS
RP
ISC
N
IO
FTO
FF
EG

tenso de gap

LISTA DE FIGURAS

RESUMO
Com o crescente aumento na demanda de sistemas fotovoltaicos de terceira
gerao, torna-se cada vez mais importante uma correta e eficaz caracterizao
eltrica dos mesmo. A caracterizao eltrica de tais dispositivos fotovoltaicos passa
pela determinao da curva I-V que permite qualificar o mdulo e avaliar seu
desempenho em diferentes condies de operao. Entre estes parmetros
destacam-se a resistncia srie (R S), resistncia paralela (Rp), corrente de
saturao reversa (IO) e o fator de idealidade (n). Convencionalmente para obter
estes coeficientes so necessrios muitos ensaios o que dificulta o trabalho do
pesquisador. Este trabalho, que foi realizado no Laboratrio de Materiais Aplicados
e Interfaces UFRGS, desenvolve um novo e mais simples mtodo para determinar
os parmetros eltricos IO, n, RP e RS de clulas solares sensibilizadas por corante.
Os parmetros determinados a partir do levantamento e anlise de curvas I-V sem e
com iluminao foram usados para alimentar programas de simulao de circuito
eltricos e assim gerar de curvas tericas segundo o modelo de um diodo. Essas
curvas tericas foram ento superpostas as curvas reais mostrando um excelente
concordncia.

ABSTRACT

With the increasing demand for photovoltaic third generation systems,

becomes important a correct and effective electrical characterization of it.

it

The

electrical characterization of such photovoltaic devices can be made by the

determination of I-V curve allowing to qualify and evaluate their performance in
different operating conditions.These parameters include the series resistance (R S),
parallel resistance (Rp), reverse saturation current (I O) and ideality factor (n).
Conventionally, to argue these coefficients are required many complicated and timeconsuming experiments that complicates the job of the researcher.. This work, which
was held at Applied Materials and Interfaces Laboratory UFRGS, develops a new
and simpler method for determining the electrical parameters I O, n, RP and RS in dye
sensitized solar cells. The parameters determined from the collecting and analyzing
datas of I-V curves (with and without lighting) were used to feed electrical circuit
simulation softwares and generate theoretical curves on the model of a diode. These
theoretical curves were then overlapped the real curves showing an excellent
agreement.

10

1 INTRODUO
O desenvolvimento de fontes alternativas de energia tem recebido cada vez
mais destaque nos ltimos anos. Uma das principais motivaes se deve ao
aumento

da

preocupao

ambiental,

em

particular

devido

possveis

consequncias relacionadas ao efeito estufa para as futuras geraes. [quimica

nova]. A energia solar surge como uma alternativa promissora, em virtude do grande
potencial energtico. Porm, cerca de 90% dos mdulos solares comercializados
so baseados em clulas fotovoltaicas de silcio mono e policristalino[99], que
possuem elevado custo. Desta forma, a baixa representao do mercado
fotovoltaico advm do alto custo de fabricao destas clulas solares, o que
representa um entrave para a popularizao desta fonte de energia. [quimica nova]
[13x][16x]
Neste contexto, a clulas solar de juno lquida de dixido de titnio (TiO 2)
sensibiliza por corante tambm conhecida como DSSC (Dye Sensitized Solar Cell)
representa uma excepcional alternativa para a produo de mdulos solares com
custo

extremamente

baixo

[REGAN][JW]

[2,3][smestad]. Como

um

sistema

fotoeletroqumico regenerativo, as DSSCs tipicamente compreendem um eletrodo

sensibilizado por corante TiO2 nanoporoso, um eletrlito contendo um par redox, e
um contraeletrodo de platina que serve como catalisador (devolve rapidamente os
eltrons ao eletrlito) para a reao redox . O mecanismo de funcionamento de tais
dispositivos baseia-se na separao de cargas foto-induzidas na interface
semicondutor/corante/eletrlito

[JW][gtz].

Atualmente

essas

clulas

solares

apresentam valores de eficincia de at 10% em sua configurao clssica [meng]

[9e][12.A][kern][5y][46][janne], porm este valor pode variar com a modificao dos
componentes, chegando a alcanar at 13%. [quimica nova][4z].
Para otimizar a eficincia de converso de energia das DSSCs, fundamental
compreender os processos de recombinao e os mecanismos de transporte de
corrente eltrica, ou seja, compreender e quantificar as perdas de energia eltrica.
Para tanto o modelamento eltrico age como uma ferramenta til na extrao de
informao sobre os esquemas internos de funcionamento, quantificando as perdas
devido aos processos de recombinao de portadores bem como as perdas
11

associadas ao transporte de corrente tambm denominadas perdas de conduo.

[sugesto][ocako].
Atravs do modelamento eltrico da clula solar possvel tambm comparar
um conjunto de DSSCs preparadas com alguma variao de materiais ou processos:
variao no corante utilizado, resistncia e transparncia dos substratos condutores,
temperatura de sinterizaaco, espessura do filme nanoporoso, tamanho das
nanopartculas empregadas, tratamento qumico aplicado aos substratos condutores
do eletrodo e contraeletrodo, etc.
Atravs do modelamento eltrico da clula solar, possvel predizer o
comportamento da mesma em situaes diferentes das amostradas em laboratrio
podendo ser destinada na caracterizao tcnica comercial, no apoio qualidade de
fabricao dos dispositivos ou ainda para testar novas hipteses e fazer a predio
e o aperfeioamento de desempenho de sistemas fotovoltaicos. [13x][12.A]
No campo da engenharia eltrica de aplicao o modelamento eltrico constitui
uma ferramenta indispensvel no projeto de agrupamento em mdulos de clulas,
os chamados arrays. [Vun] [11A][12A].
Atravs do modelamento eltrico da clula solar podemos usar softwares
populares e gratuitos de simulao computacional como o SPICE para obter a curva
caracterstica de tenso versus corrente (I-V) e assim parmetros de caracterizao
como o fator de preenchimento (FF= fill fator) e a tenso de circuito aberto (V OC) da
clula solar sob condies diversas de temperatura ou irradincia [D1][D2].
A fim de otimizar o desempenho DSSCs, foram desenvolvidos modelos fsicos
detalhados para ilustrar o seu funcionamento com base em fenmenos de difuso,
recombinao e de transporte de carga [andrade][Ferber]. Estes so modelos
matemticos bastante precisos que descrevem o comportamento das DSSCs por
meio de equaes diferenciais parciais (PDEs) no espao e no tempo. No entanto, a
estrutura de software normalmente utilizado para soluo numrica destes sistemas
de equaes [TRANSCENDENTAL][anta][cad] torna invivel para aplicao em
softwares de simulao de engenharia eltrica como SPICE. Modelagem de DSSCs
uma questo em aberto e ativa. Dentro deste contexto o presente trabalho
objetivou estabelecer um mtodo para a determinao rpida e fcil dos parmetros
12

do circuito eltrico equivalente de clulas solares sensibilizadas por corante.

13

1.1 OBJETIVOS DA DISSERTAO

1.1.1 Objetivo Geral

Esta pesquisa tem por objetivo geral a apresentao e a validao de um
novo mtodo, rpido e de fcil entendimento, para a obteno dos parmetros
de modelamento eltrico de uma clula solar sensibilizada por corante
(resistncia srie e paralela, fator de idealidade e corrente de saturao
reversa do diodo e corrente eltrica de irradincia) para ser implementado em
softwares de simulao de circuitos eltricos, tais como SPICE. De outra
maneira podemos dizer que esta pesquisa tem como objetivo geral gerar uma
abordagem para a simulao de DSSCs que oferece um trade-off entre preciso,
tempo de computao e tempo de levantamento de dados contribuindo assim para a
integrao das DSSCs com softwares de simulao de engenharia eltrica.

1.1.2 Objetivos Especficos

Montar doze conjuntos de clulas solares, cada conjunto com trs clulas,
totalizando 36 clulas, diferenciando cada conjunto atravs dos materiais e
processos empregados: tipo de eletrlito, temperatura de sinterizao, dimetro
das nanopartculas, tipo de tratamento superficial dos eletrodos, espessura da
camada de semicondutor, idade da clula (aging).
Gerar curvas tenso versus corrente para clulas iluminadas e no escuro;
Obter as equaes que descrevem o circuito eltrico equivalente da clula solar;
Atravs das equaes e das curvas obtidas gerar os valores que compem o
modelo eltrico.
Utilizar um simulador de circuitos eltricos baseado em algortimo SPICE,
parametrizado com os valores obtidos no item anterior, gerando as curva (I-V)
Comparar as curvas reais dos dispositivos com as curvas geradas pelo modelo
validando assim o modelo proposto.
14

15

2 REVISO BIBLIOGRFICA (20 PGINAS)

2.1 A CLULA SOLAR SENSIBILIZADA POR CORANTE

Em 1991, um grupo de pesquisa liderado pelo professor M. Grtzel

desenvolveu uma clula de converso de energia solar em energia eltrica do tipo
DSSC que causou grande interesse da comunidade cientfica. Ele mostrou que o
uso de partculas nanoporosas de TiO2 (anatase) com corante adsorvido em um
sistema fotoeletroqumico aumentava bastante a eficincia das DSSCs. [17] [1].
As clulas solares sensibilizadas por corante desenvolvidas por Grtzel so
muito atraentes devido versatilidade qumica, facilidade de sntese de estruturas
moleculares diferentes, estabilidade energtica e estrutural, ao baixo custo, sua
compatibilidade com o meio ambiente e gerao de energia renovvel com tima
eficincia[4y][5y][gtz]. Atualmente, a literatura sobre as clulas solares sensibilizadas
corante facilmente disponvel e muito completa [6y][7y][y8] [9y][17][janne]
A estrutura tpica de uma DSSC est representada na figura xxx. O
fotoeletrodo (fotoanodo) uma pelcula nanoporosa de 10m de espessura
interligada as nanopartculas de TiO 2 com um dimetro aproximado de 20nm que
so cobertas com uma monocamada de molculas de corante que absorve luz. O
filme depositado sobre um vidro revestido com um substrato de FTO. A estrutura
nanoporosa do filme de TiO2 proporciona uma elevada rea de superfcie interna
para acomodar uma quantidade suficiente de corante para absoro de luz eficiente.
Tambm assegura que cada molcula de corante se encontra em contato direto com
o TiO2 e o eletrlito que preenche os poros da pelcula. O contra eletrodo (ctodo)
um substrato de vidro similar, mas o FTO revestido com partculas de catalisador
de platina que devolve rapidamente os eltrons ao eletrlito. Eletrodo e
contraeletrodo esto conectados atravs uma pelcula de polmero termoplstico que
funciona no s como um vedador de borda mas tambm como um espaador
formando um sanduche como clula eletroqumica de camada fina sendo que uma
camada de eletrlito preenche o espao entre os eletrodos. [janne]

16

O princpio da absoro de luz est sumarizado na figura xxx. Quando o

corante (normalmente, complexo de rutnio) absorve um fton um eltron excitado
a partir de um estado de baixa energia para um estado de alta energia da molcula
(1). Isto seguido por injeo de eltrons para a banda de conduo do
semicondutor de normalmente, xido de titnio (TiO 2 - anatase). (2), e o corante
oxidado regenerado (reduzido) por captura de eltrons a partir do do eletrlito
redox (tipicamente doadores iodetos

e aceitadores tri-iodetos

I 3 ) (3). O

eltron injetado viaja por efeito de difuso e de campo eltrico no filme TiO2 at que
ele encontra seu caminho para o substrato onde liberada para o circuito eltrico
externo (corrente flui do eletrodo para contraeletrodo segundo o sentido eletrnico)
(4). O eltron retornado para a clula atravs de uma reao de reduo do
eletrlito no contra-eletrodo (5). O circuito eltrico da clula completado pelo
transporte inico do par redox no eletrlito (6). O objetivo da modelagem fsica da
operao da DSSC explicar como estes processos esto relacionados com a
curva IV da clula [5y][gtz][janne][9E] [17]
No caso da DSSC tradicional lanado mo de um eletrodo nanoporoso de
TiO2 tendo em vista fatores como estabilidade qumica a longo prazo, baixo custo de
obteno, no toxidade, baixa sensibilidade presena de impurezas e o benefcio
que a grande rea superficial proporciona eficincia [Landman].

