PRACTICA NO 1.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
Amplificador Operacional como comparador.

Objetivo: - Comprobar el funcionamiento del AO como comparador.

- Verificar los efectos de la alta ganancia del AO.
Trabajo previo (preinforme)
1. Buscar en un manual o en Internet la hoja de datos del amplificador operacional TL084
e identificar en dicho documento sus parmetros ms importantes, al igual que la
distribucin de pines del integrado.
2. Verifique la conexin de la fuente dual para obtener +12V, -12V y tierra.
3. Repase los conceptos vistos en clase sobre el AO.
4. Realice clculos tericos de todos los circuitos propuestos.
5. Realice simuluaciones (multisim, proteus)
Material utilizado
- Osciloscopio
- Generador de seales
- Multmetro
- Fuente D.C.
- Protoboard
- Circuito integrado TL084
- Resistencias varias.
Procedimiento
En los numerales siguientes se utilizan diferentes configuraciones de circuito y diferentes
seales de entrada, encaminadas a determinar de forma prctica la manera cmo se
comporta el AO.
Lea cuidadosamente la gua antes de realizarla para que tenga plena seguridad de lo que
va a hacer en el laboratorio.
Nota: El TL084 no tiene proteccin contra inversiones de polaridad, por lo tanto se debe
ser muy cuidadoso a la hora de conectar la fuente de alimentacin. La fuente positiva (+V)
va al pin 4 y la negativa (-V) va al pin 11. Recuerde que la tierra queda conectada a
travs de los elementos externos.

1.

Monte el circuito de la figura siguiente. En la entrada no inversora conecte el punto

central de un potencimetro cuyos extremos estn conectados a +12V y tierra. En

la entrada inversora conecte el punto medio del divisor de resistencias formado por
R1 y R2. Observe que pasa con la seal de salida cuando se mueve el
potencimetro desde su valor mnimo hasta su valor mximo.

Figura 1.

1. Monte el circuito de la figura siguiente. Conecte las entradas inversoras de los

operacionales a los puntos intermedios de los divisores de tensin, las entradas
no inversoras se unen y se conectan al punto medio de un potencimetro cuyos
extremos estn a +12V y tierra. Observe que pasa con los LED de salida si se
mueve el potencimetro desde su valor mnimo hasta su valor mximo. Tome nota
del valor del voltaje en el potencimetro en el momento en que se enciende cada
uno de los LEDs. Explique el resultado y compare con los clculos tericos.

PRACTICA NO 2.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
MEDICION DE TEMPERATURA.

Objetivos
- Medir temperatura con el sensor LM335 y adecuar la seal para obtener una respuesta
De 100mV/C.
- Comprobar el funcionamiento del circuito diferenciador y del amplificador no inversor.
Trabajo previo (preinforme)
1. Buscar en un manual o en Internet la hoja de datos del amplificador operacional TL084
e identificar en dicho documento sus parmetros ms importantes, al igual que la
distribucin de pines del integrado.
2. Verifique la conexin de la fuente dual para obtener +12V, -12V y tierra.
3. Repase los conceptos vistos en clase sobre el AO.
4. Realice clculos tericos de todos los circuitos propuestos.
5. Realice simuluaciones (multisim, proteus)
Material utilizado
- Multmetro
- Fuente dual
- Protoboard
- Circuito integrado TL084
- Sensor LM335
- Resistencias y condensadores varios.

Procedimiento
1. Realizar el montaje de la figura.
2. Comprobar que la salida del sensor LM335 corresponde a 10mV/K. Es decir que a
una temperatura de 25C (equivale a 298K) se tiene una salida de 2,98V y as
sucesivamente.
3. Comprobar que a la salida del circuito diferenciador se hace la correccin de escala
Es decir, a 10C se medirn 10mV, a 25C se medirn 250mV y as sucesivamente.
4. El circuito amplificador no inversor se encarga de amplificar por 10 la seal anterior, lo
cual significa una respuesta de 100mV/C. As se obtendr para una temperatura de 25C
una seal de 2500mV 2,5V.

