Defectos cristalinos y sus efectos en las propiedades de los materiales

UNIVERSIDAD DE LA COSTA
DEPARTAMENTO DE CIENCIAS BSICAS

REA DE LABORATORIO DE FSICA
FACULTAD DE INGENIERA
Imperfecciones Cristalinas
Jess Jaraba
Resumen
Un defecto cristalino es cualquier perturbacin en la periodicidad de la red de un slido
cristalino. El cristal perfecto es un modelo ideal, en el que las diferentes especies (ya sean molculas,
iones u tomos neutros) estn colocados de forma peridica y regular, extendindose hasta el infinito. En
la realidad, cualquier cristal presenta defectos en este modelo ideal, empezando por el hecho de que no
hay cristales infinitos.
No existen cristales perfectos pues contienen varios tipos de defectos que afectan a muchas de las
propiedades fsicas y mecnicas, que a su vez afectan a muchas propiedades importantes de los materiales
para ingeniera, como la conformacin en frio de aleaciones, la conductividad elctrica de
semiconductores, la velocidad de migracin de los tomos en aleaciones y la corrosin de los metales.
Palabras claves
Defecto, imperfeccin, dislocacin, aleaciones, defecto puntual, vacancia, Intersticialidad
Abstract
A crystal defect is any disturbance in the periodicity of the lattice of a crystalline solid. The perfect crystal
is an ideal model in which the different species (whether molecules, ions or neutral atoms) are placed
periodically and regularly extending to infinity. In reality, any crystal defects in this ideal model, starting
with the fact that no infinite crystals.
No perfect crystals because they contain several types of defects that affect many of the physical and
mechanical properties, which in turn affect many important material properties for engineering, such as
cold forming alloys, the electrical conductivity of semiconductors, the rate of migration of atoms in alloys
and metal corrosion.
Keywords
Defect, imperfection, dislocation, alloys, point defect, vacancy, interstitially
comportamiento de los materiales desde el

punto de vista de ingeniera, tales como:
velocidad de difusin, conductividad en
semiconductores, corrosin o comportamiento
mecnico entre otros.
1. Introduccin
Se dice que los cristales se caracterizan porque
sus tomos estn situados en posiciones fijas,
pero esto no es completamente cierto, ya que los
tomos se mueven dentro de unos lmites, de
una posicin a otra.
Son muy pocas las veces en que los cristales son
perfectos. Estos contienen varios tipos de
defectos e imperfecciones que afectan a la
mayora de las propiedades tanto fsicas como
mecnicas, elctricas, electrnicas, etc. Por otra
parte, estos defectos tienen influencia sobre el
Normalmente, el cristal no esta compuesto por

tomos idnticos situados en posiciones
anlogas sobre una red tridimensional que se
repite regularmente, como se ha supuesto en el
tema anterior, sino que contiene imperfecciones
o defectos que alteran la estructura de la red
espacial. Esta separacin de la perfeccin es
discreta y finita, pudindose considerar la red
como una superposicin de imperfecciones
sobre una estructura cristalina perfecta. Se
considera como imperfeccin cualquier
desviacin del modelo ideal de esferas rgidas
que se ha considerado al estudiar las
agrupaciones de los slidos.
Al ser un concepto geomtrico vamos a tratar
separadamente cada uno de los tipos de
imperfecciones. Segn su geometra y forma se
clasifican en: Puntuales, Lineales, Superficiales
y de Volumen.
La conductividad del silicio se puede

incrementar en varios miles de veces,
aadindole pequeas cantidades (0,01%) de
arsnico, cada tomo de arsnico en este caso
se ha convertido en un defecto puntual de la red
del silicio. La existencia de estos defectos que
alteran considerablemente la conductividad
elctrica de algunos materiales es la base de las
aplicaciones de los semiconductores.
La presencia de los defectos de tipo lineal
(dislocaciones) proporciona un mecanismo que
permite la deformacin de los metales con gran
facilidad permitindoles el cambio de forma
permanente (plasticidad). Tambin disminuyen
drsticamente la resistencia mecnica de los
slidos cristalinos. Las dislocaciones, como se
ve, juegan un papel importante en el
comportamiento mecnico de los materiales.
Los defectos puntuales estn localizados en