17

Figura xxx Princpio de funcionamento da DSSC. As as reaes "para a frente" (charge

transfer) so referidas por nmeros no texto e as reaes "para traz" que limitam a fotocorrente esto
indicadas com setas (a,b,c): (a) relaxao do estado excitado do corante, (b) recombinao dos
eltron do semincondutor com o corante oxidado e (o processo mais mais relevante) (c) com o triiodeto no eletrlito.. [janne]

Figura xxx. Amostra esquemtica das clulas fotoeletroqumicas usando nanocristalino TiO2
[janne]

Figura 8 - Micrografia de varredura de eltrons (SEM) de um filme mesoporoso de anatase

preparado a partir de um colide hidrotermicamente processado de titnia (TiO 2): (a) magnificao
15000 [79] (b) magnificao 9000. [11]

18

Uma completa e detalhada descrio do sistema de operao de um DSSC

pode ser encontrada facilmente na literatura. [1][gtz][9e][2y][barbe][janne]

2.2 MODELOS MATEMTICOS DE SISTEMAS FSICOS

A maioria dos sistemas fsicos, independetemente de serem mecnicos,

eltricos,

trmicos,

hidrulicos,

econmicos,

biolgicos,

etc.

podem

ser

caracterizados por equaes diferenciais. A resposta de um sistema dinmico a uma

dada entrada (ou funo de excitao) pode ser obtida se estas equaes
diferenciais so resolvidas. Podem-se obter as equaes utilizando leis fsicas que
governam um particular sistema, por exemplo, as leis de Newton para sistemas
mecnico ou as leis de Kirchhoff para sistemas eltricos. A descrio matemtica
das caractersticas dinmicas de um sistema denominada modelamento
matemtico.
O primeiro passo na anlise de um sistema obter seu modelo. Deve-se
sempre levar em conta que a obteno de um modelo matemtico razovel a parte
mais importante de toda a anlise. Uma vez obtido o modelo matemtico de um
sistema, vrias ferramentas analticas ou por computador podem ser utilizadas para
fins de anlise e sntese. [ogata p.76] Os resultados obtidos da anlise so vlidos
somente na extenso da qual o modelo se aproxima de um dado sistema fsico.

2.2.1 Simplicidade Versus Preciso De Um Modelo Matemtico

Na obteno de um modelo, devemos estabelecer um compromisso entre a

simplicidade do modelo e apreciso dos resultados da anlise. A rapidez com a qual
um computador digital pode desempenhar operaes aritmticas permite-nos
empregar uma nova abordagem na formulao de modelos matemticos. Ao invs
de nos limitarmos apenas aos modelos simples, podemos, se necessrio, incluir
centenas de equaes para descrever um sistema completo. Se no for necessrio

19

uma preciso extrema, entretanto, prefervel obter apenas um modelo

razoavelmente simplificado.
Em geral, na soluo de um novo problema, verificamos ser desejvel
inicialmente construir um modelo simplificado de modo a ganharmos um
conhecimento bsico e geral para a soluo. Posteriormente um modelo matemtico
mais completo poder ento ser elaborado e utilizado para uma anlise mais
integral. [ogata p.77]

2.2.2 Modelamento Eltrico De Uma Clula Solar.

A fim de otimizar o desempenho DSSCs, foram desenvolvidos modelos fsicos

detalhados para ilustrar o seu funcionamento com base em fenmenos de difuso,
recombinao e de transporte de carga [andrade][Ferber]. Estes so modelos
matemticos bastante precisos que descrevem o comportamento das DSSCs por
meio de equaes diferenciais parciais (PDEs) no espao e no tempo. No entanto, a
estrutura de software normalmente utilizado para soluo numrica destes sistemas
de equaes [TRANSCENDENTAL][anta] torna invivel para aplicao em softwares
de simulao de engenharia eltrica como SPICE.
O modelamento eltrico de uma clula solar (ou de qualquer outro dispositivo
fsico) consiste de uma descrio do modelo matemtico do dispositivo atravs de
componentes eltricos, sejam estes passivos ou ativos. Os parmetros reais dos
dispositivos fsicos so, na verdade, distribudos espacialmente por toda a regio do
dispositivo e os modelos eltricos descrevem estes parmetros na forma
concentrada atravs de componentes eltricos/eletrnicos. Este fato, apesar de
importante no entendimento da relao modelo x realidade, no invalida o
modelamento, pois, se estivermos interessados na anlise de caractersticas
pontuais o modelamento com parmetros concentrados atender perfeitamente.
Exemplos: energia de entrada versus corrente de sada ou tenso de sada versus
corrente de sada. O modelamento eltrico com componentes concentrados ser to
fiel realidade quanto forem precisos os parmetros de seus componentes e a
topologia eltrica do modelo.

20

Dentro deste contexto o presente trabalho objetivou estabelecer um mtodo

para a determinao rpida e fcil dos parmetros do circuito eltrico equivalente de
clulas solares sensibilizadas por corante.

2.3 PRINCIPAIS PARMETROS ELTRICOS DE UMA CLULA SOLAR

Grfico I-V de uma clula solar

IM
Corrente eltrica (A)

9E-04

4.5E-04

8E-04
0

4.0E-04

7E-04

3.5E-04

6E-04

3.0E-04

5E-04

2.5E-04

4E-04

2.0E-04

3E-04

1.5E-04

2E-04

1.0E-04

1E-04

5.0E-05

Potncia eltrica (W)

0E+00
0.0 0.5

0.0E+00

MP

Tenso eltrica (V)

Figura xxx Corrente eltrica em funo da diferena de potencial aplicada em uma clula solar
sensibilizada por corante de 0,20cm2 de rea circular sob condies padro de ensaio (irradincia
1.000W/cm2, espectro solar AM1.5, temperatura de 25oC). Os principais parmetros eltricos so
destacados. ISC a corrente de curto circuito, VOC a tenso de circuito aberto, PM a potncia
mxima, IMP e VMP so respectivamente a corrente e a tenso no ponto de mxima potncia.

O grfico da figura xxx representa o valor da corrente eltrica em funo da

diferena de potencial aplicada em uma clula solar sensibilizada por corante (curva
I-V). A partir dele podem ser determinados os principais parmetros eltricos que
caracterizam as clulas solares: corrente de curto circuito, tenso de circuito aberto,
ponto de mxima potncia, fator de forma e eficincia, conforme descritos a seguir
[D1]:

21

1) Corrente de Curto-Circuito (I SC): o maior valor de corrente gerado pela clula.

Ela corresponde corrente nas condies de curto-circuito, ou seja, quando a
impedncia conectada como carga clula vale zero ohms. Neste caso a tenso de
sada da clula igual a zero (V = 0).
2) Tenso de Circuito Aberto (Voc): a tenso de circuito aberto ocorre quando no
h corrente alguma sendo fornecida pela clula (I=0).
3) Ponto de Mxima Potncia (P M): o nico ponto de operao, para valores
instantneos de irradincia e temperatura, em que os valores de corrente e tenso
resultam em uma potncia mxima. O ponto de mxima potncia definido pela
equao xxx
PM =I MP .V MP

(1)

Onde IMP e VMP so as respectivas corrente e tenso no ponto de mxima potncia.

Os conversores eletrnicos que compatibilizam os parmetros de tenso das clulas
solares com as tenses da carga alimentada devem rastrear o ponto de mxima
potncia utilizando algum tipo de controle automtico, maximum power tracker
(MPPT), de modo que seja disponibilizado carga o mximo de energia disponvel
no painel solar. [Ganesh][11A]
4) Fator de forma ou Fill Factor (FF): o fator de forma essencialmente uma
medida de qualidade da clula solar. Ele a relao entre a mxima potncia que a
mesma pode fornecer a uma carga e o produto de Isc e Voc, expressado por:
FF=

( I MP V MP )
( I SC V OC )

(2)

5) Eficincia (): a relao entre a mxima potncia eltrica disponvel na sada

da clula e a potncia da luz irradiada, expressado por:
=

( I MP V MP )
PIN

(3)

2.4 O MODELO DE LINHA DE TRANSMISSO PARA DSSCS

22

As DSSCs so sistemas constitudos por vrias interfaces, onde diferentes

processos ocorrem. Por conta disto o modelamento eltrico do tipo linha de
transmisso (LT) uma opo. [F] [kern][12,13,14] [Q.Wang][D1][andrade][119].
Neste modelo as diversas impedncias que compem a topologia da clula solar, e
que representam suas diversas interfaces, so obtidas atravs da interpretao dos
grficos de Nyquist obtidos pela tcnica de espectroscopia de impedncia
eletroqumica (eletrochemical impedance spectroscopy) ou EIS [d2] [12.A] [13.A]
[14.A] [15.A] [16.A] [9x][subatra].
A EIS baseia-se na anlise da resposta eltrica de uma clula a qual
aplicada tenso peridica de frequncia varivel sobreposta a uma tenso de
polarizao constante (bias) [7x]. Esta tcnica fornece uma viso detalhada das
caractersticas eltricas de interfaces eletrodo/soluo [1e-4e]. Atualmente, a EIS
utilizada em ampla gama de estudos, abrangendo desde o transporte eletrnico em
dispositivos semicondutores [0e] at o estudo de processos cinticos eletroqumicos
como os que ocorrem em clulas fotovoltaicas [7e-9e],
A figura xxx3 mostra um modelo de linha de transmisso na sua forma
genrica para eletrodos porosos. O modelo consiste em vrios elementos ligados
em paralelos e em srie. Este tipo de associao, que tradicionalmente utilizada
no modelamento de linhas de transmisso de energia eltrica de potncia, tambm
adequado para descrever as diferentes interfaces presentes em uma DSSC. Este
trabalho no pretende descrever a tcnica de EIS porm possvel encontrar na
literatura mtodos de modelamento do fluxo de ons dentro de um material poroso
utilizando EIS e o modelo de linha de transmisso [9x] [D1].

23

figura 3(b) Representao de uma clula fotoeletroqumica sensibilizadas por corante com
eletrodo poroso. (acima) Classificao das regies em uma interface. (abaixo) Topologia de um
modelo de linha de transmisso genrico. L representa o comprimento da linha de transmisso ou a
profundidade da superfcie porosa; A e B so regies de interface representadas por impedncias Z A
(x = 0) e ZB (x = L). X1 a impedncia do eletrlito dentro do poro. X 2 a impedncia da fase slida
do eletrodo poroso. descreve a impedncia na regio de "interface ativa".[janne]

Em uma DSSC os processos de transporte e de recombinao so

caracterizados por constantes de tempo relativamente distintas. Assim, a tcnica de
EIS aliada ao traado dos grficos de Nyqist capaz de distinguir os diferentes
mecanismos existentes e as respectivas impedncias que elas representam Z1
representa a transferncia de carga na regio do contra eletrodo de platina/eletrlito
(R1 em paralelo com C 1); Z2 representa processos eletrnicos de difusorecombinao na camada de TiO 2 e na interface semicondutor/eletrlito (R 2 em
paralelo com C2); Z3 representa a difuso das espcies redox no eletrlito representa
(difuso nerstiniana) modelada eltricamente por uma impedncia de Walburg; Rh
representa a resistncia hmica da clula, resultante da soma da resistncia do
vidro condutivo, normalmente feito de xido de estanho dopado com flor ou FTO
(fluorine doped tin oxide) e resistividade do eletrlito. [F] [tripati][janne][kern][c] [9x] .
[12.A] [9R] [Toyohisa] [14] [D1] [JVAN]

24

Figura xxx. Espectro de impedncia eletroqumica de uma DSSC, sendo a abscissa a parte
real e a ordenada a parte imaginria. Rh representa uma resistncia pura identificada atravs da
frequncia de amostragem na ordem de 106HZ e atribuda ao vidro condutivo. Os trs semicrculos
so atribudos a impedncias relacionados: (Z 1) ao transporte de cargas no contra-eletrodo de
platina/eletrlito (103 -105HZ); (Z2) ao transporte de cargas na regio TiO2/corante/eletrlito (1 103HZ); (Z3) a difuso Nernstiana verificada nas espcies redox dentro do eletrlito (2.10 -2 1 HZ). [F]

O estudo da dependncia dos valores de R h, R1, R2 e R3 com Voc (tenso de

circuito aberto) indicam que o valor de R 2, denominada resistncia de recombinao
[D1][54][subatra], est associado ao comportamento I-V de um diodo retificador , ou
seja, resistncia dinmica do diodo, enquanto R h, R1 e R3 praticamente no variam
seu valor com a alterao do Voc [F][9R].

