21/07/2015

IGBTWikipdia,aenciclopdialivre

IGBT
Origem:Wikipdia,aenciclopdialivre.

OnomeIGBT,umasigladeorigemnaLnguaInglesae
significaInsulatedGateBipolarTransistorou,emPortugus
TransistorBipolardePortaIsolada.OIGBTum
semicondutordepotnciaquealiaascaractersticasde
chaveamentodostransistoresbipolarescomaaltaimpedncia
dosMOSFETsapresentandobaixatensodesaturaoealta
capacidadedecorrente.OIGBTdestacaseporpossuiralta
eficinciaerpidochaveamento.Atualmentemuitoutilizado
emequipamentosmodernoscomocarroseltricosouhbridos,
trens,aparelhosdearcondicionadoefonteschaveadasdealta
potncia.Devidoaseuprojetoquepermiterpidochaveamento
(liga/desliga),encontraaplicaotambmemamplificadorese
geradoresquenecessitamsintetizarformasdeondacomplexa
atravsdePWMefiltrospassabaixa.
OIGBTumainvenorecente.Aprimeirageraode
dispositivosdessetiponadcadade1980einciodosanos90
possuamchaveamentorelativamentelentoeseudesligamento
(cortenaconduo)noocorriaenquantoexistissecorrente
fluindo(caractersticaconhecidanalnguainglesacomo
latchup).AsegundageraodeIGBTapresentavamelhoriae
atualmente,osdispositivosdeterceirageraosomuito
melhorescomvelocidadedechaveamentoequiparadados
MOSFETsalmdeexcelentetolernciasobrecargae
durabilidade.1

SimbologiadoIGBT

SessoverticaldeumaclulaIGBT

Basicamente,oIGBTpodeseranalisadotambmcomoum
mosfetacionandoumtransistorbipolar.Estearranjoapresenta
umtiristorparasita,quenormalmenteignoradodevidoao
avanotecnolgicorealizadonaconstruodocomponente,que
noapresentamaisesteinconveniente.

ComparaoentreIGBTeMOSFETde
potncia
UmcaracteristicadoIGBTumasignificativamentebaixaqueda
Circuitoequivalente
detensocomparadoaoMOSFETconvencionalemdispositivos
comotaxadebloqueioelevada.Comoataxadetensode
bloqueiotantodoMOSFETquantodoIGBTcrescem,aprofundidadedoregiodeconduotipondeve
aumentareadopagemdevediminuir,resultandoemumarelaoquadrticabrutadecrescentenaregio
deconduovsacapacidadedetensodebloqueiododispositivo.Pelainjeodecargasminoritrias(
lacunas)daregiodocoletorp+naregiodeconduon
,oIGBTnopodeconduzirnadireoinversa.
https://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT

1/2

21/07/2015

IGBTWikipdia,aenciclopdialivre

Nocircuitoemponte,ondeofluxodacorrenteinversanecessrio,umDiodocolocadoemparalelo
comoIGBTparaconduziracorrentenosentidocontrrio.Ocustonomuitoaltodevidoaaltatenso,
ondeousodoIGBTdomina,pequenosDiodossomaiseficintesqueocorpodeDiododoMOSFET.

Referncias
1. A.Nakagawaetal.,"Safeoperatingareafor1200Vnon
latchupbipolarmodeMOSFETs",IEEETrans.on
ElectronDevices,ED34,pp.351355(1987)
Obtidade"https://pt.wikipedia.org/w/index.php?
title=IGBT&oldid=42510185"
Categoria: Eletrnicadepotncia
CurvacaractersticadeumIGBT

Estapginafoimodificadapelaltimavez(s)20h51min
de3dejunhode2015.
EstetextodisponibilizadonostermosdalicenaCreativeCommonsAtribuioCompartilha
Igual3.0NoAdaptada(CCBYSA3.0)podeestarsujeitoacondiesadicionais.Paramais
detalhes,consulteasCondiesdeUso.

https://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT

2/2