posiciones atmicas de la red, las vacantes,
impurezas, la falta o exceso de electrones, son
defectos de ste tipo.
Defectos lineales son aquellos que se extienden
a lo largo de una lnea del cristal, esta lnea no
es necesariamente recta puede ser curva, cerrada
o incluso en forma de lazo. Aunque hay
distintos tipos, se las conoce en general como
dislocaciones.
2. Fundamentos Tericos
Es una interrupcin muy localizada en la
regularidad de la red. Los defectos son de
dimensiones atmicas y en general son debidos
a: La ausencia de un tomo en la matriz,
vacancia, a la presencia de impureza (tomos de
distinta naturaleza que los que forman el cristal)
, o a la colocacin incorrecta de un tomo en la
red cristalina, intersticio. Figura 1.
Los defectos bidimensionales o de superficie,

son los formados en el proceso de formacin del
cristal por errores de apilamiento de los planos
(stacking fault), por agrupacin de defectos
lineales, o sirven de lmite entre zonas
ordenadas del cristal, siendo la regin en la que
se interrumpe el orden del mismo (bordes de
grano).
Defectos de volumen son defectos a gran escala
de tipo macroscpico y representan una
inhomogeneidad en la masa del slido. Grietas,
poros, inclusiones etc. son defectos de ste tipo.
Estos, debido a que se forman principalmente en
el proceso de solidificacin y ser macroscpicos
se estudiarn al hablar de la solidificacin.
En los slidos amorfos se pueden tambin
considerar imperfecciones en sus estructuras,
sin embargo en estos materiales al tener un
orden de corto alcance la consideracin de los
defectos es distinto a los slidos cristalinos.
Los procesos que originan este tipo de defecto

suelen ser muy variados, y entre ellos podemos
citar:
1.- La temperatura, el aumento de esta aumenta
la amplitud de vibracin de los tomos,
permitindoles emigrar y cambiar sus
posiciones en la red, produciendo defectos
puntuales.
A efectos de comparacin el tamao de los

distintos defectos puede variar desde 10-8
cm para los defectos puntuales, hasta varios cm
para defectos superficiales, influyendo cada uno
de ellos de forma muy importante en muchas
propiedades de los slidos. El comportamiento
elctrico de los semiconductores est controlado
por las imperfecciones cristalinas.
2.- Enfriamiento rpido, manteniendo los

defectos existentes a temperaturas superiores.
3.- Procesos de deformacin plstica, los
movimientos relativos de planos cristalinos
generan gran cantidad de defectos tanto
puntuales como de otros rdenes.
4.- La irradiacin con partculas de alta energa,
produce desplazamientos puntuales de tomos y
con ellos la creacin de ste tipo de defectos
movimiento de soluto dentro de una estructura

cristalina.
En los cristales inicos, la necesidad de
mantener una neutralidad de carga elctrica
implica que la formacin de una vacante de un
signo este asociada con otra vacante de signo
contrario, o con un intersticio del mismo signo.
Este tipo de defectos se conocen como defecto
de Schottky (pareja de vacantes) o de Frenkel
(vacante-intersticio) fig. 4a. La existencia de
Autointersticios en los cristales inicos es muy
superior a los existentes en los metales puros,
esto es debido a la existencia de grandes huecos
disponibles que permiten la fcil introduccin
de los iones. La geometra espacial de las
estructuras inicas est condicionada tanto a las
cargas como al tamao de los iones, quedando
muchas veces posiciones o huecos vacos.
Cuando un tomo extrao ocupa una posicin

