Laboratorio.

N0: Resistencias
semiconductoras
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per

Angulo Cruz, Cristhians Alberto 20131455F

I.

OBJETIVO

El presente informe tiene como

objetivo el mostrar a los alumnos las
caractersticas no lineales de las
resistencias semiconductoras. Tambin
se tiene por objetivo el aprendizaje de
los instrumentos y construcciones de
curvas
caractersticas
de
los
elementos utilizados.

1.1.- Procedimiento que se sigui:

Se utiliz el fotorresistor (LDR) en serie
con una resistencia de 4.7 k y que en
ningn caso la corriente que circulaba
por el circuito exceda a los 20mA de
polarizacin. El foco trabaj como una
fuente
trmica,
conectado
directamente a la fuente de tensin.
Smbolo de un LDR:

II. EXPERIENCIA N 3:
1.- FUNDAMENTO TERICO:
Una fotorresistencia LDR (Light Dependent
Resistor) es un componente electrnico
cuya resistencia disminuye con el
aumento de intensidad de la luz
incidente. Su cuerpo est formado por
una clula fotorreceptora y dos
patillas.

Se vari la tensin V y se tom las

VR
VL
lecturas de
y
en el foto
resistor. Se cuid que no se excediera
el voltaje de trabajo del foco.
Se calcul el valor de la corriente en el
termistor segn la ecuacin:

2.- CIRCUITO UTILIZADO:

I=

VR
R

Se calcul el valor de la resistencia del

LDR

RL

segn la ecuacin:

1.2.- Tabla de datos

durante la experiencia:

R L=

VL
I

tomados

V R 8.2

1
3.7
VT
6
I
1.7
4
2.1
RL
6k

10

12

V DC

6,9
2
5,0
7
6,9
2
2.3
2k

7,2
4
4,7
3
7,2
4
653
,3

8,1

8,4
5
3,9

6,6
5
3,5
4
8,6
5
409
,2

9,1
5
2,7
4
9,1
5
299
,4

V DC

3,9
8,1
481
,4

8,4
5
461
,5

V DC
mA
s

I.Suministrando calor al NTC

1.3.- Curva

RL

vs V:

RL
2500
2000
1500
Resist. LDR 1000
500
0

RL
DF
1 2 3 4 5 6 7
Voltaje

6.- INVESTIGACION DE LA
OPTOELECTRONICOS Y EL MOS:

2.1.Estudio
electrnicos:

sobre

la

opto

Los dispositivos optoelectrnicas son

dispositivos que convierten las seales
pticas en seales electrnicas, o
viceversa. Estos componentes son
aquellos que sus funcionamientos
estn relacionados directamente con
la luz.
Los sistemas optoelectrnicas estn
cada vez ms de moda. Hoy en da
parece imposible mirar cualquier
aparato elctrico y no ver un panel
lleno de luces o de dgitos ms o
menos espectaculares. Por ejemplo, la
mayora de los walkman disponen de
un piloto rojo (LED) que nos avisa de
que las pilas se han agotado y que
deben cambiarse. Los tubos de rayos
catdicos con los que funcionan los
osciloscopios analgicos y los
televisores, las pantallas de cristal
lquido, los modernos sistemas de
comunicaciones mediante fibra ptica.
Los dispositivos opto electrnicos se
denominan opto aisladores o
dispositivos de acoplamiento ptico. La
optoelectrnica simplemente se dedica
a todo objeto o cosa que est
relacionado con la luz, como por
ejemplo los telfonos mviles,
aparatos electrnicos, etc.
Los dispositivos analizados son los
siguientes:
FOTODETECTORES:
* Foto Diodo
* Foto Diodo PIN
*Foto Diodo de Avalancha