(a)

25

(b)
Figura xxx. Circuito equivalente de uma DSSC obtido a partir do grfico de Nyquist da figura
xxx. com aparncia tradicional dos resultados de EIS. R2 equiparada com a resistncia de um
diodo, Rh corresponde chamada resistncia em srie da clula. C 1 e C2 so elementos de
capacitncia de Z1 e Z2, respectivamente. Uma fonte de corrente constante em paralelo com Rsh
foram impiricamente acrescentadas ao modelo (a) Verso da bibliografia consultada. [F]. (b) Verso
deste autor

Na topologia representada pela figura xxx as perdas de eficincia adicionais

relacionados com a inclinao diferente de zero das caractersticas I-V nas
condies de curto-circuito e o processo de gerao de foto corrente so
empiricamente modeladas por uma resistncia paralela R SH (shunt resistance) ou RP
(resistncia paralela) e por uma fonte de corrente respectivamente [F][janne].
Em baixa frequncia ou frequncia zero as capacitncias do modelo de linha
de transmisso podem ser desconsideradas restando apenas as resistncias [F] e
podemos afirmar que R3 + R1 + Rh = RS. [kern][janne] [sugesto] [17]] [H][f][9R],. Desta
forma, em circuitos de corrente contnua, as medies por espectroscopia levam
resumidamente a trs resistncias: (1) R2 que representa a caracterstica I-V do
diodo e fortemente dependente de VOC (seu valor decai exponencialmente em
funo de VOC [D1][JVAN][2y]), (2) RS (resistncia srie) que a soma da resistncia
do FTO com a resistncia da platina no contra-eletrodo e da resistncia que
representa os processos de difuso Nerstiana do par redox do eletrlito [F] e (3) R P
que leva em conta todas as perdas resistivas paralelas em todo o dispositivo
fotovoltaico, considerando assim a corrente de fuga. [janne]

26

Desta maneira chega-se a uma concluso muito importante: a experincia

adquirida atravs do modelo eltrico de um diodo aplicado s clulas solares
convencionais inorgnicas (clulas de primeira gerao) pode ser aplicado s
DSSCs. [F] [D1] [JVAN][18][c][47] [ocako]

2.5 MODELO DE UM DIODO PARA DSSCS

A espectroscopia de impedncia eltrica utilizada para analisar eltricos de

clulas exige muito tempo e os dados obtidos so complicados de interpretar e
explicar. [tio]
Desta forma, alternativamente ao modelo de linha de transmisso, destaca-se
o modelo com um diodo que, apesar de no fornecer um detalhamento maior sobre
as diversas parcelas que compem as perdas por recombinao e conduo como
no modelo de linha de transmisso, um modelo bastante til e possui aplicaes
importantes por sumarizar, de forma bastante simples e prtica as perdas por
recombinao e conduo, descrevendo com excelente preciso as principais
caractersticas a curva I-V da clula solar sensibilizada por corante. [D1][13x][18]
[janne][10x]. [tio][15x][bosch]. As DSSCs de eletrlito lquido j foram testadas
analiticamente via modelo de um diodo e apresentaram boa corroborao
experimental [71] [C] [13X-16X][19] [Sugesto do Marcos].
De forma a duzirmos a equao que rege o modelo de um diodo para DSSCs
consideremos uma clula iluminada sob uma condio de estado estacionrio, com
a injeco de eltrons provenientes das molculas do corante excitado, onde ocorre
o transporte de cargas pelo semicondutor mesoporoso de pelcula fina e esto
presentes fenmenos de recombinao de carga com eletrlito na interface do
semicondutor/eletrlito (recombinao esta considerada linear com relao a
densidade de eltrons de eltrons livres). Isso significa que o uso de um modelo
deriva-difuso com mobilidade constante uma aproximao; no entanto, em
particularmente para estudos de estado estacionrio esta uma aproximao
razovel, desde que os parmetros de correco so eficazes utilizados. As
caractersticas I-V desta DSSC podem ento ser obtidas atravs da resoluo de

27

uma equao diferencial de difuso de densidade de cargas (equao de

continuidade para a densidade de eltrons livres) [7 [46], [47] and [48] [Bri]:
D

2 c (x) c ( x )c 0

+ 0 ex =0
2

(4)

Onde c(x) a concentrao de eltrons livres em funo da posio x na

camada fina de TiO2 mesoporosos; c0 a concentrao de eltrons em uma
condio de escuro;

o tempo de vida dos eltrons livres da banda de

conduo; 0 a intensidade da luz incidente; o coeficiente de absoro do filme

e D o coeficiente de difuso de eletrons.
Sabendo que a corrente eltrica a derivada da concentrao de eltrons a
soluo geral da Eq. Xxx usando as devidas condies de contorno e em termos de
IV, dada por [subatra]:
i r=q k r c ( v)1 /n

(5)

Onde Ir a corrente de recombinao, q a carga do eltron, k r uma

contante, c(v) a concentrao de eltrons em funo do potencial v, c o a
densidade de eltrons na condio de equilbrio no escuro e n o fator de
idealidade.
A dependncia da concentrao de eltrons com relao ao potencial c(v)
atende a uma distribuio de Boltzmann [subatra]:

28

e
e
qV TiO 2
(
)
kT
E ( x=0 )E redox ( x =d)
( F
)=c 0
kT
c (v)=c 0

(6)

e
qV TiO2 1 /n
(
)
kT
ir =q k r c 0

(7)

i 0=q k r c 1/0 n

Considerando
e
q V TiO2
(
)
nkT
i r=i 0

(8)

Onde i0 denominado como corrente de saturao escuro, V TiO2 a tenso no

fotoeletrodo e corresponde diferena entre o nvel de Fermi no TiO2EF e potencial
redox no eletrlito ERedox. [janne, subatra]
Ou

seja,

as

caractersticas

corrente-tenso

derivadas

de

clulas

fotoeletroqumicas microporosos esto em correspondncia com a expresso para

um diodo de juno P-N descrito por Schockey [47], porm devemos salientar que a
obteno do valor de I0 totalmente diferente. Fato este que leva a comportamentos
particulares, como o caso da variao da fotocorrente em funo da
temperatura[21].
O comportamento de um diodo construdo a partir de uma juno pn
descrito pela equao xxx conhecida como a equao do diodo de Shockley (prmio
Nobel da fsica pela descoberta do transistor em 1954) expresso analtica que
descreve o fluxo de portadores majoritrios atravs de um contato de barreira
Schottky

29

I D =I O

(e

( qV D )
kT

(9)

Na equao de Schockley I 0 a corrente de saturao de diodo, q a carga

do eltron, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta em K.
A equao da corrente atravs de um diodo criada por Schockley descreve
adequadamente o fenmeno da recombinao tendo em vista a dependncia
exponencial da corrente (e portanto da resistncia) em funo da tenso. Porm, ela
derivada do pressuposto de que os nicos processos que geram corrente no diodo
so os processos de deriva devido ao campo eltrico aplicado, processos de difuso
de portadores de carga e processos de gerao-recombinao trmica. Ela tambm
pressupe que a corrente de gerao-recombinao na regio de depleo
insignificante. Devido as estas simplificaes a equao de diodo ideal de Shockley
no leva em conta os processos envolvidos nas regies de ruptura com aplicao
reversa e o processo de fotogerao de corrente eltrica presentes quando o
dispositivo exposto luz (caso da clula solar). Alm disso a equao de Shockley,
no descreve o nivelamento da curva I-V com valores altos de polarizao direta
ocorrido devido a preponderncia das perdas geradas no transporte de corrente
carga atravs das resistncias srie (RS). [F]
Assim, para criar um modelo eltrico que represente adequadamente os
processos de recombinao de portadores de carga na regio de depleo
adicionado equao de Shockley um fator de ajuste n, mais comumente chamado
de fator de idealidade, para representar os processos de fotogerao de corrente
eltrica quando a juno exposta a luz acrescentado em paralelo com o diodo
uma fonte de corrente eltrica dependente da irradincia I PH [A] e para representar o
processo de "nivelamento" da curva I-V com valores altos de polarizao direta, uma
resistncia srie adicionada ao modelo. [wiley , p722 ] Assim, com equao de
Schokley modificada, o modelo de um diodo pode mensurar todos processos de
recombinao de portadores e todas as perdas associadas ao transporte de
corrente.
Figura xxx Topologia do modelo eltrico de um diodo aplicado a DSSCs. Composto por:
fonte de corrente controlada IPH que representa a gerao de carga eltrica na clula; diodo D que
representa as caractersticas de recombinao de carga, resistncia paralela RP que representa as

30

perdas de carga atravessando a clula atravs dos fios, contatos, semicondutor?, eletrlito e FTO;
resistncia paralela RP representa a resistncia hmica; V e I que representam respectivamente a
tenso e a corrente eltrica presentes nos terminais da clula solar. [10x]

Os circuitos internos da DSSC no podem ser analisados do ponto de vista

puramente resistivo como acontece com baterias eletroqumicas. Utilizando as leis
de Kirchhoff sobre o modelo de um diodo e a equao de Schokley modificada o
comportamento da clula fotoeletroqumica pode ser descrito pela funo
transcendental abaixo[C2][chunfu] [35] [10X][15x][16x][SUBATRA].

I =I PH I O e

(V +R S I )
nV T

fotocorrente

( V + RS I )
RP

(10)

corrente de recombinao corrente de fuga

A equao xxx descreve as variveis I e V referente ao circuito da figura xxx. I

e V representam a corrente e a tenso de sada da clula, I PH representa a gerao
de carga eltrica na clula, I0 a corrente de saturao reversa do diodo, R S a
resistncia srie, n o fator de idealidade, RP a resistncia paralela, VT tenso
trmica. [10x]

2.5.1 A Fonte De Corrente Controlada E Sua Influncia da Na Curva I-V

A corrente gerada em uma DSSC feita com processos e materiais tradicionais

varia de forma bastante linear com o fluxo radiante recebido pela superfcie ativa da

31

clula[47], ou seja, com a irradincia (E light), cuja unidade tradicionalmente

empregada W/cm2; O parmetro que relaciona I PH com a irradincia chama-se
responsividade (k), onde

I PH =k . E LIGHT , que, para DSSC tradicionais, vale entre 1

a 10mA/mW [xiao]. Tal linearidade pode ser comprovada experimentalmente com

relativa facilidade [superlinear] [8] [127] [7e] [acako] sendo que uma boa linearidade
obtida independentemente o comprimento de onda da luz incidente [xiao].
Assim, a fonte de corrente controlada ideal presente no modelo de um diodo
representa o fenmeno da converso energia luminosa incidente em corrente
eltrica e modelada apenas por um parmetro de controle que chamaremos de I PH.
A referida linearidade no verificada em algumas situaes especficas de
fabricao da clula: espessuras da camada de TiO 2 acima de 15m, temperatudas
de recozimento abaixo de 350oC ou ausncia de adesivo TiCl4 geram um
comportamento no linear da responsividade para baixas e altas irradincias. [xiao]
[trupke]

Figura xxx. Relao entre ISC e VOC com a intensidade luminosa para DSSCs [bi]

Nas figuras xxx, xxx e xxx verifica-se que a I SC aumenta linearmente com a
intensidade luminosa, enquanto a tenso V OC aumenta em uma razo logartimica.
[2y][cobalto][teketel][ocako]

32

Figura xxx. Curva de I-V de uma DSSC a diferentes irradincias. Esquerda 100%, 65% e 9,5% do
espectro solar padronizado AM1.5 [2y] Direita: 100%,70%, 50% e 30% [nature]

2.5.2 As Resistncias Srie (RS) E Paralela (RP) E Sua Influncia Na Curva I-V

As resistncias eltricas apresentadas pela DSSC so um fator importante no

desempenho das clulas solares, e a determinao destas resistncias so
necessrias para a melhoria do desempenho eltrico do dispositivo [ocako].
As resistncias das clulas solares no modelo de um diodo so parmetros
aglomerado, ou seja, conforme esquematizado na figura xxx, representam muitas
resistncias distribuidas dentro do dispositivo. Uma clula solar um dispositivo
tridimensional e, quando em estado estacionrio, pode ser pensado como uma rede
tridimensional de resistncias e fontes de corrente. [janne]

Figura xxx. Modelo simplificado de uma DSSC operando em baixa frequncia destacando
diversos elementos resistivos. Adaptado de [subatra]

A fotocorrente gerada por uma

DSSC recolhida para o circuito externo

atravs do substrato condutivo, tipicamente FTO (fluorine-doped tin oxide).