correspondiente a un tomo de la matriz se
denomina tomo de impureza substitucional, y
cualquier otro tomo extrao situado en un
intersticio entre los de la red se llama tomo de
impureza intersticial. La posicin que tiende a
ocupar en el hueco es funcin del tamao
atmico relativo de la impureza, pequeos
tomos tienden a ser impurezas de insercin,
mientras que grandes tomos son generalmente
impurezas de substitucin.
Los tomos en posiciones intersticiales suelen
ser mayores que el hueco, y tienden a empujar a
mayor distancia a los tomos vecinos
produciendo una distorsin de los planos
reticulares. Los intersticios pueden producirse
por la severa distorsin local que se presenta
durante la deformacin plstica, as como, por
irradiacin etc.
Los tomos extraos intersticiales condicionan

segn la carga los defectos de la red. En un
cristal con iones monovalentes la existencia de
impurezas
bivalentes
necesitar
estar
acompaada de ms vacantes o autointersticios
para mantener la neutralidad elctrica, fig. 4.
Las vacantes son defectos puntuales de la red
cristalina y consisten en la ausencia de tomos
en algunos lugares normalmente ocupados. Si
un tomo de la propia red cristalina ocupa una
posicin intersticial el defecto se conoce
autointersticial.
Una vacante se puede crear por desplazamientos
de tomos internos a la superficie como vemos
en la figura 3, o por irradiacin. Posteriormente
otros tomos pueden ir saltando al hueco dejado
libre, permitiendo un movimiento fcil de las
vacantes.
La existencia de estos defectos en los slidos
son importantes, pues favorecen y controlan el
serian perfectos en una estructura cristalina. La
alteracin afecta una regin donde intervienen
varios tomos o iones.
Estas imperfecciones se pueden introducir por el
movimiento de los tomos o los iones al
aumentar la energa por calentamiento, durante
el procesamiento del material, por introduccin
de impurezas o por dopado.
En cristales covalentes las
impurezas de substitucin,
cuando son de distinto grupo de la tabla
peridica que los tomos de la matriz, inducen
la introduccin de un electrn o hueco
electrnico de ms. La substitucin de un tomo
del grupo V en un cristal de silicio produce la
aparicin de un electrn muy poco enlazado. De
los cinco electrones de la capa exterior del
tomo de impureza, cuatro forman enlaces
covalentes con los cuatro tomos de silicio
adyacentes, quedando el quinto sin implicar en
ningn enlace covalente, teniendo por tanto una
movilidad similar a los electrones libres en los
metales. La adicin por tanto de pequeas
cantidades de impurezas al silicio aumentan
notablemente la conductividad elctrica del
mismo. De una forma similar, las impurezas del
grupo III en matrices del grupo IV suponen
dejar sin completar un enlace de un tomo de la
matriz. Esta falta de enlace o hueco electrnico
permite el movimiento de algn enlace prximo
para formar el que estaba incompleto fig. 5,
permitiendo por tanto la movilidad electrnica y
como consecuencia la conductividad elctrica,
al permitir un movimiento neto de carga en
presencia de un campo elctrico. Vemos por
tanto, que los defectos de tipo puntual en
algunos cristales covalentes controlan la
conductividad elctrica en los mismos y son la
base de los semiconductores.
Vacancia
Donde Nv es el nmero de vacantes por metro

cbico
N es el nmero de puntos en la red por metro
cbico
Q es la energa requerida para producir una
vacancia (J/tomo)
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases
(1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62 x
10-5eV/tomoK
Son las imperfecciones ms comunes en los
cristales. Se dan hasta una por cada 10000
tomos.
Una vacancia se produce cuando falta un tomo