* Foto Transistor
* Foto Acoplador
* Foto Resistencia (LDR)
SENSORES DE IMAGEN:
*Sensor CCD
*Sensor CMOS
CELDA FOTOELECTRICA O
FOTOVOLTAICA
DISPOSITIVOS GENERADORES DE LUZ:
* Diodo emisor de luz (LED)
* Diodo laser
DISPLAY LCD
Fotodiodo:
Un fotodiodo es un diodo PN
construido de modo tal que la luz
pueda alcanzar la juntura PN y generar
portadores debido al efecto
fotoelctrico. De este modo, se
producir una corriente elctrica
proporcional a la intensidad de la luz
incidente. El smbolo del fotodiodo se
ilustra en la figura 1. El funcionamiento
del fotodiodo radica en la separacin
de los pares electrn-hueco generados
por la radiacin que atraviesa la zona
desierta de la juntura PN. El campo
elctrico de presente en la juntura es
el que inhibe una rpida
recombinacin de los pares generados
que son arrastrados hasta las regiones
cuasi-neutrales generando as una
corriente elctrica neta.

fig. 1

Diodo PIN:
Al polarizar inversamente el fotodiodo
la corriente generada pticamente
puede ser fcilmente detectada, ya
que su magnitud es superior a la
corriente de fuga inversa del diodo. En
este contexto, la corriente de fuga
inversa del diodo, que est presente
an en ausencia de luz, se denomina
corriente de oscuridad. El material
empleado en la fabricacin del
fotodiodo define sus propiedades de
absorcin de luz, segn se aprecia en
la siguiente Tabla:

Un diodo PIN es un diodo con una regin ancha

de semiconductor intrnseco entre las zonas tipo
P y tipo N. El diodo PIN obedece la ecuacin del
diodo de juntura PN solamente para seales muy
lentas. A altas frecuencias el diodo PIN se
asemeja a un resistor casi ideal. En un diodo PIN
la regin de vaciamiento se extiende casi
exclusivamente dentro de la regin intrnseca
debido al efecto de juntura asimtrica. Esta
zona de vaciamiento es adems mucho ms
grande que en un diodo PN y bsicamente
constante en tamao, independientemente de la
polarizacin aplicada al diodo. Esto implica que
el diodo PIN tiene una mayor rea en la cual se
pueden generar los pares electrn hueco debido
al efecto fotoelctrico. Por esta razn, y debido a
su alta velocidad de respuesta, muchas veces se
utilizan fotodetectores PIN para aplicaciones
optoelectrnicas.

Foto diodo de avalancha:

Los fotodiodos de avalancha (APD,
Avalanche Photodiode) son
fotodetectores especialmente
diseados para medir luz de muy baja
intensidad. En los APD la luz externa
incide en una zona intrnseca,
generando portadores libres, al igual
que en un fotodiodo PIN. Pero estos
portadores son luego acelerados por
un campo elctrico muy intenso,
provocando un efecto de avalancha
debido al cual cada portador original
es acelerado y al chocar con la red
provoca la creacin de nuevos
portadores. El voltaje de polarizacin
inversa es tpicamente de 100-200 V y
la ganancia por efecto de avalancha es
del orden 100 veces. Algunos APD de
silicio emplean un dopaje alternativo y
otras tcnicas que permiten aplicar un
voltaje mayor (>1500V) antes de
alcanzar el efecto de avalancha y, por
tanto, una ganancia mayor (>1000).
En general, cuanto mayor es el voltaje
en inversa, mayor es la ganancia. Si se

requiere una ganancia muy alta (de

105 a 106 ) algunos APDs pueden
operar con una tensin en inversa por
encima de la tensin de ruptura. En
este caso, el APD necesita tener la
corriente limitada y disminuida
rpidamente. Los APD que operan en
este rgimen de ganancia estn en
modo Geiger. Este modo es
particularmente til para la deteccin
de fotones aislados suponiendo que la
corriente de oscuridad sea lo
suficientemente baja; literalmente,
esto implica contar fotones. Debido
a su alta sensibilidad (mucho mayor al
fotodiodo PIN) y a su elevada
velocidad de respuesta, algunas
aplicaciones tpicas de los APD son el
telmetro laser, la telecomunicacin
de larga distancia por fibra ptica. Sin
embargo, el alto costo de los
fotodiodos APD es un factor limitante
en su uso.