33

Fig xxx. Geometria em corte transversal de uma tpica DSSC retangular de pequeno porte
ressaltando as larguras passivas e ativas (Wpass e Wact) do sbstrato TCO e as linhas de coleta de
corrente correndo em paralelo com a pelcula em ambos os lados da rea ativa da clula. A rea ativa
se estende ao longo de um comprimento ativo Lact perpendicular ao papel no desenhado.[janne]

A a resistncia superficial do FTO representa uma grande parte da resistncia

hmica srie da clula. [janne][119b] A contribuio total do FTO resistncia srie
pode ser facilmente deduzida como

1
RFTO =2 Rsheet W act W pass + Rsheet W act2
2

[janne] .

Note-se que RFTO aumenta linearmente com o tamanho da rea passiva, mas
proporcional ao quadrado da largura ativa, portanto, quando o tamanho da clula
aumentado ocorre um efeito muito pronunciado sobre a R FTO. Para reduzir a RS
devido ao FTO utiliza-se um substrato com resistncia eltrica superficial inferior e
reduz-se as dimenses da clula. No entanto, com dimenses de clulas muito
pequenas os erros devido as medies fotovoltaicos ficam mais pronunciados. [ito]
[99]

34

Figura xx. Efeito do comprimento lateral da regio ativa de uma DSSC retangular sobre a
curva I-V da DSSC.[ito]

Do captulo xxx2.4 temos que RS= RFTO+R1+R3, assim, alm da resistividade e

geometria do FTO, elevadas rugosidades da camada de platina no contraeletrodo
(R1) e baixas espessuras da camada de eletrlito (R 3) reduzem o valor de RS [9R].
Elevados valores de RS limitam a potncia mxima gerada pela clula. A figura
xxx mostra que Rs contribui para reduzir a I SC e o FF da clula, mas no afeta sua
Voc. Para valores elevados de RS a curva da clula perde o formato caracterstico e
se reduz a uma reta cuja inclinao 1/Rs. [2y].

Figura xxx Curva I-V em funo da Resistncia srie e paralela em uma DSSC[C]

35

Em potenciais baixos o TiO 2 torna-se um isolante e h uma perda de carga

significativa do FTO descoberto para a soluo de eletrlito, a qual conhecida
como corrente de fuga pois reduz a corrente efetivamente produzida pelo
dispositivo[20] [subatra]. A resistncia paralela quantifica ento todas as correntes
de fuga do dispositivo fotovoltaico [virginia].
Observa-se que a sensibilidade da clula aos parmetros FF (fator de forma)
e da PM (potncia mxima),

muito maior para variaes na R S do que para

variaes na Rp. Assim, a manuteno da R S em um valor baixo decisiva para o

desempenho da clula, e obtida por meio de projeto e fabricao adequados. Isto
ainda mais importante em clulas operadas em arrays, as quais operam em
densidades de corrente mais elevadas. [20]

2.5.3 N e I0 E Sua Influncia Na Curva I-V

Fator de idealidade:

O fator de idealidade n introduzido ad hoc na equao xxx o nico

parmetro do modelo que no possui ainda uma clara interpretao fsica para as
DSSCs. Uma das hipteses mais aceitas e melhor suportada por dados
experimentais e modelagens fsicas que sua necessidade advm da no
linearidade

da

recombinao

de

carga

com

eletrlito

na

interface

de

semicondutor/eletrlito com relao a densidade eltrons livres. [janne] [54], [2y],

[80].
A representao da corrente do dodo atravs eq. xxx significa que o fator de
idealidade n deveria refletir todos os desvios do fluxo de corrente a partir do modelo
ideal, incluindo os efeitos conhecidos como: fora de imagem (image-force lowering)
ou barreira Schottky (Schottk-barrier lowering) induzida pelo campo de rebaixamento
B, a presena de estados de interface (defeitos), superposio de outros
processos de transporte ao processo de emisso termoinica tais como gerao e
recombinao tipo Shockley-Read-Hall (SRH recombination), tunelamento na
interface, regime de alta injeo de minoritrios e falta de homogeneidade de

36

barreira espaciais de interface. [73A,74A]. Por isso, difcil esperar que, a priori, o
fator de idealidade de uma juno verdadeira tenha um valor constante; deve sim
ser uma funo da tenso aplicada. [ncai].
Assim, qualquer modelo baseado na equao xxx no pode descrever
consistentemente os resultados experimentais. Porm, apesar da equao xxx com
fator de idealidade constante no obedecer estritamente a todas as situaes [10]?
ela se aplica a muitos tipos de DSSCs dentro de um range significativo de voltagens.
[D1]
Na prtica, podemos generalizar os fatores que configuram o fator de
idealidade em dois efeitos principais: se n um valor prximo de 2 indica a que o
processo de recombinao de corrente na regio de depleo dominante (figura
xxx (a)) e se o fator de idealidade n est prximo de 1 indica que a corrente gerada
por processos de difuso dominante (figura xxx (b)). Quando ambas as correntes
so comparveis, n tem um valor entre 1 e 2. [Willey p.98]. Alm disso, tanto em
DSSCs como em junes metal semicondutor (Schottky) o fator de idealidade
diminui nas regies de alta injeo. [ncai] Assim, o modelamento prtico deve
estabelecer qual a regio de trabalho da clula solar, para assim arguir
corretamente o valor de n. [CHAVE]

FIG. 9. n(V) para uma juno Schottky considerando RS=0 e calculado a partir da equao xxx
[nonideal]

N diminui ligeiramente com o aumento da intensidade da luz [47].

Corrente de saturao reversa IO:

37

IO pode ser definida como o valor da corrente que circula quando a DSSC
polarizada reversamente. Trata-se de uma constante para uma dada clula em
funo da da intensidade da luz solar [47] mas seu valor decresce exponencialmente
com EG do SC [Wiley p723],
A figura xxx mostra que, assim como no caso da corrente direta, I 0
influenciada substancialmente por fenmenos de difuso e recombinao ocorridos
na regio de depleo e pelas fugas geradas pelas resistncias paralelas. [Wiley
p.95]
O grfico semilog da figura xxx na esquerda compara a curva I-V ideal e real
de uma juno PN [Wiley p.97] indicando na legenda as cuasas dos respectivos
desvios. A mesma figura, no grfico da direita, mostra a similaridade da curva I-V
para uma DSSC [sug].

FIG. xxx Esquerda: Caractersticas I-V real (linha cheia) x ideal (tracejada) de uma juno PN
ressaltando os fenmenos preponderantes na polarizao direta e reversa. (a) processo geraorecombinao na regio de depleo em adio corrente de difuzo (b) regio ideal, difuso. (c) alta
injeo. (d) efeito da resistncia srie. (e) corrente de fuga reversa devido a efeitos de geraorecombinao e fugas de corrente por RP. [Wiley p.97] Direita: Curva I-V de uma DSSC real [sug]

38

O fator de idealidade e o I 0 devem ser obtidos considerando a clula solar no

escuro e polarizada na regio onde V D > 3VT , pois, nesta regio, o efeito Schottky
(image-force lowering ou Schottk-barrier lowering), que causa a reduo da barreira
de potencial, ter muito pouca significncia [Wiley p.170]. Desta maneira,
respeitando a relao VD > 3VT , podemos obter o fator de idealidade em funo da
tenso de polarizao e do logaritmo natural da corrente atravs da equao
lnI=lnI O +

q
V
nkT

(11)

A equao anterior plotada em um grfico semilog representa uma reta onde

q/nkT representa o coeficiente angular da reta, ou seja, sua derivada, e a
extrapolao do valor da derivada da corrente pela tenso at o valor de tenso zero
definir o valor de ln(IO) [Wiley p. 171]

n=

q dlnI
kT dV

( )

(12)

Efeitos de I0:

Conforme mostra a equaoxxx [Yedo][suges] deduzidas para junes PN e

junes Schottcky a I0 e exp(EG) so inversamente proporcionais. Como E G est
diretamente relacionado a VOC, podemos afirmar que quanto menor a I 0 de uma
clula solar maior ser o valor de VOC, gerando maiores PM e .
( EG )

I o= AT e (
3

kB T )

(13)

Onde A uma constante no dependente da temperatura Eg a energia de

gap do semicondutor, kB a constante de Boltzman e T a temperatura em Kelvin.
Para DSSCs I0 descrita por [47][Ahmed]:

39

d
L
()
i 0=qD c 0 tanh

(14)

Onde q a carga do eltron D o coeficiente de difuso de eltrons no

semicondutor, d a espessura do eletrodo poroso, o comprimento de difuso, c 0
a concentrao de eltrons livres em equilbrio no escuro.

(A concentrao de

eltrons na valncia no escuro fundamentalmente determinada pela escolha do

par redox visto que no escuro os portadores de carga do SC esto totalmente
depletados e no h entortamento de bandas). [47]
Nas DSSCs a tenso gerada nos terminais da clula dada pela equao
xxx [47], ou seja, clulas com baixa concentrao de eltrons de valncia no escuro
geraro maior tenso, logo sero mais eficientes que outras na mesmas condies,
porm com maior c0. [piers]

n
n0
()
kT
v oc =
ln
q

(15)

Efeitos de n:

Tambm Fabregat-Santiago et al. [28]? e [janne] afirmam que um fator de

idealidade n>1 corresponde a uma perda de tenso que diminui o fator de
preenchimento, e, por conseguinte, o seu efeito semelhante ao das resistncias
internas.

40

Figura xxx. Variaes na curva I-V em funo de n e IO[subatra]

Bisquert et al. [54] afirma que o fator de idealidade n tem um impacto

importante na reduo da eficincia de converso de energia uma vez que o fator de
preenchimento diminui rapidamente com o aumento n;
Porm [20] salienta que as DSSCs de alto desempenho geralmente
apresentam valores ente 2,2 e 2,7 [20].? E as DSSCs frequentemente possuem n
superior a 2, [14], [18] and [19].

Figura xxx. Influncia de n e I0 no FF. A eficincia cai com o aumento do fator de idealidade.

41

3 PARTE EXPERIMENTAL (10 PGINAS )

Nesta dissertao, conforme proposto em sua introduo, utilizaremos um

mtodo simples de modelamento onde [VINTE E QUATRO] se assume que apenas
IPH e I0 so afetadas pelas condies ambientais, enquanto outros, nomeadamente,
n, Rs e Rp, so considerados contantes para uma determinada clula [DOZE].