o un ion en su sitio normal de la estructura
cristalina. Cuando faltan tomos o iones (es
decir, cuando hay vacancias), aumenta el
desorden normal o entropa del material, lo cual
aumenta la estabilidad termodinmica de un
material cristalino. Las vacancias se introducen
a los metales y aleaciones durante la
solidificacin, a temperaturas elevadas o como
consecuencia de daos por radiacin.
Determinan la rapidez con que se pueden mover
los tomos o los iones, es decir, difundirse, en
un material slido, en especial en los metales
puros.
Constituye el defecto puntual ms simple. Es un
hueco creado por la prdida de un tomo que se
encontraba en esa posicin. Puede producirse
durante la solidificacin por perturbaciones
locales durante el crecimiento de los cristales.
Tambin puede producirse por reordenamientos
atmicos en el cristal ya formado como
consecuencia de la movilidad de los tomos.
El nmero de vacantes en equilibrio Nv para
una cantidad dada de material, se incrementa
con la temperatura de acuerdo a la ecuacin:
Imperfecciones Puntuales:
Son interrupciones localizadas en los arreglos
atmicos o inicos que, si no fuera por ellos,
Defecto sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un
tomo o ion es sustituido con un tipo distinto de
tomo o ion. Los tomos o iones sustitucionales
ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser
mayores que los tomos o los iones normales en
la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen
los espacios interatmicos vecinos, o pueden ser
menores, lo cual causara que los tomos vecinos
tengan distancias interatmicas mayores. Los
defectos sustitucionales perturban el cristal que
los rodea. Se pueden introducir en forma de una
impureza o de una adicin deliberada en la
aleacin.
Defectos intersticiales
Un defecto intersticial se forma cuando se
inserta un tomo o ion adicional en la estructura
cristalina en una posicin normalmente
desocupada. Los sitios intersticiales, aunque son
mucho menores que los tomos o los iones que
estn en los puntos de red, son mayores que los
sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia
la regin cristalina vecina esta comprimida o
distorsionada
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro
de la estructura de la red en una posicin que
normalmente no est ocupada formando un
defecto llamado Defecto intersticial .
Generalmente este tipo de defecto introduce
relativamente grandes distorsiones en los
alrededores puesto que normalmente el tomo
es sustancialmente ms grande que la posicin
intersticial en la que se sita. Consecuentemente
la formacin de este defecto no es muy
probable. Se pueden introducir en una estructura
por radiacin.
Defecto de Frenkel
O par de Frenkel, es una par vacanciaintersticial que se forma cuando un ion salta de
un punto normal de red a un sitio intersticial y
deja atrs una vacancia.
o intersticios, etc., y estn presentes siempre en
los cristales reales
En general existen tres tipos de dislocaciones.
Consideremos un cristal perfecto Fig. 8a, y
permitmosle que ocurra un deslizamiento a lo
largo del plano ABCD, este plano es llamado
plano de deslizamiento.
Supongamos que se ha cortado el cristal por este
plano y que se fuerza a desplazar la parte por
encima del corte una cantidad igual a un
espaciado reticular.
Este desplazamiento se realiza paralelo al plano
ABCD y al borde del cristal, Fig. 8b. El
resultado es lo que se conoce como una
dislocacin de borde.
Si el desplazamiento es un giro, se obtiene una
dislocacin helicoidal, fig. 8c y 8d, por ltimo,
si el desplazamiento es formando un ngulo con
la lnea AB se obtiene una dislocacin mixta,
mezcla una de borde y una helicoidal, fig. 8e. Se
observa segn lo anterior, que las dislocaciones
son alteraciones de la red cristalina en la
ordenacin de los planos cristalogrficos,
localizndose la interfase del defecto a lo largo
de una lnea no necesariamente recta, a lo largo
de la cual, los tomos no guardan las posiciones
y distancias que les corresponderan en un
cristal perfecto, con los tomos vecinos. A
continuacin se van a analizar cada tipo de
dislocacin con algo ms de detalle, y los
efectos que producen en el comportamiento
mecnico de los slidos.
Defecto de Schottky
Es exclusivo de los materiales inicos, y suelen
encontrarse en muchos materiales cermicos. En
este defecto, las vacancias se presentan en un
material con enlaces inicos; donde debe faltar
un nmero estequiomtrico de aniones y
cationes en el cristal si se quiere conservar en l
la neutralidad elctrica.
Imperfecciones lineales
Al deformarse un metal plsticamente, se
comprueba que el esfuerzo realizado es muy
inferior al lmite elstico terico, esto nos lleva
a la conclusin de que el deslizamiento no se
produce en los tomos por un simple
movimiento de una capa de tomos con respecto
a otra; si no que debe existir algn tipo de
debilidad mecnica en los cristales reales que
sea la causa de que el deslizamiento se produzca
an con la aplicacin de pequeos esfuerzos.
Esta diferencia entre las fuerzas de deformacin
aparente y real, se produce por el hecho de que
los cristales reales no son perfectos, sino que
contienen defectos de lnea, dislocaciones, que
implican planos extras en la red y facilitan el
desplazamiento, produciendo una distorsin en
la red centrada alrededor de una lnea. Estas se
pueden formar de muchas maneras, en el
proceso de solidificacin, por deformacin
permanente, por acumulacin de vacantes
Los defectos lineales o dislocaciones en los

