MAKALAH

POWER DIODE, TUNNEL DIODE, DAN PHOTO DIODE

Disusun oleh:
Pangestu Fajar Wibowo
H1C013073

KEMENTERIAN PENDIDIKAN DAN KEBUDAYAAN

UNIVERSITAS JENDERAL SOEDIRMAN
FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PURBALINGGA
2014

KATA PENGANTAR
Puji syukur tercurahkan ke hadirat Allah SWT karena atas nikmat, karunia, dan hidayah-Nya
makalah makalah tentang Power diode, Tunnel diode, dan Photo diode ini dapat menyelesaikan dengan
lancar tanpa ada halangan satu apapun.
Makalah ini dimaksudkan untuk memberikan gambaran dan penjelasan yang rinci tentang jenis,
karakteristik,dan aplikasi pada diode yang dimaksud. Pengetahuan tentang berbagai macam jenis diode
sangatlah penting demi menunjang perkembangan teknologi yang kian maju. Saat ini memang sudah
banyak ditemukan peralatan yang sudah jadi atau sipa pakai, namun dibalik semua itu ada kerumitan
dibalik konstruksinya yang dibangun oleh komponen-komponen dasar seperti layaknya diode. Dengan
demikian pengetahuan tentang komponen dasar sangatlah penting.
Makalah ini tersaji secara singkat namun dengan pemadatan isi sehingga tidak meninggalkan
poin penting dari pokok bahasan. Di samping itu penulis 0juga memberikan penggunaan pada setiap topic
bahasan guna memberikan gambaran yang lebih jauh tentang pemanfaatan komponen pada dunia nyata.
Saya sebagai penulis sadar bahwa makalah ini masih memiliki banyak kekurangan dan jauh dari
kata sempurna. Oleh karena itu, kami sangat membutuhkan kritik dan saran yang membangun untuk
perbaikan makalah ini. Kami berharap makalah ini dapat bermanfaat bagi kita semua.
Amin.
Punulis

DAFTAR ISI
Latar Belakang 2
Daftar isi ..3
Daftar Gambar .4
BAB I Power Diode..6
1.1 Definisi ..6
1.2 Karakteristik Power Diode ...7
1.3 Aplikasi Power Diode ..7
BAB II Tunnel Diode 15
2.1 Definisi ...15
2.2 Karakteristik Tunnel Diode 16
2.3 Aplikasi Tunnel Diode .18
BAB III Photo Diode 22
3.1 Definisi ..22
3.2 Karakteristik Photo Diode ..25
3.3 Aplikasi Photo Diode 29
Kesimpulan ..31
Penutup .32
Daftar pustaka ...33

DAFTAR GAMBAR
Gambar 1.1 Penyearah power diode .............................................................................................................8
Gambar 1.2 Penyearah setengah gelombang ................................................................................................9
Gambar 1.2 Penyearah setengah gelombang ..............................................................................................10
Gambar 1.4 Penghalusan output dengan capasitor .....................................................................................11
Gambar 1.5 Jembatan dioda ........................................................................................................................12
Gambar 1.6 Siklus positif tegangan AC ......................................................................................................13
Gambar 1.7 Grafik sinyal penyearah gelombang penuh .............................................................................14
Gambar 1.8 Siklus positif enyearah gelombang penuh dengan 2 dioda .....................................................14
Gambar 1.9 Siklus negatif penyearah gelombang penuh ............................................................................15
Gambar1.10 Grafik gelombang penyearahan gelombang penuh ................................................................15
Gambar 2.1 Tunnel diode ............................................................................................................................17
Gambar 2.3 Tegangan balik breakdown vs level doping semikonduktor ...................................................18
Gambar 2.4 (a) Rangkaian osilator resistansi negatif. (b) Titik kerja dari dioda tunnel pada gambar 3a. (c)
Tegangan dioda tunnel dari rangkaian gambar 3a .................................................................20
Gambar 2.5 Osilasi rangkaian LC................................................................................................................22
Gambar 3.1 Photodioda : Simbol rangkaian dan penampang melintangnya ..............................................23
Gambar 3.1 Photodioda : Simbol rangkaian dan penampang melintangnya ..............................................25
Gambar 3.3 Photodioda PIN .......................................................................................................................26
Gambar 3.4 Respon spektral relatif untuk bahan bahan silikon, germanium, dan selenium ......................28
Gambar 3.5 (a) Cara melakukan bias pada photodioda. (b) Simbol photodioda ........................................29
Gambar 3.6 Hubungan arus dan tegangan pada photodioda dalam beberapa level intensitas
cahaya ........30
Gambar 3. 8 (a) Photodioda digunakan sebagai sensor pada sistem keamanan. (b) Photodioda digunakan
sebagai sensor pada alat pencacah jumlah barang ..................................................................31
4

Latar Belakang
Diode pada umumnya merupakan komponen elektronika yang berfungsi sebagai
penyearah (rectifier) untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC) menjadi tegangan searah (DC).
Dioda menjadi sangat penting karena hampir semua peralatan elektronika memerlukan sumber
arus searah (DC). Selain sebagai Penyearah, Diode daya juga sering kali digunakan sebagai
freewheeling (bypass) pada reguator-regulator penyaklaran, rangkaian pemisah, rangkaian
umpan balik dari beban ke sumber, dan lain-lain.
Akhir dekade ini fungsi dari dioda sangatlah kompleks bukan hanya sebatas sebagi
penyearah atau rectifier. Sejak dilakukannya penelitian dan riset menyebabkan perkembangan
teknologi yang semakin maju dengan mengandalkan sumber daya yang ada. Dioda merupakan
komponen semikonduktor yang merupakan komponen yang sangat berperan penting dalam
sebuah sistem elektronik. Dengan demikian fungsi dari dioda sangatlah dibutuhkan.