3.1 SNTESE DAS NANOPARTCULAS DE TIO2 DE 20NM (COLIDE)

As nanopartculas de TiO2 foram preparadas seguindo-se a metodologia

descrita na literatura em [Barbe] 15,64 mL de isopropxido de titnio 97% foi
adicionado gota-a-gota 5,72 mL de uma soluo de cido actico glacial
temperatura ambiente, sob vigorosa agitao por 15 minutos. Esta soluo foi
vertida em 72,5 mL de gua, sob agitao, resultando na formao de um
precipitado branco. Aps 1 hora de agitao, adicionou-se, por gotejamento, 1 mL de
cido ntrico 63% (HNO3 63%) soluo que foi aquecida a 78C por 8 horas, sob
forte agitao para que ocorresse a peptizao.
O crescimento das nanopartculas com cerca de 20 nm de dimetro foi obtido
em um sistema de autoclave 250C por 12 horas. Durante esse processo ocorreu
a sedimentao das nanopartculas e para redispers-las adicionou-se 0,6 mL de
HNO3 63% e utilizou-se um ultrassom de ponteira de 450 W por 30 ciclos de 2
segundos. A soluo obtida foi centrifugada e lavada trs vezes com etanol anidro
para remover todo o excesso de cido e remover a gua. Aps estes ciclos de
centrifugao, obteve-se um precipitado de 40% de TiO 2 em etanol contendo traos
de gua. Preparou-se uma soluo com 3,43 g de etil-celulose 5-15 mPAS, 2,7 g de
etil-celulose 30-60 mPAS, solubilizados em 13,77 mL de etanol anidro. Aps a total
solubilizao das etil-celulose, adicionou-se 50,75 mL de tolueno a esta soluo. A
soluo de etil-celulose foi adicionada no TiO 2 concentrado obtido anteriormente e
homogeneizado, aps isto adicionou-se 42,65 mL de Terpineol. A pasta ento foi
agitada, em ultrassom 40C at que se tornou bem viscosa.

42

3.2 SNTESE DAS NANOPARTCULAS DE TIO2 DE 400nm

O procedimento experimental para a sntese da pasta de nanopartculas de

TiO2 com 400nm de dimetro foi realizado segundo [400nm]. Tetracloreto de titnio
transparente (3N; TiCl4, Aldrich Chemical Co., Inc., Milwaukee, WI) foi utilizado como
um material de partida para a fabricao de TiO 2 em p usando o mtodo de
precipitao homognea. A fim de preparar a soluo aquosa de TioCl 2 a ser usada
como uma soluo estoque, TiCl 4 deve estar resfriado abaixo de 0C, foi colocado
numa temperatura constante (0C) em um recipiente de reao, em seguida,
pedaos de gelo de gua destilada foram adicionados ao recipiente para a reao
de hidrlise. Durante a reao ocorre formao de produtos intermedirios instveis
como TiO(OH)2, estes produtos intermedirios formaram-se em primeiro lugar mas,
em seguida, dissolvem-se com a adio de pedaos de gelo de modo a formar uma
soluo de TiOCl2, amarelo aquosa. Os pedaos de gelo arrefecem o calor da
reao da soluo de TiCl4, que ocorre a partir da reao com gua e a umidade do
ar, e tambm ajuda na reao seguinte atravs da formao de TiO(OH) 2 amarelado.
Aqui, a concentrao da soluo aquosa da TiOCl 2 fica em 2M, que foi controlado
por adio de pedaos de gelo. Esta soluo aquosa TiOCl 2 foi mantida num estado
estvel sem precipitao, mesmo aps um ano temperatura ambiente. Finalmente,
adicionou-se gua destilada para este estoque de soluo para se obter uma
soluo transparente TiOCl2 aquosa com uma concentrao de 0,5 M de Ti 4+ para
uma precipitao homognea. Por outro lado, a adio direta de uma grande
quantidade de gua no TiCl4 facilmente a torna branca e turva com formao de
Ti(OH)4 pela hidrlise da soluo de TiCl 4, e sem formao de uma soluo aquosa
amarelo de TiOCl2. TiO2 cristalino em p no foi precipitado durante o processo. A
precipitao homognea foi obtida atravs da alterao da taxas de aquecimento e
tempo de reao de uma soluo aquosa TiOCl 2 temperatura ambiente at 100C
sob uma presso de 1 atm. O material precipitado foi, em seguida, filtrado utilizando
gua destilada e etanol e um politetrafluoroetileno (PTFE) de filtro de membrana
(microfiltrao System Co., Lapeer, MI) com uma porosidade de 0,2 milmetros para
remover completamente os ons Cl- a partir dos precipitados depois de terminada a
precipitao e mantido intacto durante 24h. Durante a etapa inicial de filtrao, os

43

precipitados foram filtrados por gua destilada cujo pH era controlado por uma
soluo de HCl para evitar peptizao durante a filtragem. Quando o valor do pH
precipitado era> 4, os precipitados foram filtrados continuamente utilizando etanol
at que o valor de pH dos precipitados tornou-se neutro. Aqui, a utilizao de etanol
serviu para evitar a aglomerao entre precipitados, bem como para lav-los. O
filtrado precipitado foi seco a 50C durante 12 h para se obter o p final. Todos os
agentes qumicos utilizados no presente estudo tinham tipos de reagentes analticos.
Os valores de TiOCl2 aquosa de pH soluo durante a precipitao foram medidos
usando um 355-on analisador (Modelo 355, Mettler Toledo Co., Greifensee, Sua).
Os cristalinidade dos precipitados tratados termicamente secas e foram analisados
por DRX (3 kW / 40 kV, 45 mA; Modelo D / Max-IIIc, Rigaku, Tquio, Japo), com
radiao CuKa e de difrao de transmisso, e a forma dos precipitados foi
examinada por SEM (3 kV; Modelo ABT DX-130S, JEOL, Tquio, Japo). Alm
disso, a rea superficial especfica do precipitado foi medido com o mtodo BET,
aps secagem a 200 C durante 24 h.

3.3 MONTAGEM DO DISPOSITIVO

3.3.1 Eletrodo (nodo)

Substratos de FTO (fluorine-doped tin oxide) com resistncia de 10 ohm/sq, e

transmitncia de 83% foram imersos em uma soluo de gua e detergente por 1
hora em um banho de ultrassom, seguido por lavagens com gua destilada, etanol e
acetona, aps o qual o substrato foi levado a uma estufa 50C para a evaporao
dos solventes de limpeza. Depois de evaporada a acetona, o substrato foi exposto a
uma lmpada de luz ultravioleta de 200 W por 30 minutos.
Finalizada a etapa de limpeza, o substrato foi imerso em uma soluo
alcolica de TiCl4 40 mM, 70C por 30 minutos para a formao de uma fina
camada adesiva de TiO2, que foi posteriormente lavada com etanol anidro visando
retirar qualquer excesso de TiCl4 que ainda estivesse na superfcie do substrato.
Esta camada foi ento sinterizada 400C em um forno tubular por 30 minutos.

44

A pasta de nanopartculas de TiO2 de 20 nm foi depositada por serigrafia,

sobre o substrato descrito anteriormente. Aps a deposio, esperou-se 10 minutos
para que houvesse o nivelamento do filme obtido e ento o substrato foi depositado
sobre uma chapa de aquecimento a temperatura 125C por 10 minutos para que
houvesse a evaporao dos solventes contidos na pasta. Aps este perodo, repetiuse a deposio de uma segunda camada de TiO 2 e aquecimento a 125C por 10
minutos. O substrato foi levado ao forno e aquecido lentamente a 450 oC, para haver
a remoo dos compostos orgnicos, sinterizao do filme e para promover a
mudana do TiO2 da fase amorfa para a fase cristalina anatase. Aps a sinterizao
do filme de TiO2, foi realizada uma nova imerso do substrato na soluo de 40 mM
de TiCl4 a 70C por 30 minutos, para que houvesse o aumento da rugosidade do
filme. O eletrodo foi ento lavado novamente com etanol anidro, para a remoo de
excesso de TiCl4, e levado ao forno a 400C por 30 minutos. O filme sinterizado foi
ento imerso na soluo do sensibilizador (corantes) por 24 horas para a adsoro
do corante na superfcie do eletrodo.

3.3.2 Contra Eletrodo (Ctodo)

Lminas de vidro recobertas por FTO foram cortadas nas dimenses 1,5cm x
1,6cm, e posteriormente foi obtido um furo a uma distncia aproximada de 0,6mm da
borda, seguindo-se a etapa de limpeza descrita anteriormente. Aps limpeza do
eletrodo, como descrito anteriormente, foi depositado 30L de cido cloroplatnico na
superfcie do FTO, e levado ao forno 400C por mais 30 minutos, para a ativao
da platina.

3.3.3 Selagem

O dispositivo foi fechado utilizando-se um espaador obtido da empresa

SOLARONIX de nome comercial Meltonix 1170-25PF. Este espaador possui
espessura de 25m e composto por um filme de vedao termoplstico feito de
Surlyn (polmero de marca registrada da Dupont). Este polmero quando aquecido

45

a 100C funciona como adesivo que une os dois eletrodos e tambm funciona como
agente selante para o lquido inico. Aps o fechamento, 30L da soluo 40mM de
par redox 3I-/I3- foi injetada atravs do furo previamente fabricado no contra eletrodo
utilizando uma cmara de vcuo na clula.

3.4 CARACTERIZAO ELTRICA DO DISPOSITIVO

As clulas solares foram caracterizadas eletricamente atravs de medidas de

curvas de corrente eltrica versus potencial eltrico no intervalo entre -0,2V e +1,1V
com dezessete diferentes nveis de tenso (intervalo mdio de 75mV). Os espectros
de ao de fotocorrente foram obtidos atravs a partir de um sistema da empresa
Oriel Instruments, constitudo por uma lmpada de xennio de 300W, com uma
intensidade de luz incidente de 100mW/cm 2, alimentada por uma fonte modelo
66485 gerando um espectro tipo AM1.5 relativo a referncia spectral solar
padronizada pela ASTM G-173 (American Society for Testing and Materials
Terrestrial Reference Spectra for Photovoltaic Performance Evaluation). As medidas
de intensidade luminosa foram obtidas atravs de um fotodiodo, modelo 7164871608. O feixe colimado de luz policromtica decomposto em um monocromador
do tipo Cornerstone. Os valores de corrente e tenso foram medidos por um
picoampermetro Keithley modelo 2410-c. As medies em escuro foram efetuadas
enclausurando a clula em uma cmara escura especialmente construda para esta
finalidade. Os resultados obtidos pelas curvas I-V tanto no claro como no escuro
foram gerados considerando que temperatura no dispositivo durante o ensaio foi
constante no valor de 24 oC e considerando a irradincia presente no ensaio como
constante. Para evitar que o calor da lmpada de tungstnio de alta potncia,
utilizada para o levantamento das curvas I-V, provocasse o aquecimento clula os
ensaios foram conduzidos a uma distncia de 50cm e em um tempo inferior a 15
segundos em uma sala climatizada.

46

4 RESULTADOS E DISCUSSO (50 PGINAS)

4.1 EQUACIONAMENTO DO MODELAMENTO ELTRICO DA DSSC

Conforme contextualizado no item Error: Reference source not found da

reviso bibliogrfica o modelo eltrico utilizado neste trabalho foi a do modelo de um
diodo. A topologia deste modelo est descrita na figura xxx.

Figura xxx: Modelo de um diodo. I PH representa uma fonte de corrente dependente,

ID a corrente do diodo, R P a resistncia paralela e R S a resistncia srie,VD a
tenso no diodo, V e I so respectivamente a tenso e a corrente eltrica nos
terminais da clula solar.

