INFORME FINAL N 2:
TEMA: ANALISIS DE UN BJT EN CORRIENTE ALTERNA
PROFESOR: CUZCANO RIVAS ABILIO
CURSO
: CIRCUITOS ELECTRONICOS I
ALUMNOS:
CODIGO:
BELLAVISTA CALLAO
2016
I.
OBJETIVOS:
Conocer las caractersticas de c.a. generales de varias configuraciones
importantes de BJT.
Entender el funcionamiento de un BJT en c.a. para diversas
configuraciones importantes.
Comprobar experimentalmente las relaciones que existen en una
configuracin de un BJT en c.a..
Aprender experimentalmente a medir las intensidades de corriente
para diversas configuraciones de un BJT en c.a..
II.
MARCO TEORICO
A. EMISOR COMUN
Para describir el comportamiento de la configuracin EC, se requiere de dos
conjuntos de caractersticas: Parmetros de Entrada Parmetros de Salida
Parmetros de Entrada: relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE). Una vez que el
transistor esta encendido se supondr que el VBE es: VBE = 0.7V
6. Parmetros de Salida: relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de
salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).
7. Regin Activa La unin colector-emisor se polariza inversamente, mientras
que la unin base-emisor se polariza directamente. Esta es la regin ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador.
Los amplificadores en EC tienen una alta ganancia de voltaje y de corriente
El anlisis de pequea seal de varias configuraciones de red de transistores
estndar, utiliza diferentes los modelos de aproximacin al comportamiento
real del transistor
re
III.
MATERIALES:
Resistencias de diversos valores:
Fig.8. resistencias
Multmetro:
Fig.11. multmetro
Generador de ondas:
IV.
DISEO(simulaciones)
10
BAT1
RC
1K
15Vcc
C3
R1
4.7uF
19k
+11.3
AC mA
C1
2N3904
AC mA
15uF
Q1
+0.07
B
+4.06
AC Volts
95k
+11.4
AC mA
+155
R3
AC mV
RE
R2
100
3K
I B (mA )
0.07
0.06
0.10
I E ( mA)
11.4
11.4
11.0
I C ( mA)
11.3
11.3
11.1
r 0 ()
2.28
2.28
2.36
V 0 (V )
4.06
3.88
4.65
11
Para
Para
Para
Vi
=155mv
V i=120 mV
V i=212 mV
12
R4
+2.05
2.2k
AC mA
C2
R1
100k
C
10uF
Q1
+10.0
2N2222
AC A
C3
+10.0
100uF
R2
22k
+0.95
R3
+2.03
C1
AC mA
10Vcc
300
10uF
Volts
BAT1
R5
10k
AC Volts
+155
AC mV
RE
470
V i (V )
10
16
5
18
I B ( A)
10
19.2
2.83
22.3
I E (mA)
2.03
3.94
0.49
4.58
I C (mA)
2.05
3.94
0.55
4.57
r 0 ()
12.80
6.60
53.06
6.68
V 0 (V )
0.95
1.85
0.23
2.15
I B (A)
10.07
2.78
I E (mA)
1.95
0.55
I C (mA)
2.13
0.58
13
V i=10 V
Para
V i=16 V
Para
V i=5 V
Para
V i=18 V
Fig.17. distintas seales con voltajes
distintos en el osciloscopio del proteus.
14
BAT1
RC
18Vcc
4.8K
R1
90k
+1.83
AC mA
C1
Q1
+8.56
2N2222
AC A
100nF
C3
C
D
4.7uF
R3
+1.84
AC mA
+212
AC mV
1.2k
+84.7
AC mV
RE
R2
1.2k
18k
I B (A)
8.56
8.53
8.52
8.55
I E (mA)
1.85
1.84
1.84
1.84
I C ( mA)
1.83
1.83
1.83
1.83
r 0 ()
14.05
14.13
14.13
14.13
V 0 (mV )
84.7
42.4
14.1
75.9
15
V i=212 mV
Para
Para
V i=106 mV
Para
V i=35.3 mV
Para
V i=190 mV
16
V.
CUESTIONARIO
1) Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p adems
en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP
ingresa la corriente por esta misma.
2) Cules son las caractersticas de entrada de los transistores
NPN?
La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en un
NPN es la relacin que se tiene entre la corriente base (I B) y el
comportamiento DE La tensin VBL este ltimo en funcin de IB.
3) Cul es la causa del tiempo de subida en los BJT?
El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la
capacitancia de la unin, que en el caso normal, corriente de base es mayor
que la necesaria para saturar al transistor.
4) Cul es el modo de saturacin de los BJT?
Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento de la corriente de
base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector.
Es la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante.
5) Por qu es necesario invertir la polarizacin de los BJT durante su
apagado?
Es necesario la polarizacin para saturar al transistor, y asi no daar al
dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes del colector y
el emisor
17
VI.
Conclusiones
VII.
Aplicaciones
VIII.
BIBLIOGRAFIA
18