BAB I
POWER DIODE
1.1 Definisi
Pada umumnya kita menganggap bahwa sinyal diode semikonduktor hanya akan
menghantarkan arus dalam satu arah dari anode ke katodenya (arah maju), tetapi hal itu tidak
dalam reverse bias karena berperilaku seperti sebuah katup elektrik satu arah. Penggunaan power
diode pada umumnya adalah dalam konversi dari tegangan bolak-balik (AC) ke tegangan searah
(DC), dalam kata lain sebagai penyearah (Rectifier).
Small signal diode hanya dapat digunakan sebagai penyearah dalam daya rendah, arus
rendah( kurang dari 1-amp), tetapi jika arus forward bias lebih besar atau tegangan blokir reverse
bias lebih besar maka akan dilibatkan PN junction akhirnya akan terlalu panas dan mencair
sehingga lebih besar Daya Dioda lebih kuat digunakan sebagai gantinya.

1.2 Karakteristik Power Diode

Power dioda semikonduktor, yang dikenal sebagai Power Diode, memiliki jauh lebih
besar daerah PN junction dibandingkan signal jenis sinyal dioda yang lebih kecil, sehingga
kemampuan forward arus yang tinggi hingga beberapa ratus amp (KA) dan memblokir tegangan
balik sampai beberapa ribu volt (KV).

Karena Power diode memiliki PN junction yang besar, maka tidak cocok untuk aplikasi
pada frekuensi tinggi di atas 1MHz, tetapi ada jenis khusus dan harganya pun lebih mahal yang
mampu bekerja pada frekuensi tinggi. Untuk penyearah frekuensi tinggi,

Dioda Schottky

umumnya digunakan karena waktu pemulihan yang singkat dan drop tegangan jatuh dalam
kondisi forward bias.
Power diode memberikan penyearahan yang tidak dikendalikan oleh

power dan

digunakan dalam aplikasi seperti seperti pengisian baterai dan power supply DC serta penyearah

AC dan inverter. Karena karakteristik arus dan tegangan yang tinggi power diode juga dapat
digunakan sebagai free-whelling dioda dan jaringan snubber.
Power dioda dirancang untuk memiliki resistansi forward "ON" dari fraksi Ohm
sedangkan sebaliknya mereka memblokir resistansi dalam kisaran mega-ohm. Beberapa dari
power diode yang memiliki nilai yang lebih bsar dirancang untuk menjadi "tiang" yang
dihubungkan ke heatsink untuk mengurangi tahan panas antara 0,1 sampai 1oC / Watt.

1.3 Aplikasi pada Power Diode

Jika tegangan bolak-balik diterapkan pada power dioda, selama setengah siklus positif
dioda akan menghantarkan arus lewat dan selama setengah siklus negatif dioda tidak akan
melakukan menghantarkan aliran arus. Kemudian konduksi melalui Power dioda hanya terjadi
selama setengah siklus positif dan karena itu DC searah seperti yang ditunjukkan pada gambar
berikut.
a. Penyearah (Rectifier) power diode

Gambar 1.1 Penyearah power diode

Power dioda dapat digunakan secara individual seperti gambar di atas atau terhubung
bersama-sama untuk menghasilkan berbagai rangkaian penyearah seperti "Half-Wave", "FullWave" atau sebagai "Bridge Rectifier". Setiap jenis rangkaian penyearah dapat digolongkan
sebagai salah satu penyearah tanpa kendali, setengah kendali atau kendali penuh adalah sebuah
penyearah tanpa kendali yang hanya menggunakan power dioda, penyearah kendali penuh
8

menggunakan thyristor (SCR) dan penyearah setengah kendali adalah gabungan dari dioda dan
thyristor.
Penggunaan paling umum power dioda secara individu untuk aplikasi elektronika dasar
adalah tujuan umum 1N400X Series Glass Passivated penyearah dioda dengan nilai standar dari
penyearah arus maju (forward) kontinu 1,0 amp dan reverse memblokir nilai tegangan dari 50v
untuk 1N4001 sampai 1000V untuk 1N4007, dengan 1N4007GP kecil yang paling populer untuk
tujuan umum pada penyearahan tegangan listrik.

b. Penyearah Setengah Gelombang

Sebuah penyearah adalah sirkuit yang mengubah input daya Alternating Current (AC) ke
output daya Direct Current (DC). Catu daya masukan dapat berupa fase tunggal atau masukan
multi-fase. Power dioda dalam rangkaian penyearah setengah gelombang melalui hanya setengah
dari setiap gelombang sinus utuh suplai AC untuk mengubahnya menjadi suplai DC. Oleh karena
itu jenis sirkuit ini disebut penyearah "setengah gelombang" karena hanya melewatkan setengah
dari catu daya AC yang masuk seperti yang ditunjukkan di bawah ini.