Definida a topologia o desafio passa a ser a obteno dos valores do modelo:

RS, RP, IPH, I0 e n . Este trabalho se prope a obter estes cinco parmetros utilizando
apenas dados obtidas das curvas I-V do dispositivo. Para tanto faremos neste
trabalho o equacionamento terico do circuito utilizando a tcnica de anlise de
circuitos chamada leis de kirchhoff, a saber, a soma das correntes em um n igual
a zero e a soma das quedas de teno em um circuito fechado igual a zero.
Sendo assim, aplicando as leis de Kirchhoff no circuito acima temos que:

47

I =I PH I D I P

(16)

Como pela equao de Shockley:

I D =I O

(e

( qV D )
nkT

(17)

Ento:
I =I PH I O

(e

qV D
nkT

(18)

1 I P

Pela lei de Kircchoff das tenses sabemos que:

V D =V + R S I

(19)

Pela lei de Ohm sabemos que:

I P=

VD
RP

(20)

Como de costume na literatura, vamos considerar a varivel V T, tambm chamada

de tenso trmica, como :
VT=

kT
q

(21)

Ento aplicando Texto, Texto e Texto em Texto:

I =I PH I O e

(V +R S I )
nV T

( V + RS I )
RP

(22)

Onde I0 a corrente de saturao do diodo; q a carga de um eltron

(1,601013C); n o fator de idealizao; k a constante de Boltzman: 1.38 1023

48

[J/K]; RS a resistncia srie; RP a resistncia em paralelo ; V T a tenso trmica

em volts [A].

A partir da equao Texto , considerando I=y, V=x, A=1/(nV T), B= RS/nVT), C= 1/RP
e D=RS/RP:

y=I PH I O ( e Ax+By 1 ) CxDy

(23)

Se:

I '=

dI dy
= = y'
dV dx

(24)

Ento aplicando derivao implcita temos:

y '=I O ( e Ax+ By 1 ) ' CDy '

(25)

ou
y '=I O e Ax+ By ( A + BI ' )CDy '

(26)

Y ' ( 1+ D+ I O B e Ax+By )=I O A e Ax+ ByC

(27)

Ou ainda

(I O A e Ax+By C )
Y '=
(1+ D+ I O B e Ax+By )

(28)

Usando a igualdade Texto temos que

49

Ax + By=

VD
nV T

(29)

Logo
VD
nV T

(I A e C )
y '=
(1+ D+ I B e )
O

(30)

VD
nV T

e
VD
nV T

y ' 1=

(1+ D+ I B e )
(I A e C )
O

(31)

VD
nV T

Substituindo as constantes A, B, C e D bem como a varivel y pelos termos originais

temos:

VD

I' =

(( ) ( ) )
(
)
RS
I O nV
1+
+ RS
e
RP
nvT
VD

I O nV
1
e
nV T
RP

(32)

Sabendo pela lei de ohm que a resistncia dinmica de um diodo dado pela
expresso abaixo:

R D=

dV D
dI D

(33)

50

E substituindo Texto na equao Texto temos que

I =I ( e
D

(VD)
nV T

(34)

Logo, aplicando Texto em Texto temos:

VD
nV T

IOe
dI D
1
=
=
R D dV D
( nV T )

(35)

Ou seja:
R D=

dV D
( nV T )
=
V
dI D
nV
Io e

(36)

Assim substituindo Texto em Texto temos:

I ' 1 =

1+

RS R S
+
RP RD

1 1

RD R P

(37)

Podemos reescrever a equao Texto :

I '1=

( RD RP)
( RD+ RP)

1+

RS R S
( R D RP )
+
=
RP RD ( RD+ RP)

((

RS

( RD RP)
( R D+ R P)

+1

(38)

51

Ou seja
I '1=R S +

( RD RP)
( RD+ RP)

(39)

Pela lei de ohm temos que:

I ' 1 =

dV
dI

(40)

Assim, finalmente temos equacionada a relao entre os pontos I-V e os valores das
resistncias do modelo:

( RD RP)
dV
=R S +
dI
( R D + RP )

(41)

Demonstraremos que a partir da equao xxx e tendo-se em mo a curva I-V

(no escuro e sob iluminamento) da clula, e portanto tendo acesso tambm a sua
derivada, poderemos deduzir o valor de Rs e Rp da clula relativo ao circuito da
figura xxx:

4.1.1 Equacinamento Do Valor De RS

Se na equao Texto RD for << RP teremos:

( R D RP )
( R D+ RP)

RD

(42)

52

Os valores tpicos de RP para DSSCs de laboratrio podem ir de 500 at

50k. J o valor de RD no um valor constante, ele decresce exponencialmente em
funo da tenso de polarizao. Para verificar o valor de R D usaremos a equao
Texto inserindo variveis com valores tpicos encontrados na literatura, a saber, V T
(que funo apenas da temperatura), R S, n, I0 e VD na regio de VOC (tenso de
circuito aberto):

Valores tpicos de uma DSSC de laboratrio: V OC = 0,65v ; I0 = 10nA ; n = 2,2; T =

30oC.

[ R D ]V

OC

( 2,2 . 25,84 mV )

( 10 nA . e

( 0,65 V )
( 2,2 . 25,84mV )

=61,86

(43)

Ou seja, tipicamente o valor de R D na regio de VOC 50milhes de vezes

inferior ao valor de RP de uma DSSC e mesmo na situao de combinaes de
valores de variveis extremas, situaes de laboratrio por exemplo, o valor de R D
ainda ser cerca 30 vezes inferior ao valor de R P, situao esta que valida a equao
Texto visto que 1000//36,37 = 35,1, ou seja um erro mximo de 3,5%
Assim, com esta considerao juntamente com a equao Erro: Origem da
referncia no encontrada chegamos a seguinte concluso:

[ ]
dV
dI

V OC

RS + [ R D ] V

OC

(44)

O que nos leva finalmente a equao do valor de Rs a partir dos dados I-V de uma
clula

53

RS

[ ]
dV
dI

V OC

[ R D ] V

(45)

OC

Ou
RS

[ ] (
dV
dI

( nV T )

V OC

I oe

V OC
nV T

(46)

4.1.2 Equacionamento Do Valor De RP:

Para clulas solares comerciais de silcio muito comum que o valor de R P

seja desprezado, ou seja, considerando o valor da resistncia como infinita [Cristina
Moura]. Porm para DSSCs tal considerao no vlida, principalmente para as
DSSCs montadas em laboratrio onde, por exemplo, tentativas de aumento de
eficincia ou avaliaes de novos materiais e processos podem gerar resistncias
paralelas substancialmente baixas.
Para equacionarmos o valor de R P partimos da equao

Texto e colocamos todos

os termos sob o mesmo denominador:

dV ( R S ( R D + RP )+ ( R D R P ) )
=
dI
( RD+ RP)

(47)

Fatorando:
dV
( R D + RP )=R P ( R S + R D ) + R D RS
dI

(48)

dV
dV
=
RD R D RS
dI
dI

(49)

R P RS + R D +

Finalmente, o valor de RP ser definido como:

54

dV
+R ) R )
(
(
dI
R =
( dVdI + R + R )

(50)

Ou seja, a resistncia paralela do modelo depende da R D (resistncia do

diodo), que facilmente calculada pela equaes Texto , Texto e Texto e por R S j
definida no captulo Error: Reference source not found

4.1.3 Equacionamento Do Valor De IPH

Tendo por base a figura xxx que representa o modelo de um diodo em curtocircuito e considerando que , neste caso, a tenso de sada da clula V igual a
zero, podemos reescrever a equao xxx como:

( RS I )

(RSI )

I =I phI o e

nV T

( RS I )

( RS I )

RP

(51)

Logo

I PH =I + I o e

nV T

1 +

RP

(52)

55

Ou

( ) (

( RS I )

R
I PH =I 1+ S + I o e nV 1
RP
T

(53)

Sabendo pela lei de ohm que:

I D=

VD
RD

(54)

E considerando a equao

Texto, que define o valor de V D

podemos

reescrever a equao Texto como:

I PH =I 1+

RS R S
+
RP RD

(55)

Assim, considerando o ponto de ISC, onde temos

I PH =I SC 1+

RS
RS
+
R P [ R D ]SC

(56)

Onde [RD]SC vale:

[ R D ]VOC=

( I SC R S )

( I (e

(RSI )
nV T

))

(57)

4.1.4 Equacionamento Da Corrente De Saturao Reversa E Fator De

Idealidade.

56

n=

V OC

( (

V T ln 1+

I SC
IO

))

(58)

Meu mtodo deve provar que o n que representa as clulas solares sai de
algo parecido com esta equao.

Fonte [15]

e [ISNALDO OLED]

57

4.1.5 Passo A Passo Para A Obteno Dos Parmetros Eltricos

Usamos clula com rea circular de 0,198cm2, ou seja com dimetro de 5mm

4.2 CARACTERIZAO DOS DISPOSITIVOS MONTADOS.

Para validao dos equacionamentos propostos forma montados 12

dispositivos seguindo a metodologia e os materiais descritos no captulo 3.
Para cada dispositivo foram efetuados 5 medies de corrente: 3 medies
com iluminamento (IC1, IC2 e IC3) e duas medies no escuro (IE1 e IE2)
totalizando 36 curvas I-V.
As figuras xxx a xxx mostram as curvas de corrente versus potencial
dos dispositivos montados sob iluminamento e no escuro.

Para gerar

argumentos de comparao foi definido uma montagem de clula como

padro e foram montados os dispositivos diferenciados do padro segundo
vrios critrios:
Medies efetuadas em at 30minutos aps a montagem e medies
efetuadas 96 horas aps a montagem;

58

Utilizando corantes a base de complexos de Rutnio, N3 cis-[Ru(dcbH2)

(NCS)2] e utilizando corante N719 cis-bis(isothiocyanato)bis(2,2_-bipyridyl4,4_-dicarboxylato) ruthenium (II) [RuL2(NCS)2]

Utlizando pasta de TIO2 com 6 meses de idade e utilizando pasta com

at 6 dias de idade.

Utilizando duas camadas serigrficas de TIO2

e trs camadas

serigrficas de TIO2

dispositivos sem a camada de TiCl4 (ADESIVO) x dispositivos com

camada TiCl4, dispositivos com duas camadas de TiO2 de 20nm x
dispositivos com uma camada adicional de nanoparticulas de 400 nm);

temperaturas
platina

temperatura

4.3 DISCUSSO
A metodologia utilizada por [UFRG-ROCELITO] na definio de I 0 e n solicita
que seja traado o grfico ln(I) x (V) e neste identificado quatro regies conforme
figura xxx. Estas quatro regies representam o desvio da corrente reversa de seu
comportamento ideal (reta) devido existncia de uma resistncia paralela finita
(primeira regio), ao fenmeno de recombinao (segunda regio), ao fenmeno de
difuso (terceira regio) e a influncia da resistncia srie (quarta regio). Assim o
fator de idealidade n e o valor da corrente de saturao I 0 podem ser
adequadamente arguidos utilizando-se os valores da curva ln(I) x (V) na regio
intermediria entre a influncia da recombinao e difuso. Para tanto deve-se
efetuar uma regresso linear nesta regio sendo o valor de I para V =0 definido
como I0 e o valar do coeficiente angular da reta () gerada igual a q/nkT.
Figura xxx. Curva I-V no escuro e ln(I) x (V) com quatro regies de tenso
influenciadas por RP, processos de difuso, recombinao e R S. [ufrgs]

59

O modelo de um diodo assume o fator de idealidade n como uma constante.

Porm na realidade o fator de idealidade funo da tenso do dispositivo. Em
tenses elevadas, quando a recombinao dominada pelas regies de superfcie o
fator de idealidade tende a 1. No entanto a tenses menores, a recombinao na
juno domina e o fator de idealidade aumenta (em torno de dois). Assim para
modelar esta variao do fator de idealidade em funo da tenso um segundo
diodo em paralelo com o primeiro adicionado. n tende a estar mais perto de 1 sob
alta polarizao direta e mais perto de dois quando sob pequena polarizao,isto
acontece porque a camada de depleo fica mais fina quando a tenso de
polarizao direta aumentada.

O principal problema do modelo eltrico de um diodo definir RS como uma

constante que no o caso para DSSCs, pois parte dela ela deveria incluir uma
resistncia dependente da corrente relacionad a transferncia de cargas e transporte
de massa na regio do contra-eletrodo. [janne][10x]

Nas clulas solares sensibilizadas por corante os processos de recombinao

so uma funo complexa da concentrao de portadores fazendo com que a
recombinao varie dramaticamente com a tenso aplicada.