PRACTICA NO 3.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
CARACTERSTICA I V DEL DIODO DE UNION
Objetivo
Determinar la curva caracterstica del diodo.
Matrerial utilizado
Instrumentos : Multmetro digital (DMM).
Componentes : Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de
silicio 1N4004 y dos de germanio 1N60 o equivalente.
Fuente DC.
1 cautn.
Trabajo Previo
Analizar tericamente el circuito propuestos y determinar cul es la seal de salida que se
espera obtener. Dibuje las formas de onda.
PROCEDIMIENTO
1. Prueba del Diodo
Ejecute esta prueba al diodo de silicio y de germanio usando la funcin prueba de diodo
del multmetro y escriba los resultados en la tabla 1.
Tabla 1.
Prueba
Si
Ge
En directo
En inverso
Basado en los resultados de las mediciones diga cul es el estado de los diodos.
2. Caractersticas I-V de los diodos polarizados en directo
En esta parte del experimento se obtendrn suficientes datos para graficar las
caractersticas de los diodos de Si y Ge polarizados en directo.
a) Implemente el circuito de la figura 1. con la fuente DC
ajustada en 0V. Mida el resistor y escriba su valor en el
diagrama del circuito.

Figura 1.

b) Incremente el voltaje de la fuente hasta que en VR se lean los voltajes indicados en la

tabla 2, luego mida VD y calcule ID y escrbalos en dicha tabla.
Tabla 2. (Si)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
c) Reemplace el diodo de silicio por el del germanio y repita el paso b). Escriba los
resultados en la tabla 3.
Tabla 3. (Ge)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
d) Grafique ID versus VD en la figura 2. para los diodos de silicio y de germanio, iniciando
las grficas en el origen del sistema. Identifique cada curva e indique claramente en
ellas los puntos de la tabla usados para obtener la curva. Sea muy cuidadoso en la
ubicacin de dichos puntos.
e) Explique las similitudes y las diferencias entre estas curvas.

Figura 2.
3. Polarizacin en inverso
a) Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y
escriba su valor en el diagrama del circuito. Debido a que la
corriente de saturacin inversa es muy pequea, es necesario
usar la resistencia de 1 M para que el voltaje medido a
travs de ella tenga una magnitud mensurable.
b) Mida el voltaje VR.

Is

VR
Rmed . Rm

Figura 3.
Calcule la corriente de saturacin inversa usando la frmula :

. Rm es la resistencia interna del multmetro y se debe tener en cuenta

debido al gran valor de la resistencia R. Si no conoce ese dato use tpicamente el valor
de 10 M. Escriba los resultados en la tabla 4.
c) Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma
tabla.
Tabla 4.
Si
Ge
Rm
VR (med.)
IS (calculada)
RD (calculada)
d) Compare los resultados de IS y explique sus diferencias.
e) Determine la magnitud de la resistencia DC (R D) para los dos diodos y escriba los
resultados en la tabla anterior.
f) Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como
un circuito abierto si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor est en
un rango bajo de K.
4. Resistencia Esttica (RD)
a) Usando la curva del diodo de silicio de la figura 2. determine el V D correspondiente a
los niveles de corriente indicados en la tabla 5. Luego determine R D para cada nivel de
corriente y escrbalos en dicha tabla. Escriba cmo realiza estos clculos.
Tabla 5.
Si
Ge
ID (mA)
VD
RD
VD
RD
0.2
1
5
10
b) Cul es la tendencia de RD para el diodo cuando la corriente aumenta y el punto de
operacin del diodo se mueve hacia la seccin de crecimiento vertical de la
caracterstica. Explique este comportamiento.
5. Resistencia Dinmica (rd)
a) Con la ecuacin respectiva determine rd para el diodo de silicio alrededor de ID = 9 mA
usando la curva de la figura 2. Escriba el procedimiento para realizar esta labor.
b) Determine la resistencia dinmica para esa misma corriente usando la ecuacin
obtenida por clculo a partir de la ecuacin de corriente del diodo.
Compare los resultados de a) y b) y explique la diferencia.
c) Repita los pasos a) y b) para ID = 2 mA.
Compare estos resultados y explique la diferencia.
Los resultados anteriores escrbalos en la tabla 6.
Tabla 6.
ID (mA) rd (cal. por grf.) rd (cal. por ecuac.)
9
2