Gambar 1.2 Penyearah setengah gelombang

Selama masing-masing setengah siklus "positif" dari gelombang sinus AC, dioda di bias
maju sebagai anoda positif terhadap katoda yang menghasilkan arus mengalir melalui dioda.
9

Karena beban DC resistif (resistor, R), arus yang mengalir di resistor beban itu sebanding
dengan tegangan (Ohm's Hukum), dan tegangan di resistor beban itu akan menjadi sama dengan
tegangan suplai, Vs (minus Vf), yang merupakan tegangan "DC" yang melewati beban adalah
sinusoidal untuk setengah siklus pertama saja jadi Vout = Vs.
Selama masing-masing setengah siklus "negatif" dari gelombang input sinusoidal AC,
dioda dibias mundur sebagai anoda negatif terhadap katoda. Oleh karena itu, tidak ada arus
mengalir melalui dioda atau untai. Kemudian pada setengah siklus negatif dari suplai, tidak ada
arus mengalir pada resistor beban karena tidak ada tegangan muncul padanya oleh karena itu,
Vout = 0.
Arus DC dari rangkaian mengalir dalam satu arah saja yang membuat sirkuit Searah.
Karena resistor beban menerima dari dioda setengah positif dari gelombang, nol volt, setengah
positif dari gelombang, nol volt, dll, nilai tegangan yang tidak teratur ini akan sama nilainya
dengan sebuah tegangan DC setara 0,318 x Vmax input gelombang sinusoidal atau 0,45 x Vrms
dari gelombang masukan sinusoida.

Kemudian tegangan ekivalen DC, VDC yang melewati resistor beban dihitung sebagai
berikut

Gambar 1.3 Gelombang output yang disearahkan

Dimana Vmax adalah nilai tegangan maksimum atau puncak suplai AC sinusoidal, dan
VS adalah nilai RMS (Root Mean Squared) dari suplai.

10

V dc =

V max
=0.318 V max =0.45 V s

c. Penyearah setengah gelombang dengan Capacitor penghalus.

Gambar 1.4 Penghalusan output dengan capasitor

Ketika penyearahan digunakan untuk memberikan tegangan searah (DC) dari sumber
bolak balik (AC), jumlah tegangan riak(ripple) dapat lebih dikurangi dengan menggunakan nilai
yang lebih kapasitor yang besar tetapi ada batas baik biaya dan ukuran dengan jenis kapasitor
penghalus yang digunakan.
Untuk nilai kapasitor yang diberikan, arus beban yang lebih besar (resistansi beban yang
lebih kecil) akan men-discharge kapasitor lebih cepat (RC Waktu Konstan) dan meningkatkan
riak yang diperoleh. Kemudian untuk fase tunggal, rangkaian penyearah setengah gelombang
yang menggunakan power diode sangat tidak praktis untuk dicoba dan mengurangi tegangan riak
oleh kapasitor penghalus tunggal. Dalam hal ini akan lebih praktis untuk menggunakan "
Penyearah gelombang penuh" sebagai gantinya.
Dalam prakteknya, penyearah setengah gelombang paling sering digunakan. Output
amplitudo kurang dari amplitudo masukan dan tidak ada outp
11

ut selama setengah siklus

negatif sehingga setengah dari power terbuang dan output DC berdenyut yang menghasilkan riak
yang berlebihan. Untuk mengatasi kelemahan ini sejumlah Power Diode terhubung bersamasama untuk menghasilkan penyearah Gelombang penuh.

d. Penyearah gelombang penuh (full-wave rectifier)

Saat digunakan sebagai penyearah gelombang penuh, dioda secara bergantian menyearahkan
tegangan AC pada saat siklus positif dan negatif. Penyearah gelombang penuh ada 2 macam dan
penggunaannya disesuaikan dengan transformator yang dipakai. Untuk transformator biasa
digunakan jembatan dioda (dioda bridge) sementara untuk transformator CT digunakan 2 dioda
saja sebagai penyearahnya.

1. Penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (dioda bridge)

Pada dioda bridge, hanya ada 2 dioda saja yang menghantarkan arus untuk setiap siklus
tegangan AC sedangkan 2 dioda lainnya bersifat sebagai isolator pada saat siklus yang sama.
Untuk memahami cara kerja dioda bridge, perhatikanlah kedua gambar berikut.

Gambar 1.5 Jembatan dioda

12

Saat siklus positif tegangan AC, arus mengalir melalui dioda B menuju beban dan kembali
melalui dioda C. Pada saat yang bersamaan pula, dioda A dan D mengalami reverse bias
sehingga tidak ada arus yg mengalir atau kedua dioda tersebut bersifat sebagai isolator.

Gambar 1.6 Siklus positif tegangan AC

Sedangkan pada saat siklus negatif tegangan AC, arus mengalir melalui dioda D menuju
beban dan kembali melalui dioda A. Karena dioda B dan C mengalami reverse bias maka arus
tidak dapat mengalir pada kedua dioda ini.
Kedua hal ini terjadi berulang secara terus menerus hingga didapatkan tegangan beban
yang berbentuk gelombang penuh yang sudah disearahkan (tegangan DC). Grafik sinyal dari
penyearah gelombang penuh dengan jembatan dioda (dioda bridge) ditunjukkan seperti pada
gambar berikut

Gambar 1.7 Grafik sinyal penyearah gelombang penuh

13

Jembatan dioda (dioda bridge) tersedia dalam bentuk 1 komponen saja atau pun bisa dibuat
dengan menggunakan 4 dioda yang sama karakteristiknya. Yang harus diperhatikan adalah besar
arus yang dilewatkan oleh dioda harus lebih besar dari besar arus yang dilewatkan pada
rangkaian.
2. Penyearah gelombang penuh menggunakan 2 dioda
Seperti telah disebutkan diatas, penyearah gelombang penuh menggunakan 2 dioda ini
hanya bisa digunakan pada transformator CT, dimana tegangan sekunder yang dihasilkan oleh
trafo CT ini adalah :
V p I P=V S I s
dimana V1=teg primer dan V2=teg sekunder
Cara kerja penyearah gelombang penuh jenis ini dapat dijelaskan seperti berikut :