60

A simulao do modelo de um diodo foi realizada atravs do algortimo SPICE

(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) que utiliza mtodos matriciais
com soluo via newton raphson. Trata-se de um conhecido e popular programa de
computador simulador de circuitos que comeou com um programa de mainframe
escrito pelo UC Berkeley por Lawrence Nagel (e outros) durante o seu
doutoramento. A interface grfica utilizada para rodar o SPICE foi o MICROCAP
verso 11.1.3 (gratuita) da empresa SPECTRUM disponvel pelo endereo eletrnico
HTTP://WWW.SPECTRUM-SOFT.COM/INDEX.SHTM .

No objetivo desta dissertao

explicar como o Spice resolve um circuito analgico, a bibliografia indicada [SPICE

1,2,3] ideal para tanto. Porm resumidamente podemos afirmar que o algortimo
SPICE utiliza equivalncia de Norton com mtodo de eliminao Gaussiana para
soluo matricial de circuitos com componentes lineares (como resistncias) ou no
lineares (como diodos) sendo que estes ltimos normalmente levam a equaes
transcendentais solucionadas atravs do algortimo iterativo de Newton-Raphson.

Foi notado que a derivada na regio de VOC bastante crtica par o clculo
de RS. Sendo que o nmero de pontos utilizado em alguns casos foi insuficiente
para a determinao de uma derivada ponto a ponto com a preciso necessria. Ao
mesmo tempo o aumento excessivo do nmero de pontos de amostragem geraria
um aquecimento do dispositivo, e conforme j discutido, a temperatura do dispositivo
bastante crtica na determinao de VOC. Tinhamos duas alternativas para
contornar tal situao: ou ajustvamos o grfico (fit) I-V na regio de V OC com uma
equao adequada ou foravamos a manuteno da temperatura do dispositivo
atravs de um sistema paralelo (refrigerao com gelo conforme utilizado em xxx).
Por questes de simplicidade e custo optamos pela primeira opo utilizando o
software ORIGIN interpolado pela funo B-spline.
Tambm foi observado a criticidade na obteno dos valor de I 0 feita atravs
da medio no escuro. O controle da temperatura torna-se muito importante bem
como a correta vedao da luz da clula. Ficando bastante claro que para a
obteno de dados confiveis a clula deve ficar totalmente enclausurada.

61

Nem os mtodos grficos nem algbricos levam a resultados satisfatris na

definio de I0 e n. A razo para tal deve-se ao fato de que os dados prticos
levantados possuem uma varincia em funo da expresso terica esperada
significativa. A soluo encontrada que levou a resultados consistentes foi obtida
quando fitamos os pontos prticos atravs de uma expersso xxx.
Fica evidente pela curva de escuro que o modelo de um diodo, regido pela
equao de Shockley Y=A(E^BX -1) no representa com absoluta preciso a regio
do joelho, porm a proposta deste trabalho obter-se de modo simples os
parmetros, sendo assim a simplicidade implicou em alguma perda de preciso
porm para a maioria das situaes aceitveis (xx%).
Muita ateno deve ser dada a derivada na regio de voc ela define o valor de
RS sobremaneira. Um inadequado fiting nesta regio pode alterar substancialmente
o resultado do modelo.
Doi mtodos se mostraram adequados, ou definir n pela inclinao da
interpolao linear do logaritmo natural de I-V , ou definir n atravs do coeficiente B
do FIT da curva de I. No primeiro caso fundamental que a interpolao seja feita
na regio de VOC +/- 0,15V e no segundo caso que a fitagem seja feita de 0V at
VOC+0,1V.
Durante o levantamento dos parmetros ainda foi possvel obter todos os
parmetros apenas com a corrente de claro. Porm trata-se de um resultado vlido
apenas para clulas com baixa resistncia srie (ser?), ou seja, nem sempre vlido
para clulas de laboratrio. A falha deste modelo que o ajuste da curva do claro
no suporta uma equao transcendental, sendo assim utilizada uma simplificao
onde RS zero. ( A equao y = y0 + ax + be^cx (copyfExpDec1, exponencial linear
foi utilizada como ajuste No inicio foi usada ExpDec1) O ajuste conseguido mas
com valores de n e I0 incompatveis com a realidade.
O modelo de um diodo faz o melhor ajuste possvel para os pontos fornecidos,
porm fica evidente que em alguns casos aparece na regio entre o Pmax e Voc um
outro fator alterando a curvatura esperada pela equao do modelo, indicando um
entortamento semelhante ao efeito de um diodo extra no modelo de dois diodos
porm com fator de idealidade diferente do diodo do modelo de um diodo.

62

Foi necessrio corrigir a equao de RP usando bscara.

Quando V muito alto Rd tende a zero e dv/di indica apenas a RS, porm a
RS , fora o valor da resistncia ohmica do ITO, j no representa a condio fisicoqumica da regio de operao de uma clula solar, que no terceiro quadrante.
As primeiras tentativas foram realizadas sem a medio no escuro, que gerou
uma certa dificuldade e impreciso na obteno nos valores de n e principalmente
de Io. Apesar do mtodo criado ter se mostrado menos preciso que o mtodo
utilizando os dados de escuro resolvemos relat-a-lo aqui pois ele ainda mais
simples, prtico e rpido. Sendo assim uma alternativa para o pesquisador que no
tenha interesse em maior preciso ou ainda que no disponha dos dados de escuro.
Entre os mtodos para definio dos valores dos modelos parece que se a
curva for do tipo assim o modelo usado deve ser assado, e se a curva for do tipo
assado o melhor modelo do tipo assado.
Muita aten deve ser dada ao clculo do dvdi na regio de curto-circuito
obtida atravs dos pontos medidos. Em situaes onde a resistncia paralela
elevada (acima de 10kohms) a derivada di/dv muito baixa (dv/di muito alta) e
qualquer pequenssimo impreciso de leitura, (na ordem de 1micro ampere) j pode
gerar variao substancial na RP e assim comprometer o modelamento por
completo. Mostrar grfico dv/di do caso da clula 4.
J em situaes onde a dV/Di muito baixa (menor que 10E3) a range de
tenso tomado para o clculo da derivada deve ser o menor possvel (<0.1V) caso
contrrio o efeito da alta corrente de saturao ser confundido com o valor da
resitncia paralela.
Quando alguma amostra teve resultados das medies muito diferenciado das
demais, principalmente de VOC, optamos por descartar o resultado, pois o mesmo
empurra a mdia para valores supostamente errados.

63

Para registro, a definio do dv/di na regio de voc tem que ser com o
Rsdefiner equation apontada bem para VOC, porm a definio do n a apartir da
curva de I0 pode ser at a regio de VOC +0,1V se no gera um n muito pequeno.

O grande objetivo de uma clula solar o de gerar energia eltrica, para tanto
um modelamento eltrico adequado deve ser o mais preciso possvel na regio do
primeiro quadrante do plano cartesiano I-V, ou seja, quando a corrente I positiva
(saindo da clula) e a tenso V positiva, conforme figura xx. O modelamento
proposto mostrou-se inadequado para a regio do quarto quadrante (I negativo e V
positivo) Porm para o estudo do cientfico da clula solar podemos estar
interessado em seu comportamento em outros quadrantes, como por exemplo o
primeiro quadrante. Atravs dos resultados obtidos pelo modelamento ficou evidente
que, utilizando o modelo de um diodo, no seria possvel obter um fitting perfeito
para todos os quadrantes. A soluo encontrada neste trabalho para cobrir ambas as
regies de interesse, (primeiro e quarto quadrante) foi levantar os valores do modelo
para uma regio e para outra. Assim, em funo da regio de atuao teremos
diferentes valores para as variveis RS, RP, IO,N e IPH que melhor modelam o
comportamento do dispositivo.
O modelo que mais se adequa aos dois quadrantes de maior interesse o
modelo de obteno do RS na regio de 1V e n/IO via fit da curvatura da corrente de
escuro pela equao do diodo ideal, diferentemente de [UFRGS] que indica o mto
de regresso linear da regio linear da curva do ln de I.

Houve alguma dificuldade para a obteno da derivada na regio de VOC

dada a grande variao de I em funo de V nesta regio. Por mais que o passo da
varredura da tenso fosse diminudo restava a dvida de como interpolar os pontos
obtidos. Seguindo o modelo de um diodo a equao mais adequada para a
interpolao seria a equao xxx, porm trata-se de uma equao transcendental,

64

ou seja, sua interpolao requereria tcnicas de clculo numrico que fogem do

escopo estabelecido nos objetivos deste trabalho.
Para superar tal questo trabalhamos sobre a equao xxx. Ela informa que o
valor de RS resultado da subtrao do valor de dV/dI do valor de RD em qualquer
ponto da curva. Ora! Podemos ento obter o valor real de RS em uma regio de
altssima corrente, ou seja, em uma regio onde o efeito da RD//RP fosse
completamente desprezvel, dado o baixssimo valor garantidamente assumido por
RD (ver equao28 Texto) . Tal situao verificada na regio acima de 1Volt para
todas as vinte e trs clulas montadas. Para verificar a efetividade deste mtodo
efetuamos a simulao de todas as clulas deduzindo a derivada dV/dI na regio de
VOC via equao do modelo de um diodo ideal, ou seja sem a caracterstica
transcendental e portanto embutindo um erro por desconsiderar a parcela I.RS na
equao xxx) e tambm na regio de 1V onde a derivada dV/dI pode ser tomada
como constante e igual a inclinao da reta formada entre os pontos.

R_D = dV_D over dI_D = (nV_T) over (I_o func e^{V_D OVER nV_T })

R D=

dV D
( nV T )
=
V
dI D
nV
Io e

(59)

Muito cuidado deve ser tomado com os dados I-V coletados no escuro visto
que os mesmos esto diretamente ligados a determinao do fator de idealidade n.
Variaes percentuais dos dados coletados na regio de 0,1 volt afetam o valor de n
tanto quanto na regio de VOC, tradicionalmente em torno de 0,65V. Lembrando que
na regio de 0,1V a corrente de escuro na ordem de alguns nanoamperes e na
regio de VOC a corrente de escuro na ordem de centenas de miliamperes. Ou
seja a probabilidade de ocorrer erros de medio muitssimo maior na regio de
baixa tenso, portanto muita ateno deve ser dada na coleta de dados nesta

65

regio. Caso dados esprios sejam observados a coleta de dados deve ser refeita
Para garantir a preciso dos dados de escuro obtidos nesta pesquisa foram
executadas trs medidas com um intervalo de 5 minutos entre medies para
equalizao de temperatura. Uma posteriormente anlise foi efetuada e eventuais
medidas equivocadas foram descartadas. Na figura xxx abaixo podemos visualizar
em azul o grfico gerado pelo microcap do logartimo da corrente de escuro de uma
clula solar com n igual a 2, I 0 igual a 5nA, RS igual a 50 ohms e RP igual a 30mil
ohms e em vermelho para uma mesma clula com RP igual a infinito e RS igual a
zero, ambas a uma temperatura de 24C.

66

O grfico acima mostra que quanto maior for a RS e quanto menor for a RP
maior ser a preciso do fator de idealidade encontrado por este mtodo. Sendo que
para quando as resistncias paralela e srio forem acima de certo valor o fator de
idealidade definido pela derivada mxima da curva tende a indicar um fator de
idealidade maior que a realidade. Porm o mtodo inicialmente definido para
determinara RP no se mostrou preciso em funo da oscilao da corrente medida.
Esse fato pode ser verificado no no grfico de I-V mas sim no grfico do Ln(i) x V.
Onde o valor calculado de RP gerou uma curva diferente do circuito simulado x
circuito real. Como mostra o grafixo xxx abaixo o desvio da curva na regio de baixa
tenso, que corresponde a regio de influncia de RP, no encontrou
correspondncia entre os dados da medio e os dados simulados, indicando que a
RP paralela de fato superior a previamente calculada. Essa fato possibilida o uso

67

da tcnica da derivada mxima mesmo com resistncias sries elevadas (at

200ohms) o que muito til para DSSCs de laboratrio.