Fototransistor:
Se llama fototransistor a un transistor
sensible a la luz, normalmente a los
infrarrojos. La luz incide sobre la regin
de base, generando portadores en ella.
Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conduccin. El fototransistor
es ms sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia propio del

transistor. En el mercado se
encuentran fototransistores tanto con
conexin de base como sin ella y tanto
en cpsulas plsticas como metlicas
(TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y
tarjetas perforadas, lpices pticos,
etc. Para comunicaciones con fibra
ptica se prefiere usar foto detectores
PIN.

Optoacoplador:
Un opto acoplador, es un dispositivo
de emisin y recepcin de luz que
funciona como un interruptor excitado
mediante la luz. La luz es emitida por
un diodo LED que satura a un
fototransistor. De este modo se
combinan en un solo dispositivo
semiconductor, una foto emisor y una
foto receptor cuya conexin entre
ambos es ptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado
que por lo general es del tipo DIP. Se
suelen utilizar como medio de
proteccin para dispositivos muy
sensibles. En la se muestra un opto
acoplador 4N35 formado por un LED y
un fototransistor. La tensin de la
fuente de la izquierda y la resistencia
en serie establecen una corriente en el
LED emisor cuando se cierra el
interruptor S1. Si dicha corriente
proporciona un nivel de luz adecuado,
al incidir sobre el fototransistor lo
saturar, generando una corriente en
R2. De este modo la tensin de salida
ser igual a cero con S1 cerrado y a V2
con S1 abierto. Si la tensin de

entrada vara, la cantidad de luz

tambin lo har, lo que significa que la
tensin de salida cambia de acuerdo
con la tensin de entrada. De este
modo el dispositivo puede acoplar una
seal de entrada con el circuito de
salida. La ventaja fundamental de un
opto acoplador es el aislamiento
elctrico entre los circuitos de entrada
y salida. Mediante el opto acoplador, el
nico contacto entre ambos circuitos
es un haz de luz. Esto se traduce en
una resistencia de aislamiento entre
los dos circuitos del orden de miles de
M. Estos aislamientos son tiles en
aplicaciones de alta tensin en las que
los potenciales de los dos circuitos
pueden diferir en varios miles de
voltios.

Fotorresistencia:
Una fotorresistencia es un componente
electrnico cuya resistencia disminuye
con el aumento de intensidad de luz
incidente. Puede tambin ser llamado
fotorresistor, fotoconductor, clula
fotoelctrica o resistor dependiente de
la luz, cuya siglas (LDR) se originan de
su nombre en ingls light-dependent
resistor. Un fotorresistor est hecho de
un semiconductor de alta resistencia.
Si la luz que incide en el dispositivo es
de alta frecuencia, los fotones son
absorbidos por la elasticidad del
semiconductor dando a los electrones
la suficiente energa para saltar la

banda de conduccin. El electrn libre

que resulta (y su hueco asociado)
conduce electricidad, de tal modo que
disminuye la resistencia. Un dispositivo
fotoelctrico puede ser intrnseco o
extrnseco. En dispositivos intrnsecos
el fotn debe tener bastante energa
(longitud de onda corta) para excitar a
los electrones. Los dispositivos
extrnsecos tienen impurezas
agregadas, que permiten que fotones
con menor energa (es decir, de mayor
longitud de onda) provoquen
variaciones en la resistencia del
dispositivo. Se fabrican de diversos
tipos. Se pueden encontrar clulas
baratas de sulfuro del cadmio en
muchos artculos de consumo, por
ejemplo cmara fotogrfica, medidores
de luz, relojes con radio, alarmas de
seguridad y sistemas de encendido y
apagado del alumbrado de calles en
funcin de la luz ambiente.