Gambar 1.8 Siklus positif enyearah gelombang penuh dengan 2 dioda

Pada artikel mengenai trafo diketahui bahwa pada bagian sekunder trafo CT terdapat 2
sinyal output yang terjadi secara bersamaan, mempunyai amplitudo yang sama namun
berlawanan fasa. Saat tegangan input (teg primer) berada pada siklus positif, pada titik AO akan
terjadi siklus positif sementara pada titik OB akan terjadi siklus negatif. Akibatnya D1 akan
mengalami panjaran maju (forward bias) sedangkan D2 mengalami panjaran balik (reverse bias)
sehingga arus akan mengalir melalui D1 menuju ke beban dan kembali ke titik center tap.

14

Gambar 1.9 Siklus negatif penyearah gelombang penuh

Saat tegangan input (teg primer) berada pada siklus negatif, pada titik AO akan terjadi
siklus negatif sementara pada titik OB akan terjadi siklus positif. Akibatnya D2 akan mengalami
panjaran maju (forward bias) sedangkan D1 mengalami panjaran balik (reverse bias) sehingga
arus akan mengalir melalui D2 menuju ke beban dan kembali ke titik center tap.
Dari penjelasan cara kerja penyearah gelombang penuh jenis ini terlihat bahwa tegangan
yang terjadi pada beban mempunyai polaritas yang sama tanpa memperdulikan dioda mana yang
menghantar karena arus mengalir melalui arah yang sama sehingga akan terbentuk gelombang
penuh yang disearahkan seperti ditunjukkan pada grafik sinyal berikut.

Gambar1.10 Grafik gelombang penyearahan gelombang penuh

15

BAB II
TUNNEL DIODE
2.1 Definisi
Dioda tunnel pertama kali diperkenlkan oleh Leo Esaki pada tahun 1958. Dioda ini
memiliki karakteristik yang ditampilkan pada gambar berikut ini. Dioda tunnel, atau juga dikenal
dengan nama dioda Esaki mampu merubah kondisinya diantara level arus puncak dan arus
minimum secara cepat, switching diantara kondisi low dan high lebih cepat daripada dioda
Schottky.
Dioda tunel di buat dengan doping material semikonduktor yang akan membentuk p-n
junction pada tingkat seratus sampai seribu kali dari sebuah dioda semikonduktor biasa. Hal ini
akan mengakibatkan dalam penurunan secara besar pada depletion region, dari urutan jarak 10 -6
cm, atau sekitar 1/100 lebar dari daerah untuk semikonduktor diode biasa.

16

Gambar 2.1 Tunnel diode: (a) construction; (b) photograph. (Courtesy COM
SAT Technical Review, P. F. Varadi and T. D. Kirkendall.)

2.2 Karakteristik Tunnel Diode

Dioda tunnel memanfaatkan suatu fenomena kuantum yang aneh yang disebut dengan
Resonant Tunneling yang menghasilkan resistansi negatif pada saat dioda dalam kondisi bias
maju (forward bias). Ketika suatu tegangan yang nilainya kecil dihubungkan pada dioda tunnel,
maka dioda tersebut mulai menghantarkan arus (gambar 2.2 b). Begitu tegangannya dinaikkan,
arus yang dialirkan dioda juga ikut naik hingga mencapai suatu nilai puncak (peak current, Ip).
Tetapi, apabila tegangannya masih terus dinaikkan sedikit lagi, arusnya malah berkurang hingga
mencapai nilai terendahnya(current calley, IV). Lalu, apabila tegangan dinaikkan lagi, maka arus
yang dialirkan dioda tersebut akan ikut naik, namun kali ini arusnya tidak akan pernah turun lagi.
Simbol dari dioda tunnel ditunjukkan pada gambar 2.2 a

Gambar 2.2 (a) Simbol dioda tunnel (b) Kurva hubungan tegangan dan arus pada dioda tunnel.
(c) Rangkaian osilator

Dioda tunnel harus diberi tegangan maju sehingga dioda tersebut mengalami bias maju
hingga mencapai nilai puncaknya (voltage peak, VP) dan nilai minimumnya (voltage valley,
VV). Kurva pada gambar 1b, daerah dimana pada saat tegangan dioda tunnel dinaikkan tetapi
arusnya malah berkurang disebut daerah resistansi negatif (negative resistance).

17

Dioda tunnel diberi pengotor/doping semikonduktor tipe P dan N dalam jumlah yang
sangat banyak, bahkan hingga 1000 kali lebih banyak daripada dioda PN biasa. Perhatikan grafik
pada gambar 2.