slidos cristalinos son defectos que provocan
una distorsin de la red centrada en torno a una
lnea. Las dislocaciones se crean durante la
solidificacin de los slidos cristalinos. Tambin
se pueden formar en la deformacin plstica o
permanente de los slidos cristalinos, por
condensacin de vacantes y por desajuste
atmico en las disoluciones slidas.
Son imperfecciones lineales en un cristal que de
otra manera seria perfecto. Se suelen introducir
en el cristal durante la solidificacin del
material o cuando se deforma permanentemente.
Se pueden identificar tres clases de
dislocaciones: de tornillo, de borde y mixta.
Dislocacin mixta
Las dislocaciones mixtas tienen componentes de
borde y de tornillo, con una regin de transicin
entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers
queda igual para todas las porciones de la
dislocacin mixta.
Dislocaciones de tornillo
La dislocacin se puede ilustrar haciendo un
corte parcial en un cristal perfecto y, a
continuacin, torciendo ese cristal una distancia
atmica. Si se sigue un plano cristalogrfico
durante la revolucin respecto al eje de
torcimiento del cristal, comenzando en el punto
x y recorriendo distancias interatmicas iguales
en cada direccin, se termina una distancia
atmica abajo del punto de partida (el punto y).
El vector necesario para terminar el circuito y
regresar al punto de partida es el vector de
Burgers b. si se continua la rotacin, se
describir una trayectoria espiral. El eje o lnea
respecto a la cual se traza la trayectoria es la
dislocacin de tornillo. El vector de Burgers es
paralelo a la dislocacin de tornillo.
Dislocacin helicoidal
La dislocacin helicoidal puede formarse en un
cristal perfecto aplicando esfuerzos cortantes
hacia arriba y hacia abajo en las regiones del
cristal perfecto que han sido separadas por un
plano cortante. Estos esfuerzos cortantes
introducen en la estructura cristalina una regin
de distorsin en forma de una rampa en espiral
de tomos distorsionados o dislocacin
helicoidal.
Dislocaciones de borde o arista

