Introduo..Pag2
DodosRectificadores.Pag3
Juno de PN..Pag3
Identificao visual dos terminaispag5
Dodo ZenerPag6
Principio de funcionamento.Pag6
Constituio.pag7
Utilizao.pag8
Curva caracterstica.pag9
Caractersticas tcnicaspag9
ConclusaoPag10
Introduo:
1
Objectivo Geral:
Objectivos especficos:
Metodologia:
1. DodosRectificadores.
Um dodo rectificador constitudo por uma juno PN dematerial semicondutor (silcio ou
germnio) e por doisterminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).
Estes dois terminais so formados atravs de um processo chamado processo de dopagem. Neste
processo usam-se elementos tetravalente (Germanio e Silicio) e so dopados da seguinte
maneira:
- Em cada 106 tomos de elementos tetra valente introduzido 1 atomo de uma impureza doadora
ou seja para cada 106 tomos de silcio ou germnio, so introduzidos um elemento qumico da
tabela peridica pentavalente (Grupo VI-A). Formando assim um semicondutor do tipo N, pois
haver uma ligao covalente entre o silcio (se for o caso) e a impureza pentavalente, restando
um tomo livre, como ilustra a figura:
- Em cada 106 tomos de elementos tetra valente introduzido 1 tomo de uma impureza doadora
ou seja para cada 106 tomos de silcio ou germnio, so introduzidos um elemento qumico da
tabela peridica trivalente (Grupo IV-A). Formando assim um semicondutor do tipo P, pois
haver uma ligao covalente entre o silcio (se for o caso) e a impureza trivalente, restando uma
lacuna, como ilustra a figura:
1.1.
Juno de PN.
1.2.
1.3.
A Camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos electres
livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada electro que atravessa a juno,
at que atinja o equilbrio.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A
25oC, esta barreira de 0.7V para Silcio e de 0.3V para Germnio.
1.4.
Figura (a)
Figura (b)
Figura (c)
Dodo Zener
Principio de funcionamento
Vimos que o dodo rectificador se comportava quase como isolador quando a polarizao era
inversa. O mesmo se passa com o dodo zener at um determinado valor da tenso (VZ), a partir
do qual ele comea a conduzir fortemente.
Qual ser ento o facto que justifica esta transformao de isolador em condutor?
A explicao -nos dada pela teoria do efeito de zener e o efeito de avalanche.
Efeito de zener ao aplicar ao dodo uma tenso inversa de determinado valor (VZ) rompida
a estrutura atmica do dodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente elctrica
inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tenses inversas VR <5 Volt e o seu valor pode
ser variado atravs do grau de dopagem (percentagem de impurezas) do silcio ou do germnio.
Efeito de avalanche Para tenses inversas VR >7 Volt, a conduo do dodo explicada
exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tenso inversa,
aumenta tambm a velocidade das cargas elctricas (electres). A velocidade atingida pode ser
suficiente para libertar electres dos tomos semicondutores, atravs do choque. Estes novos
electres libertados e acelerados libertam outros, originando uma reaco em cadeia, qual se
d o nome de efeito de avalanche.
6
Para tenses inversas VR, entre 5V e 7V, a conduo do dodo explicada cumulativamente
pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche).
Constituio:
Um dodo zener constitudo por uma juno PN de material semicondutor (silcio ou germnio)
e por dois terminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).
K
K
Tenso de
zener (UZ=
8,2 V)
Tenso de
A
zener
(UZ=
A27 V)A
Utilizao:
Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tenso invarivel, perfeitamente isenta de
qualquer variao ou flutuao, nada mais h do que montar o sistema constitudo pelo dodo
zener (polarizado inversamente) e a resistncia limitadora R, de tal modo que o dodo fique em
paralelo com a carga.
+
_
Curva caracterstica:
Os dodos zener so definidos pela sua tenso de zener (UZ) mas para que possa existir
regulao/estabilizao de tenso aos seus terminais a corrente que circula pelo dodo zener (IZ)
deve manter-se entre os valores de corrente zener definidos como mximo e mnimo, pois se
menor que o valor mnimo, no permite a regulao da tenso e, se maior, pode romper a
juno PN por excesso de corrente.
ZONA DE
TRABALHO
de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma
determinada corrente zener de teste Izt.
O grfico de funcionamento do zener mostra-nos que, directamente polarizado (1 quadrante),
ele conduz por volta de 0,7V, como um dodo comum. Porm, na ruptura (3 quadrante), o dodo
zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de corrente praticamente
vertical. A tenso praticamente constante, aproximadamente igual a Vz em quase toda a regio
de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma
determinada corrente zener de teste Izt.
Quando um dodo zener est a trabalhar na zona de ruptura, um aumento na corrente produz um
ligeiro aumento na tenso. Isto significa que o dodo zener tem uma pequena resistncia que
tambm denominada impedncia zener (ZZ).
ZONA DE
RUPTURA
Caractersticas tcnicas:
Variando-se o nvel de dopagem dos dodos de silcio, o fabricante pode produzir dodos zener
com diferentes tenses de zener.
A utilizao do dodo zener limitada pelos seguintes parmetros:
10
Vz Tenso de zener (este valor geralmente especificado para uma determinada corrente de
teste IZT)
Izmx Corrente de zener mxima
Izmin Corrente de zener mnima
Pz Potncia de dissipao (PZ = VZ x IZ)
Desde que a potncia no seja ultrapassada, o dodo zener pode trabalhar dentro da zona de
ruptura sem ser destrudo.
Conclusao:
Na realizacao do presente trabalho adiquiri conhecimentos bsicos a cerca dos diodos tas como ;
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Bibliografia
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET , 20:45 , 28/03/2015
REZENDE, S.M. A Fisica de Materias e dispositivos electronicos. Recife, PE: Editoria
Universitria da UFPE, 1996
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