Gambar 2.3 Tegangan balik breakdown vs level doping semikonduktor

Dioda standar berada di sebelah paling kiri, sedangkan dioda zener berada di sebelah
kanannya, sedangkan level doping dari dioda tunnel ditunjukkan pada garis putus-putus.
Pemberian dopping yang sangat banyak ini menghasilkan suatu daerah pemisah yang sangat tipis
sehingga dioda tunnel memiliki tegangan balik breakdown yang rendah dan tingkat kebocoran
arus yang besar. Daerah pemisah yang tipis ini menimbulkan efek kapasitansi yang cukup
signifikan. Untuk mengatasi ini, area sambungan dioda tunnel harus dibuat sesempit mungkin.
Pada dioda biasa, arus akan meningkat secara tajam ketika tegangan dioda melebihi tegangan
maju (forward), Vf, 0.3 V untuk dioda Germanium, dan 0.7 V untuk dioda silikon. Pada dioda
tunnel, antara 0V hingga tegangan Vf, ada sifat khusus yang disebut resistansi negatif (arus turun
saat tegangannya naik). Ini disebabkan tunneling mekanika kuantum yang melibatkan dua
partikel gelombang alami dari elektron yang bisa menembus celah pemisah tersebut. Agar
elektron dapat melewati daerah pemisah tersebut tidak perlu menunggu samapai diberi tegangan
18

maju sebesar Vf. Level energi band conduction dari material tipe N beririsan (overlap) dengan
level energi valence band pada semikonduktor tipe P. Apabila tegangannya dinaikkan, proses
tunneling dimulai, level energi dari kedua semikonduktor saling overlap sehingga arus membesar
hingga mencapai suatu titik maksimumnya. Begitu arusnya naik terus, level energi yang saling
overlap semakin berkurang sehingga arusnya mulai berkurang walaupun tegangannya dinaikkan
(ini adalah daerah negative resistance).
Didoa Tunnel tidak bagus untuk dibuat sebagai penyearah karena dioda ini memiliki
kebocoran arus yang sangat besar ketika mengalami bias terbalik. Pada akhirnya, dioda tunnel
yang digunakan dalam rangkaian biasanya memanfaatkan dioda tersebut pada kondisi bias maju
saja khususnya pada efek negative resistance (antara tegangan maksmimum dan minimum).
Sehingga tegangan dioda ini dipertahankan antara tegangan puncak (Vp) dan tegangan
minimum/lembah/valley (VV).

2.3 Aplikasi Tunnel Diode

Mungkin aplikasi dari dioda tunnel yang paling umum adalah pada rangkaian osilator
frekuensi tinggi seperti ditunjukkan pada gambar 2.4 a. Karena rangkaian ini menggunakan
dioda tunnel, maka rangkaian ini bisa juga disebut dengan osilator resistansi negatif (negative
resistance oscillator). Nilai-nilai komponen R, L, dan sumber tegangan E dipilih sedemikian rupa
sehingga titik kerjad dari dioda tunnel tersebut seperti ditunjukkan pada gambar 3b. Perhatikan
bahwa titik kerja dari dioda tunnel yang digunakan dalam rangkaian tersebut hanya
memanfaatkan daerah resistansi negatifnya. Ketika sumber tegangan dinyalakan (saklar ditutup),
tegangan pada terminal power supplynya bergerak dari angka 0 V menuju E volt. Maka arus IT
akan naik dari 0 A hingga mencapai IP, arus ini akan disimpan oleh induktor dalam medan
magnetnya. Tetapi, begitu arus IT mencapai nilai IP, dioda tunnel akan menerunkan arusnya
karena tegangan VT akan naik. Tetapi kondisi ini berlawanan dengan persamaan
E=I T R+ I T (RT )
E=I T (RRT )

19

Gambar 2.4 (a) Rangkaian osilator resistansi negatif. (b) Titik kerja dari dioda tunnel pada gambar 3a. (c)
Tegangan dioda tunnel dari rangkaian gambar 3a

Apabila kedua elemen pada persamaan di atas berkurang, maka persamaan di atas tidak
mungkin berlaku lagi. Oleh karena itu, begitu arus IT terus naik, titik kerja dari dioda bergeser
dari titik 1 ke titik 2. Namun, pada titik 2, tegangan VT lompat ke nilai yang lebih besar dari
tegangan sumber E (titik 2 berada di sebelah kanan garis beban rangkaian). Agar hukum Kirchoff
tegangan terpenuhi, polaritas dari tegangan transien induktor harus berbalik dan arus yang
mengalir dalam rangkaian mulai berkurang seperti ditunjukkan panah dari titik 2 ke titik 3.
Ketika tegangan dioda turun dari VT menjadi VV, karakteristik dari dioda menunjukkan bahwa
arus seharusnya mulai naik lagi. Tetapi kondisi tersebut tidak bisa terpenuhi karena tegangan VT
lebih besar dari tegangan sumber dan pada saat ini, koil masih mengalami discharging, sehingga
titik kerja dari rangkaian harus bergeser lagi yaitu dari titik 3 ke titik 4, arusnya semakin
mengecil. Tetapi pada saat titik kerja dari dioda berada di titik 4, tegangan pada dioda tersebut
memungkinkan dioda untuk menaikkan arusnya lagi dari 0 mA ke IP seperti ditunjukkan pada
kurva karakteristiknya. Lalu prosesnya dimulai lagi dari awal, lagi, lagi, dan begitu seterusnya,
20

