M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA,
ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y NOMBRES
MATRICULA
CURSO
TEMA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
El Diodo Rectificador
INFORME
FECHAS
REALIZACIN
ENTREGA
25 DE JUNIO DEL
27 DE JUNIO
DEL
FINAL
NUMERO
NOTA
2016
2016
GRUPO
PROFESOR
Luness de 8 am 10 am
EXPERIMENTO DE LABORATORIO N3
I.
II.
OBJETIVOS:
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
III.
INTRODUCCION TEORCA:
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una
nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
DIODO PN UNIN PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal,
el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos
A (p)
C (n)
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
Diodo avalancha
Diodo tnel
Fotodiodo
Diodo Varactor
Diodo Gunn
Diodo lser
Diodo LED
Diodo p-i-n
Diodo Schottky
Diodo Shockley
(diodo de cuatro
capas)
IV.
2. Un Multmetro digital.
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
Diodo Zener
Marca: Yokogawa
Modelo: 510B
Sensibilidad:
0.1
/V
Marca: Yokogawa
Modelo: 500B
Sensibilidad: (1/15) /V
Diodo
de
Diodo
5. Un Voltmetro de c.c.
Marca: Yokogawa
Modelo: 2011
N de serie: 84AA2174
Sensibilidad: 1000 /V
6. Resistencia de 100 .
silicio
de germanio
V.
PROCEDIMIENTO:
VI.
DATOS OBTENIDOS:
TABLA 1(Si)
R
directa
()
542
R
invers
a()
>30M
TABLA 2:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
V
c
c
(
V
.)
0.
V
d
(
V
.)
I
d
(
TABLA 3:
2.
4.
6.
8.
2.
4.
7.
A
.)
TABLA 4 (Ge)
R directa
()
0.268
R
inversa(
)
20.5 K
TABLA 5:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
TABLA 6:
3.
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
I
d
(
0.
1.
2.
4.
6.
0.
0.
1.
3.
5.
4.
5.
8.
A
.)
VII.
CUESTIONARIO FINAL
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
TABLA 2
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
Primer caso:
0.717 0.706
20.0m 15.0m
rdn
rdn 2.2
rdn 8
rdn
rdn
0.706 0.695
15.0m 12.0m
rdn 3.7
rdn
Dcimo
caso:
Sptimo caso:
Tercer caso:
rdn
rdn
0.695 0.689
12.0m 10.0m
rdn 3
rdn
Cuarto caso:
Undcim
o caso:
0.689 0.683
10.0m 8.0m
rdn 3
rdn
rdn
0.614 0.572
1.6m 0.8m
rdn 52.5
Octavo caso:
0.540 0.510
0.4m 0.2m
rdn 150
0.632 0.614
2.5m 1.6m
rdn 20
0.659 0.632
5.0m 2.5m
rdn 10.8
0.572 0.540
0.8m 0.4m
rdn 80
Sexto caso:
Segundo caso:
rdn
0.683 0.659
8.0m 5.0m
rdn
Noveno
caso:
0.510 0.479
0.2m 0.1m
rdn 310
Quinto caso:
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
0.
TABLA 3:
2.
4.
6.
8.
2.
4.
7.
I
d
(
A
.)
Primer caso:
rdn
25.22 18.97
00
Segundo caso:
rdn
18.97 15.35
00
rdn
15.35 13.03
00
rdn
10.33 7.64
00
4.98 2.366
00
rdn
Octavo caso:
rdn
Quinto caso
rdn
Sptimo caso:
13.03 10.33
00
rdn
rdn
rdn
Cuarto caso:
rdn
7.64 4.98
00
rdn
Sexto caso:
rdn
Tercer caso:
rdn
rdn
rdn
2.366 0
0 0u
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
TABLA 5:
Vc
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
2.
2.
Id(
0.
0.
0.
0.
1.
2.
5.
8.
Vd(
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
0.
1.
1.
1.
Primer caso:
rdn
1.455 1.237
20.0m 15.0m
rdn 43.6
rdn
1.237 1.081
15.0m 12.0m
rdn 52
Tercer caso:
Cuarto caso:
rdn
rdn
0.970 0.855
10.0m 8.0m
rdn 57.5
Segundo caso:
1.081 0.970
12.0m 10.0m
rdn 55.5
Quinto caso:
3.
rdn
0.855 0.679
8.0m 5.0m
rdn 56.67
rdn
0.679 0.478
5.0m 2.5m
rdn 80.4
rdn
Undcimo
caso:
rdn
Noveno caso:
Sptimo caso:
rdn
0.189 0.151
0.2m 0.1m
rdn 380
0.478 0.403
2.5m 1.6m
rdn 83.3
0.244 0.189
0.4m 0.2m
rdn 275
0.403 0..311
1.6m 0.8m
rdn 143.75
Sexto caso:
rdn
Dcimo caso:
Octavo caso:
rdn
0.311 0.244
0.8m 0.4m
rdn 125
V
c
c
(
V
.)
V
d
(
V
.)
I
d
(
A
.)
TABLA 6:
0.
1.
2.
4.
6.
0.
0.
1.
3.
5.
4.
5.
8.
Primer caso:
rdn
19.69 17.76
13.5u 12u
rdn 1286.67K
Sexto caso:
rdn
Segundo caso:
rdn
17.76 14.80
12u 10u
rdn 1480 K
rdn
rdn
Quinto caso:
9.87 7.91
7.56u 6.58u
rdn 2 M
Noveno caso:
1.962 0.969
4.5u 4u
rdn 1.986M
Dcimo caso:
rdn
3.95 1.962
5.4u 4.5u
rdn 2.09M
rdn
rdn
rdn 2.18M
Octavo caso:
11.86 9.87
8.5u 7.56u
5.91 3.95
6u 5.4u
rdn 3.267 MK
rdn
Cuarto caso:
14.80 11.86
10u 8.5u
rdn 1960 K
Sptimo caso:
Tercer caso:
rdn 3.45M
rdn
7.91 5.91
6.58u 6u
0.969 0.009
4u 0u
rdn 240 K
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
VIII.
CONCLUSIONES:
Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que siempre se
va a trabajar con diodos reales as que no siempre se debe esperar los
resultados tericos.
IX.
BIBLIOGRAFA:
Gua
para
mediciones
electrnicas
prcticas
de
laboratorio.
http://www.unicrom.com
Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 5ta edicin. Mc.
Graw Hill, 1983.
http://es.wikipedia.org