Una dislocacin de borde se puede ilustrar
haciendo un corte parcial en un cristal perfecto,
abriendo el cristal y llenando en parte el corte
con un plano adicional de tomos. La orilla
inferior de este plano insertado representa la
dislocacin de borde.
Los defectos planares incluyen superficies
externas, lmites de grano, maclas, bordes de
ngulo cerrado, bordes de ngulo abierto,
torsiones y fallas de apilamiento. La superficie
libre o externa de cualquier material es el tipo
ms comn de defecto planar. Las superficies
externas se consideran defectos debido a que los
tomos de la superficie estn enlazados a otros
tomos slo por un lado. Por consiguiente, los
tomos de la superficie tienen un menor nmero
de vecinos. Como resultado de ello, estos
tomos tienen un mayor estado de energa en
comparacin con los tomos situados dentro del
cristal, con un nmero ptimo de vecinos. La
mayor energa asociada con los tomos de la
superficie de un material hace a la superficie
susceptible a la erosin y a reaccionar con
elementos del ambiente. Este punto ilustra con
mayor claridad la importancia de los defectos en
el desempeo de los materiales.
Deslizamiento
El proceso por el cual se mueve una dislocacin
y hace que se deforme un material metalico se
llama deslizamiento. La direccin en la que se
mueve la dislocacin es la direccin de
deslizamiento, y es la del vector de Burgers para
las dislocaciones de borde. Durante el
deslizamiento, la dislocacin de borde recorre el
plano formado por el vector de Burgers y ella
misma. A este plano se le llama plano de
deslizamiento. La combinacin de la direccin
de deslizamiento y el plano de deslizamiento es
el sistema de deslizamiento.
Lmites de grano
Los lmites de grano son los defectos de la
superficie en los materiales policristalinos que
separan a los granos (cristales) de diferentes
orientaciones. En los metales, los lmites de
grano se originan durante la solidificacin,
cuando los cristales formados desde diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose
unos con otros. La forma de los lmites de grano
est determinada por la restriccin impuesta por
el crecimiento de los granos vecinos.
El lmite de grano es una regin estrecha entre
dos granos de entre dos y cinco dimetros
Defectos planares
atmicos de ancho, y es una regin de tomos
no alineados entre dos granos adyacentes. El
ordenamiento atmico en los lmites de grano es
menor que en los granos debido a esta falta de
orden. Los lmites de grano tienen tambin
algunos tomos en posiciones pensionadas, lo
que provoca un aumento de energa en la regin
del lmite de grano.
Lmite de inclinacin en ngulo agudo
Cuando en un arreglo de dislocaciones de borde
stas se orientan en un cristal de manera tal que
dos regiones del cristal parecen desorientarse o
inclinarse, se forma un defecto bidimensional
llamado lmite de inclinacin en ngulo agudo.
Puede ocurrir un fenmeno similar cuando una
red de dislocaciones helicoidales crea un lmite
de torsin en ngulo agudo. Las dislocaciones y
las maclas, los bordes de ngulo agudo son
regiones de alta energa debido a las
distorsiones locales de la red y tienden a
endurecer a un metal.
Maclas o bordes de maclas

Las maclas o bordes de maclas son otro ejemplo
de un defecto bidimensional. Una macla se
define como una regin en la que existe una
imagen de espejo de la estructura a travs de un
plano o un borde. Los bordes gemelos se forman
cuando
un
material
se
deforma
permanentemente o de manera plstica (macla
de deformacin). Tambin pueden aparecer
durante el proceso de recristalizacin en el que
los tomos se vuelven a situar en un cristal
deformado (macla de templado), pero esto slo
ocurre en algunas aleaciones FCC.
Defectos volumtricos
Los defectos volumtricos o tridimensionales se
forman cuando un grupo de tomos o de
defectos puntuales se unen para formar un vaco
tridimensional o poro. De manera inversa, un
grupo de tomos de alguna impureza puede
unirse
para
formar
un
precipitado
tridimensional. El tamao de un defecto
volumtrico puede variar desde unos cuantos
nanmetros hasta centmetros o, en ocasiones,
puede ser mayor. Los defectos tienen un efecto
o influencia considerable en el comportamiento
y desempeo de un material. Finalmente, el
concepto de un defecto tridimensional o
volumtrico puede ampliarse a una regin
amorfa dentro de un material policristalino.
la materia. Cuando los materiales se solidifican

