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I.

OBJETIVOS:

1. Disear una puerta inversora con transistor bipolar


2. Observar los efectos de los parmetros de conmutacin del transistor
bipolar en formas de onda rectangulares.

3. Medir los tiempos de conmutacin de una puerta inversora


transistorizada
II.

INSTRUMENTOS DE LABORATORIO:
Generador de Funciones
MOTECH FG710F(DDS FUNCTION GENERATOR /COUNTER)

OSCILOSCOPIO TEKTRONIX TDS 210 TWO CHANNEL (DIGITAL REAL


TIME-OSCILIOSCOPE)

Fuente regulable TEKTRONIX PS281

III.

Materiales
Transistor BCD548

IV.

Marco Teorico:

El transistor como conmutador


Transistor NPN:
En saturacin:
el transistor deja pasar corriente IC grande
al ser IC grande RC IC grande
VCE es pequea cuando VS 0 CERO LGICO

En corte:

el transistor no deja pasar corriente IC pequea


al ser IC pequea RC IC pequea
VCE es grande VS coincide con VCE VCC UNO LGICO

Puerta Inversora (NO)


Principio de Funcionamiento:

Puerta Inversora
Aplicaciones Digitales:

Tiempos de Conmutacin:
Cuando un transistor es activado por una seal de entrada . Hemos
considerado que los cambios de dicha seal se producen en un
tiempo nulo.

En el
caso
en
que
el poren
transistor
es
activado
una
Hemos
seal
considerado
de
entrada.
dicha
seal
se
producen
un
tiempo
nulo

Tiempo de retardo (td ):


En ingls delay time, se define como el tiempo que tarda el
componente a conducir, desde que se activa la seal de mando
hasta que alcanza el 10 % de su valor final.
Tiempo de subida (tr ):
En ingls rise time, se define como el tiempo que tarda el
componente en subir su conduccin del 10 % al 90 %.
Tiempo de almacenamiento (ts ):
En ingls storage time, se define como el tiempo que tarda el
componente, desde que se desactiva la seal de mando, hasta que
disminuye su conduccin un 10 %, es decir, desde el 100 % al 90%.

Tiempo de cada (tf ):


En ingls fall time, se define como el tiempo que tarda el componente
en bajar su conduccin desde el 90 % al 10 %.
Tiempo de conmutacin a conduccin (tON):
En ingls turn-on time, es el tiempo que tarda en conducir el 90 % de la
corriente, por lo tanto es la suma del tiempo de retardo ms el tiempo de
subida.
Tiempo de conmutacin a corte (tOFF):
En ingls turn-off time, es el tiempo que tarda en disminuir su conduccin
un 90 %, es decir el tiempo que tarda en bajar su conduccin hasta un 10 %
del total. Es la suma del tiempo de almacenamiento ms el tiempo de cada.
En resumen , los retardos introducidos por el transistor son:

t on=t d +t r
t off =t d +t r
Y siempre:

t off t on

Tareas a experimentar:
1. Disear una puerta inversora empleando un transistor de silicio .

Se utilizo el transistor qequivalente :BC548

2. Medir las magnitudes de los parmetros (voltajes, tiempos y niveles


lgicos) de la puerta inversora y compararlos con los valores tericos.
Parmetro de voltaje:

terico
terico

Vi
5
0

Vo
0
5

practico
practico

Vi
5
0

Vo
0
5

Parmetro de niveles lgicos :


Vi
1
0

Vo
0
1

Parmetros de tiempo:
Tiempo de subida:

Tiempo de bajada:

Tiempo de subida

Tiempo de bajada

teorico
Practico
Conclusiones:
Se comprueba que cuando tenemos un Vi =0 en una puerta
inversora empleando un transistor de silicio, el valor de Vo
=VCC (Tericamente sabemos que se debe a que nuestro
transistor se encuentra en Corte). Caso contrario sucede
cuando nuestro Vi=VCC, el valor de Vo =0(Tericamente
sabemos que se debe a que nuestro transistor se encuentra en
Saturacin).