6. Voltaje Umbral (VT)

Determine grficamente el potencial de umbral de los diodos usando las curvas obtenidas
en la figura 2. muestre este resultado en dicha grfica y escrbalos en la
tabla 7.
Tabla 7.
Si
Ge
VT (V)
7. Demostracin de los Efectos de la Temperatura
Implemente el circuito de la figura 1. usando el diodo de silicio y ajuste la fuente para que
VR = 1 V con lo cual se establece una corriente de aproximadamente 1 mA.
a) Coloque el voltmetro en los terminales del diodo y observe lo que sucede con la
lectura cuando se calienta el diodo con el cautn. Escriba el efecto en V D cuando este
se calienta.
b) Enfre el diodo y coloque el voltmetro en los terminales del resistor, observe lo que
sucede con la lectura cuando se calienta el diodo con el cautn. Escriba el efecto en V R.
Como ID =

VR
R

, escriba el efecto en la corriente del diodo como resultado de su

calentamiento.
c) Como RD =

VD
ID

, escriba el efecto en dicha resistencia cuando se incrementa la

temperatura del diodo.

d) El diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo?
Explique su respuesta.

PRACTICA NO 4.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
DIODOS Y FUNCION DE RECTICACION

Objetivo: Interpretar la curva caracterstica del diodo e identificar su potencial funcionalidad.

Trabajo Previo
Analizar tericamente el circuito propuestos y determinar cul es la seal de salida que se
espera obtener. Dibuje las formas de onda.

1. Encuentre la forma de onda VL y calcule la potencia entregada a la carga RL, del circuito de
la figura 1.

Figura 2. Rectificador de media onda.

2. Encuentre la forma de onda VL y la potencia entregada a la carga RL.

Figura 3. Rectificador de onda completa.

3. Encuentre la forma de onda VL y la potencia entregada a la carga RL.

Figura 4. Rectificador onda completa, tipo puente.

PROCEDIMIENTO.
1- Conecte el rectificador de media onda , figura 1, y tome la forma de onda
de VL (magnitud VS tiempo) utilizando el osciloscopio.
2- Conecte el rectificador de onda completa de la figura 2 y tome la forma
de onda de VL (magnitud VS tiempo) utilizando el osciloscopio.
3- Conecte el sistema electrnico propuesto en la figura 3 y transcriba la forma
de onda VL.

4- Invierta el sentido a los 4 diodos y transcriba VL

5- Traslade el conector central del secundario al otro extremo de 12.5V y mida VL, con el
voltmetro en modalidades V A.C y V D.C.

PRACTICA NO 5.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
FILTROS Y CIRCUITOS MODIFICADORES DE SEAL

Objetivo: aprovechar la propiedad de conduccin unidireccional del diodo para imponerle

condiciones especiales a una seal de tensin.
Trabajo Previo
Analizar tericamente el circuito propuestos y determinar cul es la seal de salida que se
espera obtener. Dibuje las formas de onda.

En el circuito de la figura 1 se busca mantener un suministro de tensin de 9 voltios

totalmente regulados. Determine los rangos de fluctuacin de la tensin de red soportables,
sin que se altere la tensin subministrada.

Figura 1. Convertidor
AC/DC regulado.

Disee un circuito que cumpla con las condiciones planteadas en la figura 5.

Figura 5. Adaptador AC/Pulsos.

PROCEDIMIENTO.
1.

Monte el rectificador de onda completa y tome nota de la forma de onda VL

sin carga la salida.

2-

Calcule el factor de rizado real basado en la forma de onda VL captada con el

osciloscopio.

