TEORIA:
RESISTENCIAS: Desde el punto de vista de vista de la resistividad, podemos encontrar materiales
conductores (no presentan ninguna oposicin al paso de la corriente elctrica), aislantes (no
permiten el flujo de corriente), y resistivos (que presentan cierta resistencia). Dentro de este ltimo
grupo se sitan las resistencias. Las resistencias son componentes elctricos pasivos en los que la
tensin instantnea aplicada es proporcional a la intensidad de corriente que circula por ellos. Su
unidad de medida es el ohmio (O). Se pueden dividir en tres grupos:
Resistencias lineales fijas
Su valor de resistencia es constante y est predeterminado por el fabricante.
Resistencia nominal (Rn): es el valor hmico que se espera que tenga el componente.
Tolerancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el que se encuentra el
valor real de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento sobre el valor nominal. Los valores de
resistencia nominal y tolerancia estn normalizados a travs de la norma UNE 20 531 79 de tal
forma que disponemos de una gama de valores y sus correspondientes tolerancias (series de
valores normalizados y tolerancias para resistencias) a las que tenemos que acogernos a la hora
de elegir la resistencia necesitada.
Potencia nominal (Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar sin deteriorarse a
la temperatura nominal de funcionamiento.
Tensin nominal (Vn): es la tensin continua que se corresponde con la resistencia y potencia
nominal.
Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la resistencia y potencia
nominal.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): es la mxima tensin continua o alterna eficaz que el
dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la temperatura nominal de funcionamiento.
Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la potencia nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): es la mxima temperatura ambiente en la que el
dispositivo puede trabajar sin deteriorarse. La disipacin de una resistencia disminuye a medida
que aumenta la temperatura ambiente en la que est trabajando.
Recorrido mecnico: es el desplazamiento que limitan los puntos de parada del cursor (puntos
extremos).
Recorrido elctrico: es la parte del desplazamiento que proporcionan cambios en el valor de la
resistencia. Suele coincidir con el recorrido mecnico.
Resistencia nominal (Rn): valor esperado de resistencia variable entre los lmites del recorrido
elctrico.
Resistencia residual de fin de pista (rf): resistencia comprendida entre el lmite superior del
recorrido elctrico del cursor y el contacto B (ver figura).
Resistencia residual de principio de pista (rd): valor de resistencia comprendida entre lmite inferior
del recorrido elctrico y el contacto A (ver figura).
Resistencia total (Rt): resistencia entre los terminales fijos A o A' y B, sin tener en cuenta la
conexin del cursor e incluyendo la tolerancia. Aunque a efectos prcticos se considera igual al
valor nominal (Rt=Rn).
Resistencia de contacto (rc): resistencia que presenta el cursor entre su terminal de conexin
externo y el punto de contacto interno (suele despreciarse, al igual que rd y rf).
Temperatura nominal de funcionamiento (Tn): es la temperatura ambiente a la cual se define la
disipacin nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tmax): mxima temperatura ambiente en la que puede
ser utilizada la resistencia.
Potencia nominal (Pn): mxima potencia que puede disipar el dispositivo en servicio continuo y a la
temperatura nominal de funcionamiento.
Tensin mxima de funcionamiento (Vmax): mxima tensin continua (o alterna eficaz) que se
puede aplicar a la resistencia entre los terminales extremos en servicio continuo, a la temperatura
nominal de funcionamiento.
Resolucin: cantidad mnima de resistencia que se puede obtener entre el cursor y un extremo al
desplazar (o girar) el cursor. Suele expresarse en % en tensin, en resistencia, o resolucin
angular.
LA LEY DE OHM
La Ley de Ohm, postulada por el fsico y matemtico alemn Georg Simon Ohm, es una de las leyes
fundamentales de la electrodinmica, estrechamente vinculada a los valores de las unidades bsicas
presentes en cualquier circuito elctrico como son:
Circuito elctrico cerrado compuesto por una pila de 1,5 volt, una resistencia o carga elctrica "R" y
la.circulacin de una intensidad o flujo de corriente elctrica " I " suministrado por la propia pila.
Debido a la existencia de materiales que dificultan ms que otros el paso de la corriente elctrica a
travs de los mismos, cuando el valor de su resistencia vara, el valor de la intensidad de corriente en
ampere tambin vara de forma inversamente proporcional. Es decir, a medida que la resistencia
aumenta la corriente disminuye y, viceversa, cuando la resistencia al paso de la corriente disminuye la
corriente aumenta, siempre que para ambos casos el valor de la tensin o voltaje se mantenga
constante.
Por otro lado y de acuerdo con la propia Ley, el valor de la tensin o voltaje es directamente
proporcional a la intensidad de la corriente; por tanto, si el voltaje aumenta o disminuye, el amperaje de
la corriente que circula por el circuito aumentar o disminuir en la misma proporcin, siempre y cuando
el valor de la resistencia conectada al circuito se mantenga constante.
El flujo de corriente en ampere que circula por un circuito elctrico cerrado, es directamente
proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia en ohm
de la carga que tiene conectada.
DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente
elctrica a travs de l en un solo sentido. 1 Este trmino generalmente se usa para referirse
al diodo
semiconductor,
el
ms
comn
en
la
actualidad;
consta
de
una
pieza
de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya
no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima
de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De
Forest.
Los
primeros
diodos
eran
vlvulas
tubos
de
vaco,
tambin
llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John
Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas
por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a
travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado
con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales son
conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco
requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se
quemaban con mucha facilidad.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de
seales anlogas, rectificadores y potencia. Actualmente, los diodos de vlvula solamente se usan
en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras elctricas, amplificadores de audio, as
como equipo especializado de alta tensin.
Diodo semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de carga negativa (electrones),
llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contenga portadores de carga
positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El
lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del
diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo),
pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al
ctodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales
de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d
sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas condiciones,
el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.