Celda fotoelctrica, fotovoltaica o

solar:
La celda fotoelctrica se utiliza
generalmente como parte constitutiva
de un panel solar, o como un
componente central del circuito de
recarga de las bateras para equipos
porttiles o que operan en regiones sin
acceso a la red elctrica. Por lo tanto el
campo de aplicacin de las celdas
fotoelctricas es inmenso: desde
relojes y calculadores hasta

dispositivos de sealizacin,
comunicacin y satlites.

Al grupo de clulas fotoelctricas para

energa solar se le conoce como panel
fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos
consisten en una red de celdas solares
conectadas como circuito en serie para
aumentar la tensin de salida hasta el
valor deseado (usualmente se utilizan
12V 24V) a la vez que se conectan
varias redes como circuito paralelo
para aumentar la corriente elctrica
que es capaz de proporcionar el
dispositivo. El tipo de corriente
elctrica que proporcionan es corriente
continua, por lo que si fuese necesaria
corriente alterna o aumentar su
tensin, debe recurrirse a la utilizacin
de convertidores de potencia elctrica.
Sensores de imagen:
Los sensores de imagen se utilizan
como parte de las cmaras de fotos
digitales, para astronoma, etc. Su
velocidad de respuesta es mucho
menor a la de los fotodiodos, pero sus
caractersticas permiten su fcil y

econmica integracin en detectores

de muchos pixeles. Segn la aplicacin
se emplean sensores CCD o sensores
CMOS.

recibida durante el tiempo de

exposicin.

Sensores CCD:
Un CCD (Charge-Coupled Device,
dispositivo de cargas
interconectadas) es un capacitor MOS
que almacena carga elctrica
generada a partir del efecto
fotoelctrico.

El capacitor MOS se construye con una

ventana ptica sobre el poli-silicio, de
modo tal que la luz incidente atraviesa
el poli-silicio y el SiO2, alcanzando al
Silicio del sustrato. Al alcanzar el
sustrato cada fotn incidente genera
un electrn debido al efecto
fotoelctrico. Durante el tiempo de
exposicin el capacitor MOS se
polariza de modo tal de crear un pozo
de potencial debajo del SiO2, tal que
atrape a estos electrones pticamente
generados e impida su recombinacin.
Superado el tiempo de exposicin, se
pasa a la etapa de lectura, donde se
modifica la polarizacin con el fin de
que los electrones acumulados en el
pozo de potencial conformen una
corriente elctrica que ser leda por
un conversor AD externo, y que cuya
integral ser directamente
proporcional a la cantidad total de luz

Diodo Led:
El diodo emisor de luz, tambin
conocido como LED (acrnimo del
ingls de Light-Emitting Diode) es un
dispositivo semiconductor (diodo) que
emite luz cuando se polariza de forma
directa. El color (longitud de onda)
depende del material semiconductor
empleado en la construccin del diodo
y puede variar desde el ultravioleta,
pasando por el visible, hasta el
infrarrojo. Los diodos emisores de luz
que emiten luz ultravioleta tambin
reciben el nombre de UV-LED
(UltraViolet Light-Emitting Diode) y los
que emiten luz infrarroja suelen recibir
la denominacin de IRED (Infra-Red
Emitting Diode).

Diodo Laser:
El diodo lser es un dispositivo
semiconductor similar a los diodos LED
pero que bajo las condiciones