4- Conecte el circuito adaptador AC/PULSOS de la figura 5 y transcriba la forma de

onda lograda en VOUT.

PRACTICA NO 6.

LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
DISEO DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON
FILTRO Y REGULADOR DE TENSIN CON DIODO ZENER
Objetivo: Conocer las caractersticas de un regulador de tensin para la optimizacin de
rectificadores de tensin.
Matrerial utilizado
Instrumentos : Multmetro digital (DMM) y osciloscopio.
Componentes : Resistores y capacitor de acuerdo a resultados de diseo; cuatro
diodos de silicio 1N4004.
Transformador con secundario 6 0 6.
PROCEDIMIENTO Y TRABAJO PREVIO.
1. Problema
Disear un regulador de tensin zener que entregue una tensin de aproximadamente 7.5
V a una carga cuya corriente varia entre 0 y 30 mA. La tensin de entrada al regulador es
suministrada por un rectificador de onda completa tipo puente con capacitor de filtro el
cual es alimentado desde la red pblica de aproximadamente 120 Vrms y 60 Hz a travs
del transformador con secundario 6 0 6 y esta tensin puede tener una variacin de 2
V.
De acuerdo a los resultados obtenidos para los valores de los componentes, haga las
aproximaciones o las combinaciones que considere pertinentes segn cada caso para la
adquisicin correcta de dichos componentes.
1. Regulador de tensin con zener
a) Calcule el valor de Vr de la seal filtrada y escriba el resultado en la siguiente tabla.
Vr (calc.)
Vr(med.)
E(%)
b) Mida el valor de Vr usando el osciloscopio y encuentre el error porcentual entre el valor
calculado y valor medido y escrbalos en la tabla anterior.
c) Calcule la regulacin de lnea del regulador, calcule el cambio en el voltaje de salida
del regulador producido por el cambio total en el voltaje de entrada del regulador,

calcule la regulacin de carga del regulador y escriba los resultados en la siguiente

tabla.
Reg. lnea
Reg. carga
VL
Valor calc.
Valor med.
E (%)
d) Mida con la ayuda del osciloscopio la regulacin de lnea y el cambio en el voltaje de
salida del regulador producido por el cambio total en el voltaje de entrada del
regulador y encuentre el error porcentual entre los valores medidos y calculados. Mida
con la ayuda del multmetro la regulacin de carga y encuentre el error porcentual
entre el valor medido y el valor calculado. Escriba estos resultados en la tabla anterior.
ACTIVIDAD PREVIA Y FINAL DE LA PRACTICA
Al iniciar la practica debe entregar un documento que contenga la informacin
correspondiente a todos los clculos del respectivo diseo.
Al finalizar la practica debe entregar un documento que contenga los resultados de los
valores medidos.

PRACTICA NO 7.
LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Objetivo: Familiarizarse con los transistores, la identificacin de sus terminales y la forma como
se emplean en circuitos prcticos.
-

Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarizacin y comprobar las

caractersticas de los transistores.

Figura 6. Circuito con fotocelda.

Figura 7. de polarizacin fija

Figura 8. Circuito con polarizacin de emisor.

Figura 9.Circuito de polarizacin por divisin de tensin.

PROCEDIMIENTO:
1. Monte el circuito de la figura 6. Note que en l se utiliza una fotocelda o fotoresistencia. La
idea es que al pasar la mano por encima de la fotocelda el LED cambie de estado (on off).

a. Compruebe el funcionamiento del circuito.

b. Calcule la corriente del colector si Vce=0,3V y en el LED encendido caen 1,8V.
c. Halle el valor de resistencia de la fotocelda en el momento en que el LED est encendido
plenamente (saturacin) y en el momento en que est apagado (corte).
2. Monte el circuito de la figura 7 y mida Ib, Ic y Vce colocando ampermetros y
voltmetros en el sitio correspondiente. Compare estos valores con los que obtuvo haciendo
los clculos tericos. Concluir sobre las posibles diferencias.
b) Cambiar la resistencia de 330K por una de 10K de la figura 7. Realizar el mismo procedimiento
que en el punto anterior. Concluir.
3. En el circuito de la figura 8 medir tambin Ic, Ib y Vce, comparar con los datos tericos y
concluir. b) Concluir sobre el efecto de la resistencia de emisor.
4. En el circuito de la figura 9 medir tambin Ic, Ib y Vce, comparar con los datos tericos y
concluir.

