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Laboratorio N 5.

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA


SOLA ETAPA.
I.

Objetivos:
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de audio.

II.

Informe previo.
r b b ,r b e ,r b c ,r ce , C b e ,C b c , g m , f , f T .

1. Definir

rb b

'

'

'

'

'

'

La resistencia

rb b

, denominada resistencia de dispersin de la base, es la

'

resistenciahmica de la regin de base. Normalmente,


pequea comparada con

rb e
'

rb b

'

resulta

,variando entre 10 y 100 para dispositivos

de seal. Su valor es prcticamente independientedel punto de trabajo.

rb e
'

La resistencia

rb e
'

representa la resistencia dinmica de la unin base-

emisor vista
desde el terminal de base. Es la misma que la
su valor
viene determinado por la ecuacin:

rb e
'

indicada en la figura , y

r =r b e =
'

h fe i b
I CQ

rb c

'

rb c

La resistencia

'

tiene en cuenta el efecto de la modulacin del ancho de


rb c

la base sobre la caracterstica de entrada. En otras palabras,

'

representa una realimentacindesde el colector a la base. En este sentido,


h
juega esencialmente el mismo papel que en el circuito equivalente de
parmetros h:

La siguiente frmula aproximada relacionaestos parmetros:


h =

rb e
r
be
r b e +r b c r b c

El valor de

'

'

'

'

rb c
'

'

es muy grande (varios megaohmios es un valor tpico).

Para simplificarel anlisis, a menudo reemplazamos

rb c
'

por un circuito

abierto. Esto se justifica an ms para frecuencias altas, porque


derivada por la impedancia mucho menorde

r ce

Cb c
'

rb c
'

est

La resistencia

r ce

define (de forma aproximada) la pendiente ascendente

de la caractersticade salida del transistor. Por tanto, juega aproximadamente


hoe
el mismo papel que
en el circuito equivalente de parmetros h. Por
tanto, podemos formular:
r ce

1
hoe
est relacionada con la tensin de Early,

VA

de Early surge de las prolongaciones de la relacin entre

V ce

Adems,

hoe

diferentes valores de

V be

. La tensin
vs

Ic

para

Se observa el interesante hecho de que todas las prolongaciones se intersectan


V A
aproximadamente en un mismo valor de tensin
, cuyo valor suele
estar entre 50 y 100 V y es constante para cada transistor. De aqu puede
obtenerse por simple semejanza de tringulos la pendiente de cada curva:
IC
I
= C
V CE V A
De donde resulta
r ce =

VA
I CQ

A veces, para simplificar el anlisis, reemplazamos


abierto.

Cb c
'

r ce

por un circuito

Cb c

es la capacidad de transicin de la unin base-colector.

V CBQ

y del tipo de dispositivo que se utilice. Los valores se

La capacidad
Su valor
depende de

'

suelen proporcionar en las hojas de especificaciones como

C obo

(Desafortunadamente, el uso de smbolos no est estandarizado en toda la


comunidad electrnica.) Por ejemplo, la hoja de especificaciones del modelo
C obo
V CBQ =
2N2222A incluye una
mxima de 8 pF para
10 V.
A veces, se proporciona la constante de tiempo del circuito RC entre los
terminales
de colector y base en las hojas de especificaciones. Por ejemplo, las del
dispositivo
'
2N2222A denominan a esta constante r b Cc . Esta constante de tiempo es
aproximadamente igual a

rb b C b c
'

'

. Suponiendo que se conoce

Cb c
'

podemos utilizar el valor proporcionado por la constante de tiempo para


r
determinar b b . Para el 2N2222A:
'

Cb e
'

Cb e
'

representa la capacidad de difusin de la unin base-emisor. Su valor

depende
del punto Q y del tipo de transistor. Los valores tpicos varan de 10 pF a
1000 pF para dispositivos de seal.

gm
gm v b e

La fuente controlada

'

mostrada representa las propiedades

deamplificacin del transistor. Para un funcionamiento a baja frecuencia, los


condensadores
se comportan como circuitos abiertos. Por otro lado, como aproximacin
razonable,
r
r
r
podemos reemplazar b b por un cortocircuito, y b c y ce por circuitos
'

abiertos. El
circuito resultante se ilustra en la figura:

'

r =r b e

Donde

v =v b e

'

'

Comparndolo con el modelo

, vemos que el circuito de entrada est

formado en ambos casos por una resistencia

rb e
'

. Las dos fuentes

controladas deben producir la misma corriente de colector; por tanto,


podemos escribir:
gm v b e = i b
'

gm

Resolviendo
gm= (

ib
)
vb e
'

ib
1
=
v b e r b e , por lo que tenemos:

Sin embargo,

g m=

, obtenemos

'

'

I CQ
=
rb e V T
'

Por tanto, podemos calcular

gm

conociendo el punto Q y la temperatura.