titik kerja dari dioda tidak pernah mencapai kondisi stabilnya. Bentuk tegangan pada dioda
tunnel ditunjukkan pada gambar 3c. Tegangan dioda tunnel membentuk suatu sinyal yang
periodik dan berulang-ulang selama rangkaian tersebut masih disuplai oleh sumber tegangan DC.
Osilator adalah rangkaian yang dapat menghasilkan tegangan osilasi dari input tegangan DC.
Rangkaian ini menggunakan sifat resistansi negatif dari dioda tunnel untuk menghasilkan
tegangan osilasi, itulah sebabnya rangkaian ini disebut dengan osilator resistansi negatif. Bentuk
gelombang seperti ditunjukkan pada gambar 3c banyak digunakan untuk fungsi pewaktuan
(timing) dan rangkaian logika pada komputer.
Sebuah dioda tunnel juga bisa digunakan untuk menghasilkan tegangan sinus dengan
menggunakan sebuah power supply DC dan beberapa komponen pasif seperti kapasitor, resistor,
dan induktor. Perhatikan rangkaian pada gambar 4a, apabila saklar ditutup, dihasilkan tegangan
sinus, tetapi tegangan sinus ini akan teredam seiring berjalannya waktu seperti ditunjukkan pada
grafik gambar 4b. Periode dari gelombang sinus tersebut ditentukan dari nilai komponen L dan
C. Sedangkan kecepatan peredamannnya (damping coefficient) ditentukan oleh nilai
resistor.Gelombang sinus yang dihasilkan dari rangkaian tersebut mengalami redaman karena
terdapat komponen R dalam rangkaian tersebut, dimana sifat dari komponen R adalah menyerap
daya menjadi panas. Apabila kita bisa menghilangkan nilai R dari rangkaian RLC tersebut, maka
gelombang sinus yang dihasilkan dari komponen LC tidak akan diredam. Cara menghilangkan R
dari rangkaian itu adalah dengan menggunakan dioda tunnel. Sebagaimana penjelasan di atas,
dioda tunnel memiliki sifat resistansi negatif. Kita gunakan sifat resistansi negatif ini untuk
mengurangi nilai R dari rangkaian tersebut, sehingga tegangan sinus yang dihasilkan oleh
komponen LC tidak akan teredam seperti ditunjukkan pada gambar 4c. Desain yang harus kita
perhatikan adalah bagaimana caranya dioda tunnel yang kita gunakan dalam rangkaian ini
memiliki titik kerja dalam daerah resistansi negatif. Tegangan sinus yang dihasilkan dari
rangkaian ini adalah akibat dari pertukaran energi secara terus menerus antara komponen
induktor dan kapasitor.

21

Gambar 2.5 (a) Osilator rangkaian LC. (b) Osilasi yang dihasilkan rangkaian LC mengalami redaman
akibat energinya diserap oleh resistansi parasit R yang timbul dari kawat induktor. (c) Resistansi parasit
R dihilangkan oleh dioda tunnel yang memiliki sifat resistansi negatif sehingga osilasi bisa berlangsung
terus-menerus dan tidak mengalami peredaman

22

BAB III
Photo Dioda
3.1 Definisi
Photodioda adalah sebuah dioda yang dioptimasi untuk menghasilkan aliran elektron
(atau arus listrik) sebagai respon apabila terpapar oleh sinar ultraviolet, cahaya tampak, atau
cahaya infra merah. Kebanyakan photodioda dibuat dari silikon, tetapi ada juga yang dibuat dari
germanium dan galium arsenida. Daerah sambungan semikonduktor tipe P dan N tempat cahaya
masuk harus tipis sehingga cahaya bisa masuk ke daerah aktifnya (active region) atau daerah
pemisahnya (depletion region) tempat dimana cahaya diubah menjadi pasangan elektron dan
hole.
Pada gambar 1, lapisan tipe-P yang dangkal terdifusi ke lapisan jenis-N menghasilkan
sambungan PN didekat permukaan lapisan wafer tersebut. Lapisan tipe-P harus tipis sehingga
bisa melewatkan cahaya sebanyak mungkin. Difusi tipe-N yang banyak ada di belakang lapisan
wafer tersebut menempel dengan kontak logam.

Gambar 3.1 Photodioda : Simbol rangkaian dan penampang melintangnya

23

Cahaya yang masuk ke bagian atas photodioda masuk ke dalam lapisan semikonduktor.
Lapisan tipe-P yang tipis di atas membuat banyak foton melewatinya menuju daerah pemisah
(depletion region) tempat dimana pasang elektron dan hole terbentuk. Medan listrik yang tercipta
di daerah pemisah menyebabkan elektron tertarik ke lapisan N, sedangkan hole ke lapisan P.
Sebenarnya, pasangan elektron dan hole bisa dibentuk pada semua daerah dari bahan
semikonduktor. Namun, pasangan elektron dan hole yang tercipta di daerah pemisah akan
terpisah ke daerah masing-masing yaitu daerah P dan N. Banyak pasangan elektron dan hole
yang terbentuk di daerah P dan N mengalami rekombinasi. Hanya ada beberapa yang
berekombinasi di daerah pemisah. Oleh karena itu, hanya ada sedikit pasangan hole dan elektron
yang ada di daerah N dan P, dan pasangan hole-elektron di daerah pemisah adalah yang
menyebabkan terjadinya arus listrik pada saat photodioda terkena cahaya (photocurrent).
Tegangan dari photodioda bisa kita cek dengan melakukan percobaan. Penggunaan
photodioda pada mode photovoltaic (PV) tidak linier dalam range yang sangat dinamis, selain itu
juga sensitif dan memiliki noise yang rendah pada frekuensi di bawah 100 kHz. Mode operasi
yang paling banyak digunakan adalah mode photocurrent (PC) karena arus yang dihasilkan lebih
proporsional/linier terhadap jumlah fluks cahaya dengan intensitas tertentu, selain itu juga respon
frekuensinya juga lebih tinggi. Kurva yang menunjukkan hubungan antara intensitas cahaya
dengan arus yang dihasilkan oleh photodioda ditunjukkan pada gambar 2. Mode photocurrent
bisa dicapai dengan menempatkan photodioda dalam kondisi bias terbalik (reverse bias). Penguat
arus (penguat transimpedansi) harus digunakan dengan photodioda yang memiliki mode
photocurrent. Linieritas pada mode photocurrent bisa dicapai selama photodioda tidak sampai
dalam kondisi bias maju (forward bias).