PRACTICA NO 8.
LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
TRANSISTOR BIPOLAR OPERANDO EN CONMUTACION

OBJETIVOS
1. Recordar la prueba de transistores con el multmetro.
2. Medir los parmetros involucrados con el transistor bipolar trabajando en conmutacin (corte y
saturacin).
3. Calcular algunos parmetros de este modo de operacin con las mediciones anteriores.
EQUIPOS Y MATERIALES REQUERIDOS
Multmetro digital.
Protoboard.
1 piloto axial de 12V.
4 LED rojos.
diseo.
5 cables caimn-caimn.
Alambre telefnico.

3 transistores 2N3904.
Resistores RC1, RB1, RC2, RB2 de acuerdo a

NOTA: 1. Piloto axial de 12V a 50mA.

2. Para los LED asuma VF=2V e IF=15mA.
3. Para los resistores tambin haga el clculo de la potencia.
4. Deben proveer dos fuentes reguladas de 15V y 7V.
Procedimiento
1. Prueba de transistores.
Ejecute esta prueba de los transistores usando la funcin:
Prueba del diodo del multmetro digital. En esta prueba se miden los diodos
correspondientes a la uniones base-emisor y base-colector polarizado en directo y en
inverso y escriba los resultados de la tabla 1.
2. Medicin de Beta del multmetro digital. En esta prueba se mide el beta del
transistor y el multmetro se debe colocar en la funcin Hfe NPN. Escriba los
resultados en la tabla1.
Nota: El transistor usado como conmutador controlando el piloto axial se designa
como Q1, y el que se usa controlando los LEDs se designa como Q2.
Prueba
Q1
Q2
Unin B-E polarizada en
directo
Unin B-E polarizada en
dinverso
Unin B-C polarizada en
directo
Unin B-C polarizada en
inverso
(beta)
3. Transistor en conmutacin controlando el piloto axial. Monte en e protoboard el
circuito 1.

2.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.

Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1
RB1
RC1
RP
VB

VRC1

VCE

VCB

VP

Medidos
2.2 Transistor operando en saturacin: Aplique Vi=7V.
a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1
VB
VRC1
VCE
Medidos

VCB

VP

b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los clculos indicados en el cuadro.
Q1
RP
IB
IC
(forzada)
Calculados
3. Transistor en conmutacin controlando diodos LED
Monte en el protoboard el circuito de la figura 2.

3.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.

Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2
RB2
RC2
RD
VB

VRC2

VCE

VCB

Medidos
3.2 Transistor operando en saturacin: Aplique Vi = 7V.
a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2
VB
VRC2
VCE
Medidos

VCB

VD

VD

b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los clculos indicados en el
cuadro.
Q2
RD
IB
IC
(forzada)
Calculados
ANALISIS DE RESULTADOS
1. Para el circuito de la figura 1 explicar :
a) La diferencia presentada entre la resistencia medida y calculada del piloto axial.
b) Segn las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qu el transistor est en corte.
c) Segn las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qu el transistor est en
saturacin.
2. Para el circuito de la figura 2: explicar la diferencia presentada entre la resistencia medida y
calculada para cada LED.

ACTIVIDAD PREVIA Y POSTERIOR A LA PRACTICA

Al iniciar la prctica debe entregar un documento con los resultados de los clculos RB1, RB2, RC1
y RC2 (valor y potencia) usando para ello los valores de los parmetros dados para el piloto axial,
los LEDs y . Resumir esos resultados en un cuadro similar al de la directiva.
Al finalizar la prctica debe entregar un documento con los resultados de las mediciones dadas.
Dichos resultados se deben presentar en cuadros similares a los de la directiva.