a partir de un estado fundido, tienden a quedar
cerca y a empacarse de forma muy comprimida,
en muchos casos se arreglan por s mismos en
una estructura muy ordenada y en otros no
tantos. Sin embargo, hay varias razones por la
que una estructura de red cristalina puede no ser
perfecta. Es frecuente que surjan imperfecciones
de manera natural debido a la incapacidad del
material que se solidifica para continuar sin
interrupcin la repeticin de la celda unitaria.
A efectos de comparacin el tamao de los
distintos defectos puede variar desde 10-8 cm
para los defectos puntuales, hasta varios cm
para defectos superficiales, influyendo cada uno
de ellos de forma muy importante en muchas
propiedades de los slidos. El comportamiento
elctrico de los semiconductores est controlado
por las imperfecciones cristalinas.
DEFECTOS PUNTUALES: involucran ya sea
un solo tomo o varios de ellos entre los cuales
encontramos:
La vacancia: falta de un tomo dentro de la
estructura de red.
Defecto schottky: un par faltante de carga
opuesta.
Intersticio: distorsin de la red producida por la
presencia de un tomo adicional estructura.
Defecto frenkel: ocurre cuando un ion se retira
de una posicin y se inserta en una posicin
intersticial cuya ocupacin no es normal por
parte de dicho ion.
DEFECTO LINEAL: es un grupo conectado
de defectos puntuales que forman una lnea en
la estructura de red. El defecto lineal mas
importe es la dislocacin que adopta dos
formas:
Dislocacin de borde: es la arista de un plano
adicional que existe en la red.
Dislocacin de tornillo: Es un espiral dentro de
la estructura de red.
Ambas tipos de dislocaciones surgen en l
estructuras cristalina durante la solidificacin,
estas son tiles para explicar ciertos aspectos de
comportamiento mecnico de los metales.
DEFECTOS
SUPERFICIALES:
son
imperfecciones que se extienden en dos
direcciones para formar una frontera.
Conclusin:
Bibliografa:
Los tomos y las molculas son los bloques de

construccin de la mayora de la estructuras de
10
http://documents.mx/documents/defectos-enlas-redes-cristalinasdocx.html
https://books.google.com.co/books?
id=gnfPV1txXiUC&printsec=frontcover&dq=d
efectos+cristalino+docx&hl=es419&sa=X&ved=0ahUKEwi0h4WviazPAhULp
B4KHRbzADUQ6AEIMTAE#v=onepage&q=d
efectos%20cristalino%20docx&f=false
https://webcache.googleusercontent.com/search
?
q=cache:_u_oLgwoiI4J:https://johnsonindustrial
.wikispaces.com/file/view/ENLACES
%2BENTRE%2BATOMOS%2BY
%2BMOLECULAS.docx+&cd=9&hl=es419&ct=clnk&gl=co
id=1OPVAAAACAAJ&dq=defectos+cristalino
+docx&hl=es419&sa=X&ved=0ahUKEwi0h4WviazPAhULp
B4KHRbzADUQ6AEIQDAH
id=DG9qiR2IyIsC&pg=PA91&dq=defectos+cri
stalino+docx&hl=es419&sa=X&ved=0ahUKEwi0h4WviazPAhULp
B4KHRbzADUQ6AEIHDAA#v=onepage&q=d
efectos%20cristalino%20docx&f=false
11

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comportamiento de los materiales desde el

Normalmente, el cristal no esta compuesto por

La conductividad del silicio se puede

Los defectos puntuales estn localizados en

Los defectos bidimensionales o de superficie,

Los procesos que originan este tipo de defecto

A efectos de comparacin el tamao de los

2.- Enfriamiento rpido, manteniendo los

movimiento de soluto dentro de una estructura

Cuando un tomo extrao ocupa una posicin

Los tomos extraos intersticiales condicionan

Donde Nv es el nmero de vacantes por metro

Una vacancia se produce cuando falta un tomo

Los defectos lineales o dislocaciones en los

Dislocaciones de borde o arista

Maclas o bordes de maclas

la materia. Cuando los materiales se solidifican

Los tomos y las molculas son los bloques de

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