24

Gambar 3. 2 Grafik hubungan antara intensitas cahaya dengan arus yang dihasilkan pada photodioda

Photodioda juga sering digunakan untuk kecepatan tinggi. Masalah kecepatan respon
maka erat kaitannya dengan efek kapasitansi parasit pada photodioda, dimana kapasitansi parasit
ini bisa diminimalisir dengan mengurangi luas permukaan cell nya. Oleh karena itu, sensor pada
sambungan fiber optik berkecepatan tinggi memiliki luasan permukaan hanya sekitar 1 mm2.
Kapasitansi parasit juga bisa dihilangkan dengan meningkatkan ketebalan daerah pemisahnya
yang dilakukan pada saat proses manufakturnya. Selain itu juga bisa diperkecil dengan
meningkatkan tegangan balik (reverse voltage) pada photodioda.
Dioda PIN adalah sebuah photodioda dengan lapisan tambahan diantara daerah P dan N
nya seperti ditunjukkan pada gambar 3. Struktur intrinsik P dalam N meningkatkan jarak antara
lapisan P dan N, sehingga kapasitansinya menurun, dan kecepatannya naik. Volume dari daerah
yang sensitif terhadap cahaya (photo sensitive) juga meningkat, meningkatkan efisiensi konversi
cahaya menjadi listrik. Bandwidth dari photodioda dapat ditingkatkan hingga 10 GHz.
Photodioda PIN memiliki sensitifitas yang tinggi dan kecepatan yang tinggi dengan harga yang
tidak terlalu mahal.

25

Gambar 3.3 Photodioda PIN : penambahan daerah instrinsik dapat meningkatkan ketebalan daerah
pemisah sehingga menurunkan efek kapasitansi parasit

3.2 Karakteristik Photodioda

Photodioda Avalence (APD) didisain untuk beroperasi pada tegangan bias terbalik
(reverse bias) yang sangat tinggi menghasilkan efek melipatgandakan elektron sama seperti
photomultiplier tube. Tegangan balik (reverse voltage) pada photodioda sekitar 10 V hingga
2000 V. Tegangan bias terbalik yang sangat tinggi ini mempercepat proses perubahan elektron
menjadi pasangan elektron-hole pada daerah instrinsik sehingga memiliki kecepatan yang cukup
pada pembawa tambahan (additional carriers) dari proses tumbukan dengan kisi-kisi kristal.
Sehingga lebih banyak elektron yang dihasilkan dari sebuah foton. Tujuan dari APD adalah
melakukan penguatan di dalam photodioda sehingga mengatasi noise pada amplifier
eksternalnya. Tetapi APD menghasilkan noise nya sendiri. Pada kecepatan tinggi, APD lebih
unggul dari kombinasi penguat dioda PIN, tetapi tidak untuk aplikasi kecepatan rendah. APD
sangat mahal, kira-kira hampir sama dengan tabung photomultiplier. Sehingga APD unggul

26

terhadap photodioda PIN hanya untuk aplikasi-aplikasi khusus. Salah satunya adalah pada
aplikasi penghitung foton tunggal pada fisika nuklir.
Cahaya memiliki energi berupa paket-paket energi yang disebut dengan foton. Energi
foton ini bergantung pada frekuensi dari gelombang cahaya tersebut sesuai dengan persamaan
W =hf
dimana h adalah konstanta Planck yang memiliki nilai sebesar 6.624 x 10-34 J/s. h adalah suatu
konstanta, energi bergantung pada frekuensi gelombang cahaya yang merambat. Sebaliknya,
frekuensi ditentukan dari panjang gelombang dari cahaya yang merambat sesuai dengan
persamaan
=v / f

di mana:
adalah panjang gelombang dalam meter
v adalah kecepatan cahaya 3 x 108 m/s
f adalah frekuensi gelombang cahaya yang merambat dalam Hz

Umumnya panjang gelombang dinyatakan dalam satuan Angstrom () atau mikrometer (m).
Konversi satuan ini kedalam meter adalah
1 =1010 mdan 1 m=106 m
Panjang gelombang adalah penting karena ia akan menentukan material apa yang akan
digunakan pada divais optoelektronik tersebut. Respon spektral relatif untuk Germaniun (Ge),
Silikon (Si), dan selenium ditunjukkan pada gambar 4. Spektrum dari cahaya tampak juga
dimasukkan dengan beberapa contoh warna.

27

Gambar 3.4 Respon spektral relatif untuk bahan bahan silikon, germanium, dan selenium

Jumlah elektron bebas yang dihasilkan dari masing-masing material linier dengan
intensitas cahaya yang menerpa photodioda tersebut. Intensitas cahaya memiliki parameter fluks
lumen per satuan luas. Fluks lumen diukur dalam satuan lumen (lm) atau watt. Kedua satuan
tersebut memiliki hubungan
1lm=1,496 1010

Intensitas cahaya biasanya diukur dengan satuan lm/ft2, footcandles, atau W/m2, dimana
1 lm/ft2 = 1 fc = 1.609 x 10-9 W/m2

28

Photodioda adalah semikonduktor jenis sambungan PN dimana daerah operasinya adalah

pada mode bias terbalik (reverse bias). Rangkaian dasar dari photodioda, konstruksinya, serta
simbolnya ditunjukkan pada gambar 5.