adecuadas emite luz lser (luz muy

monocromtica y coherente). En
condiciones apropiadas, el electrn y
el hueco de un LED pueden coexistir
un breve tiempo, del orden de
nanosegundos, antes de recombinarse,
de forma que si un fotn con la energa
apropiada pasa por casualidad por all
durante ese periodo, se producir la
emisin estimulada, es decir, al
producirse la recombinacin el fotn
emitido tendr igual frecuencia,
polarizacin y fase que el primer fotn.
En trminos coloquiales, un fotn le
contagia a otro sus caractersticas,
de modo que los dos fotones resultan
idnticos. En los diodos lser, para
favorecer la emisin estimulada y
generacin de luz lser, el cristal
semiconductor del diodo puede tener
la forma de una lmina delgada con un
lado totalmente reflectante (100%) y
otro slo reflectacte de forma parcial
(98%), logrndose as una unin PN de
grandes dimensiones con las caras
exteriores perfectamente paralelas y
reflectantes. En ella, los fotones
emitidos en la direccin adecuada se
reflejarn repetidamente en dichas
caras reflectantes (en una totalmente
y en la otra slo parcialmente), lo que
ayuda a su vez a la emisin de ms
fotones estimulados dentro del
material semiconductor y
consiguientemente a que se
amplifique la luz (mientras dure el
bombeo derivado de la circulacin de
corriente por el diodo). Parte de estos
fotones saldr del diodo lser a travs
de la cara parcialmente transparente.
Este proceso da lugar a que el diodo
emita luz, que al ser coherente en su
mayor parte (debido a la emisin

estimulada), posee una gran pureza

espectral (una longitud de onda muy
bien determinada). Por tanto, como la
luz emitida por este tipo de diodos es
de tipo lser, a estos diodos se los
conoce por el mismo nombre. Algunas
ventajas de los diodos lser son las
siguientes: La eficiencia de conversin
de energa a luz lser es mucho mayor
que en otros tipos de lseres; son muy
durables; son econmicos; se puede
modular la luz emitida hasta
velocidades de 1GHz; son pequeos y
livianos; su consumo de energa es
reducido. Algunas de sus aplicaciones
son: Comunicaciones de datos por
fibra ptica; Lectores de CDs y DVDs;
Interconexiones pticas entre circuitos
integrados; Impresoras lser;
Escneres; Sensores.

Displays LCD:
Una pantalla de cristal lquido o LCD
(Liquid crystal display) es una pantalla
delgada y plana formada por un
nmero de pxeles en color o
monocromos colocados delante de una
fuente de luz o reflectora. A menudo
se utiliza en dispositivos electrnicos
de pilas, ya que utiliza cantidades muy

pequeas de energa elctrica. Cada

pxel de un LCD tpicamente consiste
de una capa de molculas de un cristal
lquido especial colocadas entre dos
electrodos de vidrio y dos filtros de
polarizacin. Los filtros polarizadores
se colocan con sus ejes
perpendiculares entre s. Sin cristal
lquido entre el filtro polarizador, la luz
que pasa por el primer filtro sera
completamente bloqueada por el
segundo polarizador, ya que este se
haya con su eje ptico rotado 90
respecto al primero. Antes de la
aplicacin de un campo elctrico sobre
los electrodos de vidro, la orientacin
de las molculas de cristal lquido est
determinada por unas micro-muescas
que se hacen en las superficies de los
vidrios. Tpicamente las direcciones de
alineacin de la superficie de los dos
electrodos son perpendiculares entre
s, y as se organizan las molculas en
una estructura helicoidal, o retorcida.
Debido a que el cristal lquido es
birefringente, la luz que pasa a travs
del primer filtro polarizador va
cambiando su polarizacin de acuerdo
con la hlice de cristal lquido, y de
este modo logra pasar a pasar por el
segundo filtro polarizador.

3.- APLICACIONES:

4.- BIBLIOGRAFA:
http://www.ifent.org/lecciones/ntc/
ntc.asp
Sze Physics of Semiconductor Devices
Wikipedia
CCD vs. CMOS: Facts and fiction, by Dave Litwiller
http://www.dalsa.com/shared/content/Photonics_Spectra_
CCDvsCMOS_Litwill er.pdf

Pin Diode, http://www.answers.com/topic/pin-diode

.
http://sales.hamamatsu.com/assets/applications/SSD/photo
diode_technical_in formation.pdf