PRACTICA NO 9.
LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
EL BJT AMPLIFICADOR DE PEQUEA SEAL

Objetivo: Disear un circuito amplificador de pequea seal a partir de las curvas caractersticas
del BJT.
TRABAJO PREVIO:
1.

Consulte datasheet de los transistores 2N3904 y 2N3906.

2.

Haga uso de la informacin para trazar su propia versin de las curvas

caractersticas estticas de los transistores 2N3904 y 2N3906. Seale sobre
ellas los lmites de la regin activa (lineal).

3.

Seleccione la fuente Vcc con la que polarizara el B.J.T y trace la lnea de carga
C.C correspondiente. As mismo, sobre la lnea de carga defina el punto Q ms
adecuado para que funcione como amplificador de pequea seal.

4.

Disee un circuito polarizador que cumpla con el punto Q seleccionado.

5.
Basado en el circuito diseado en el numeral 4, calcule la ganancia mxima (sin
carga).
6.
Asuma una carga resistiva a la salida de 1K y calcule las capacitancias de acople
para que la frecuencia de corte baja sea de 300HZ.
7.
Para el circuito configurado en el numeral 6, calcule las cuatro caractersticas
elctricas.
Av0= Ganancia a frecuencias
intermedias. Ri= Resistencia de
entrada.

R0=Resistencia

de

salida.
Ai: Amplificacin de corriente a frecuencias intermedias.

8. Revise los conceptos de: Ganancia relativa (en decibelios). Ancho de banda.
9. Plantear los cambios pertinentes para construir el amplificador con el transistor
2N3904.
PROCEDIMIENTO:
2.

Obtenga las curvas caractersticas del crcuito.

3.

De las curvas transcritas calcule , hfe y hoe.

4.

Calcule el circuito polarizador y mida los parmetros del punto Q (Vc EQ, IcQ);

5.

Efectu los ajustes necesarios para optimizar el punto Q.

6.

Agregue las capacitancias y el generador de seales para que proceda a

examinar el comportamiento dinmico del circuito.

Determine experimentalmente Avo= ganancia mxima. Av0= (Vopico/Vgpico)

a frecuencias intermedias. fL= Frecuencia de corte baja. fH= Frecuencia
de corte alta.
7.
Cargue la salida con una resistencia de 1K y determine experimentalmente la
ganancia Av.
8.

Determine Ai de manera (experimental).

9.

Efectu los cambios pertinentes en el circuito para conectar el amplificador

basado en el transistor.

Figura 10.Amplicador de pequea seal

PRACTICA NO 10.
LABORATORIO DE ELECTRONICA 1
AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

Objetivo: Acoplar etapas transistorizadas para conseguir amplificadores ms potentes.

TRABAJO PREVIO:
1. Consultar la configuracin de una etapa amplificadora de potencia (DRIVER o
PUSH PULL).
2.
Consulte la hoja de datos de los transistores TIP31 y TIP32 para que
proponga la etapa amplificadora de potencia.
3. Consulte sobre los modos de acoplar etapas amplificadoras y
seleccione el ms conveniente para configurar el sistema planteado
en la siguiente figura.

Plantear el diagrama circuital del sistema.

7-

Dibujar la forma de onda esperada si la carga fuera un parlante cuya

bobina tiene 4 ohmios. Calcule la potencia que recibira el parlante si se
inyecta al sistema una seal senoidal de 10kHz a 20 milis voltios.

PROCEDIMIENTO:

1Instale cada etapa independiente y efecte la prueba de amplificacin para cada

una.

2Acople las etapas, de izquierda a derecha y efectu seguimiento a las formas de

onda.

Recomendaciones: Unificar tierras elctricas de generador, fuentes VCC y VEE

con el nodo de referencia de los circuitos y las puntas de prueba del
osciloscopio.

Si la magnitud de Amplificacin total hace que se recorten las crestas de

la seal de salida de la etapa 2, trate de ampliar los mrgenes de
variabilidad incrementando la tensin de la fuente.