f
f es la frecuenta de corte de la ganancia de corriente en c.c., es decir, si
determinamos
i
A i= c V
ib

CE

Ai

=0

Del modelo para altas frecuencias:

i
hfe
A i ( j) = c =
i b 1+ j r b e ( C b e +C b c )
'

'

'

v ce =0

Por tanto la frecuencia de corte con


=

1
r b e ( Cb e + C b c )
'

'

f =

'

1
2 r b e ( C b e +Cb c )
'

'

'

fT
Las hojas de datos de un transistor facilitan generalmente la frecuencia de
f
transicin T ,que es la frecuencia para la que la magnitud de la ganancia
i c /i b

de corriente del emisor comn

es igual a la unidad cuando el

transistor funciona con un cortocircuito de alterna entre el colector y masa. La


frecuencia de transicin se relaciona con los parmetros hbridos en por
medio de la frmula aproximada la cual se deduce de:

| Ai|=1=

hfe

1+ (C
2
T

b' e

+C

2 2
b' c
b' e

h fe

1+

2
2

De donde:
f T=

2
fe

1
f T =h fe f
2 r b e ( C b e +C b c )
'

'

'

2. En el circuito del experimento de acuerdo al modelo del transistor en altas


f /f
frecuencias, encontrar una expresin para T .

VCC

12V

R2
56k

CI

RI

RC
1.5k

Q1
2N2222

CO
22uF

22uF
VI

R1
12k

Sabiendo que:
f =

1
2 r b e ( C b e +Cb c )
'

'

'

Y
f T=

2
fe

1
2 r b e ( C b e +C b c )
'

Entonces:
fT

h
=

2
fe

'

'

0.68k
RE

CE
100uF

RL
10k

Cb c

3. Considerando que

'

<0.1-50pF>,

Cb e
'

<100-1000pF> y

rb e
'

hfeV T
I EQ , encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro
circuito.
De la hoja de datos del 2N2222A:
CollectorBase
Capacitance
Emitter Base
capacitance

r b e hie =
'

25

pF

Cib

25

25

pF

Cb c =8 pF

Consideramos

Calculamos

C ob

'

rb e

'

hfe V T
I CQ

Del ckto:
RTH =12 K 56 K =9.882 K
V TH =
I EQ=

12
.12=2.118 V
12+56

V TH V BE
=1.821 m A
RTH
+ RE

Por tanto (a 25C):


r b e 1.428 K
'

Clculo de
hib

gm

gm 1/hib

rb e
=14.28 g m=70.038 m S
h fe
'

Clculo de

C Mi

(Capacitancia Miller en la entrada):

C Mi=C b c ( 1K )
'

Para la configuracin de Emisor Comn:


R

L
RC )
(
1+ gm

K=gm R L C Mi =Cb c
'

C Mo

Clculo de

1
8 pF
gm R L

C Mo=C b c 1+
'

Clculo de
Cb e =
'

(Capacitancia Miller en la salida):

Cb e
'

h fe
C b c
2 rb e f T
'

'

Para el 2N2222A encontramos que

f T =300 MHz

Cb e =29.151 pF
'

Clculo de
f Hi=

f Hi

f Ho

1
1
;f =
2 RTHi Ci Ho 2 RTHo Co

Donde:
RTHi=R g||R B||r be
Considerando

Rg 1 K

RTHi=555
RTHo =R C R L=1.3 K
Ci =Cb e + C Mi=0.768 nF
'

C o=C CE +C Mo C Mo=8 pF
Reemplazando:
f Hi=373.4 K Hz

f Ho=15.3 MHz

Por tanto la frecuencia de corte superior es:


f Hi=373.4 K Hz

. Reemplazando obtenemos:

4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor ser ms


conveniente? Por qu?.
El Amplificador Base Comn es la mejor opcin en aplicaciones dealtas
frecuencias debido a que no posee el efecto Miller, por el hecho que no posee
desfase en la salida. Esto sumado a que la configuracin Base Comn posee muy
baja impedancia de entrada y como vimos:
1
f Hi=
2 RTHi Ci
En el Base Comn

RTHi

sera bajo por lo que

f Hi

es alto y en consecuencia

aumenta el ancho de banda del amplificador.


BIBLIOGRAFIA.
Diseo Electrnico. J Savant.
Electrnica. Hambley. 2da edicin.

UNIVERSIDAD NACIONAL
MAYOR DE SAN MARCOS
(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

FACULTAD INGENIERA ELECTRNICA


E.A.P. ING. ELECTRNICA

TEMA:
Respuesta en alta
frecuencia de un amplificador de una
sola etapa
(Informe previo)
Curso

Profesor

circuito electrnicos II
: Morales San Miguel Eloy

Alumno: Valencia Luque Eduardo


cd.: 10190023
Ciclo
Turno

:V
: jueves 6-8 pm