Gambar 3.5 (a) Cara melakukan bias pada photodioda. (b) Simbol photodioda

Ingat prinsip kerja pada dioda bahwa arus saturasi dalam mode bias terbalik terbatas
hanya beberapa mikro ampere. Arus tersebut disebabkan aliran dari pembawa minoritas yang
terdapat pada meterial tipe P dan tipe N. Apabila ada cahaya yang mengenai sambungan PN nya,
maka akan dihasilkan transfer energi dari rambatan gelombang cahaya (dalam bentuk foton)
menjadi struktur atomik, menghasilkan peningkatan jumlah pembawa minoritas (minority
carriers) dan meningkatkan level dari arus balik. Perhatikan grafik pada gambar 6 menujukkan
hubungan antara arus dan tegangan photo dioda dalam mode bias terbalik untuk berbagai level
intensitas cahaya. Arus gelap (dark current) adalah arus yang mengalir pada saat tidak ada
cahaya yang mengenai photodioda. Perhatikan bahwa arus yang mengalir pada photodioda akan
benar-benar menjadi nol hanya ketika photodioda tersebut diberi tegangan positif sebesar VT.
Perhatikan juga gambar 5a, lensa cembung digunakan untuk mengkonsentrasikan cahaya agar
jatuh pada daerah pemisah. Bentuk fisik dari photodioda yang dijual di pasaran ditunjukkan pada
gambar 7.
29

Gambar 3.6 Hubungan arus dan tegangan pada photodioda dalam beberapa level intensitas cahaya

Gambar 3. 7 Bentuk fisik photodioda yang dijual di pasaran

3.3 Aplikasi Photodioda

Salah satu penggunaan dari photodioda adalah pada sistem alarm sebagai keamanan,
ditunjukkan pada gambar 8. Rangkaian tersebut terdiri dari sumber cahaya sebagai pemnacar
30

(Tx) dan photodioda sebagai penerima (Rx). Arus balik (reverse current) sebesar I akan
dihasilkan oleh photodioda selama cahaya yang dipancarkan oleh Tx mengenai photodioda.
Tetapi arus yang mengalir pada photodioda akan menjadi minimum mendekati nol apabila ada
penghalang diantara Tx dan Rx sehingga photodioda tidak bisa menangkap cahaya dari Tx.
Begitu arus yang mengalir pada photodioda mendekati nol, maka sinyal ini akan diproses oleh
suatu rangkaian (misalkan rangkaian yang terdiri dari gerbang logika) untuk menyalakan alarm.
Sehingga, apabila ada orang yang berjalan melewati pintu tersebut, alarm akan berbunyi. Model
rangkaian seperti ini juga bisa diletakkan pada sabuk konveyor yang banyak digunakan di
pabrik-pabrik untuk menghitung jumlah barang yang lewat.

Gambar 3. 8 (a) Photodioda digunakan sebagai sensor pada sistem keamanan. (b) Photodioda digunakan
sebagai sensor pada alat pencacah jumlah barang

31

KESIMPULAN
1. Power diode merupakan salah satu dari jenis dioda yang umumnya digunakan pada
proses penyearahan (rectification) gelombang Sc.
2. Proses peyearahan terbagi menjadi dua yaitu penyearah setengah gelombang (Half Wave)
dan penyearah gelombang penuh (Full Wave)
3. Dioda tunnel memanfaatkan suatu fenomena kuantum yang aneh yang disebut dengan
Resonant Tunneling yang menghasilkan resistansi negatif pada saat dioda dalam kondisi
bias maju (forward bias).
4. Aplikasi dari dioda tunnel yang paling umum adalah pada rangkaian osilator.
5. Photodioda adalah sebuah dioda yang dioptimasi untuk menghasilkan aliran elektron
sebagai respon apabila terpapar oleh sinar ultraviolet, cahaya tampak, atau cahaya infra
merah.
6. Photo dioda pada aplikasinya banyak digunakan untuk keperluan kontrol yaitu sebagai
sensor cahaya.

32

PENUTUP
Demikian makalah yang dapat saya paparkan, semoga menjadi bermanfaat. Saya
mengucapkan banyak terima kasih kepada para pembaca serta narasumber yang telah
memberikan informasi yang lengkap dalam penyusunan makalah ini. Akhir kata tak gading
yang tak retak, untuk itu kami mohon maaf apabila ada kesalahan dan kekeliruan dalam
penyusunan makalah ini.

33

DAFTAR PUSTAKA
Boylestad, Robert dan Nashelky Louis.1998. Electronic Devices and Circuit Theory 7th
Edition.New York:Mc Graww Hill
Anonimous. Prinsip Kerja dan Karakteristik Photodioda.(Online)
http://elkaasik.com/karakteristik-photodioda/
Diakses tanggal 20 Desember 2014
Anonimous. Power Diodes and Rectifiers.(Online)
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_5.html
Diakses tanggal 21 Desember 2014
Anonimous. Tunnel Diode.(Online)
http://elkaasik.com/dioda-tunnel/
Diakses tanggal 20 Desember 2014

Anonimous.Rangkaian Dioda: Penyearah Tegangan.(Online)

http://bajakoe.blogspot.com/2009/02/rangkaian-dioda-penyearah-tegangan.html
Diakses tanggal 27 Desember 2014

34