Ou seja quando a resistncia sria muito alta (>60) ou resistncia paralela

muito baixa (<30k) o mtodo tende a minimizar o valor de AX, ou seja maximizar o
valor do fator de idealidade.

68

Fica a dvida porque a resistncia paralela desaparece nas amostragens da

corrente de escuro e aparece nas amostragens da corrente de claro. O motivo no
sabemos, mas a prtica mostra que quando a luz incide no dispositivo sua
resistncia paralela diminui significativamente. Uma possibilidade pelo aumento da
temperatura.

Este grfico importnatssimo para a obteno do fator de idealidade de uma

DSSC tpica. Ele informa que o valor de n pode ser obtido pelo coeficiente de
inflexo da cuva de ln(i), porm para valores de RS acima de 50 ohms e RP abaixo
de 10k ohms a determinao deste ponto bastante delicada. Para tanto o mtodo
grfico sugerido por UFRGS no se aplica. Adotamos o levantamento do coeficiente
angular da regio de interesse atravs do levantamento do ponto de mximo da
derivada da curva, ou do ponto de zero da derivada segunda a mesma curva.
O valor encontrado aproxima muito bem a curva em todos os seus pontos,
mas espceialmente nos pontos de corrente negativa, ou seja para tenses
superiores de VOC, sendo que na regio do joelho caracterstico da curva o ajuste
obtido via procedimento da derivada da curva do logaritmo neperiano da corrente de
escuro leva a erros de at 5%. Apesar de no ser um erro elevado, a maior rea de
interesse da clula justamente nesta regio o que nos levou a criao de um novo
mtodo para a determinao do fator de idealidade que, embora no se ajuste
perfeitamente para valores de tenso superior a VOC leva a resultados muito
precisos para a regio de maior interesse, ou seja, regio do primeiro quadrante xxx.

69

A soluo encontrata ento foi fazer uma mdia entre entre os dois mtodos.
(mdia aritmtica dos coeficientes angulares ou mdia aritmtica dos fatores de
idealidade.

4.4 SIMULAES COM O MODELAMENTO OBTIDO

4.4.1 Simulao Da Variao Da Resistncia Srie

4.4.2 Simulao Da Variao Da Resistncia Paralela
4.4.3 Simulao Da Variao Da Irradincia
4.4.4 Simulao Da Variao Da Temperatura
4.4.5 Simulao Da Variao Do Fator De Idealidade
4.4.6 Simulao Da Variao Da Corrente De Saturao Reversa
4.4.7 Simulao Da Variao Do GAP Do Material Semicondutor

70

5 CONCLUSES (4 PGINAS)

Acrescentar alguma medida de preciso.

Series Resistance, Rs

The series resistance is determined from region 3 of Figure 4.3 where at high
current, the plot becomes flat and is assumed to be dominated entirely by the Rs. A
plot of V/I is made and Rs is extracted from the point where this curve saturates to a
steady minimum value.

Sugesto para futuros estudos: Futuros simulaes podem ser efetuadas

monitorando a variao das resistncias em funo da irradincia (G).

Conclumos que a melhor maneia de obtermos o fator de idealidade atravs

da regresso linear, porm no possvel afirmar numericamente qual a melhor
rea para efetuar a regresso. Tentamos criar um padro, como de 0 at VOC ou de
0,4V at VOC, ou ainda usando como limite no o VOC mas sim VOC+0,05, porm
enquanto a regra valeu para algumas clulas para outra ela no gerou o melhor
resultado. Ficou claro que o local onde o fator de idealidade que gera o melhor
ajuste obtido na regio linear da curva de lnI x V que fica entre a regio curvilnea
causada por RP e RS. Podemos afirmar que na maioria das clulas esta regio
adequada para regresso linear esteve entre 10Vt e VOC.

Conclumos tambm que os pontos I-V gerados na medies no

representam uma funo exponencial simples, e a causa no se deve a imprecises
do equipamento ou ainda por falta de repetibilidade (haja visto que na maioria dos

71

casos os dados se repetem nas trs medies com pequenas diferenas). O que
ocorre que, de fato as DSSCs geram pequenas depresses ou cumes

de

pequena amplitude por todo o range de tenso amostrado mas principalmente na

regio em torno do ponto a partir de mxima potncia (joelho). A pesar deste fato
no comprometer sua eficincia na converso ele dificulta sobremaneira o
modelamento preciso do dispositivo. Um caso tpico foi o da clula 11 e 5 e a
corrente de escuro da clula 14 onde a mesma clula medida minutos depois
apresentou a mesma variao em funo de V com resoluo de picoamperes. Fato
muito interessante e que se deve ______ ? xxx. Uma das possibilidades de tal
variao seria o Keylight que gera a rampa para a mostragem da corrente. Ou seja,
se a rampa gerada no fosse perfeita, mas tivesse uma variao do ngulo da
rampa em funo da tenso gerada, a corrente da clula copiaria tal
comportamento, principalmente na regio de maior variao da corrente com a
tenso. Para averiguar tal possibilidade foi efetuado um experimento onde ao invs
de alimentarmos uma DSSC com a rampa gerada pelo Keylight alimentamos uma
resistncia fixa com valor aproximado do valor da RS de uma clula tpica. O
resultado, mostrado na figura xxx, comprova que xxx.

Atravs desta pesquisa propomos um mtodo de modelamento eltrico

bastante simples e rpido aplicvel as clulas solares sensibilizadas por corante. O
modelo permite uma previso fcil de toda a curva I-V (que permitindo a previso do
ponto de mxima potncia e fator de preenchimento) para diferentes valores de
resistncia srie, resistncia paralela, fator de idealidade, corrente de saturao
reversa e corrente fotogerada.
=> Apenas quatro parmetros (literatura fala em 20);
=> Permite comparar alteraes de materias e processos;
=> Funciona para clulas onde no se pode negligenciar R S e RP;
=> Facilmente calculvel;

72

=> Mais precisos que mtodos referidos na literatura que equivocadamente

confundem a Resistncia de circuito aberto e a resistncia de curto-circuito com
resistncia paralela e resistncia srie do modelo de um diodo.

Foi observado que os parmetros mais sensveis, e por isso mais relevantes,
no modelamento proposto so a corrente de saturao reversa e o fator de
idealidade. Pequenas variaes nestes parmetros influenciam diretamente no valor
do Voc. Principalmente o fator de idealidade. As primeiras tentativas de definio do
fator de idealidade seguindo a metodologia proposta para clulas solares de silcio
levaram a resultados bastante diferentes da realidade. Foi necessrio ento definir
uma nova metologia. Foi observado um grande dependncia de VOC em funo da
temperatura, uma mudana entre 20 e 30 oC na temperatura leva a mudanas na
ordem de 7% no VOC.
Nossa primeira tentativa foi arguir os parmetros a partir da curva mdia da
regio de 0V a VOC, haja visto que efetuamos trs medidas para a regio do claro e
duas medidas para a regio do escuro. Porm no obtivemos exito. Tentamos obter
um modelo para cada medida separadamente visto a grande dependncia dos
parmetros do formato das curvas, principalmente em se tratando de I 0 e n.

73

O levantamento de n e I 0 atravs da equao de Shockley aplicada nos

pontos reais obtidos pela medio se mostrou insuficiente para a preciso esperada
para os resultados. A curvatura obtida pelos pontos coletados durante a amostragem
de escuro possuiam uma varincia tal que geravam diferentes valores de I 0 e N em
funo do ponto escolhido, mesmo levando em conta as consideraes de
[UFRGS] . A metodologia se mostrou mais precisa quando realizada na regio de
VOC. Porm com a limitao de pontos (na regio de VOC) a utilizao do mtodo
grfico ficou invivel. Um ponto a mais ou um ponto a menos a considerar na regio
de VOC gerava mudanas substanciais nos valores de I 0 e n. (na ordem de 100%)
Como Io, n esto amarrados com Voc e Isc via equao do modelo, e sendo
que temos com relativa preciso os valores de VOC e ISC via medies prticas
decidimos obter n via grfico, visto que este possui uma sensibilidade menor s
variaes dos pontos amostrados, e calcular I 0 via equao. Abaixo os resultados
obtidos.
As derivadas da vurva I-V, principalmente na regio de VOC tambm fica
bastante comprometida levando-se em conta apenas os dados medidos. Para tanto
foi utilizdo, na regio de VOC, a derivada obtida a partir dos dados interpolados
(bpline) com 100 pontos.
Um dos grandes desafios encontrar a dv/di na regio de voc.
Os qualidade dos dados de escuro so decisivos no modelamento pela curva
de Io. No caso da amostra 6 parte dos dados estavam corrompidos o que tornou
invivel um modelamento de qualidade.

Quando inferirmos n a partir da regio entorno de VOC na maioria dos casos

obtemos uma curva com menor rea que a real, porm os trs mtodos levam ao
mesmo valor de n indicando que este valor de n o que melhor representa o modelo
de um diodo. Nossa concluso que na maioria dos casos o modelo de um diodo
no representa adequadamente a DSSC e outro modelo deve ser utilizado.
Depois da regio de VOC o carter exponencial praticamente desaparece,
sendo que predomina um reta, indicando que temos um carter praticamente 100%

74

resistivo, ou seja, na regio de voc podemos arguir o Rs pela prpria inclinao da

reta. (ser?)

DIFICULDADES PRTICAS PARA MEDIR O FATOR DE IDEALIDADE.

A medio do fator de idealidade uma ferramenta poderosa no estudo dos

fenmenos de recombinao das clulas solares.
Depois de muitas horas tentando encontrar um caminho de definio do fator
de idealidade via fit das curvas de claro e/ou escuro chegamos a concluso que
apenas seria possvel com algum software que fizesse as iteraes com equaes
transcendentais, pois tanto a corrente de claro como a corrente de escuro so
regidas por equaes transcendentais. Analisando o resultado pelos 3 mtodos
conclumos que o mtodo que trouxe melhor resultado (?) foi atravs da regresso
linear da curva no ln(Iescuro) na regio onde a RS ainda no tem efeito significativo
e os efeitos de recombinao tambm no so mais preponderantes. Na maioria das
clulas modeladas tal regio corresponde ao intervalo entre 0,4 e Voc 0,05V.

Notamos que o fator de idealidade varia em funo da tenso aplicada

(considerando o modelo de um diodo). Na regio de baixa tenso o efeito da
resistncia paralela mascara completamente o n, alm de no ser uma regio
prtica para efetuar as medidas em funo dos valores muito baixos de corrente
(baixa relao sinal/rudo). Para reduzir a influncia do rudo seria necessrio a
medio de vrios pontos, porm isto aumentaria por demais o tempo do ensaio
compromentendo a premissa de temperatura constante. Na regio de alta tenso,
acima da regio de Voc, o efeito da RS predomiante levando a valores
equivocados de n. Abaixo mostramos um tpico grfico da variao de n com a
tenso

75

O ponto de mximo da curva acima leva ao fator de idealidade no mtodo da

derivada.

76

A medio no escuro bastante til por ser possvel obter os parmetros sem
preocupao com eventuais rudos oriundos da variao da irradincia.

Porque no obter o fator de idealidade a partir da curvatura da corrente de

claro, porm subtrada de ISC. Acredito que tende a gerar n menor! Errado: gera
maior bem maior (= ao azul do rsclaro)

77

Posso dizer que o mto da derivada no atende os objetivos propostos, ou

seja simular DSSCs DE LABORATRIO, pois para situaes crticas de resitncia
paralela e srie sua preciso cai. J o levantamento de n pela regio de escuro no
preciso acima de VOC porm bastante preciso na regio de curto circuito at
VOC , que de fato a regio de trabalho tendo em vista que as clulas em operao
sempre so ligadas a diodos para garantir que nunca ocorra uma corrente reversa,
como ocorreria no caso de uma regio de sombra.

78

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7 ANEXOS

7.1 DADOS NUMRICOS DE TODAS AS MEDIES

7.2 RESULTADO DOS DIFRATOGRAMAS REALIZADOS

99